「どうしましょうか?」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

生体適合性のある多孔性材料からなる生体組織補填材２に、幹細胞３または前駆細胞、またはこれらを含む体液を播種してなる生体組織補填体４を、哺乳動物の体内の最終移植部位以外の部位５に埋植して培養してなる生体組織再生用移植材１を提供する。例文帳に追加

The grafting material 1 for regenerating body tissue can be obtained by implanting and culturing a body tissue grafting material 4 in a site 5 other than the last grafted site in the body of a mammal, wherein the body tissue grafting material 4 is obtained by seeding stem cells 3, precursor cells, or a body fluid containing these cells in a body tissue grafting material 2 made of a biocompatible porous material. - 特許庁

プラズマ処理により、あらかじめ親水性基が導入された１次粒子径１０〜５０ｎｍの有機顔料に対して、更に前記親水性基とは異なる親水性基を直接もしくは他の原子団を介して結合させた自己分散型有機顔料を、水性媒体中に分散させてなる水性顔料分散体を用いて水性インクを調製する。例文帳に追加

The water-based ink is prepared using the water-based pigment dispersion comprising an aqueous medium and, dispersed therein, a self- dispersible organic pigment which is obtained by bonding, to an organic pigment having a primary particle size of 10-50 nm having a hydrophilic group incorporated thereinto in advance by a plasma treatment, a hydrophilic group other than the above hydrophilic group directly or via other atomic group. - 特許庁

ダイシング領域１２２を含むウエハ１２０上の領域に短絡配線１２５を形成し、半導体装置形成領域１２１内に配設される複数のデバイスの入出力信号用の各電極パッド１０３を短絡配線１２５を介して互いに電気的に短絡することにより、ウエハ１２０に対して各種プラズマ処理を行った場合にも、プラズマダメージの発生を抑制する。例文帳に追加

Short-circuiting wiring 125 is formed in a region on a wafer 120 including a dicing region 122, and respective electrode pads 103 for I/O signals of a plurality of devices arranged in a semiconductor device formation region 121 are short-circuited mutually and electrically via the short-circuiting wiring 125, thus suppressing the generation of plasma damage even if performing various kinds of plasma treatment to the wafer 120. - 特許庁

プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２を有し、下部電極には、載置面２２１から出没自在なピン（突起）６１が設けられており、突起６１は、その先端面６１１が載置面２２１より突出した突出状態と、載置面２２１と一致した収容状態とに移動することを特徴とする。例文帳に追加

The plasma processing apparatus 1 has a lower electrode 22 having the mounting surface 221 and the lower electrode is provided with a pin (projection) 61 capable of freely projecting from the mounting surface 221, the pin 61 moving into a projection state wherein its tip surface 611 projects from the mounting surface 221 or into a storage state wherein the tip surface 611 is matched in level with the mounting surface 221. - 特許庁

パケット受信時にその期間が設定されていれば、受信シーケンス番号検査部４０とタイマ処理部４４の機能で、受信パケットのシーケンス番号が本来受信すべきシーケンス番号でないと検出された場合、重複したシーケンス番号を基地局装置へ送信しないようにする動的遅延ＡＣＫ制御を行う。例文帳に追加

When the period is set at packet reception, when a function of a reception sequence number inspection section 40 and a timer processing section 44 detects that the sequence number of received packets is not a sequence number to be substantially received, the duplicate sequence number is not transmitted to the base station unit through the dynamic delay ACK control. - 特許庁

この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。例文帳に追加

The capacity coupling type plasma processing device comprises an upper electrode divided into an inside upper electrode 60 and an outside upper electrode 62 in a radial direction, and a first and a second direct current voltages V_C, V_E independent of two variable DC power source 80, 82 are applied simultaneously to both of upper electrodes 60, 62. - 特許庁

ダブルの供給系を設けることなく、ダブルの供給系と同様にスラリーの供給エンジンがダウンしても、処理中のウエハを完全に処理することができ、初期投資のコストを低減したまま、処理中のウエハの損害を出すことなく処理できるスラリー供給装置及び方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for supplying slurry, capable of completely processing a wafer in processing even when a slurry supply engine runs down, as is the case in a double supply system without disposing any double supply system, and capable of processing the wafer without damaging the wafer in processing while reducing initial investment costs. - 特許庁

