「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for growing a gallium nitride single crystal into which oxygen can be incorporated as an n-type dopant. - 特許庁

アナターゼ型結晶構造の含有率が高い二酸化チタンからなる光触媒の製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce a photocatalyst comprising titanium dioxide having a high content of an anatase type crystal structure. - 特許庁

貝殻様炭酸カルシウム結晶（人工貝殻）が形成できる新規な合成ペプチド、およびその利用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new synthetic peptide from which shell-like calcium carbonate crystals (artificial shells) can be produced, and to provide a method for utilizing the same. - 特許庁

たとえばＷからなる高融点金属材料の多結晶体１または多結晶多孔質体と、その多結晶体１中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも１種が０.１〜３０重量％分散されたエミッタ材２とからなっている。例文帳に追加

This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %. - 特許庁

またクリストバライトはシリコン融液と反応しにくいため、単結晶中の酸素濃度を低下させるので、ＯＳＦやＣＯＰを少なくすることができる。例文帳に追加

Since cristobalite hardly reacts with a silicon melt, the oxygen concentration in a single crystal is lowered, decreasing OSF or COP. - 特許庁

亜鉛酸化物の結晶生成に起因する内部短絡が起こりにくくて放電性能に優れたアルカリ電池を提供すること。例文帳に追加

To provide an alkaline cell in which an internal short circuit due to a crystal formation of zinc-oxide is hard to occur and a discharge performance is excellent. - 特許庁

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。例文帳に追加

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid. - 特許庁

ＺｎＯ系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするように構成している。例文帳に追加

The ZnO-based substrate is configured so that the presence of carboxy group or carbonate group on the surface of a principal face, where a crystal is grown, is substantially zero. - 特許庁

短時間で焼成でき、結晶性が高く、特に正極活物質として有用なリチウムマンガンスピネル酸化物粒子粉末Li_4Mn_5O_12 を提供する。例文帳に追加

To provide lithium manganese spinel oxide particle powder Li4Mn5O12 which can be calcined in a short time, has high crystallinity and is especially useful as a cathode active substance. - 特許庁

実施態様においては、これらのサンドイッチ中間層（４０）は、単結晶材料（１０）を多結晶材料（２０）に結合して、一体化されたブレード付きロータなどのガスタービンエンジン部材を作成するのに使用できる。例文帳に追加

In embodiments, these sandwich interlayers (40) may be used to join a single crystal material (10) to a polycrystalline material (20) to make a gas turbine engine component, such as an integrally bladed rotor. - 特許庁

金属酸化物からなる板状単結晶体、その金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子例文帳に追加

PLATE SINGLE CRYSTAL COMPOSED OF METAL OXIDE, THIN FILM OF THE METAL OXIDE, PRODUCTION METHODS FOR THE SINGLE CRYSTAL AND THE FILM AND VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT USING THE SINGLE CRYSTAL OR THE FILM - 特許庁

粒子径および化学組成の均一性に優れ、高い結晶性を有するタンタル酸化合物微粒子を容易に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily producing tantalic acid compound fine particles having excellent uniformity in particle diameter and chemical composition and high crystallinity. - 特許庁

粉末の粒径が小さく、球形を有する結晶性チタン酸バリウムの超微細粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing spherical ultrafine powder of crystalline barium titanate having a small particle diameter. - 特許庁

酸化物単結晶を、高品質で歩留まりよく製造することができる育成方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a growing method by which a high quality oxide single crystal can be grown in a good yield. - 特許庁

熱処理時間が短く、生産性の高いＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ基板製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a GaAs single crystal by which the heat treating time is reduced and the productivity is improved, and a method of manufacturing a GaAs substrate. - 特許庁

半導体基板熱処理用単結晶シリコン部材の純化方法は、酸化膜を有する単結晶シリコン部材をＨＦ系水溶液で洗浄する工程と、さらに、ＨＣｌガス濃度が５〜５０％のＨＣｌと酸素の混合ガス雰囲気で熱処理する工程とを有する。例文帳に追加

The method for purifying the single crystal silicon member for heat treating the semiconductor substrate includes a step of cleaning the single crystal silicon member having an oxide film by an HF aqueous solution, and further a step of heat treating the semiconductor substrate in a mixed gas atmosphere of an HCl having an HCl gas concentration of 5 to 50 % and an oxygen. - 特許庁

人工的に貝殻様の炭酸カルシウム結晶が形成できる合成ペプチドおよびその利用方法を提供する。例文帳に追加

To provide a synthetic peptide artificially forming a shell-like calcium carbonate crystals, and to provide a method for using the same. - 特許庁

