| 例文 (999件) |
ていたんさんがすけっしょうの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1325件
紫外線センサ１は、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２と、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２が紫外線を受光して励起された電流あるいは電圧を検出する検出電極３ａ，３ｂとを備えている。例文帳に追加
The ultraviolet sensor 1 has an n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2 and detection electrodes 3a and 3b which detect a current or voltage excited by receiving ultraviolet rays by the n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2. - 特許庁
炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が３０個／ｃｍ^２以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。例文帳に追加
The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate. - 特許庁
第３の多結晶シリコン層３の上板部３ａの上面部３ａａおよび上側面部３ａｂにおいてチタン層１５が第３の多結晶シリコン層３に接触するようになっている。例文帳に追加
A titanium layer 15 is brought into contact with a third poly-crystal silicon layer 3 at the upper face 3aa and the upper side face 3ab of the upper board 3a of a third poly-crystal silicon layer 3. - 特許庁
ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置において、メニスカス近傍に配置され、前記メニスカス近傍の前記シリコン融液４を保温する保温体４０が設けられている単結晶製造装置３０とする。例文帳に追加
In the single crystal production apparatus 30 for growing the silicon single crystal 3 while pulling from the melt 4 stored in a crucible, a heat-retaining body 40 is provided near a meniscus to retain the temperature of the silicon melt 4 in the vicinity of the meniscus. - 特許庁
本発明は、高融点材料であっても酸素欠損が極めて少なく、高品質、高性能な酸化物単結晶を育成することのできる高品質酸化物単結晶の製造装置および製造方法ならびにこの製造方法により作製される高品質酸化物単結晶を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide an apparatus capable of growing a high-quality and high-performance oxide single crystal with extremely little oxygen depletion in case that a material with a high melting point is used, its manufacturing method, and a high-quality oxide single crystal manufactured thereby. - 特許庁
基板上に、基板側から順に、酸化チタンを主成分とする酸化チタン層と、結晶性シリコン層と、を有し、酸化チタン層と結晶性シリコン層が接していることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加
A semiconductor device is characterized by comprising a titanium oxide layer mainly made of titanium oxide and a crystal silicon layer which are sequentially formed on a substrate from the substrate side, wherein the titanium oxide layer touches the crystalline silicon layer. - 特許庁
結晶性酸化チタン微粒子の結晶構造を容易に制御することが可能な酸化チタン微粒子の製造方法を提供することに加え、その製造方法で製造される酸化チタン微粒子を提供することである。例文帳に追加
To provide a method for producing titanium oxide fine particles, by which the crystal structure of the crystalline titanium oxide fine particles is easily controlled, and in addition, to provide the titanium oxide fine particles produced by the production method. - 特許庁
バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。例文帳に追加
To provide a β-Ga_2O_3 single crystal which has prescribed resistivity and carrier concentration, in a β-Ga_2O_3 single crystal which has a wider band gap and has a possibility of light-emitting in an ultraviolet region. - 特許庁
原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程と、原料融液を種結晶７側から凝固することにより、半導体結晶を成長する工程とを備え、原料融液を形成する工程では、種結晶７と接触する原料融液の温度と、原料９、１０と対向する側の種結晶７の端部８の温度との差を３０℃以下にする。例文帳に追加
In the step of forming the raw material melt, the difference between the temperature of the raw material melt brought into contact with the seed crystal 7 and the temperature at the end part 8 of the seed crystal 7 on the side opposing to the raw materials 9, 10 is set to 30°C or less. - 特許庁
輻射シールドと融液面との間のギャップ寸法を所定の範囲に制御し、且つ、輻射シールドと単結晶との間を流れるガスの流速を制御することにより、全長に亘り酸素濃度が均一な単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a single crystal which can stably manufacture single crystal having a uniform oxygen concentration over the entire length by controlling the gap size between the radiation shield and the surface of the melt liquid and by controlling the flow speed of the gas flowing between the radiation shield and the single crystal. - 特許庁
容易にシリコン単結晶の低酸素化が可能で、酸素析出物発生の促進ができ、生産性が高い、シリコン単結晶インゴットの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a silicon single crystal ingot, by which the oxygen concentration in the silicon single crystal is easily lowered and the formation of oxygen deposits can be enhanced and which is high in productivity. - 特許庁
第８〜第１３ステップで、融液１２から切離された単結晶１４の冷却過程、即ち単結晶１４が融液１２から切離された後の単結晶１４の引上げ速度を考慮し、単結晶１４の徐冷及び急冷の効果を結果に反映して、単結晶１４内のボイドの密度分布及びサイズ分布をコンピュータを用いて求める。例文帳に追加
