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どうしましょうか?の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1207



例文

プラズマ処理システムのプロセス空間の内側に、同時に複数のワークピースを支持する装置及び方法により解決する。例文帳に追加

The device and method are used to simultaneously support a plurality of workpieces inside of a process space of a plasma process system. - 特許庁

出力パラメタ値の推定を可能にするメンバシップ関数を与える半導体プラズマ処理を特徴付けるための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for characterizing a semiconductor plasma treatment, producing a membership function, which can enable estimation of output parameters. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、基板としてSiCを採用するとともに、プラズマ処理によって絶縁膜を形成している。例文帳に追加

In the semiconductor device, an SiC substrate is employed and an insulating film is formed by plasma treatment. - 特許庁

プラズマ中での使用により表面が劣化したプラズマ処理容器を新品同様に再生することを提供する。例文帳に追加

To provide a method for regenerating a plasma treatment container to a nearly new state when the surface of the container is degraded through its use in the plasma environment. - 特許庁

例文

もし権力を握っている者で、自分のことを同時代人の中で最も優れており、開明的だと思うだけの根拠を持っている者があるとすると、それは皇帝マルクス・アウレリウスでありましょう。例文帳に追加

If ever any one, possessed of power, had grounds for thinking himself the best and most enlightened among his cotemporaries, it was the Emperor Marcus Aurelius.  - John Stuart Mill『自由について』


例文

下部電極上あるいは下部電極周辺のクリーニングを効率的に行うことができる半導体基板のプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for plasma processing in a semiconductor substrate, capable of effectively cleaning on a lower electrode or around the lower electrode. - 特許庁

動作経路上に障害物があってもワークを把持するように経路変更でき、狭所空間で作業ができる多関節ロボットを提供する。例文帳に追加

To provide an articulated robot which changes a route to hold a workpiece regardless of an obstacle on an operating route, and works in a narrow space. - 特許庁

基板上の半導体層に光照射を行いレーザー結晶化を行った後、酸素プラズマ処理を施す。例文帳に追加

After laser crystallization is carried out by light irradiation on a semiconductor layer on a substrate, oxygen plasma processing is performed. - 特許庁

触接操作で各種の指示を行えるようにする一方で誤触接による誤動作を安価に軽減する。例文帳に追加

To make various instructions performed by a contact operation, and to reduce a malfunction caused by an incorrect contact, with a low cost. - 特許庁

例文

PDPの表示による放熱とシャーシへの熱伝導を併せて考慮することで高温誤消灯問題を解決する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for eliminating trouble of high temperature incorrect turn-off by concurrently considering heat radiation by display of PDP with heat conduction to a chassis. - 特許庁

例文

三井住友フィナンシャルグループがイギリスのRBS(ロイヤル・バンク・オブ・スコットランド)から航空機リース事業73億ドル、5,600億円で買収を決めたのですが、このことについて大臣は邦銀の今の立ち位置といいましょうか、どういうふうにあるか教えてください。例文帳に追加

Sumitomo Mitsui Financial Group has decided to acquire an aircraft leasing business from RBS (Royal Bank of Scotland) of the United Kingdom for 7.3 billion dollars, or 560 billion yen. In relation to that, what is your assessment of the position of Japanese banks?  - 金融庁

被処理体が大型であっても、この被処理体の複数に対して均一なプラズマ処理を同時に施すことが可能となる多段バッチ方式のプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus based on a multistage batch method which can apply uniform plasma treatment to plural workpieces to be treated, even when the workpieces to be treated are large-sized. - 特許庁

半導体層形成、レーザー結晶化、酸素プラズマ処理、ゲート絶縁膜堆積を真空一括で行う。例文帳に追加

There are performed in a lump semiconductor layer formation, laser crystallization, oxygen plasma processing, and gate insulating film deposition. - 特許庁

微細化に伴うメモリセルへの誤書き込み及び誤消去を低減した半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device wherein erroneous writing and erroneous erasure in a memory cell associated with minuteness of the memory cell are reduced. - 特許庁