それと、基本（政策閣僚）委員会の今後の運営ですが、私もアバウトだし、いろいろな意味で、基本（政策閣僚）委員会で基本政策を協議して、そこである意味で最終決定していくわけですから、その場で具体的な議論、協議をするにしても、やはり3党連立ですから、私はもちろん、また福島さんが党首として判断して協議するわけですから、その補佐というか、スタッフというか、補佐的スタッフを置いた方が便利だろうという話で、党と再度協議をするみたいな、そんな七面倒くさいことをしないで、その場で党としてのきちんとした議論というのができれば、わざわざまた私自身が党とまた協議して話をするという手間暇をする必要はありませんから、補佐的なスタッフを作った方が良いのではないかということについて、官房長官と副総理がそういう方向で検討しましょうということです例文帳に追加

We also discussed the future management of the Basic Policy Cabinet Committee. I am not a man of precise mind and this committee discusses important policies and makes final decisions. Therefore, if we are to discuss specifics, it will be convenient to have support staff for the committee, as Ms. Fukushima (Social Democratic Party) and I are participating in the committee as the leaders of our respective parties, which are partners of the three-party coalition government. If I can hold appropriate discussions at the committee as the representative of my party, I would not need to discuss the same matter with my party officials again, so it would be better to appoint such support staff. The Chief Cabinet Secretary and the Deputy Prime Minister said they will consider appointing such support staff  - 金融庁

駆動パルス３００は、圧電素子１７を、初期の基底状態から収縮状態へと推移させて圧力室１３に負圧を発生させる第１のパルス部分Ｐｗｃと、圧電素子１７を収縮状態のまま所定の時間保持させる第２のパルス部分Ｐｗｈと、圧電素子１７を基底状態へと推移させる第３のパルス部分Ｐｗｄとを有している。例文帳に追加

The driving pulse 300 has a first pulse part Pwc which generates a negative pressure to the pressure chamber 13 by shifting the piezoelectric element 17 from an initial base state to a contraction state, a second pulse part Pwh which holds the piezoelectric element 17 still in the contraction state for a predetermined time, and a third pulse part Pwd which shifts the piezoelectric element 17 to the base state. - 特許庁

半導体ウエハに対して真空処理例えばプラズマ処理を行うにあたり、載置台を冷却し、ウエハと載置台との間に伝熱用ガスを介在させてウエハを冷却するようにしているが、この場合に載置台を冷却する冷媒のチラーユニットを小型化し、また伝熱用ガスの消費を抑えること。例文帳に追加

To make a chiller unit for a refrigerant cooling a mount base small- sized and to suppress the consumption of gas for heat conduction when the mount base is cooled and a semiconductor wafer is cooled by interposing the gas for heat conduction between the wafer and the mount base for vacuum treatment, e.g. plasma treatment to the semiconductor wafer. - 特許庁

これと共に、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、半導体基板１００に対し、フッ素イオンを含む薬液による処理と、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理及び洗浄処理と、不活性ガスによって希釈された気相ＨＦによる処理及び洗浄処理とのうち、いずれか一つを行なう工程を含む。例文帳に追加

It also includes a process of performing either one of a treatment by a chemical containing fluorine ions, a plasma treatment using a gas containing fluorine and a washing process, and a treatment by a vapor phase HF diluted by an inactive gas and a washing process, on the semiconductor substrate 100 after the dry etching process. - 特許庁

真空処理室１０１と、真空処理室１０１内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段１０７と、ウエハ１０４を載置する電極１０３とを備えるプラズマ処理装置において、電極１０３の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸１２１を備える。例文帳に追加

The plasma processing system comprising a vacuum processing chamber 101, a means for supplying gas into the vacuum processing chamber 101, a plasma generating means 107, and an electrode 103 for mounting a wafer 104 is further provided with a supporting shaft 121 having a structure for making the electrode 103 movable, a structure for supplying a bias power to the electrode, and a structure for transporting a temperature conditioning medium of the electrode. - 特許庁

導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を好ましくは残留酸素濃度０．５％以下の非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備する。例文帳に追加

