「どうしましょうか?」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

メンテナンス時間を短縮して処理の効率や装置の稼働効率を向上させたプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device with processing efficiency and device working efficiency improved by shortening maintenance time. - 特許庁

アルギン酸又は寒天等の包埋剤を用いて、哺乳動物由来の胚に２回以上、好ましくは３回の包埋処理を施し多重包埋処理胚を得る。例文帳に追加

This multiply embedded embryo is obtained by applying an embedding treatment using an embedding agent such as alginic acid or agar to a mammal-originating embryo twice or more, preferably three times. - 特許庁

プラズマ処理の際は、電極を固体誘電体板に確実に接触させることができ、運搬時には、電極の振動による固体誘電体板の損傷を防止できるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device capable of surely bringing an electrode into contact with a solid dielectric plate during plasma treatment, and capable of preventing the solid dielectric plate from being damaged due to the vibration of the electrode during transportation. - 特許庁

減圧可能なプラズマ処理空間１０６を形成する反応容器内に円筒状基体１０９を配置しプラズマ処理を行う装置において、その反応容器外に、放電電力を導入するため電極１０３が配置されている。例文帳に追加

In the device for a plasma process by arranging a cylindrical substrate 109 in a reaction container that forms a decompressible plasma processing space 106, an electrode 103 for introducing a discharging electric power is disposed outside the reaction container. - 特許庁

プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing device capable of suppressing the change of a film formation rate and a film quality in the plasma processing and also capable of preventing much time spent for conditioning as the preprocessing. - 特許庁

これは硫黄のかけらです。硫黄が空気中でどう燃えるかは知っていますね。では、酸素に入れてみましょう。空気中で燃えるものは、酸素の中だとずっと強力に燃えます。だとすると、空気でものが燃えるというのも、すべてはこの気体があるせいなのかな、と考えるようになるでしょう。例文帳に追加

We will take a piece of sulphur—you know how sulphur burns in the air—well, we put it into the oxygen, and you will see that whatever can burn in air, can burn with a far greater intensity in oxygen, leading you to think that perhaps the atmosphere itself owes all its power of combustion to this gas.  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

１回の研磨処理によって正確な狙い膜厚が得られるＣＭＰ研磨方法、ＣＭＰ装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a film highly accurate in thickness as prescribed through a single polishing process. - 特許庁

高電力供給時の高温環境下でも破損しない電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a power introduction terminal which does not break even under a high temperature environment when supplying high electric power, and a plasma processing device equipped with the same. - 特許庁

本体に装着可能な記録媒体に対して、面倒な設定を行うことなく、適切に誤消去防止及び解除の制御ができるようにする。例文帳に追加

To properly control erroneous deletion prevention and release without executing troublesome setting with respect to a recording medium that can be installed in a main body. - 特許庁

真空圧調節板を上下に駆動させるカムリングの位置調整作業を精密かつ簡単に行えるプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device in which a positioning work for a cam ring, driving a vacuum pressure adjusting plate up and down, are accurately and simply performed. - 特許庁

それから、半導体チップ３を搭載した配線基板２に対してプラズマ処理を施した後、半導体チップ３より大きな寸法の半導体チップ４を半導体チップ３上に搭載する。例文帳に追加

Subsequently, after applying plasma treatment to the wiring substrate 2 having the mounted semiconductor chip 3 thereon, a semiconductor chip 4 whose dimension is larger than the one of the semiconductor chip 3 is mounted on the semiconductor chip 3. - 特許庁

試験運行中，DMVは北海道東部の釧(せん)網(もう)線で浜(はま)小(こ)清(し)水(みず)駅と藻(も)琴(こと)駅の間を走行する予定だ。例文帳に追加

During its trial service, the DMV will run between Hamakoshimizu Station and Mokoto Station on the Semmou Line in eastern Hokkaido.  - 浜島書店 Catch a Wave

縄文土器の分布を目安とした場合、北は宗谷岬と千島列島、南は沖縄島を限界とし、宮古島や八重山諸島には分布しない（宮古島や八重山諸島は台湾島の土器と同系統のもの）。例文帳に追加

Using the criteria based on the distribution of the Jomon earthenware, the northern limit is Cape Soya and the Kurile Islands and the southern limit is the islands of Okinawa; the Jomon earthenware is not distributed in Miyakojima Island and the Yaeyama Islands (the earthenware found in Miyakojima Island and the Yaeyama Islands belongs to the family of the earthenware found in Taiwan).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明のプラズマ処理用トレイ１０は、化合物半導体から成る被処理基板を、静電気力を用いて載置部に静電吸着させてプラズマ処理するプラズマ処理装置１０において用いられるものであり、体積抵抗率が10^7〜10^13Ω・cmのトレイからなる。例文帳に追加

The plasma treatment tray 10 is used in a plasma treatment device 10 electrostatically attracting a substrate consisting of a compound semiconductor and to be treated to a mounting section by static electricity and performing the plasma treatment, and has a volume resistivity of 10^7 to 10^13 Ωcm. - 特許庁

