「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で育成される直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶製造方法において、ウェーハのボイドの発生を抑制したリン化ガリウム単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium phosphide single crystal, which is a method for growing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 inch) by a liquid encapsulation Czochralski method (LEC method) using boron oxide (B_2O_3), and by which the occurrence of voids in a wafer is suppressed. - 特許庁

特定の条件にて繊維を熱処理して結晶化させ、紡糸条件を適正化し、極低張力にて巻き取る特殊な紡糸法を用いて製造した、特定の範囲内の配向性、結晶性、Ｕ％かつ、凝集体の少ない酸化チタン粒子を特定量含有しているＰＴＴ−ＰＯＹ。例文帳に追加

This PTT-POY is produced by crystallizing the fiber by heat- treating the fiber under a specific condition making the spinning condition proper, and using a special spinning method of winding the fiber at an extremely low tension, has an orientation, crystallinity and U% within specified ranges, and contains a specific amount of titanium oxide particles having a little amount of coagulated bodies. - 特許庁

３次元の人工結晶体を、簡単な装置で、低コストで、制御する条件やエネルギーも必要とせず、複雑なものも必要としない簡便なプロセスで、かつ再現性よく高品質の人工結晶体を短時間で製造することが可能な技術の提供。例文帳に追加

To provide a technique for producing an artificial crystal material, by which a high quality three-dimensional artificial crystal material can be produced with a simple device, at a low cost, with a simple process not necessitating conditions to be controlled, energy and a complicated article, with a good reproducibility and in a short time. - 特許庁

酸素の導入によって、＜１１１＞方向を向いた単結晶タングステンワイヤ２１の先端部のタングステン原子２２に酸素原子が結合して、酸化タングステンが形成される。例文帳に追加

Tungstic oxide is formed by combining atomic oxygen with atomic tungsten 22 at the tip of a single crystal tungsten wire 21 facing to the <111> direction based on introduction of oxygen. - 特許庁

抵抗率測定装置に探針３０を取り付け、予めシリコンウェーハに空打ちして各探針３１、３２、３３、３４のそれぞれの先端部３１Ｂ、３２Ｂ、３３Ｂ、３４Ｂが同一直線Ｃ上で平坦になるまで摩耗させた後、シリコン単結晶薄膜２１の抵抗率を測定する。例文帳に追加

A probe 30 is mounted on a resistivity measuring device and is idly struck onto a silicon wafer, and after the extremities 31B, 32B, 33B and 34B of probes 31, 32, 33, 34 are worn out until they become flat on the same straight line C, the resistivity of a silicon single-crystal thin film 21 is measured. - 特許庁

単結晶１６の直径が３００ｍｍ以上となるように引上げ条件を設定するとともに、この単結晶１６の引上げ過程で、ルツボ１０内の融液１５に対して水平方向の磁場を印加し、その磁場の強さを０．２８Ｔ以下に制御するようにした。例文帳に追加

The pulling-up condition is set so that the diameter of the single crystals 16 is to be 300 mm or larger, and a horizontal magnetic field is impressed to the melt 15 in the crucible 10 while controlling the strength of the magnetic field to be 0.28 T or smaller. - 特許庁

集電体上にシリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を堆積させ、該非結晶薄膜を活物質として用いる負極と、正極と、非水電解質とを備えるリチウム二次電池において、非水電解質に炭酸リチウムが含まれていることを特徴としている。例文帳に追加

The lithium secondary cell, composed of an anode formed by depositing a non-crystalline thin film made of a silicon non-crystalline thin film or silicon as a main component on a current collector and using the non-crystalline thin film as an activator; of a cathode; and of a nonaqueous electrolyte, is characterized by containing lithium carbonate in the nonaqueous electrolyte. - 特許庁

シリコン単結晶基板４１中に、ボロンとともに、該ボロンに比べ酸素と深いエネルギー準位を形成しづらいガリウムが添加される形となり、少数キャリアのライフタイムの低下を抑制しながら、結晶の抵抗率を低くすることができる。例文帳に追加

Since the gallium which hardly forms a deep energy level as compared with boron is doped into the substrate 41 together with boron, the resistivity of the crystal can be lowered while the decline in the lifetime of a minority carrier is suppressed. - 特許庁

