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どうしましょうか?の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1207



例文

半導体基板のプラズマ処理中に1つ以上の種のドーズ量を監視するための方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an appartus and methods to monitor the dose of one or more kinds during plasma processing of semiconductor substrates. - 特許庁

吸湿性のない低比誘電率の絶縁膜を形成することが可能なプラズマ処理方法および半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method which can form a low-specific inductive capacity insulating film without water vapor absorption, and a semiconductor device. - 特許庁

、装置コストおよび電力コストを高くすることなく、プラズマ処理の途中でプラズマ状態の制御を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an inductive coupling plasma processing apparatus which is capable of controlling a plasma state in the middle of plasma processing without increasing the apparatus cost and the power cost. - 特許庁

包埋処理が施される胚の具体例としては、採取した豚等の非ヒト動物の卵子から除核し、該除核された卵子に非ヒト動物の体細胞核を注入した核移植胚を挙げることができる。例文帳に追加

The concrete example of the embryo to be applied to the embedding treatment includes a nucleus- transplanted embryo obtained by removing a nucleus from a picked ovum of a non-human animal such as a pig and then injecting a body cell nucleus of a non-human animal into the nucleus-removed ovum. - 特許庁

例文

半導体ウェハWを研磨面に押圧しつつ摺動することで半導体ウェハWの研磨を行なう研磨方法において、半導体ウェハWの被研磨面を平坦化する第1の研磨工程と、弾性体粒子3を含有する研磨液Qを研磨処理の開始時から又は研磨処理の途中から研磨面に供給しつつ仕上げ研磨を行なう第2の研磨工程とを有する。例文帳に追加

The method of polishing a semiconductor wafer W pressed to and slid along a polishing surface comprises a first polish step of planarizing a surface of the wafer W and a second polishing step of finish-polishing the wafer surface with feeding an abrasives liquid Q, containing elastic grains 3 to the polishing surface at the start or the midway of the polishing process. - 特許庁


例文

本発明によれば、ジャイロ運動に超音波振動運動を付加することにより研磨能力が改善され、研磨処理時間を著しく短くすることができるようになる。例文帳に追加

The polishing capability is improved and the polishing time can be remarkably shortened by adding an ultrasonic vibration movement to a gyroscopic movement. - 特許庁

誘導結合型のプラズマ処理装置において方位角方向におけるプラズマ密度分布の均一性を改善すること。例文帳に追加

To improve uniformity of plasma density distribution in an azimuth direction in an inductive coupling type plasma processing apparatus. - 特許庁

プラズマ処理装置1Aにおいて、半導体ウエハ3に対して、フッ素(F)を含むガスを用いたプラズマ処理を施した後、半導体ウエハ3を搬送室TRC、ロードロック室L/LおよびEFEM室MCを介してキャリア4に収容する。例文帳に追加

In the plasma treatment apparatus 1A, after a plasma treatment using a gas containing fluorine (F) is applied to the semiconductor wafer 3, the semiconductor wafer 3 is stored in the carrier 4 via a transfer chamber TRC, a load lock chamber L/L, and the EFEM chamber MC. - 特許庁

ウェハの回路パターンに含まれるMOSトランジスタなどの半導体素子がプラズマ処理中に受ける電気的ダメージを軽減できるワークのプラズマ処理方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for plasma treatment for a work piece in which an electric damage to a semiconductor element such as a MOS transistor contained in a circuit pattern of a wafer caused during plasma treatment is reduced. - 特許庁

例文

基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。例文帳に追加

To automatically measure a thickness of each tray and properly control the trays in a plasma processing system including the trays in which substrates are placed to be transferred. - 特許庁

例文

従来に比べてランニングコストを低減することができ、半導体装置等の製造コストの低減を図ることができるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for plasma treatment equipment and plasma treatment equipment, capable of reducing the running cost and the manufacturing cost of a semiconductor device or the like, as compared to those of conventional ones. - 特許庁

引き延びた層の除去工程後の抵抗値を、切断前の抵抗値とほぼ同程度の値にすることができ、タクトタイムも短くすることができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method and a plasma processor capable of making the resistance almost the same resistance before cutting after removing the extended layer and capable of shortening the unit process time. - 特許庁

ウェーハトラック環境内のプラズマ処理チャンバを用いて半導体ウェーハを処理する方法及び装置例文帳に追加

METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER USING PLASMA PROCESSING CHAMBER IN WAFER TRACK ENVIRONMENT - 特許庁