良流動性を保持したまま、耐衝撃性特に面衝撃性を大幅に改善された、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a polytrimethylene terephthalate resin composition having significantly improved impact resistance, especially surface impact resistance while keeping excellent fluidity. - 特許庁

プラズマの変化の状態を防止でき、所望の膜厚および均一に成膜し、プラズマ処理を施すプラズマ処理半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide plasma processing semiconductor fabrication equipment which can prevent variation in the state of plasma and deposits a film of a desired thickness uniformly by plasma processing. - 特許庁

プラズマ処理条件が変化することによって、プラズマのインピーダンスが、大幅に或いは急峻に変動する場合においても、適切なインピーダンス調整を実現し、プラズマ処理による製品の品質および再現性を改善する。例文帳に追加

To realize suitable impedance control even in the case the impedance of plasma is remarkably or steeply varied by the change of plasma treatment conditions, and to improve the quality and reproducibility of a product by plasma treatment. - 特許庁

処理容器2に導入された処理ガスをプラズマ化させて基板Wを処理するプラズマ処理装置1において、処理容器2に収納された基板Wの中心部に導入される処理ガスの導入量と、処理容器2に収納された基板Wの周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマ処理中に変化する。例文帳に追加

In a plasma processing apparatus 1 which changes a processing gas introduced in a processing container 2 into plasma to process a substrate W, the ratio of an introduction amount of a processing gas introduced in a center part of the substrate W stored in the processing container 2 and an introduction amount of a processing gas introduced in a peripheral part of the substrate W stored in the processing container 2 changes during the plasma processing. - 特許庁

半導体装置10tの製造工程では、電界効果型トランジスタ30nの能動層となるシリコン膜1sを結晶化させた後、シリコン膜1sに酸素プラズマ照射OPを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜1sに形成された表面酸化物1rを除去する表面酸化物除去工程とを行う。例文帳に追加

A process of manufacturing the semiconductor device 10t includes an oxygen plasma irradiation process of subjecting a silicon film 1s to become an active layer of a field-effect transistor 30n to oxygen plasma irradiation OP after crystallizing the silicon film 1s, and a surface oxide removal process of removing surface oxide 1r formed on the silicon film 1s in the oxygen plasma irradiation process. - 特許庁

半導体装置の製造工程で、プラズマ処理工程でのゲート絶縁膜の帯電損傷を簡便な方法で防止する。例文帳に追加

To prevent the charging damage of a gate insulating film in a plasma treatment process using a simple method, in the manufacturing process of a semiconductor device. - 特許庁

本発明の大気圧プラズマ処理方法においては、冷却された処理ガスを放電空間に導入することを特徴としている。例文帳に追加

In the atmospheric pressure plasma treatment method, the treated gas cooled is introduced into a discharge space. - 特許庁

異なるプラズマ処理装置との間における加工寸法のばらつきを低減できる半導体装置の製造方法、電源回路、及びプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which variation in processing size can be reduced between different plasma processing apparatus, and to provide a power supply circuit, and a plasma processing apparatus. - 特許庁

そして、ソース電極9とドレイン電極12との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極9とドレイン電極12との間から一部をエッチングされた半導体層にHeプラズマ処理を施す工程と、Heプラズマ処理後に、半導体層にH_2プラズマ処理を施す工程とを備える。例文帳に追加

The method includes a step of etching part of the semiconductor layer from between the source electrode 9 and the drain electrode 12, a step of performing He plasma treatment on the partially etched semiconductor layer from between the electrodes 9 and 12, and a step of performing H_2 plasma treatment on the semiconductor layer after the He plasma treatment. - 特許庁

世界経済が拡大する中、途上国における都市化に伴う人口の集中や、災害に脆弱な土地への居住の増加、気候変動の進行などを考えれば、防災は持続可能な開発を達成し、人間の安全保障を実現するための不可欠な要素として重要性を増していると言えましょう。例文帳に追加

Given the population concentration along with urbanization and the increasing habitation in disaster-prone areas in developing countries, and progressive climate change on the back of the world economic expansion, we can say that disaster prevention has grown more important as an indispensable factor for achieving sustainable development and human security.  - 財務省