この３５０℃以下という温度選択は、単結晶Ｓｉと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶Ｓｉ基板１０ならびに透明絶縁性基板２０の厚みを考慮して決定され、好ましくは１００〜３００℃とされる。例文帳に追加

The heating temperature of 350°C or lower is determined considering a difference in coefficient of thermal expansion between single crystal Si and quartz, an amount of strain due to this difference, and a relationship between the amount of strain and the thicknesses of the single crystal Si substrate 10 and the transparent insulating substrate 20; and is preferably set between 100°C and 300°C. - 特許庁

低コストかつ加工性に優れたシリコン基板上に成長することができ、基板面に垂直方向及び膜面内で結晶完全性が高く、かつ、シリコン基板と電気的に絶縁された酸化亜鉛単結晶膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a zinc oxide single crystal film which grows on a silicon substrate produced at a low cost and has excellent workability, and has high crystal integrity in the vertical direction to the substrate surface and in the crystal film and is electrically insulated from the silicon substrate. - 特許庁

酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a silicon single crystal where the deposition and sticking of SiO_2 in a furnace is effectively suppressed when the silicon single crystal is produced by a floating zone method using a silicon raw material containing oxygen. - 特許庁

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater. - 特許庁

酸化チタン又は酸化チタン層間化合物を原料として還元窒化法により窒化チタンを製造する方法において、非晶質炭素、低結晶性炭素、及び非晶質炭素又は低結晶性炭素に変換する炭素前駆体からなる群から選ばれる１以上を還元剤とし、窒素ガスを窒化剤として、１１００〜１３００℃の温度で熱処理することにより窒化チタンを製造する。例文帳に追加

This titanium nitride is produced by heat treating titanium oxide or its intercalation compound as a raw material at a temperature of 1,100 to 1,300°C by a reductive nitriding process using, as a reducing agent, at least one selected from the group consisting of amorphous carbon, low crystalline carbon and a carbon precursor to be converted to amorphous or low crystalline carbon, and also using nitrogen gas as a nitriding agent. - 特許庁

その結果、支持基板５００と単結晶シリコン層２３０の熱膨張係数の差に由来する熱応力が溝２６０で緩和されるため、貼り合わせ強度向上させるための熱処理や酸化工程などを行っても、転位やクラックのない高品位な単結晶シリコン層を得られる。例文帳に追加

As a result, thermal stress due to the difference of coefficients of thermal expansion between a retaining substrate 500 and the single crystal silicon layers 230 is relieved by the trenches 260 so that a single crystal silicon layer of high quality is obtained wherein dislocation and cracks are not developed even if thermal treatment, an oxidation process, etc., which are used for improving sticking intensity are performed. - 特許庁

単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for pulling a silicon single crystal which improves nonuniformity of BMD (Bulk Micro Defect) density per parts, while the concentration of oxygen from the top side to the bottom side is uniformly maintained in the pulling process of a single crystal. - 特許庁

全面にわたってグローン・イン結晶欠陥がなく、かつ、内部にはＩＧ効果を発揮するために十分な密度の酸素析出バルク微小欠陥（ＢＭＤ）が形成されることにより、半導体素子の動作領域の形成に好適に用いることができる、高品質なシリコン単結晶ウエハを製造する方法およびシリコン単結晶ウエハを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high-quality silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer, which can be appropriately used for forming the operating area of a semiconductor device, by eliminating a grown-in crystal defect over all the surface and internally forming the oxygen deposition bulk micro-defect (BMD) of density sufficient for presenting an IG effect. - 特許庁

ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。例文帳に追加

In a step for growing a drift layer 23 as an SiC crystal growth layer, a second period is provided which supplies only propane from among silane as silicon material gas and propane as carbon material gas to a crystal growth surface. - 特許庁

単糸繊度が９〜４５ｄｔｅｘでかつ沸騰水処理後の捲縮伸長率が１２％〜３５％のポリアミドマルチフィラメント捲縮糸であり、レーザーラマン分光法による単糸断面の結晶性測定において、単糸表層部の結晶性内部層の最も低い結晶性部分の１．０５倍以上であることを特徴とする捲縮糸。例文帳に追加

This crimped yarn is characterized in that the yarn is a polyamide multifilament crimped yarn having 9-45 dtex single yarn fineness and 12% to 35% crimp elongation ratio after treatment with boiled water and the crystallinity of the single yarn surface layer part is ≥1.05 times based on the lowest crystalline part of the inner layer part in measurement of crystallinity of single yarn cross section by laser Raman spectroscopy. - 特許庁

