「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

直胴部の上部の高酸素化を抑制し、安定した品質のシリコン単結晶を育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon single crystal by which a silicon single crystal having a stable quality can be grown by suppressing the oxygen concentration from becoming high at an upper part of a straight body part. - 特許庁

ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which the occurrence of dislocations in a tail part is suppressed and the yield and productivity is improved when a silicon single crystal having a diameter of 450 mm is grown by a Czochralski method. - 特許庁

エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate having a 2H silicon carbide single crystal in a thickness of 2 or more formed on a 4H or 6H silicon carbide single crystal substrate by an epitaxial growth method (LPE), and to provide a method for manufacturing the substrate. - 特許庁

酸化チタンを含む透明結晶化ガラス基板と、透明結晶化ガラス基板の裏面に形成されている反射膜とを備え、美観性に優れた調理器用トッププレートを提供する。例文帳に追加

To provide a top plate for cooker excellent in aesthetic appearance, provided with a transparent crystallized glass substrate containing titanium oxide, and a reflective film formed on the back surface of the transparent crystallized glass substrate. - 特許庁

固体レーザ装置１０は、ロッド状レーザ結晶２と、内部に空洞を有すると共に、前記空洞の開口部を有し、前記レーザ結晶を前記空洞に収納すると共に、前記レーザ結晶の端面が開口部から露出しているホルダ６と、前記レーザ結晶の端部を周方向に沿って複数箇所で把持する複数の弾性部材３ａ、３ｂとを備える。例文帳に追加

The solid-state laser device 10 comprises a rod-shaped laser crystal 2, a holder 6 which has a cavity with opening parts to accommodate the laser crystal therein and makes the end face of the laser crystal exposed from the opening part, and a plurality of elastic members 3a, 3b for holding the end of the laser crystal at the plurality of points along its circumference. - 特許庁

１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイトの単結晶基板上に良質の窒化ガリウム系化合物半導体単結晶を成長させることのできる方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a growth method, wherein a good quality of gallium nitride compound semiconductor single crystal is grown on a rare-earth 13 (3B) group perovskite single-crystal substrate containing one or more kinds of rare earth elements. - 特許庁

電気的特性に優れた電極や電気化学素子を製造するのに適したチタン酸リチウム結晶構造体と、そのチタン酸リチウム結晶構造体とカーボンナノファイバーの複合体を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium titanate crystal structure suitable for the manufacture of electrodes and electrochemical elements exhibiting superior electrical characteristics, and a complex of the lithium titanate crystal structure and carbon nanofibers. - 特許庁

磁性酸化物単結晶に形成される溝の条件を設定することにより、磁性酸化物単結晶に磁界を印加するための磁界発生器を省略して、小型で軽量の磁気デバイスを得る。例文帳に追加

To provide a small-sized and lightweight magnetic device by setting conditions of grooves formed onto a single crystal of a magnetic oxide so as to eliminate the need for provision of a magnetic field generator for applying a magnetic field to the single crystal of the magnetic oxide. - 特許庁

Ａｌ_４Ｂ_２Ｏ_９の結晶の析出を十分に防止しながらチタン酸化物を選択的に結晶化でき、しかも十分に高い光触媒機能を発揮できる結晶化ガラスを効率よく製造することができる材料として好適に使用することが可能な透明性を有するガラス、そのガラスを用いて得られるチタン酸化物の結晶が析出した結晶化ガラス及びその結晶化ガラスの製造方法、並びに、光触媒部材を提供すること。例文帳に追加

To provide glass having transparency which can be preferably used as a material efficiently producing crystallized glass that can selectively crystalize a titanium oxide while sufficiently preventing the deposition of an Al_4B_2O_9 crystal and can exhibit a sufficiently high photocatalytic function, crystallized glass with deposited titanium oxide crystal which can be obtained using the glass, a producing method of the crystalized glass, and a photocatalyst member. - 特許庁

粒状金属結晶をサヤ１に入れて酸素を含む雰囲気内で溶融して再凝固させて単結晶化する粒状金属単結晶の製造方法であって、上記サヤ１が比抵抗１ＭΩ・ｃｍ以下の電子伝導性を有する材料から成る。例文帳に追加

In the method of manufacturing the granular metal single crystal by putting a granular metal crystal into a sheath 1, melting it in an atmosphere containing oxygen and solidifying again to form the single crystal, the sheath 1 is made of a material having electron conductivity of ≤1 MΩcm specific resistance. - 特許庁