るつぼ３内のランガサイト融液８と種結晶２との固液界面９近傍に５点式熱電対１０を設けて、単結晶育成中（るつぼ下降中）に固液界面９近傍温度分布を測定する。例文帳に追加

The distribution of temperatures in the vicinity of the solid/ liquid interface 9 between a langasite melt 8 and a seed crystal 2 is measured during growing the single crystal (during descending of a crucible) by providing a five-point type thermocouple 10 in the vicinity of the solid/liquid interface 9. - 特許庁

昇華法により形成された炭化ケイ素単結晶１０の種結晶側に対向する成長面に対して中空円筒状砥石３０の開口部を接触させる工程と、 上記中空円筒状砥石３０を回転させると共に上記中空円筒状砥石を上記種結晶方向に下降させて上記炭化ケイ素単結晶１０を研削する工程と、を含むことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。例文帳に追加

The method for grinding a silicon carbide single crystal includes a process that allows an opening of a hollow cylindrical grindstone 30 to contact a growth surface opposed to a seed crystal side of the silicon carbide single crystal 10 formed by sublimation process and a process that cuts the silicon carbide single crystal 10 by rotating the hollow cylindrical grindstone 30 and lowering the hollow cylindrical grindstone in the seed crystal direction. - 特許庁

実際のデバイス製造時にも不良を起こさない程度で成長欠陥が極めて制御された高品質シリコン単結晶インゴットを多様な酸素濃度を有するように制御しながら高生産性で製造することができる高品質シリコン単結晶インゴットの成長装置，その装置を利用した成長方法，それから製造されたシリコン単結晶インゴット及びウエハを提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for growing a high quality silicon single crystal ingot where the high quality silicon single crystal ingot in which growing defects are extremely controlled to such a degree that defects are not caused in actual device manufacturing can be manufactured with high productivity while so controlling as for ingot to have various oxygen concentrations, to provide a growing method using the apparatus and to provide a silicon single crystal ingot and a wafer produced by the method. - 特許庁

温度特性に優れ、かつ、屈曲振動モードが得られる四ホウ酸リチウム単結晶からなる圧電振動子を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibrator composed of the monocrystal of lithium tetraborate improved in temperature characteristics and capable of proving a bend vibrating mode. - 特許庁

転位密度が小さく反りの少ない窒化物系３−５族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。例文帳に追加

To provide a self-supporting substrate of nitride III-V group compound semiconductor crystal having a small dislocation density and little warpage. - 特許庁

結晶ＭｇＯ保護層３４の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶ＭｇＯ３４Ａを含有する印刷用ペーストを誘電体層３３上に塗工して、誘電体層３３の歪み点以上の温度で焼成する。例文帳に追加

In a formation process of the crystalline MgO protective layer 34, printing paste containing a single crystal MgO 34A is applied to a dielectric layer 33 by using a screen printing method and baked at a temperature above a strain point of the dielectric layer 33. - 特許庁

シリコン単結晶１３の一方の主面上にシリコン酸化膜１２を介してシリコン薄膜層１１を有するＳＯＩ基板１０において、前記シリコン単結晶１３の他方の主面上にシリコンからなる基板反り防止層１４が設けられていることを特徴とする。例文帳に追加

In the SOI substrate 10 on one principal side of a silicon single crystal 13 of which a silicon thin film layer 11 is provided via a silicon oxide film 12, a substrate warpage preventing layer 14 made of silicon is provided to the other principal side of the silicon single crystal 13. - 特許庁

減圧雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華しない温度に坩堝３を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華する温度に坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal is grown on the surface of a seed crystal 4 by holding a crucible 3 for a predetermined time at a temperature where a silicon carbide raw material 2 does not sublimate under a reduced pressure atmosphere, and subsequently sublimating the silicon carbide raw material 2 by heating the crucible 3 to a temperature where the silicon carbide raw material 2 sublimates under an argon gas atmosphere. - 特許庁

最適サイズ程度に粒径が小さくて結晶性の高いチタン酸バリウムを容易に製造できるようにする。例文帳に追加

To easily produce barium titanate having a small particle size approximately equal to an optimum size and having high crystallinity. - 特許庁

特性の良好な酸化物単結晶膜を得ることができる、液相エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid-phase epitaxial growth machine that can give an oxide single crystal film of good properties. - 特許庁

シリコン単結晶基板の主裏面に欠陥がない埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an embedded diffusion silicon epitaxial wafer with no defects on the main back surface of a silicon monocrystalline substrate. - 特許庁

結晶化速度を向上させることにより、成形時間が短縮されたポリ乳酸系成形体の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a polylactic acid-based molded article having a shortened molding time by raising a crystallization rate. - 特許庁