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。例文帳に追加

After a diffused resistance wiring 15 is formed on a main surface side of a single crystal silicon substrate 10 and a silicon nitride film 19a is formed, the main surface side of the single crystal silicon substrate 10 is planarized by coating an SOG film by rotating the substrate 10. - 特許庁

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。例文帳に追加

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented. - 特許庁

ターゲットシールド１０３は、ＬｉＮｂＯ_3単結晶ターゲット１００の両端面，接着面１１１，及びハウジング１０２をプラズマの照射から保護するために配置されるものであり、ＬｉＮｂＯ_3単結晶ターゲット１００の断面形状に合わせて８角形の開口部を備えている。例文帳に追加

The target shields 103 are arranged so as to protect both end faces, the adhesive surface 111 and the housing 102 of the LiNbO_3 single crystal target 100 from plasma irradiation, and have octagonal opening parts according to the sectional shape of the LiNbO_3 single crystal target 100. - 特許庁

ペロブスカイト型複合酸化物の単結晶粒子からなり、透過型電子顕微鏡の観測結果から求めた平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、その結晶格子中に貴金属元素が含まれている構成とする。例文帳に追加

The perovskite type compound oxide particle consists of a single crystal particle of a perovskite type compound oxide, has 5-50 nm average particle size, which is calculated by using the results measured by using a transmission electron microscope, and contains a noble metal in a crystal lattice of the single crystal particle. - 特許庁

ＢａアルコキシドとＴｉアルコキシドとＫＦとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、１０００℃未満の温度で有機分を除去することにより、ＢａＴｉＯ_３結晶のＢａの一部がＫにＯの一部がＫと同量のＦに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。例文帳に追加

A method for producing a barium titanate crystal includes removing an organic component from a solution in which Ba alkoxide, Ti alkoxide, and KF are mixed, by a sol gel process at a temperature below 1,000°C, thereby obtaining a crystal powder in which a part of Ba in a BaTiO_3 crystal is replaced by K and a part of O is replaced by the same amount of F. - 特許庁

多孔質化された単結晶シリコンに、該多孔質化された単結晶シリコンに対して実質的に不活性な液体を接触させながら、該多孔質化された単結晶シリコンの少なくとも一部を粉砕することにより、シリコン微粒子を生成させると共にこのシリコン微粒子を該液体中に分散させる工程を含むことを特徴とするシリコン微粒子含有液の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a silicon particulate-containing liquid comprises: a stage where, while a single crystal silicon made porous is brought into contact with a liquid substantially inert to the single crystal silicon made porous, at least a part of the single crystal silicon made porous is ground, thus silicon particulates are produced, and further, the silicon particulates are dispersed into the liquid. - 特許庁

結晶性ポリ乳酸の製膜条件を大きく変化させることなく、積層させる結晶性樹脂を変更するのみで、充分な易引裂き性が付与された積層フィルム、または、ポリ乳酸系樹脂で単層のみではこれまでなし得なかった耐溶剤性が付与された積層フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a laminated film having sufficient easy tear properties imparted thereto only by altering a crystalline resin to be laminated without largely changing the film forming conditions of a crystalline polylactic acid or a laminated film having solvent resistance not achieved heretofore only by a single layer of a polylactic acid resin. - 特許庁

（Ａ）コバルト塩、（Ｂ）ホスフィン化合物、（Ｃ）活性ハロゲンを含有する化合物および（Ｄ）アルミノキサンを含有する触媒系を使用して、１，３−ジエン類を、炭化水素溶媒中で重合して結晶化度を有する結晶性ポリジエンを得る。例文帳に追加

The crystalline polydiene having the crystallinity is obtained by polymerizing 1,3-dienes in a hydrocarbon solvent by using the catalytic system containing (A) a cobalt salt, (B) a phosphine compound, (C) a compound having an active halogen and (D) an aluminoxane. - 特許庁

このように規定することにより、表面には未再結晶粒の{100}面が多く存在することとなり、リン酸水溶液中で表面近傍のpH変化が短時間で大きくなり、化成結晶生成が促進されて化成処理性が優れることになる。例文帳に追加