In the 8th to 13th steps, the cooling process of the single crystal 14 separated from the solution 12 i.e., taking the pulling up speed of the single crystal 14 into consideration after separation from the solution 12, reflecting the effects of quick pulling up speed and slow pulling up speed to conclusion, the density and size distribution of void are obtained by the computer. - 特許庁
液体封止チョコラルスキー法で原料融液７から結晶５を引き上げる際、成長中の結晶５中に超音波発信装置１２から超音波を伝搬させると共にその反射波を超音波受信装置１３で受信し、多結晶の発生に伴い結晶５中に形成される粒界の部分からの反射波が前記超音波受信装置１３で検出されたときは、結晶５の引き上げを一旦停止し、結晶５を降下させて多結晶部を溶解させてから単結晶成長を再開する。例文帳に追加
When reflected ultrasonic waves from grain boundaries formed along with the generation of polycrystals in the crystal 5, are detected by the ultrasonic receiver 13, the pulling-up operation is temporarily stopped and the crystal 5 is lowered to dissolve the polycrystal parts and thereafter, the single crystal growth operation is restarted. - 特許庁
厚さ１０〜１０００μｍ、抵抗率１Ｅ−２〜１Ｅ５Ωｃｍ、キャリア濃度１Ｅ１１〜１Ｅ１８／ｃｍ^３のＳｉ単結晶基板２上に厚さ０．０１〜１０００μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜３が形成されている。例文帳に追加
On an Si single crystal substrate 2 having a thickness of 10-1,000 μm, a resistivity of 1E-2 to 1E5 Ωcm, and a carrier density of 1E11 to 1E18/cm^3, a 3C-SiC single crystal film 3 having a thickness of 0.01-1,000 μm is formed. - 特許庁
スピネル型結晶構造を有するリチウム複合酸化物の単結晶一次粒子であって実質的に単独で存在する単一粒子内に、微粒子が分散されている。例文帳に追加
A positive electrode active material particle of a lithium secondary battery is a single crystal primary particle of a lithium composite oxide having a spinel type crystal structure, and fine particles are dispersed within a single particle which is substantially independently present. - 特許庁
分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a single crystal of lithium niobate for optical use excellent in polarity control characteristics, nonlinear optical characteristics and electro-optic characteristics, and to provide an optical element using the single crystal, and a manufacturing method for stably growing a lithium niobate single crystal. - 特許庁
単結晶半導体基板１１上には埋め込み酸化膜１２が形成され、埋め込み酸化膜１２上には、バックゲート電極を構成する第１単結晶半導体層１３が形成されている。例文帳に追加
A buried oxide film 12 is formed on single crystal semiconductor substrate 11, and a first single crystal semiconductor layer 13 constituting the backgate electrode is formed on the buried oxide film 12. - 特許庁
チップ状酸化亜鉛単結晶３０の−ｃ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。例文帳に追加
The ultraviolet rays reach the c-th surface of chip shape zinc oxide single crystal 30, thereby changing the resistance value of the chip shape zinc oxide single crystal 30. - 特許庁
その後、酸素が結晶中から排出され続けるとともに、酸素が連続的に成長表面上へ衝突するため、結晶の成長表面の酸素蓄積量が増えていくにつれて、混入速度は単調に増加する。例文帳に追加
Oxygen is continuously discharged from the crystal thereafter and oxygen continuously collides with a growth surface, so that, as the quantity of stored oxygen increases on the growth surface of crystal, a mixing speed is monotonously accelerated. - 特許庁
１２インチ単結晶のような大口径単結晶の成長時にプライム（ｐｒｉｍｅ）区間での酸素濃度の偏差を減らせるように酸素濃度の制御ができるるつぼの回転条件を提示する半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a semiconductor single crystal presenting crucible rotation conditions controlling the oxygen concentration to reduce the oxygen concentration deviation in a prime zone during growth of a large-diameter single crystal of, for example, 12-inch diameter. - 特許庁
従来の酸化チタン粒子に比べ結晶性が高く、光触媒作用による分解力に優れる酸化チタン粒子の結晶性評価方法、及び酸化チタン粒子の表面欠陥密度測定方法の提供。例文帳に追加
To provide a method for evaluating crystallinity of a titanium oxide particle having higher crystallinity in comparison with a previous one and excellent decomposition power by photocatalytic action, and a method for measuring surface defect density of the same particle. - 特許庁
少なくとも１面以上の平面を有する希土類珪酸塩単結晶であって、（１００）面に最も近い平面が（１００）面から５°以上傾いており、研磨されていることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶。例文帳に追加
The rare earth silicate single crystal has at least one or more planes and the plane nearest the (100) plane inclines at ≥5° from the (100) plane and is polished. - 特許庁
不純物の混入がなく、高分散、単一結晶相からなる粒度の揃った高結晶性複酸化物粉末を、簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a highly-crystallized double oxide powder free of inclusion of impurities, having high dispersibility, composed of a single crystal phase and uniform in particle size through simple steps at a low cost. - 特許庁