A method for manufacturing a multi-layer circuit wiring board laminating the film having a conductor layer with an adhesive comprises a process for heat-processing the surface of the film in a non-oxidation gas phase atmosphere in preferably residual oxygen concentration of 0.5 % or less, a process for performing plasma treatment, and a process for laminating by the adhesive. - 特許庁

プラズマ空間を囲う真空チャンバと、この真空チャンバ内に設置された電極４０と、この電極の表面に接着して設けられた静電チャック５０と、この静電チャックの周囲に設けられた絶縁部材４４と、電極導体４１及び絶縁部材４４の周囲に設けられた絶縁性覆部４２とを具備したプラズマ処理装置において、静電チャック５０の辺縁部が絶縁部材４４に接着される（５７）。例文帳に追加

A plasma treatment apparatus includes a vacuum chamber provided around a plasma space, an electrode 40 put in the vacuum chamber, an electrostatic chuck 50 bonded to a surface of the electrode 40, an insulating member 44 provided around the electrostatic chuck 50, and an insulating cover part 42 provided around an electrode conductor 41 and the insulating member 44. - 特許庁

エピタキシャル成長法で窒化物系化合物半導体を育成するために用いるサファイア基板を製造する方法において、サファイア単結晶インゴットを研削加工した後、ウエハーにスライスする前に、該インゴットの外周部に化学研磨処理を施すことを特徴とするサファイア基板の製造方法などによって提供する。例文帳に追加

In the method for producing the sapphire substrate which is used for growing a nitride-based compound semiconductor by an epitaxial growth method, after subjecting a sapphire single crystal ingot to grinding processing, the outer peripheral part of the sapphire single crystal ingot is subjected to chemical polishing treatment before the sapphire single crystal ingot is sliced into wafers. - 特許庁

プラズマ処理装置は、導波管２内を伝播するマイクロ波Ｍを磁界面Ｈに設けられた第１および第２のスロットアンテナからマイクロ波導入窓３に導き、表面波Ｓを形成し、表面波Ｓによってチャンバー４内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマＰを生成し、このプラズマＰにより被処理物を処理する。例文帳に追加

The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P. - 特許庁

1928年（昭和3年）4月、牧野省三率いるマキノ・プロダクションの四国ブロック配給会社・三共社の山崎徳次郎は、阪東妻三郎プロダクションの経営者・立花良介とともに、以前から映画作家系インディーズの興行に熱心であった神戸市の菊水キネマ商会の大島菊松らを中心とした全国150館の独立系映画館主に呼びかけ、「日本活動常設館館主連盟映画配給本社」を設立、配給会社の中間マージンを排除し、独立プロダクションへの製作費のダイレクトな出資および興行の方針を打ち出した。例文帳に追加

In April of 1928 Tokujiro YAMAZAKI of Sankyo, the company led by Shozo MAKINO that had been distributing Makino films in the Shikoku area, conspired with the top execute of Bando Tsumasaburo Productions named Ryosuke TACHIBANA to get in contact with 150 independent theater owners throughout Japan, such as Kikumatsu OSHIMA of Kikusui Kinema in Kobe who was greatly interested in Indies films, to cooperate in establishing 'Nihon Katsudo Josetsukan Kanshu Renmei Eiga Haikyu Honsha' (Distribution Company Headquarters for Movie Theater Owners in Japan; also known as "Kanshu Renmei" [the Theater Owner's Association]) to eradicate the intervening contracting company and introduce policies that would provide direct production fees to independent film productions.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

少なくとも、基板上に透明導電層、色素を吸着させた金属酸化物半導体層、電荷輸送層、導電層及び／または導電性触媒層を順に形成してなる色素増感太陽電池の製造方法において、上記金属酸化物半導体層が、基板上の透明導電層に金属アルコキシドまたは金属酸化物ゲルを塗布した後、これをプラズマ処理することにより形成されることを特徴とする色素増感太陽電池の製造方法を提供するものである。例文帳に追加

In the manufacturing method of dye sensitizing solar cells where at least a transparent conductive layer, a metal oxide semiconductor layer where a dye is made to adsorb, a change transportation layer, a conductive layer, and/or conductive catalyst layer are formed successively, the metal oxide semiconductor layer should be formed by applying metal alkoxide or metal oxide gel to the transparent conductive layer on the substrate prior to plasma treatment. - 特許庁