By specifying it like this, a large amount of the {100} faces of un-recrystallized particles exist on the surface, and the change in pH near the surface in a phosphoric acid water solution becomes large in a short time, and formation of the chemical conversion crystal is accelerated to result in excellent in chemical conversion properties. - 特許庁

本発明によれば、ＭｇＯ１質量部を基準に２．０×１０^−５〜１．０×１０^−２質量部の希土類元素がドーピングされた酸化マグネシウム単結晶を含む保護膜の材料、約２８００℃の温度で結晶化を通じて前記酸化マグネシウム単結晶を製造する方法、これより形成された保護膜及び前記保護膜を含むＰＤＰを提供する。例文帳に追加

This invention provides a material of protective films containing magnesium oxide single crystal doped with rear earth 2.0×10^-5 to 1.0×10^-2 parts by mass on the basis of one part by mass of MgO, a method of producing the magnesium oxide single crystal through crystallization at about 2,800°C, a protective film formed by this method, and a PDP including the protective film. - 特許庁

針状結晶部１４ｂは、図２（ｃ）に示すように放電ギャップ１２ｃ及び隔壁１９に接する部分１２ｄ以外の部分に形成されており、複数の針状単結晶体１４ｂ１が、放電空間３０に臨むように互いに同方向に同じ姿勢で密集している。例文帳に追加

Each needle crystal part 14b is formed in any other portion than the portion 12d in contact with the discharge gap 12c and the 19, and a plurality of needle crystals 14b1 are concentrated in the same posture in the same direction so as to face the discharge space 30. - 特許庁

シリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を集電体上に堆積させた負極を用いたリチウム二次電池において、非水電解質中に溶解している二酸化炭素の量が少なくても、良好な充放電サイクル特性を示すリチウム二次電池を製造する。例文帳に追加

To manufacture a lithium secondary battery showing superior charging and discharging cycle characteristics, even if the quantity of carbon dioxide dissolved in the non-aqueous electrolyte is small, in a lithium secondary battery using a negative electrode, in which silicon amorphous thin film or amorphous thin film made mainly of silicon is piled on a current collector. - 特許庁

非ダイヤモンド型炭素物質を原料として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなるダイヤモンド多結晶体であって、１次ラマンスペクトル線が、波数１３３２．２ｃｍ^-1以上にある高硬度ダイヤモンド多結晶体とする。例文帳に追加

The primary Raman spectrum line of the high hardness polycrystalline diamond exists at a wavelength of 1,332.2 cm^-1 or more. - 特許庁

２００〜４００μｍ程の粒径の供給原料を用いると結晶にクラックが発生しやすくなるということが問題となっており、本発明はこのような単結晶の育成中の供給原料に用いる粒径に関して不利、問題点を解決したＬｉＮｂ_１−ｘＴａ_ｘＯ_３（０≦ｘ≦１）単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single crystal of LiNb1-xTaxO3 (0≤x≤1) wherein a problem that use of the raw material with particle size of 200-400 μm tends to cause a crack in the growing single crystal is solved. - 特許庁

π共役系分子１の分子鎖が互いに平行となるように分子配列が制御された結晶構造を有する有機結晶２・３を用いてなり、π共役系分子１に固有の共鳴ラマン効果に基づく発光現象を利用して、単色性に優れたレーザ発振を得ている。例文帳に追加

This laser material is obtained using organic crystals 2 and 3 each having a crystal structure with its molecular arrangement controlled so that the molecular chains of a π-conjugated molecule 1 are parallel to each other, and gives a laser oscillation excellent in monochromatic properties utilizing an emission phenomenon based on the resonance Raman effects inherent in the π-conjugated molecule 1. - 特許庁

二酸化チタンのＴｉ分に対してマンガン元素をＭｎ分に換算して１〜１５重量％の範囲で二酸化チタンの結晶内部に含有するルチル型二酸化チタン微粒子とする。例文帳に追加

The rutile type titanium dioxide fine grains contain an manganese element in the crystals of titanium dioxide in a range of 1 to 15 wt.% expressed in terms of an Mn component to a Ti component in the titanium dioxide. - 特許庁

気相成長法による窒化アルミニウム単結晶の製造に用いられる坩堝１は、内側坩堝１０と、内側坩堝１０の底壁に対向するように種結晶を保持する内蓋２０と、内側坩堝１０および内蓋２０を取り囲むように配置された外側坩堝３０とを備えている。例文帳に追加