チタン酸バリウムを効率よく合成することができ、その合成する過程における結晶粒子形状の破壊を防ぐことができる結晶粒子形状を制御したチタン酸バリウムの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing barium titanate under controlled crystal grain shape, efficiently synthesizing barium titanate and preventing destruction of crystal grain shape in the synthesis process. - 特許庁
簡単な工程により基材表面に、結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜、特にアナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタン系薄膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for depositing a titanium-dioxide-based thin film having controlled crystal structure, particularly a titanium-dioxide-based thin film having anatase-based crystal structure, onto the surface of a base material by a simple process. - 特許庁
高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a zinc oxide single crystal, by which a high purity and high quality zinc oxide single crystal is stably grown with satisfactory reproducibility, and to provide a zinc oxide raw material to be applied in the method. - 特許庁
本発明では、シリコン単結晶ウェーハの評価方法において、５ｎｍ以上の比較的厚い酸化珪素膜をシリコン単結晶ウェーハの表面に容易に形成することができ、かつ安定してＣ−Ｖ特性を測定することのできるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for evaluating a silicon single crystal wafer that can easily form a relatively thick silicon oxide film of 5 nm or larger on a surface of the silicon single crystal wafer, and can stably measure C-V characteristics. - 特許庁
揮発性ドーパントを用いたシリコン単結晶の製造において、酸化物が空気エゼクターに堆積することによる排気ラインの排気能力低下を防止することが可能なシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method and device for a silicon single crystal, which can prevent degradation in discharging ability of a discharge line caused by accumulation of oxides in an air executer in a manufacturing process of a silicon single crystal using a volatile dopant. - 特許庁
単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。例文帳に追加
In the method of manufacturing the single crystal gallium nitride substrate, the ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growing method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates. - 特許庁
結晶の外形に対して結晶軸がどのように取り付いているかを調べる全３軸の方位決定を高速で、かつ高精度に行うことのできるＸ線単結晶方位測定装置および測定方法を提供することにある。例文帳に追加
To provide an X-ray single crystal orientation measuring device and a measuring method capable of performing highly accurately at high speed, orientation determination of all the three axes for examining the fitting state of a crystal axis with respect to the outer shape of a crystal. - 特許庁
原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same. - 特許庁
正極活物質粒子は、層状岩塩構造を有するリチウム複合酸化物の単結晶一次粒子が複数集合してなる二次粒子であって、前記単結晶一次粒子内には微粒子が分散されている。例文帳に追加
A positive electrode active material particle is a secondary particle comprising a plurality of aggregated single crystal primary particles of a lithium composite oxide having a layered rock-salt structure, and fine particles are dispersed within each of the single crystal primary particles. - 特許庁
ペロブスカイト型酸化物の前駆体と種子単結晶との複合体を熱処理により前駆体に固相エピタキシーを生じさせて単結晶化することにより、所望の組成のペロブスカイト型酸化物単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a perovskite-type oxide single crystal having a desired composition by heat-treating a complex of a perovskite-type oxide precursor and a seed single crystal to induce solid phase epitaxy in the precursor by heat treating to form a single crystal. - 特許庁
光で相転移が制御され、回折波長が変化する光応答性のコロイド結晶であって、電荷をもつ単分散粒子が、光イオン化性物質を含有する水または有機溶媒に分散されている光応答性コロイド結晶とする。例文帳に追加
The photoresponsive colloid crystal in which phase transition is controlled and the diffraction wavelength is changed by eight is formed by dispersing monodispersive particles having charges in water containing a photoionizable material or organic solvent. - 特許庁
本発明のチタン酸バリウム単結晶の製造方法は、製造に要するコストの上昇が抑えられているとともに、均一な組織の単結晶の製造を短時間で行うことができる。例文帳に追加
This method is able to suppress rising cost, and also able to manufacture the single crystal having uniform structure in a short time. - 特許庁
簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a semi-insulating gallium oxide single crystal, by which the semi-insulating gallium oxide single crystal can be easily obtained at a low cost. - 特許庁
本導波路一体型レーザ利得媒質は、単結晶または低散乱多結晶セラミックスにレーザ活性イオンをドープしたコアと、このコアの外周に積層し、ノンドープの低散乱多結晶セラミックスからなる単層のクラッド、もしくは２層以上のマルチクラッドを具備する。例文帳に追加