特性インピーダンスが入力側と出力側で異なる同軸管構造を有するプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device with a coaxial cable structure in which characteristics impedance is different at an input side and an output side. - 特許庁

現在は、県立自然公園に指定されており、山野草、高山植物、鳥獣なども多く見られ、登山道の整備も行われている。例文帳に追加

Today Taki mountain range has been designated as a prefectural natural park; it abounds in wild grasses and flowers, alpine plants, birds and animals and so on, and the trails have been developed.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

なお、この時代に大映は、東光徳間(徳間書店東光徳間事業本部)と共同で中国映画・韓国映画の配給・提供なども手掛けた。例文帳に追加

During this period, Daiei had been involved in the distribution of Chinese and Korean films in conjunction with Toko Tokuma (the Toko Tokuma business division of Tokuma Shoten).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

複数の放電空間に、反応性原料ガスを均等に導入することのできるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device capable of uniformly introducing reactive feed gas into a plurality of discharge spaces. - 特許庁

よって、ハードディスク駆動機構部が収納される密閉空間と、誤消去防止爪が配置される非密閉空間とが隔絶された状態を維持しながら誤消去防止爪をスライドさせることにより情報記憶装置へのデータの書き込みが可能か否かを簡便な構造で設定することができる。例文帳に追加

Consequently, it is possible to set whether data can be written to the information storage device with a simple structure by sliding an accidental erasure prevention tab while keeping the hermetically sealed space housing the hard disk drive mechanism part separated completely from the non-sealed space with the accidental erasure prevention tab disposed. - 特許庁

比較的純度が低い99.5重量%程度のアルミナ原料を焼結することにより得られ、半導体プラズマ処理装置に組み込んで使用する際のダストの発生を抑制することが可能な半導体プラズマ処理装置用多結晶アルミナセラミックス部品を提供する。例文帳に追加

To provide a polycrystalline alumina ceramic component for a semiconductor plasma treatment apparatus which is obtained by sintering an alumina raw material having a relatively low purity of about 99.5 wt.% and is used to be incorporated in the semiconductor plasma treatment apparatus with the suppressed production of dust. - 特許庁

占有面積を抑えた簡便な形態でプラズマ処理に伴うチャージングを抑える半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can be suppressed with charging accompanying a plasma treatment by a simple configuration with less dominant area, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

待機モード中に低速クロックを与えることにより、CPUでの低速動作でタイマ処理や受信処理を行わせることを可能にする。例文帳に追加

To perform a timer process and a reception process through the low-speed action of a CPU by imparting low-speed clocks in a standby mode. - 特許庁

プラズマ処理により基板上に薄膜を形成する方法において、高速成膜と高い膜品質とを同時に実現する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film on a substrate using plasma processing, which can realize high speed film forming and a high quality film at the same time. - 特許庁

金属からなる2つの接合対象物91a,91bどうしを接合する際の前処理として、第1処理ガスをプラズマ化して少なくとも一方の接合対象物に接触させる第1プラズマ照射工程を実行する。例文帳に追加

As the preprocessing in the case of bonding two metal matters 91a and 91b to be bonded, a first plasma exposure process is carried out which makes a first processing gas plasmatic and makes it contact with at least one of the matters to be bonded. - 特許庁

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ1をプラズマ処理することにより半導体ウェハ1の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子1c毎に分割する。例文帳に追加

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c. - 特許庁

本発明は、プロセスガスの導入量を制御するコンダクタンス制御部の数を低減させることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method, that can decrease the number of conductance controllers controlling an introduction amount of process gas. - 特許庁

半導体基板のパーティクル汚染を減少させるプラズマ処理装置の炭化シリコン部品を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide part of a plasma processing apparatus which allows the reduction of particle contamination on a semiconductor substrate. - 特許庁

特に、この処理の過程において、複線に対応する各円の移動条件が維持されたまま処理される。例文帳に追加

In particular, the conditions for movement of the circles corresponding to the wire rods are maintained in the course of this processing. - 特許庁

立体収容設備1は、立体フレーム2と、立体フレーム2の内側に昇降可能に配備される昇降床3と、昇降床3を水平な姿勢を保持した状態のまま昇降動作させる昇降駆動機構4とを備える。例文帳に追加

This solid housing facility 1 is provided with a solid frame 2, a lifting floor 3 disposed to be elevated in the solid frame 2, and a lifting drive mechanism 4 lifting the lifting floor 3 while maintaining the horizontal attitude. - 特許庁