結晶化速度を向上させることにより、成形時間が短縮されたポリ乳酸系成形体の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of producing a polylactic acid molded article with reduced molding time by improving a rate of crystallization. - 特許庁

高い結晶性を有する粒子状の最小構成単位から形成されるマンガン酸化物ナノ構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a manganese oxide nanostructure body formed from particulate minimum constitution units each having high crystallinity. - 特許庁

次いで、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２に対して加熱処理を施し、半導体単結晶１１及びアモルファス半導体１２同士を固相相互拡散により混晶化して、前記格子定数ａ及び前記格子定数ｂの中間の格子定数ｃを有する無歪みの半導体混晶単結晶１３を形成する。例文帳に追加

Then, the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 are subjected to heat-treatment, and solid interdiffusion is performed between the semiconductor single crystal 11 and the amorphous semiconductor 12 to form an unstrained semiconductor mixed single crystal 13 having a lattice constant (c) midway between the lattice constants (a) and (b). - 特許庁

低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいＯＳＦあるいはＯＳＦの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。例文帳に追加

To provide a method for confirming a position where OSF or a nucleus of the OSF hard to be detected is present in the case of a silicon single crystal containing oxygen in low concentration and a method for detecting a dislocation cluster, and to improve the quality of the silicon single crystal by utilizing these methods. - 特許庁

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a cleaning method of a silicon single crystal pulling apparatus, wherein a Chokralsky method is used and active silicon oxide adhering to the inside of a furnace and an exhaust pipe during pulling a silicon single crystal containing a dopant added at a high concentration and having a low resistivity is efficiently removed by oxidation combustion before disassembling and cleaning the apparatus. - 特許庁

タンタル酸リチウム結晶の導電率を還元処理にて増加させるという製造方法において、還元材料として用いる予め還元した非製品タンタル酸リチウム結晶の劣化を防ぎ、かつ、目的とする単一分域化された導電率が増加した製品タンタル酸リチウム結晶内の導電率のばらつきを小さくする製造方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a lithium tantalate crystal by increasing the conductivity with a reduction treatment, which prevents the degradation of the previously reduced non-product lithium tantarate crystal used as a reducing material and which lessens the scattering of the conductivity in the product lithium tantarate wherein the singly polarized conductivity of the purpose. - 特許庁

水酸化ニッケルを正極の活物質層の主構成材料とする二次電池であって、前記水酸化ニッケルが、α型の結晶構造を有する水酸化ニッケルを含有し、前記結晶結晶構造中には、少なくともアルミニウムとチタンとを共晶または固溶状態で含有していることを特徴とする。例文帳に追加

The secondary battery in which nickel hydroxide is used as the main composition material for an active material layer of the positive electrode, is characterized in that the nickel hydroxide contains nickel hydroxide having an α type crystal structure, and at least aluminum and titanium are contained in eutectic or a solid solution condition in the crystal structure. - 特許庁

圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。例文帳に追加

The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3. - 特許庁

シリコン基板上にバッファ層としてγ−Ａｌ_２Ｏ_３単結晶膜を用いることにより、優れた特性の強誘電体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric element excellent in characteristics by using a γ-Al_2O_3 single crystal film as a buffer layer on a silicon substrate. - 特許庁

ｎ型単結晶Ｓｉ層３の感圧領域を所定の量だけエッチングしてダイアフラム４を形成する。例文帳に追加

A diaphragm 4 is formed by etching a prescribed amount of a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 3. - 特許庁

ガス吸着剤として有用な、有機カルボン酸金属錯体の巨大な単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a huge single crystal of a metal complex of an organic carboxylic acid useful as a gas adsorbent. - 特許庁

酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。例文帳に追加

The method for producing the solid solution comprises a step of obtaining an aluminum oxide-gallium oxide solid solution by a floating zone melting method in which a sintered compact using a gallium oxide powder and an aluminum oxide powder as raw materials is used and a gallium oxide single crystal is used as a seed crystal. - 特許庁

可動板１０１、トーションバー１０３、フレーム部１０５がシリコン単結晶の基板を加工して一体形成された光スキャナ。例文帳に追加

In this optical scanner, a movable plate 101, a torsion bar 103 and a frame part 105 are integrally formed by working a substrate made of silicon mono-crystal. - 特許庁

光学用樹脂に混合して用いた場合に複屈折性を十分に低減することができ、かつ元の光学用樹脂の性質を喪失することのないアルカリ土類金属の炭酸塩結晶の製造方法の製造方法および該アルカリ土類金属の炭酸塩結晶の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a crystal of an alkaline earth metal carbonate which can sufficiently reduce birefringence when it is used by being mixed in an optical resin, and which never makes the optical resin lose its original characteristics, and to provide the crystal of the alkaline earth metal carbonate. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one. - 特許庁