「ていたんさんがすけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

環境負荷の高いビスマス等の重金属元素を含有せず、かつ可視域の吸収を大幅に改善した、酸化チタン結晶を含有する結晶化ガラス、及び当該結晶化ガラスを用いた光触媒部材を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium oxide crystal containing-crystallized glass containing no heavy element such as bismuth of a high environmental load and markedly improved in absorption in the visible region and to provide a photocatalyst member using the crystallized glass. - 特許庁

単結晶シリコン基板３１に対する異方性エッチングにより上記各Ｖ溝が形成されている。例文帳に追加

The V grooves are formed by an anisotropical etching conducted on a single crystal silicon substrate 31. - 特許庁

不純物濃度が低く且つ高い抵抗率の酸化亜鉛（ZnO）単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a zinc oxide (ZnO) single crystal having low concentration of impurities and high resistivity. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板２上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３が形成され、この３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍのＣ−ＢＰ単結晶層４及び厚さ１ｎｍ〜５００μｍの化合物半導体単結晶層５がこの順で形成されている。例文帳に追加

A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer. - 特許庁

結晶性水素化シルセスキオキサンが高い収率で、かつ簡単に製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for simply producing a crystalline hydrogenated silsesquioxane in high yield. - 特許庁

ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus for pulling a single crystal from a crucible by a Czochralski method while applying a magnetic field to a silicon melt in the crucible, the apparatus easily providing a silicon single crystal containing oxygen in high concentration. - 特許庁

固相エピタキシーを生じさせて前駆体部を単結晶化し単結晶構造体を得ることにより、微細構造体の形状を保持し均一に単結晶化してペロブスカイト型酸化物単結晶構造体を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a perovskite-type oxide single crystal structure, in which shapes of a microstructure are maintained and the structure is uniformly single-crystallized by inducing solid phase epitaxy to single-crystallize a precursor part to obtain a single crystal structure. - 特許庁

光損傷が少なく、かつ、結晶中におけるＭｇの偏析がなく、結晶組成が均一なマグネシウムニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnesium lithium niobate single crystal which has only small optical damage, no segregation of Mg in the crystal and a uniform crystal composition, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

本発明のチタン酸バリウム単結晶の製造方法は、Ｂａ／Ｔｉ比がモル比で０．９９８０を超えて１．００００未満の範囲のチタン酸バリウムの多結晶体と、チタン酸バリウムの単結晶体とが当接した状態で融点以下の温度で加熱し、多結晶体から固相反応により単結晶を育成することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the barium titanate single crystal is characterized in that a barium titanate multicrystalline body, the Ba/Ti ratio of which is in a range of 0.9980-1.0000 in molar ratio, and the single crystal are heated at a temperature of ≤ melting point, the single crystal is grown from the multicrystalline body by a solid phase reaction. - 特許庁

およびランガサイト単結晶ウエーハの製造方法であって、ランガサイト単結晶を育成し、Ｘ線回折測定により前記ランガサイト単結晶の面指数{１１３}または{２２５}を特定し、該面指数{１１３}または{２２５}をウエーハ面の方位基準として、前記ランガサイト単結晶をウエーハに加工するランガサイト単結晶ウエーハの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the wafer is carried out as follows: a langasite single crystal is grown; the plane index [113] or [225] of the langasite single crystal is specified by means of X-ray diffraction measurement; and the langasite single crystal is worked into the langasite single crystal wafer, making the plane index [113] or [225] an orientation reference for a wafer plane. - 特許庁

単結晶製造において、結晶の周囲のガス流れを安定化させることで結晶の温度を安定化し、割れの発生を防止し、生産性を向上せしめるようにする。例文帳に追加

To prevent the generation of cracks and to enhance the productivity by stabilizing the temperature of a single crystal by stabilizing the flow of a gas around the crystal in the production of the single crystal. - 特許庁

シリコン単結晶棒の外周面を囲繞する円筒状の熱遮蔽体２３を有している。例文帳に追加

Further, the apparatus has a cylindrical heat shielding body 23 surrounding the outer peripheral surface of the silicon single crystal rod. - 特許庁

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。例文帳に追加

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2. - 特許庁

そして、種結晶を配置する工程では、種結晶が、単結晶のファセットの発生方向に溝部１３が位置するようにるつぼ１内に配置される。例文帳に追加

In the step of disposing the seed crystal, the seed crystal is disposed within the crucible 1 so that the groove portion 13 is located at a facet generating direction of the single crystal. - 特許庁

高い光触媒活性を示す新規面が発現した酸化チタン結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium oxide crystal developing a novel plane exerting a high photocatalytic activity. - 特許庁

単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする例文帳に追加

To provide a method for controlling heater output and a single crystal producing apparatus capable of suppressing dispersion of a crystal quality by performing excellently temperature control at the single crystal ingot growing time, and growing a high-quality single crystal ingot in excellent productivity. - 特許庁