また、プラズマ処理時には、遮蔽板5a、5bが移動してアースシールド4の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくプラズマ電極用金属板3と対向した基板6上にプラズマ処理をすることができる。例文帳に追加

Further, upon plasma treatment, the shielding plates 5a, 5b move to open the opening part of the earth shield 4, thus plasma treatment can be performed to the surface of the substrate 6 facing the metallic plate 3 for a plasma electrode without moving the substrate even after heating treatment. - 特許庁

プラズマ処理による薄膜形成方法において、高速成膜と高い膜品質とを同時に実現する。例文帳に追加

To attain high speed film forming and high film quality at the same time in a thin film forming method by plasma treatment. - 特許庁

ライトプロテクト部160は、ケーシング30の厚み方向に往復移動して停止位置を切り替えることにより、記録可能状態、記録不能状態を切り替える誤消去防止プラグを有しており、この誤消去防止プラグの上端部には、外部から押圧可能な押圧板164が設けられている。例文帳に追加

The write protecting section 160 has an accidental erasure preventive plug switching a stop position by moving back and forth, in the thickness direction of a casing 30 to switch the recordable state and the unrecordable state and the top end of this accidental erasure preventive plug is provided with a trust plate 164 which can be thrust from the outside. - 特許庁

本発明は、黄銅材、特にγ相と他の相の硬度差に依存して切削性を確保する黄銅材において、さらに切削性を向上させること、およびこのような黄銅材の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To further improve the machinability in a brass material, particularly the one in which the machinability is secured in dependence on the difference in hardness between the γ phase and the other phase and to provide a method for producing the same brass material. - 特許庁

図2(A)に示すように封止部3bの熱伝導部4を、銅の粉体を放電プラズマ焼結法を用いて、封止部3bの外周面に熱伝導層4aとして形成する。例文帳に追加

As shown in Fig.2(A), a heat conductive part 4 of a sealing part 3b is formed as a heat conductive layer 4a on a circumferential surface of the sealing part 3b by using a discharge plasma sintering method using powder of copper. - 特許庁

γ相を析出させて研磨性向上を図る黄銅材、特に黄銅管材、黄銅板材において、研磨性を向上させるとともに、曲げ加工性についても良好な特性値を保つことを目的とする。例文帳に追加

To improve the grindability of a brass material, particularly, of a brass tubular material and a brass sheet material by precipitating a γ phase, and also to keep its bending workability in a good characteristic value. - 特許庁

3次元容器の内面にプラズマ処理をするためのプラズマ処理装置において、電極にコイルを利用し、対極を必要としない誘導結合方式のプラズマを発生させ、そのコイル外周に電磁石を配置し、容器内部に直流磁場を発生させ、プラズマを高密度化し、該プラズマを利用してプラズマ処理することを特徴とした真空処理装置であり、短時間に高品質のバリア性を有するプラスチック容器を生産可能としたものである。例文帳に追加

The plastic containers having barrier properties of high quality can be made in a short period of time. - 特許庁

電解銅箔の粗面側2にアノード3を配置し光沢面側にカソード5を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。例文帳に追加

Alternatively, the method includes arranging an anode 3 on the rough surface side 2 of the electrolytic copper foil and a cathode 5 on a glossy surface side, performing a smooth plating treatment on the rough surface by electrolysis, and then performing a reverse electropolishing treatment on the glossy surface. - 特許庁

電解銅箔の粗面側にアノードを配置し光沢面側にカソードを配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。例文帳に追加

In the electrolytic polishing method for the shiny face of electrolytic copper face, an anode is arranged at the rough surface side of the electrolytic copper foil, a cathode is arranged at the shiny face side, and electrolytic treatment is performed, thus the rough surface of the copper foil is subjected to smooth plating treatment, and further, the shiny face of the copper foil is subjected to reverse electrolytic polishing treatment. - 特許庁

銅ベース板1とダイレクトボンディングカッパー基板3との互いにハンダ付けされるハンダ付け領域のみをプラズマ照射により洗浄する。例文帳に追加

Only areas to be soldered in a copper base plate 1 and a direct bonding copper substrate 3 are cleaned by plasma irradiation. - 特許庁

油揚することなくかつレトルト処理や蒸煮処理などの前処理を必要とせず焼成のみで油揚したのと同様な外観と食感のから揚げ様食品を製造できるブレッダーミックス及びこれを使用したから揚げ様食品を提供すること。例文帳に追加