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶であって、周期表２族に属する元素からなる群より選択される１種以上の元素を前記単結晶の全質量に対して０．００００５〜０．１質量％含有するシンチレータ用単結晶。例文帳に追加

A scintillator single crystal of a specific cerium-doped silicate compound that contains 0.00005 to 0.1 mass% of one or more element selected from the group consisting of elements that belong to group 2 of the periodic table based on the total weight of the single crystal. - 特許庁

画素電極１８としてＩＴＯ膜が形成、パターニングされたガラス基板１１上にＩ型の非単結晶珪素膜１３、Ｎ型の導電性非単結晶珪素膜１２を順次形成し、所定の形状にパターニングする。例文帳に追加

An I-type non-single crystalline silicon film 13 and an N-type conductivity non-signal crystalline silicon film 12 are formed one by one on a glass substrate 11, where an ITO film is formed as a pixel electrode 18 and patterned, and are patterned into a prescribed shape. - 特許庁

引き金工程は、雰囲気ガスの窒素分圧の操作、融液２温度の操作、ならびに物理的な接触、から選ばれた１または２以上の方法により、種結晶基板３上に単結晶を成長させる工程より前あるいは単結晶成長の初期に行う。例文帳に追加

The trigger process is performed before a process for growing the single crystal on the seed crystal substrate 3 or at an initial stage in single crystal growth by one or more operations selected from an operation of nitrogen partial pressure in the atmospheric gas, an operation of temperature of the melt 2 and physical contact. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板１２，シリコン酸化膜１３及びＳｉ−Ｂｏｄｙ１４が順次積層されたＳＯＩ基板１１を用いている。例文帳に追加

An Si single crystal substrate 12, a silicon oxide film 13, and an Si-body 14 are successively laminated for the formation of an SOI substrate 11. - 特許庁

このようにゲート絶縁膜の膜質を限定することによりチタン膜の結晶配向状態を制御し、結晶方位（１１１）面に優先配向した結晶性の良い平坦なアルミニウム膜３５を成膜できヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。例文帳に追加

By this method, the flat aluminum film 35 which is high in crystallinity in such a state that the crystals are preferentially oriented in (111)-plane can be formed by controlling the oriented state of crystals in the titanium film 34 by limiting the film quality of the gate insulating film, and the wiring 33 in which the occurrence of hillocks is suppressed can be obtained. - 特許庁

このようにゲート絶縁膜の膜質を限定することによりチタン膜の結晶配向状態を制御し、結晶方位（１１１）面に優先配向した結晶性の良い平坦なアルミニウム膜３５を成膜できヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。例文帳に追加

In this manner, by limiting the film quality of the gate insulation film, the crystal orientation state of the titanium film is controlled, the flat aluminum film 35 with improved crystallizability being preferentially orientated on a crystal orientation (111) face can be formed, and wiring were the generation of hillock has been suppressed can be obtained. - 特許庁

β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for controlling the electric conductivity of a Ga_2O_3-based single crystal by which the electric conductivity of a β-Ga_2O_3-based single crystal is controlled efficiently. - 特許庁

ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。例文帳に追加

In the n-type silicon single crystal region 2, the dispersed resistance layer 7 functioning as a deformation detector is formed at the part of the diaphragm 1. - 特許庁

単結晶構造または一軸配向結晶構造のＡＢＯ_3で表されるペロブスカイト型酸化物であって、Ａサイトの主成分にＰｂを含みＢサイトに複数の元素を含み、正方晶、菱面体晶、斜方晶、立方晶、擬似立方晶及び単斜晶から選ばれる複数の結晶相を有し、該複数の結晶相が＜１００＞配向している。例文帳に追加

The perovskite type oxide includes a plurality of crystal phases selected from the group consisting of tetragonal, rhombohedral, orthorhombic, cubic, pseudo-cubic and monoclinic, and the plurality of crystal phases are oriented in the direction of <100>. - 特許庁

結晶性熱可塑性樹脂の射出成形において、樹脂の結晶化速度を速めることによって目的とする耐熱性を得られる程度まで結晶化度を高めながら成形サイクルを短縮して生産性を向上させる射出成形法を提供する。例文帳に追加

To provide an injection molding method of a crystalline thermoplastic resin whereby productivity is improved by shortening a molding cycle while a degree of crystallization is increased to the point where the desired heat resistance is obtained by accelerating a rate of crystallization up. - 特許庁