反応室内の異物の低減が図られ、加工形状のばらつきの少ないプラズマ処理装置、プラズマ処理装置を用いた処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment apparatus that reduces foreign objects in a reaction chamber and has a small amount of variation in machining shape, and to provide a treatment method using the plasma treatment apparatus, and the manufacturing method of semiconductor devices. - 特許庁

エッチング処理の施されたフルオロカーボン膜の表面に対し、窒化プラズマ処理またはＣＦプラズマ処理を行う、半導体装置の製造方法が提供される。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device is provided in which nitriding plasma treatment or CF plasma treatment is applied to the surface of the fluorocarbon film subjected to etching treatment. - 特許庁

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。例文帳に追加

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5. - 特許庁

半導体基板上に空孔源を有する低誘電率層間絶縁膜を成膜する成膜工程と、プラズマ処理により低誘電率層間絶縁膜中から空孔源を除去するプラズマ処理工程とを有する。例文帳に追加

A method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of film forming the low dielectric constant interlayer insulating film having the source of the hole on a semiconductor substrate, and plasma processing to remove the source of the hole from the low dielectric constant interlayer insulating film by the plasma processing. - 特許庁

処理容器１４内に配置されている被処理物Wにヘリコン波を導入することによりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、ヘリコン波が発生する真空容器１１a、１１ｂの内部を磁場の方向２０と平行な壁面により複数に分割するプラズマ処理装置。例文帳に追加

In this plasma treatment device, performing plasma treatment by introducing helicon waves into a workpiece W arranged inside a treatment vessel 14, the inside of each of vacuum vessels 11a and 11b for generating the helicon wave is divided into a plurality of sections by means of a wall face parallel to a magnetic field direction 20. - 特許庁

水素プラズマ処理時間を大幅に短縮し、多結晶半導体層の水素化効率を大幅に改善する。例文帳に追加

To significantly improve hydrogenation efficiency of a polycrystal semiconductor layer by significantly shorting a hydrogen plasma process time. - 特許庁

なお、プラズマ化された処理ガスＧは排気装置１１の排気に伴うガスの流れによりプラズマ処理室８に導入され、被処理物２０に照射されることにより被処理物２０に対して所定のプラズマ処理が施される。例文帳に追加

The treating gas G converted into a plasma is introduced into the plasma treating chamber 8 by the gas flow caused by the exhaust of the exhaust device 11 and is radiated to an object 20, thus the prescribed plasma treating is applied to the object 20. - 特許庁

大がかりな可動部を設けることなくＡＣ比を可変にすることが可能な、プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus capable of varying an AC ratio without installing a largely scaled-up movable unit. - 特許庁

少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。例文帳に追加

When at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber, CW AC power or pulse modulated AC power is selected properly as plasma processing power at each step. - 特許庁

半導体製造に用いられるプラズマ処理装置の製作方法において、機械加工や表面処理が施されプラズマ処理装置のプラズマに晒される部品を、該部品の装置への組み込む前に、温純水によって洗浄する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a plasma processor being employed in the production of a semiconductor, components subjected to machining or surface treatment and being exposed to the plasma of the plasma processor are cleaned with hot pure water before being incorporated in an apparatus. - 特許庁

電極間に放電を誘起させてプラズマ処理室内にプラズマを生成した状態で、被処理ガスをプラズマ処理室内に導入して、ガスの処理を行う。例文帳に追加

The gas is processed by introducing the gas to be processed into the plasma processing chamber 1b in which plasma is generated by inducing the discharge between the electrodes. - 特許庁

Ｈｉｇｈ−ｋ／メタル構造を有する半導体素子のプラズマ処理の終点を高精度に検知して高精度加工を実現するプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method of achieving accurate processing of a semiconductor device with a high-k/metal structure by accurately detecting an end point of the plasma processing of the semiconductor device. - 特許庁

この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで高圧電極２と接地電極３の間に導入された被処理物４をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。例文帳に追加

The dielectric barrier discharge is used to generate plasma from the plasma generating gas and the plasma is used to give plasma treatment to a material 4 introduced between the high voltage electrode 2 and the earth electrode 3. - 特許庁

真空処理容器内におけるパーティクルの落下を低減し、半導体基板の製品歩留まりの低下を低減するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing equipment and a plasma processing method, which reduces falling of particles inside a vacuum treatment container, and also reduces deterioration of semiconductor product yield. - 特許庁

あなたのファイルの中で、オプションの条件であってもしそれを満たさなくても動作するという条件があったとしましょう。 たとえばこのようなものです。例文帳に追加

If your file implement code condition that is optional and don't break main goal, such as, for example : if function_exists then I do something, else I do something else.  - PEAR

被処理物がプラズマにより損傷を受けず、同時に高い処理速度を達成でき、且つ処理特性が均一なプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment device in which a treated substance is not damaged by the plasma while a high treatment speed is achieved, and furthermore which has uniform treatment characteristics. - 特許庁

磁気的なノイズによる非選択メモリセルへのデータ誤書込を防止した動作信頼性の高い薄膜磁性体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film magnetic memory device having high operational reliability erroneous write-in of data for a non-selection memory cell caused by magnetic noise is prevented. - 特許庁