To provide a breader mix enabling production of a deep-fried food-like food which is free from the need of frying in oil, and pretreatment such as retort treatment and steaming treatment, and has only through baking, appearance and texture similar to those of a food fried in oil, and to provide the deep-fried food-like food using the breader mix. - 特許庁

本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-speed and accurate method that, in order to maintain consistent results of a plasma processing chamber, by confirming correct assembly of the chamber and hardware parts, and troubleshooting and repairing the chamber and the plasma processing system. - 特許庁

誘導結合型のプラズマ処理装置において、アンテナの長手方向におけるプラズマ密度分布の均一性を高める。例文帳に追加

To provide an inductively-coupled plasma processing apparatus capable of enhancing uniformity of plasma density distribution in a longitudinal direction of an antenna. - 特許庁

マイクロ波を伝送させる同軸管分配器に異なる分岐構造を含むプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device including different bifurcation structures in a coaxial distribution unit transmitting microwaves. - 特許庁

鉄道の拠点としては、福知山色と呼ばれる車両塗装の名前に見られるように浸透しており、市も鉄道関連の観光施設や各種イベントを特色にしている。例文帳に追加

Fukuchiyama is widely known as railroad central, as shown by the color of the coating on the trains, known as Fukuchiyama color; the city also has many tourist facilities and holds events related to railroads.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

パチンコ機1は、動作用電圧及びバックアップ電圧を供給する充電器83G、蓄電池83H等と、貸し球、賞球等に関する球情報を記憶できるRAM83Cと、貸し球、賞球を遊技者に対して払い出す賞球貸球払出装置61とを備える。例文帳に追加

This pachinko machine has a charger 83G, a battery 83H, etc., for supplying operating voltage and backup voltage, a RAM 83C for storing ball information regarding lent balls, prize balls, etc., and a prize and lent ball delivery device 61 for delivering lent and prize balls to a game player. - 特許庁

太陽電池の半導体表面に窒化シリコン(SiN_x)膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をN_2ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン(SiN_x)膜を成膜する成膜工程とを備える。例文帳に追加

A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step. - 特許庁

この時間は、デバイス切断処理手段44が切断タイマ処理手段42を起動することにより測定される。例文帳に追加

The time is counted by starting a disconnection timer processing means 42 by a device disconnection processing means 44. - 特許庁

本発明では、プラズマ処理室と、真空搬送室と、ロック室と、大気側搬送室とを備えた半導体製造装置において、乾燥空気を大気側搬送室に導入して、大気搬送室内の湿度を調整できるようにした。例文帳に追加

The plasma processing apparatus has a plasma processing chamber, a vacuum conveyance chamber, a lock chamber, and an atmosphere-side conveyance chamber, wherein the humidity in the atmosphere-side conveyance chamber is adjusted by introducing dry air into the atmosphere-side conveyance chamber. - 特許庁

その表面だけが配向制御された有機半導体薄膜、プラズマ処理に比べて有機半導体に対する損傷を抑えることが可能な有機半導体の配向制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor thin film wherein an orientation of the organic semiconductor thin film is controlled only on the surface thereof, and to provide a method for controlling an orientation of an organic semiconductor, capable of suppressing damage on an organic semiconductor as compared with plasma treatment. - 特許庁

互いに異なる導電性材料A、Bをプラズマ処理した後に、各プラズマ処理面同士を常温で圧着接合し、しかる後にエッチング処理により前記導電性材料を導電性パターン1、2に加工して、複数の熱電対が直列に接続された構造を形成する。例文帳に追加

A structure in which a plurality of thermocouples are connected in series is formed by press-fitting the plasma-treated surfaces of different kinds of conductive materials A and B to each other at a normal temperature after the materials A and B are plasma-treated and etching the materials A and B to conductive patterns 1 and 2. - 特許庁

例文

画像表示制御装置7には、受けた信号S4,S5の指定パターンで図柄変動を開始させ、同信号の指定図柄で停止させる図柄表示制御手段と、仮抽選結果及びリーチ属性に応じた球色で各球を移動表示させる球移動表示手段とを設けた。例文帳に追加

An image display controller 7 is provided with a figure display control means which starts the variation of the figures in a pattern designated by the signals S4 and S5 received and stops it at the figures designated by the signals and a ball movement display means which moves and displays the balls in respective colors corresponding to the result of the temporary lottery and the ready for win attribute. - 特許庁

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