The crucible 1 is used for producing an aluminum nitride single crystal by a vapor deposition method, and includes an inside crucible 10, an inner lid 20 for holding a seed crystal so that the seed crystal opposes to the bottom wall of the inside crucible 10, and an outside crucible 30 arranged to surround the inside crucible 10 and the inner lid 20. - 特許庁

超音波探触子（１０６）用の音響積層体（３７０）を形成するための方法が、単結晶圧電材料を、複数の切り溝（２４２）によって一部分離された単結晶片（２４０）を形成するように一部ダイシングするステップを含む。例文帳に追加

The method for forming an acoustic laminated body (370) for an ultrasonic probe (106) includes a step of partially dicing the single-crystal piezoelectric material so as to form a single crystal piece (240) partially separated by a plurality of cut grooves (242). - 特許庁

引上工程において、撮像装置１６を用いてシリコン単結晶１５を撮像し、撮像装置１６で撮像した画像中のシリコン融液１３とシリコン単結晶１５との固液界面近傍に生じる高輝度帯ＦＲの輝度分布を各画像走査線毎に測定する。例文帳に追加

In a pulling process, a silicon crystal 15 is imaged using an imaging apparatus 16, luminance distribution of a high-luminance region FR (fusion ring) produced in the vicinity of the solid-liquid boundary between a silicon melt 13 and the silicon single crystal 15 in the image picked up by the imaging apparatus 16 is measured per image scanning line. - 特許庁

インクジェットヘッド１におけるシリコン単結晶基板２によって形成されているインクリザーバ７の底壁部分１３に対峙している電極ガラス基板３の表面部分には空気逃がし溝５１が形成されている。例文帳に追加

An air relief groove 51 is formed to a surface part of an electrode glass substrate 3 opposed to the bottom wall part 13 of the ink reservoir 7 formed by a silicon single crystal substrate 2 in the ink jet head 1. - 特許庁

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。例文帳に追加

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology. - 特許庁

成長工程では、加熱制御を行うことで、Ｓｉ融液層７１ａが、３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７２からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該単結晶ＳｉＣ基板７０に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

In the growing process, heating control is effected to allow the Si molten solution layer 71a to take C and Si in from the 3C-SiC polycrystal layer 72 and the C taken in is coupled with the Si in the Si molten solution layer, whereby epitaxial growth of a 4H-SiC monocrystal on the monocrystal SiC base 70 is effected. - 特許庁

主面を（００１）結晶面とする単結晶Ｇｅ基板１１と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル１２と、メモリセル１２同士を区切るメモリ境界線１３などから構成し、メモリセル１２は、結晶面の最表面にあるＧｅ原子１４が形成するダイマー１５が２行２列に並んだ４つのダイマー１５から構成されている。例文帳に追加

The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows. - 特許庁

融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a single crystal capable of improving cooling capacity of a cooling cylinder without generating solidification or dislocation on the melt surface, heightening pulling speed at a production time of a defect-free single crystal, thereby improving productively and the yield of the single crystal, and suppressing power consumption. - 特許庁

また、ペリクル膜１０の表面の酸化を防止するために、単結晶シリコン膜が外部に露出される部分を被覆する酸化防止膜３０ａ、３０ｂが形成されている。例文帳に追加

An anti-oxidation film 30a, 30b is formed to cover the portion of the mono-crystalline silicon film that is externally exposed in order to prevent the surface of the pellicle film 10 from being oxidized. - 特許庁

これによって、融液表面におけるマランゴニ対流の強さが低減され、融液内の温度振動が単一周期となって、温度振動の乱れが無くなるばかりでなく、結晶中の酸素濃度を制御することができ、均一性の高い結晶が生成できる。例文帳に追加

The intensity of a Marangoni convection on the melt surface is reduced, and the temperature oscillation in the melt is made to have a single period, the turbulence of the temperature oscillation disappears and also oxygen concentration in a crystal can be controlled, and a highly uniform crystal can be formed. - 特許庁

セレン化亜鉛多結晶により形成されたレンズを炭酸ガスレーザ用の光学部品に使用する場合に、被処理物を適切に加工することが容易になるセレン化亜鉛多結晶およびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a zinc selenide polycrystal by which a matter to be treated can be appropriately processed when a lens formed by the zinc selenide polycrystal is used for an optical component for a carbon dioxide laser and to provide its manufacturing method. - 特許庁