This waveguide integrated laser gain medium comprises a core formed of monocrystalline or low scattering polycrystalline ceramics doped with laser active ions, and a single layer clad or a multi-clad having two or more layers laminated on the perimeter of this core and consisting of non-doped low scattering polycrystalline ceramics. - 特許庁
低温で焼成しても結晶性に優れ、アナタース型あるいはルチル型等の結晶性酸化チタンを含まず、リチウム電池の負極材、太陽電池、コンデンサー、電気二重層等に有用な結晶性チタン酸リチウムの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing crystalline lithium titanate which excels in crystallinity even if calcinated at a low temperature, does not include a crystalline titanium oxide of an anatase type or a rutile type or the like, and is useful for a negative electrode material of a lithium battery, a solar cell, a capacitor, an electric double layer or the like. - 特許庁
半導体製造工程におけるウェットエッチングに関する技術を酸化ガリウム単結晶に対して適用可能にする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法を提供する。例文帳に追加
To provide a wet etching method of a gallium oxide single crystal, with which a technique of wet etching in a semiconductor manufacturing process is applicable to a gallium oxide single crystal. - 特許庁
タンパク質が溶け込んだ水滴などの試料を収容する複数のウェル１１２を有する結晶化プレート１１０と、前記結晶化プレートを載置する観察ステージ１２０と、前記タンパク質の結晶化過程を撮像するカメラ１３０とを有し、カメラが、ＸＹ方向に移動可能なように観察ステージの上方に備えられているタンパク質結晶観察装置によって上記課題を解決する。例文帳に追加
The observation device for the protein crystal has a crystallization plate 110 having a plurality of wells 112 to house samples such as water drops with a protein dissolved therein, an observation stage 120 to place the crystallization plate on it, and a camera 130 to photograph the crystallization process of the protein, wherein the camera is placed above the observation stage so as to be movable in XY directions. - 特許庁
多種類の基板と融液の組み合わせにおいて、電子デバイスに適用可能な欠陥の少ない単結晶膜が得られる複合酸化物系単結晶膜の製造方法及びこの方法で製造した複合酸化物系単結晶膜を提供する。例文帳に追加
To provide a method of producing a multiple oxide-based single crystal film, by which the single crystal film capable of being used as an electronic device and almost free from defects in the combination of various kinds of substrates and a melt, and to provide the multiple oxide-based single crystal film produced by the method. - 特許庁
横磁場を印加するＣＺ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。例文帳に追加
To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process. - 特許庁
横磁場を印加するＣＺ法において、成長単結晶の成長方向の格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶棒を高生産性、高歩留りで育成できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a silicon single crystal production process which enables growth of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the growth direction of the single crystal being grown, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method. - 特許庁
パーティクルとして検出される結晶欠陥が低密度であり、パーティクルモニター用シリコンウェーハを製造するのに適するシリコン単結晶を生産性よく安価に引上げることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a silicon single crystal capable of pulling up the silicon single crystal suitable for manufacturing a silicon wafer for particle monitor wherein the crystal defect detected as particles is low density at a high productivity and at a low cost. - 特許庁
ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。例文帳に追加
When the via hole 10 is formed in a GaAs single crystal substrate 8 by dry etching, a GaAs single crystal substrate 8, in which the content of oxygen impurities is sufficiently small to an extent that an etching residual material is not formed, is used, and dry etching is applied to the GaAs single crystal substrate 8. - 特許庁
単結晶の耐光損傷強度を充分に確保すると共に、大型化や量産が可能である、タンタル酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a lithium tantalate single crystal, by which the resistance to light damage of the single crystal can be sufficiently secured, and upsizing and mass production of the single crystal are made possible. - 特許庁
表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching. - 特許庁
絶縁領域３５は、スーパージャンクション構造１３の終端にあるシリコン単結晶領域（Ｐ^-型シリコン単結晶領域１５）の外側に位置している。例文帳に追加
An insulating region 35 is positioned outside a silicon single crystal region (P-type silicon single crystal region 15) located at an end of the super junction structure 13. - 特許庁
全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a single crystal through which single crystal having a high oxygen concentration above a given concentration over the entire length and having a uniform in-plane oxygen concentration distribution can be obtained. - 特許庁
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