シッティングドロップ方式を用いた蒸気拡散法による蛋白質結晶化条件のスクリーニングを効率よく実行することができる蛋白質結晶化条件のスクリーニング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a protein crystallization condition-screening device capable of performing the protein crystallization condition screening efficiently a vapor diffusion method by using a sitting drop method. - 特許庁

ナノサイズの二次元構造を有する単結晶窒化ケイ素ナノシートと、その単結晶窒化ケイ素ナノシートを製造するための方法であって、簡便に生産が可能な方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide single crystal silicon nitride nanosheets each having a nano-size two-dimensional structure; and a method for producing the single crystal silicon nitride nanosheets, by which the nanosheets can be easily produced. - 特許庁

光導波路素子６は、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶（ニオブとタンタルとの原子数の合計に対するニオブの原子数の百分率比が１０％以下である）からなる基板７と、基板７の接合面７ｄに直接接合されているバルク状のニオブ酸リチウム単結晶からなる光導波路８とを備えている。例文帳に追加

The optical waveguide element 6 comprises a substrate 7 consisting of a lithium tantalate single crystal or lithium niobate-lithium tantalate solid solution single crystal (with ≤10% percentage of niobium atoms to the total atoms of niobium and tantalum) and an optical waveguide 8 consisting of a bulk type lithium niobate single crystal directly bonded to the joining face 7d of the substrate 7. - 特許庁

単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。例文帳に追加

In order to further decrease the oxygen concentration in the single crystal, the single crystal is preferably grown by setting the rotation speed of a seed to not more than 8 rpm. - 特許庁

大きな塊状単結晶が収率良く、安価かつ安定的に得られる周期表１３族元素の窒化物の塊状単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a massive nitride single crystal of group 13 elements of the periodic table, wherein a large massive single crystal can be prepared in good yield, inexpensively, and stably. - 特許庁

放射線検出器用の単結晶として用いた時に、経時における放射線損傷が小さく、かつ残光の小さいタングステン酸亜鉛単結晶及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a zinc tungstate single crystal having little damage by radiation with time and low afterglow when the crystal is used as a single crystal for a radiation detector, and to provide a method for manufacturing the single crystal. - 特許庁

複数の種結晶膜３が互いに非育成面１ｂによって分けられており、複数の種結晶膜３が、それぞれ、一方の端部３ａ、他方の端部３ｂおよび一方の端部と他方の端部との間の本体部３ｃを備えている。例文帳に追加

The plurality of seed crystal films 3 are mutually divided by the non-grown face 1b, and the plurality of seed crystal films 3 are each provided with one edge part 3a, the other edge part 3b and a body part 3c between the one edge part and the other edge part. - 特許庁

波長分散が生じている、チャープのついた入射パルス光１は、フォーカスレンズ２によってフォトニック結晶３の端面に入射される。例文帳に追加

Chirped incident pulse light 1 in which the wavelength dispersion occurs is made incident on the end face of a photonic crystal 3 by a focusing lens 2. - 特許庁

半導体集積回路のスクライブ領域は単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２が除去されている。例文帳に追加

In a scribing region for a semiconductor integrated circuit, the formation layer 103 and a buried oxide film 102 are removed. - 特許庁

ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity. - 特許庁

導電率が高い単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶を短時間で効率的に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of effectively manufacturing a lithium tantalate crystal in a short time, the crystal having high conductivity and being singly polarized. - 特許庁

シッティングドロップ方式を用いた蒸気拡散法による蛋白質結晶化条件のスクリーニングを効率よく実行することができる蛋白質結晶化容器作製装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To efficiently screen a protein crystallization condition by a vapor diffusion method using a sitting drop system. - 特許庁

単色の入射Ｘ線の波長を変えてアナターゼ型結晶の所定の格子面とルチル型結晶の所定の格子面での強度分布画像を取得し、それらを割り算して換算した混合比分布画像を形成する。例文帳に追加

The wavelength of the monochromatic incident X rays is changed to acquire the intensity distribution image of the predetermined lattice surface of the anatase type crystal and the predetermined lattice surface of the rutile type crystal and the mixing ratio distribution image converted by the division of them is formed. - 特許庁

所定割合以上のアナターゼ型結晶構造を有する二酸化チタンを固定化した光触媒材料を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a photocatalyst material in which titanium dioxide having an anatase crystal structure in a specified proportion or higher is immobilized. - 特許庁