ＭＣＺ法（磁界下引上げ法）によって半導体単結晶の製造を行う方法において、引き上げた半導体単結晶の結晶成長軸方向の酸素濃度をより高精度で所望の値とすることができる半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by an MCZ method (magnetic field applied Czochralski method), by which the oxygen concentration in the crystal growth axis direction of a pulled semiconductor single crystal can be controlled to a desired value with a higher precision. - 特許庁

単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a single crystal, by which a high quality single crystal wherein a desired defect area is formed in the crystal growth direction can be easily manufactured with a high productivity and yield by suppressing the fluctuation of the temperature gradient in the vicinity of the solid-liquid interface to be minimum when the single crystal is grown. - 特許庁

単結晶インゴット２０を円筒研削した後、単結晶インゴット２０のまま、単結晶インゴット２０の横方向から赤外線６を入射し、その吸収から単結晶インゴット２０中の酸素濃度を測定する。例文帳に追加

The method for evaluating the single-crystal ingot comprises the steps of cylindrically grinding the single-crystal ingot 20, then introducing infrared rays 6 from the lateral direction of the ingot 20, while leaving the ingot 20 as it is, and measuring the oxygen concentration in the ingot 20 from its absorption. - 特許庁

積層欠陥が低減された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶からなる基板を再現性良く製造する。例文帳に追加

To manufacture a 3C-SiC single crystal reduced in generation of stacking fault with good reproducibility. - 特許庁

無転位化の成功率を向上し、また、種結晶付近の最小直径が単結晶棒の引き上げに可能な直径よりも細くなることを防止して、大直径化して高重量の単結晶棒の生産性を改善させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing silicon single crystals, where the success rate in the elimination of dislocation is improved, further, the minimum diameter in the vicinity of seed crystals is prevented from being made smaller than the diameter wherein single crystal rods can be pulled up, to attain large diameters, and the productivity of the single crystal rods with high weight is improved. - 特許庁

単結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光起電力素子に対して光が斜めに入射する場合においても、光電変換効率に優れ、生産性も向上した結晶シリコン太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal silicon-based solar cell, using a single crystal silicon substrate, which has superior photoelectric conversion efficiency and is improved in productivity even when light is obliquely incident on a photovoltaic element. - 特許庁

結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an oxide single crystal, with which a long garnet crystal without strain is grown with excellent reproducibility by producing no twist in a shape of the crystal, and suppressing occurrence of a facet on a flat growth interface. - 特許庁

結晶粒が大きく成長しやすい酸化チタン膜２を薄膜化でき、微結晶の酸化ジルコニウム膜３が平坦であることにより、酸化ジルコニウム／酸化チタン積層膜表面の凹凸を低減することができる。例文帳に追加

The titanium oxide film 2, a crystal grain of which easily grows larger, can be thinned, and the microcrystalline zirconium oxide film 3 is flat, thereby the surface irregularities of a zirconium oxide/titanium oxide laminated film can be reduced. - 特許庁

融液組成と結晶組成が異なる原料を用いて、Ｃｚ法によって、テール形成を形成することなく、直胴部に結晶欠陥のない酸化物の単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an oxide single crystal without forming a tail and having no crystal defect in its straight body part by Cz method using a feed material having a crystal composition different from the melt solution composition. - 特許庁

酸素濃度の径方向面内分布が均一であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal having a uniform in-plane distribution of the oxygen concentration in the radial direction. - 特許庁

基板を酸化亜鉛単結晶にすれば、コンパクトな分析チップと分析装置が提供できる。例文帳に追加

If the substrate is composed of a zinc oxide single crystal, a compact analyzing chip and an analyzer can be provided. - 特許庁

大直径の窒素ドープ結晶や低抵抗率結晶などで特に顕著になってきている、有転位化の問題を解消し、高品質の単結晶を効率良く製造することで、これらの生産性や歩留りを改善して単結晶製造のコストを下げることができる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a single crystal by which productivity and yield are improved and manufacturing cost of the single crystal is decreased, by solving the problem of causing dislocation which has become conspicuous especially in a large diameter nitrogen-doped crystal and a low resistivity crystal, and effectively manufacturing the single crystal of high quality. - 特許庁

単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａに真性ベース層５２が形成され、単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａの一部と多結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ｂとＣｏシリサイド層３７ｂとにより、外部ベース層５１が構成されている。例文帳に追加

An intrinsic base layer 52 is formed in the monocrystalline Si/SiGeC layer 30a, and an external base layer 51 is comprised of a part of the monocrystalline Si/SiGeC layer 30a, the polycrystalline Si/SiGeC layer 30b, and a Co silicide layer 37b. - 特許庁