大気圧プラズマ処理法により表面処理されたフッ素樹脂層の処理面とエピクロルヒドリン系ゴム組成物層とが加硫接着されてなるエピクロルヒドリン系ゴム−フッ素樹脂積層体において、エピクロルヒドリン系ゴム組成物が、２，３−ジメルカプトキノキサリンまたは６−メチルキノキサリン−２，３−ジチオカーボネート等のその誘導体を加硫剤として含有する積層体。例文帳に追加

In an epichlorohydrin rubber-fluorocarbon resin laminate, the surface of the fluorocarbon resin layer which is surface-treated by an atmospheric pressure plasma treatment method and the epichlorohydrin rubber composition layer are vulcanized/bonded. - 特許庁

一方、処理容器２の外部には導電性の支持部材６１〜６３を介して、プラズマ処理を行う位置に前記上部電極３が設定されたときに、前記移動側接触部材５ａ，５ｂと接触して高周波電流のリターン経路を形成するように導電性の固定側接触部７１〜７３を設ける。例文帳に追加

When the above upper electrode 3 is positioned where a plasma treatment is carried out, there are provided conductive fixed-side contacting members 71 to 73 so that a return route of a high-frequency current can be formed after contacting with the moving-side contacting members 5a, 5b with conductive supporting members 61 to 63 in between outside the treatment container 2. - 特許庁

磁場を用いず、かつ下部電極にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置においては、マイクロ波を用い、マイクロ波導入窓２６と下部電極１８上に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。例文帳に追加

In the parallel plate plasma processing system not employing a magnetic field and applying RF to the lower electrode, microwaves are employed and the metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within a range of a specified area is placed between a microwave introduction window 26 and the wafer 16 mounted on the lower electrode 18. - 特許庁

西郷は2月12日に東海道先鋒軍の薩摩諸隊差引（司令官）、14日に東征大総督府下参謀（参謀は公家が任命され、下参謀が実質上の参謀）に任じられると、独断で先鋒軍（薩軍一番小隊隊長中村半次郎・二番小隊隊長村田新八・三番小隊隊長篠原国幹らが中心）を率いて先発し、2月28日には東海道の要衝箱根町を占領した。例文帳に追加

Saigo was appointed the Satsuma group's Sashihiki commander of the Tokaido spearhead army on February 12th, and he was appointed the Shimo-sanbo staff of Tosei-daitokufu (Kuge was the appointed staff officer, the office of shimo-sanbo was the actual staff officer), then left first with the spearhead army (Hanjiro NAKAMURA, who was the Ichiban-shotai Taicho (commander of the first platoon), Shinpachi MURATA, who was the Niban-shotai Taicho (commander of the second platoon), and Kunimoto SHINOHARA, who was the Sanban-shotai Taicho (commander of the third platoon), and they occupied an important part of the Hakone Town of Tokaido.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアスＳｉＮ膜３１を、基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスＳｉＮ膜３２ａとアンバイアスＳｉＮ膜３２ｂとの間に挟み込む構造とする。例文帳に追加

In a silicon nitride film formed on a substrate 19 with a plasma treatment and used for a semiconductor element, a bias SiN film 31 formed by applying bias to the substrate 19 is held between an unbiased SiN film 32a and an unbiased SiN film 32b formed without applying bias to the substrate 19. - 特許庁

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。例文帳に追加

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、少なくとも基板（シリコン基板１００）または基板上の絶縁膜（ＳｉＯ_２膜１０２）の表面の一部に不純物を注入する工程と、シリコン基板１００にバイアス電圧を印加せずに、不純物を含むシリコン基板１００に対して、希ガスを用いたプラズマ処理１０８を行う工程と、不純物を含むシリコン基板１００上にレジストを形成する工程と、を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of injecting impurities into a portion of the surface of at least a substrate (silicon substrate 100) or an insulating film (SiO_2 film 102) on the substrate, subjecting the silicon substrate 100 containing impurities to plasma treatment 108 using noble gas without applying a bias voltage to the silicon substrate 100, and forming a resist on the silicon substrate 100 containing impurities. - 特許庁