また、Ｓｉ膜３１より後に形成されるｎ型ＧａＮ層４の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が一旦低下し、ｎ型ＧａＮ層４より後に形成される窒化物半導層の結晶成長過程で、結晶成長表面からの光の反射率が上昇するように構成する。例文帳に追加

The method includes temporarily lowering the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of n-type GaN layer 4 formed after the Si film 31, and increasing the refractivity of light from a crystal growth plane during the crystal growth of a nitride semiconductor layer formed after the n-type GaN layer 4. - 特許庁

電子部品材料や光学部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びピット、マイクロバブル、突起の発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。例文帳に追加

To provide a high quality aluminum oxide single crystal which is suitable for an electronic component material or an optical component material; an to provide a method for efficiently producing the aluminum oxide single crystal by suppressing the generation of pits, micro-bubbles and projections. - 特許庁

シリコンウェハ１は、この過程でポーラスカーボン板４に吸収除去され、多結晶炭化珪素板３と密着した状態で単結晶炭化珪素薄膜２が得られる。例文帳に追加

The silicon wafer 1 is absorbed and removed by the porous carbon board 4, and the single crystal silicon carbide thin film 2 is obtained in a state in which the film 2 adheres to the polycrystal silicon carbide board 3. - 特許庁

順次側方凝固プロセスによって生産する多結晶または単結晶の薄膜フィルムの表面粗さを低減するシステム及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and method for reducing the surface roughness of a polycrystalline or monocrystalline thin film produced by a sequential lateral solidification process. - 特許庁

Ｂサイトの一部がＺｒで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶（ＢＴＺ型結晶）から成る誘電体磁器において、前記ＢＴＺ型結晶は、Ｚｒ置換量の少ない低Ｚｒ置換ＢＴＺ型結晶粒子と、Ｚｒ置換量の多い高Ｚｒ置換ＢＴＺ型結晶粒子との形で存在し、且つこれら結晶粒子の何れもが、０．３〜１μｍの平均粒径を有していることを特徴とする。例文帳に追加

In the dielectric ceramics consisting of a perovskite barium titanate crystal having a part of the B-site substituted with Zr (BTZ crystal), the BTZ crystal is present in the form of a low Zr-substituted BTZ crystal having a small substitution amount of Zr and of a high Zr-substituted BTZ crystal having a large substitution amount of Zr and both of the crystals have 0.3 to 1 μm average particle size. - 特許庁

Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a zinc oxide single crystal for various devices where Li concentration is extremely low and resistivity is high. - 特許庁

ｐ型の単結晶のシリコン基板１に、微細な孔２が多数形成された厚さが約１２μｍの多孔質シリコン層３が形成されている。例文帳に追加

A porous silicon layer 3, whose thickness is about 12 μm formed with a plurality of fine holes 2, is formed on a p-type monocrystal silicon substrate 1. - 特許庁

水酸化コバルト（ＩＩ）・コバルト（ＩＩＩ）の層状結晶および該層状結晶の各層が剥離された水酸化コバルト（ＩＩ）・コバルト（ＩＩＩ）単層ナノシート並びにそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a lamellar crystal comprising cobalt hydroxide (II) and cobalt (III), and, being prepared by exfoliating the lamellar crystal, single layer nanosheets of cobalt (II) hydroxide and cobalt (III), and to provide their production methods. - 特許庁

マイクロ波を被検体６の測定部位に導く導波管３の先端部（測定部位に近接する部分）に電気光学結晶５を設け，その電気光学結晶５にマイクロ波の周期に同期したパルス光を照射する。例文帳に追加

An electro-optical crystal 5 is installed at a tip (a part adjacent to a measuring part) of a waveguide 3 used to guide microwaves to the measuring part of a specimen 6, and the electro-optical crystal 5 is irradiated with pulsed light synchronized with a cycle of the microwaves. - 特許庁

高品質のシリコン単結晶インゴットを高生産性で製造することが可能な、チョクラルスキ法によるシリコン単結晶インゴット成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon single crystal ingot by a Czochralski method, by which a high quality silicon single crystal ingot can be produced with high productivity. - 特許庁

組成ずれを防ぐことにより、単結晶育成時の異相やクラックの発生を抑制することができるブリッジマン法によるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an La_3Ga_5SiO_14 single crystal by a Bridgman method in which the generation of a dissimilar phase or a crack at the time of growing the single crystal can be suppressed by preventing the deviance in the composition. - 特許庁