半導体ウェハを対象として、安定した均一なプラズマ処理をコンパクト・安価な構成で実現することを目的とする。例文帳に追加

To achieve the stabilized uniform plasma treatment of a semiconductor wafer by a compact and inexpensive arrangement. - 特許庁

プラズマ処理装置において、基板上にダメージが少なく効率の高いプラズマ処理装置の提供及びこれを用いて製造した半導体装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a plasma processing unit exerting high efficiency while suppressing damage to a substrate, and a semiconductor device manufactured using the unit. - 特許庁

本発明に従う黄銅材は、γ相の面精比率が6%以上であるとともに、このγ相の平均結晶粒径(長軸)が20μm以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In this brass material, the area ratio of the γ phase is ≥6%, and furthermore, the average crystal grain size (major axis) of the γ phase is20 μm. - 特許庁

プラズマ処理装置20は、また、導入されたガスを励起させるためのエネルギーとしてマイクロ波発生器355からマイクロ波を投入する。例文帳に追加

In the plasma processing apparatus 20, microwaves are inputted from a microwave generator 355 as energy for exciting the introduced gas. - 特許庁

井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大する光半導体装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor that increases an extinction ratio without varying the number of well layers and a length of a modulator. - 特許庁

振子部材4は、回動軸部41よりも上方位置に球案内部42を、下方位置に球衝突部43を形成してなる。例文帳に追加

The pendulum member 4 has a ball guide part 42 formed higher than a turning shaft part 41 and a ball collision part 43 formed lower than the rotating shaft part. - 特許庁

プラズマ処理装置において、装置を停止することなく下部電極上の異物を除去することにより高スループットを実現するプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processor providing high throughput by removing a foreign matter on a lower electrode without stopping the plasma processor, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

プラズマ処理方法は、プラズマ処理室10内の汚れ度合いを検出する工程と、汚れ度合いと、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する工程と、を含む。例文帳に追加

The plasma treatment method includes a process step of detecting the degrees of the contamination within a plasma treatment chamber 10, and a process step of judging whether the cleaning is performed or not in accordance with the degrees of the contamination and criteria as to whether the cleaning is to be performed or not. - 特許庁

電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔の光沢面に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。例文帳に追加

An electropolishing method includes electropolishing the glossy surface of the electrolytic copper foil using a sulfuric acid-copper sulfate bath as an electrolyte. - 特許庁

電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔1の光沢面4に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔1光沢面4の電解研磨方法。例文帳に追加

A method for electropolishing the glossy surface 4 of the electrolytic copper foil 1 is characterized in that an electrolytic polishing treatment is applied on the glossy surface 4 of the electrolytic copper foil 1 by using a sulfuric acid-copper sulfate bath as an electrolytic solution. - 特許庁

処理ガスを一対の電極どうしの長手側縁の間から対向面間に導入するプラズマ処理装置において、処理ガス流を上記長手方向に均一化する。例文帳に追加

To make a processing gas flow uniform along the lengths of a couple of electrodes in a plasma processing apparatus which introduces the processing gas into between opposite surfaces of the electrodes from their length-side edges. - 特許庁

リモート型放電プラズマ処理装置において、電極間に導入するガスの偏流を和らげて、大面積基材等の処理にも対応できる放電プラズマ処理装置の提供。例文帳に追加

To provide a discharge plasma treating apparatus capable of coping even with the treatment of a large surface area base material, or the like, by moderating the drift of a gas introduced between electrodes in the remote type discharge plasma treating apparatus. - 特許庁

大口径のウエハで半導体集積回路を高い歩留まりで生産できるプラズマ処理装置及び電極を提供する。例文帳に追加

To provide plasma processing system and electrode capable of producing a semiconductor integrated circuit with high yield using a wafer of large diameter. - 特許庁

このように技術論的に考察すれば、「賢聖の障子」と同時に立てた「障子戸」が引き違いの襖障子であったと考えられる。例文帳に追加

Considering the above, 'Shoji-to' seems to be a sliding Fusuma Shoji, set at the same time as 'Kenjo no shoji.'  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF_6含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF_6含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device that performs plasma processing using gas containing SF_6 in a chamber having a member comprising alumite, wherein a reducing agent is allowed to contact the member comprising the alumite after plasma processing is performed by using the gas containing SF_6 and the like. - 特許庁