半導体基材１上に有機シロキサンを主成分としこの有機シロキサンと化学結合のない有機成分を含む絶縁膜４を形成する工程と、この絶縁膜４にプラズマ処理を行うことによって有機成分を除去するとともに絶縁膜４の表面に改質層５を形成する工程とを有する。例文帳に追加

This method has a process in which an insulating film 4 containing an organic siloxane as a main component and an organic component having no chemical bonding with the organic siloxane is formed on a semiconductor substrate 1; and a process in which plasma treatment is applied to the insulation film 4 to remove the organic component, and to form a modified layer 5 on the surface of the insulating film 4. - 特許庁

例えば、半導体基板上に形成された金属薄膜を平坦化するための研磨処理等に使用される循環スラリー中の過酸化水素水濃度を、優れた精度で経済的に測定でき、更に、これを用いることで、循環スラリー中の過酸化水素水濃度を常に一定に保ち、これによって高い品質の半導体製品を効率よく安定して提供することを可能とする循環スラリー中の過酸化水素水濃度の測定方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for measuring hydrogen peroxide concentration in a circulating slurry for accurately and economically measuring hydrogen peroxide concentration in a circulating slurry used for polishing to smoothen, for example, a metallic thin film formed on a semiconductor substrate, thereby keeping constant the hydrogen peroxide concentration in the circulating slurry and efficiently and stably providing a high quality semiconductor. - 特許庁

腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れた被膜を備えた材料であり、基材と被膜との密着性に優れており、半導体製造工程、特に、プラズマ処理装置での繰り返し操業においても好適に使用することができるイットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an yttrium-based ceramic covering material provided with a coating film having excellent corrosion resistance to a corrosive gas, plasma or the like, excellent in the adhesiveness of the coating film to a base material and capable of being suitably used for a semiconductor manufacturing process, particularly for the repeated operation in a plasma treating apparatus and a method of manufacturing the same. - 特許庁

腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れた被膜を備えた材料であり、基材と被膜との密着性に優れており、半導体製造工程、特に、プラズマ処理装置での繰り返し操業においても好適に使用することができるイットリウム系セラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an yttrium-based ceramic coated material that is a material having a coating which is excellent in corrosion resistance to a corrosive gas, plasma, etc., that being excellent in adhesion between a substrate and the coating, and being suitably used for a semiconductor manufacturing process especially for repeated operations in a plasma treatment apparatus, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

株についてのお尋ねでございますけれども、銀行が保有している様々な有価証券全体について、その価格の変動によって銀行のバランスシートなり財務に一定の影響を及ぼす、含み益の場合であれば含み益としての影響があるでしょうし、含み損に転じた場合には含み損としての影響が出てくるということだろうとは思いますけれども、そういった有価証券全体について、それぞれの金融機関において、十分なリスク管理を行う中で、足下の顕在化した、と申しましょうか、あるいは実際に市場で成立した価格をベースとした評価、そしてまた、将来に向けた様々なリスク管理上の取組みをしていっていただくということが何よりも大事だと思っております。例文帳に追加

Changes in the prices of various securities held by banks will affect their balance sheets to a certain degree, bringing unrealized profits in some cases and causing unrealized losses in other cases. The most important thing is that individual financial institutions value their securities holdings based on actual transaction prices as part of their risk management and implement various forward-looking risk management measures regarding their entire portfolios of securities.  - 金融庁

構造が簡単で低価格であり、且つ、製品の搬入や据え付けを簡単に行うことができ、而かも比較的短時間で濡れた消防ホースを乾燥することができると共に、大型で取扱いが面倒な巻取り台車や架台車を使用せずに、消防ホースを１本毎に乾燥及び搬出入でき、乾燥後にいちいち畳み直さなくても、そのまま消防ホース搬送車に収納できるように工夫した消防ホース用乾燥装置を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive fire hose dryer having simple structure which can be carried and installed easily, can dry a wet fire hose in a relatively short time, can dry and carry the fire hose one by one without using a large and troublesome winding truck or a frame truck and can contained a dried hose, as it is, in a fire hose carrying vehicle without requiring to be folded. - 特許庁