磁気的ノイズによる非選択メモリセルへのデータ誤書込を防止した動作信頼性の高い薄膜磁性体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film magnetic storage device with high operation reliability by preventing data from being miswritten to a non-selection memory cell due to magnetic noise. - 特許庁

で、これはまさに、ロウソクの真ん中にある蒸気とまったく同じ蒸気なんです。それをみんなに納得してもらいたいので、このフラスコの中にあるのが、ロウソクの真ん中から出てきた燃える蒸気なのかどうか、試してみましょう。例文帳に追加

This, then, is exactly the same kind of vapour as we have in the middle of the candle; and that you may be sure this is the case, let us try whether we have not got here, in this flask, a real combustible vapour out of the middle of the candle.  - Michael Faraday『ロウソクの科学』

またその製造に際しては、ＣＭＰによる研磨処理の後に、非窒化性雰囲気でプラズマ処理を行い、第２の層間絶縁膜３の上層部および導体膜５の上層部にダメージ層を形成する。例文帳に追加

When manufacturing the semiconductor, it is plasma processed by a non-nitriding atmosphere after being polish processed by CMP to form a damage layer on an upper layer portion of the second interlayer insulating film 3 and on an upper layer portion of the conductive layer 5. - 特許庁

銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed. - 特許庁

隣り合う部分電極１１Ｓどうし間と並び方向の両端の部分電極１１Ｓの外側には、プラズマ処理空間１ａへの処理ガス吹出し手段３１と、プラズマ処理空間からのガス吸込み手段５１を、前記並び方向に沿って交互に配置する。例文帳に追加

Between the adjacent partial electrodes 11S and on the outsides of the adjacent partial electrodes 11S of both ends in an arrangement direction of the partial electrodes 11S, a blow means 31 of a treatment gas to a plasma treatment space 1a and a suction means 51 of the gas from the plasma treatment space are alternately arranged so as to be along the row direction. - 特許庁

フッ酸を含有する研磨液でガラス基板を研磨処理した後、その研磨処理液から固形分を分離して自動的に排出する固液分離装置ＳＰである。例文帳に追加

The solid-liquid separation apparatus SP carries out polishing treatment of the glass substrate with the chemical polishing liquid containing HF and thereafter separates a solid content from its polishing treatment liquid to be automatically discharged. - 特許庁

この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで電極２、３の間に導入された被処理物４をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。例文帳に追加

Supplied between the electrodes 2 and 3 is an electric field of alternate or pulse current to generate a dielectric barrier discharge under about an atmospheric pressure. - 特許庁

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室中に生成するプラズマのアースとして、金属を含む導体材料で構成されるアース電極から発生する金属汚染を防止する。例文帳に追加

To provide a plasma processor capable of preventing metallic pollution generated from an earth electrode constituted of a conductive material containing a metal as the earth of plasma generated in a plasma processing room. - 特許庁

誘電体壁に反応生成物が付着することを有効に防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。例文帳に追加

To offer an inductive coupling plasma treatment equipment which can prevent adhesion of reactive products to a wall of an inductive substance effectively. - 特許庁

基板１０１上の半導体層１０３に基板温度１００℃以下で光照射による半導体層１０３の結晶化をおこない、しかる後に基板温度１００℃以下で半導体層１０３にプラズマ処理を施す。例文帳に追加

Light is radiated onto a semiconductor layer 103 on a substrate 101 at 100°C or lower in substrate temperature for crystallization, and then the semiconductor layer 103 is treated by a plasma at 100°C or lower in substrate temperature. - 特許庁

それと同時に、他方の反応容器３では吸着した処理対象物質をプラズマ処理によって無害化する。例文帳に追加

At the same time, the adsorbed substance is detoxicated by plasma treatment in the other reaction container 3. - 特許庁

処理の際は、導電性配線９１が電極１１ひいてはプラズマ処理空間Ｐと略平行になる姿勢で、電極１１ひいてはプラズマ処理空間Ｐと交差する向きに基板９０を移動させる。例文帳に追加

At the time of treatment with the conductive interconnections 91 being in such a position as to be nearly parallel with the electrode 11 and thus the plasma treatment space P, the substrate 90 is moved in a direction crossing the electrode 11 and thus the plasma treatment space P. - 特許庁

周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器中に導入し、前記反応容器中で原料ガスを分解することにより、前記反応容器中に設置した被処理物に処理を施すプラズマ処理方法において、高周波電力のマッチング調整が安定して達成され、その結果、プラズマ処理特性の向上、プラズマ処理特性の再現性向上、更にはプラズマ処理コストの低減が可能なプラズマ処理方法、プラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method enhancing plasma processing characteristics, reproducibility of the plasma processing characteristics, and reducing plasma processing cost by stably achieving matching adjustment of high frequency power in the plasma processing method for processing a workpiece set in a reaction vessel by introducing a plurality of high frequency powers having different frequencies into the reaction vessel and decomposing raw gas in the reaction vessel, and to provide a plasma processing apparatus. - 特許庁

二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。例文帳に追加

A processing gas containing CO_2 and CO are introduced into the plasma processing system, and the plasma is produced from the processing gas. - 特許庁