そして6月15日、熊谷県が発足して河瀬は初代県令となった(同日に千葉県も発足して柴原がそのまま初代県令となった)。例文帳に追加

Then, on June 15, the Kumagaya Prefecture was established and Kawase was assigned to be the first governor (on the same day Chiba Prefecture was also established and Shibahara was assigned to be the first governor).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

帯状の被処理物の両面を同時処理できるだけでなく片面だけを処理することもできるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus which can treat not only both surfaces of a strip to be treated simultaneously but also only one surface thereof. - 特許庁

整合速度低下を招く事なくハンチングを効果的に抑制できるプラズマ処理装置用自動整合装置を提供する。例文帳に追加

To provide an automatic matching device for a plasma processing device that effectively suppresses hunting without causing a decrease in matching speed. - 特許庁

チャンバ内に電磁波を導入してプラズマを形成するプラズマ処理装置において、プラズマの密度分布が中心部に偏るのを補正し、チャンバ内に均一に分布させて、大きな口径の基板をプラズマ処理する際に、基板面内の均一な処理を可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To uniformly treat in a substrate surface, in a plasma treatment of large-aperture substrates by correcting the off centering of the plasma density distribution to uniformly distribute it in a chamber of a plasma treatment apparatus for forming a plasma with electromagnetic waves fed into the chamber. - 特許庁

神奈川県の久里浜商店会協同組合では、近くにあるイオン(株)の店舗と連携して、同組合の店舗へのイオン(株)の電子マネーである「WAON」の導入拡大を進めている。例文帳に追加

The Kurihama Shop Owner's Cooperative Association in Kanagawa Prefecture is in cooperation with the stores of AEON, Co., Ltd. to promote the introduction and the expansion of "WAON," the electric money of AEON, Co., Ltd., to the member stores in the association.  - 経済産業省

γ’相析出強化型Ni基合金により形成された動翼1の表面には、耐酸化コーティングが施されている。例文帳に追加

A moving blade 1 formed of γ' phase precipitation strengthened Ni-base alloy has an oxidation-resistant coating on the surface. - 特許庁

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリの誤書き込み、誤消去を防止する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device preventing erroneous writing and erroneous erasing of a nonvolatile memory such as a flash memory. - 特許庁

貯留部から導入した遊技球の通過を許容又は阻止する遊技球処理装置を取り外し可能に設けた遊技機において、遊技球処理装置の取り外し時に貯留部に貯留された遊技球が流出してしまうことを防止することができる遊技機を提供する。例文帳に追加

To provide a game machine capable of preventing game balls stored in a storage part from flowing out when detaching a game ball processor in the game machine provided with the game ball processor for allowing or blocking the passing of the game ball introduced from the storage part is detachably. - 特許庁

この銅に覆われたやつを持ってきて、もう片方と取り替えてみましょう。すると銅は右手側から離れて、左側のに移ります。さっきは銅に覆われたものが、こんどはきれいになって、きれいだった方がこんどは銅におおわれています。したがって、この溶液に入れたのと同じ銅を、こうやってこの装置で取り出せるんだ、というのがわかりますね。例文帳に追加

If I take this coppered piece and change sides, the copper will leave the right-hand side and come over to the left side; what was before the coppered plate comes out clean, and the plate which was clean comes out coated with copper; and thus you see that the same copper we put into this solution we can also take out of it by means of this instrument.  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

電極間への処理ガスの導入を高精度で制御できる放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。例文帳に追加

To provide a discharge plasma processing method which can accurately control introduction of a process gas between electrodes, and an apparatus therefor. - 特許庁

例文

第2の供給手段46は、誘電体部材40の空洞40a内にプラズマ処理用の第2のプロセスガスを供給する。例文帳に追加

The second supply means 46 supplies a second process gas for plasma processing into the cavity 40a of the dielectric member 40. - 特許庁

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