単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａに真性ベース層５２が形成され、単結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ａの一部と多結晶のＳｉ／ＳｉＧｅＣ層３０ｂとＣｏシリサイド層３７ｂとにより、外部ベース層５１が構成されている。例文帳に追加

An intrinsic base layer 52 is formed in the single crystal Si/SiGeC layer 30a, and an external base layer 51 is formed of a part of the single crystal Si/SiGeC layer 30a, the polycrystalline Si/SiGeC layer 30b, and a Co silicide layer 37b. - 特許庁

ＳｉＮバッファ体を離散的に形成することで、低温バッファ層の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。例文帳に追加

By discretely forming the SiN buffer body, crystal growth of a low-temperature buffer layer depending on board is prevented, promoting single crystallization of a seed crystal at growing of the GaN buffer layer 16. - 特許庁

ＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成することで、低温バッファ層１４の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。例文帳に追加

By discretely forming the buffer bodies 12, the single a crystal which becomes a seed crystal at the time of growing the high-temperature semiconductor layer 16 is promoted by inhibiting the crystal growth of the lowtemperature buffer layer 14 which relies upon the substrate 10. - 特許庁

本発明は、ガラス用途や単結晶用途に好適な酸化ニオブ粉を提供する。例文帳に追加

To provide niobium oxide powder suitable for use in glass and in a single crystal. - 特許庁

高純度で、かつ結晶性の均一なアナタース型超微粒子酸化チタンを提供すること。例文帳に追加

To provide an anatase-type titanium dioxide hyperfine particle having high purity and uniform crystallinity. - 特許庁

停止中、るつぼ３内に原料を補充し、溶融液４の不純物濃度が下限値を下回ったら種結晶部７を利用して（新たな種結晶２を装着せずに）単結晶５育成を再開する。例文帳に追加

A raw material is replenished into a crucible 3 during stoppage, and when the impurity concentration in the melt 4 falls below a lower limit value, the growth of the single crystal 5 is restarted by using the seed crystal part 7 (without attaching a new seed crystal 2). - 特許庁

育成結晶形状の制御と結晶品質の向上が可能なニオブ酸カリウム単結晶の成長方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for growing a potassium niobate single crystal by which the shape of a grown crystal can be controlled and the crystal quality can be improved. - 特許庁

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。例文帳に追加

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30. - 特許庁

半導体装置２０は、絶縁基板２上に、ＳｉＯ_2膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａ、金属配線２２を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 20 comprises an SiO_2 film 3; a MOS non-single crystal Si thin film transistor 1a, containing a non-single crystal Si thin film 5' of polycrystalline Si; a MOS single-crystal Si thin-film transistor 16a provided with a single-crystal Si thin-film 14a; and a metal wiring 22 on an insulation substrate 2. - 特許庁

種結晶膜３の一方の端部３ａの幅Ｗａが他方の端部３ｂの幅Ｗｂよりも小さく、前記複数の種結晶膜において一方の端部が各種結晶膜の長手方向に見て同じ側に設けられている。例文帳に追加

The width Wa of the one edge part 3a of the seed crystal film 3 is smaller than the width Wb of the other edge part 3b, and, in the plurality of seed crystal films, the one edge part is provided at the same side viewed in the longitudinal direction of each seed crystal film. - 特許庁

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8. - 特許庁

広範なpH領域で安定なアナターゼ型結晶性酸化チタンゾルを得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide anatase type crystalline titanium oxide sol stable in a wide pH range. - 特許庁

表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。例文帳に追加

When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane and a diffraction peak other than the diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane are observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C. - 特許庁

シリコン結晶中の炭素濃度の測定方法は、（ａ）シリコン結晶中の炭素と酸素の複合体による赤外吸収の強度を測定する工程と、（ｂ）前記炭素と酸素の複合体による赤外吸収の強度からシリコン結晶中の炭素濃度を求める工程とを含む。例文帳に追加

This measurement method of carbon concentration in a silicon crystal includes (a) a process for measuring intensity of infrared absorption by a complex of carbon and oxygen in the silicon crystal and (b) a process for obtaining the carbon concentration in the silicon crystal from the intensity of the infrared absorption by the complex of carbon and oxygen. - 特許庁

ＴＳＳＧ法によりＫＮｂＯ_３単結晶を製造する方法において、結晶成長に引き続き室温へ冷却する過程で、相転移の過程、相転移過程における必要条件を規定し、さらに相転移過程に要する時間を規定することにより、クラックの無い大型ＫＮｂＯ_３単結晶を作成することを特徴とする大型ＫＮｂＯ_３単結晶の製造方法である。例文帳に追加

A large size KNbO_3 single crystal without cracks is produced by specifying a phase transition stage, a necessary condition at the phase transition stage and a required time in the phase transition stage at a step to cool the crystal after growing to room temperature when the KNbO_3 single crystal is produced by a TSSG (top-sealded solution growth) method. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。例文帳に追加

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1. - 特許庁