スロットアンテナによりマイクロ波プラズマを生起させるプラズマ処理装置において、前記スロットアンテナは、ブロック状導体にマイクロ波放射用のスロットを多数設けたスロット体と、該スロット体のマイクロ波放射面とは反対側の面に配された誘電体を有し、該スロット体と該誘電体とをメタライズ接合により一体構造に構成する。例文帳に追加

The plasma processing system for producing microwave plasma with a slot antenna comprises a slot body arranging a number of slots for radiating microwave on a block conductor, and a dielectric arranged on the surface of the opposite side of the microwave radiation plane of the slot bodies, with the slot bodies and the dielectric integrally constructed by metalize bonding. - 特許庁

プロセスガスを励起させて生成したラジカルによって被処理物Ｓの表面を処理するプラズマ処理装置であり、プロセス室１外部に取り付けられたガス導入管５には、内部にプラズマ発生室６ａを備えたプラズマ発生室部材６が接続され、このプラズマ発生室部材６の端部にはガス制御部７が設けられている。例文帳に追加

The plasma processing device processes the surface of a processing subject S using radicals generated by exciting a process gas, wherein a plasma generating chamber member 6 having an internal plasma generating chamber 6a is connected to a gas introduction tube 5 attached to the outside of a process chamber 1, and a gas regulator 7 is provided at the end of the plasma generating chamber member 6. - 特許庁

該吸引ブローモールド１は、空洞のモールド表面５の少なくとも一部が特定の研磨処理を施すことにより滑り摩擦が低減された構造を有するブローモールド１を製造する方法、及び併せて該モールドを用いた押出し吸引−ブロー成形プラスチック成形部品１０を製造するためのその使用とプラスチック成形部品１０を開示する。例文帳に追加

The method for manufacturing the suction blow mold 1 which has a structure that at least a part of a mold surface 5 of an air channel is performed with a specific abrasive processing, thereby reducing sliding friction, and disclosing the use of the mold for manufacturing an extruded plastic suction and blow molded part 10 and the molded part 10. - 特許庁

ＴＦＴ基板及び対向基板に、液晶に駆動電圧を印加する電極をそれぞれ形成するステップＳ１と、ＴＦＴ基板と対向基板とのいずれか一方の電極に、プラズマ処理を行うステップＳ４と、ＴＦＴ基板及び対向基板の電極上に、無機配向膜をそれぞれ形成するステップＳ５と、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the liquid crystal device is provided with: a step S1 to respectively form electrodes to apply a driving voltage to the liquid crystal on a TFT substrate and a counter substrate; a step S4 to apply plasma processing to either electrode on the TFT substrate or the counter substrate; and a step S5 to respectively form inorganic alignment layers on the electrodes of the TFT substrate and the counter substrate. - 特許庁

大気圧近傍の圧力下、対向面の少なくとも一方を固体誘電体で被覆した３つ以上の電極によって形成された２つ以上の放電空間を有した対向電極間に一つの電源から電界を印加することによってグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理する方法において、前記２つ以上の放電空間に導入する処理ガス毎に添加ガスを供給して、放電開始タイミングを調整することを特徴とする放電プラズマ処理方法および装置。例文帳に追加

The treatment method for a treatment object, which generates glow discharge plasma by impressing an electric field from a power supply between opposing electrodes having two or more discharging spaces formed with three or more electrodes covered with a solid dielectric at least on one of the opposing surfaces under pressure near atmospheric pressure, supplies additional gas for every treatment gas introduced to the above two or more discharge spaces, and controls a discharge starting timing. - 特許庁

内部の雰囲気を不活性ガスのみとした処理部１９内に、ハロゲンガスのプラズマで汚染物質を除去するプラズマ処理部２１と、チップ支持体に備えられた半導体発光素子チップをキャップで封止するためにキャップとチップ支持体とを圧着接続するキャップ圧着部２２と、を備える。例文帳に追加

In a process part 19 containing only inactive gas as inside atmosphere, there are provided a plasma process part 21 for removing contaminants by the plasma of halogen gas, and a cap press-fitting part 22 which press-fits a cap to a chip support body in order to seal a semiconductor light emitting element chip provided to the chip support body with the cap. - 特許庁

半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置部材に用いられるイットリアセラミックス系溶射膜であって、塩素系プラズマに対する耐食性の向上が図られ、ハロゲン、特に、塩素系プラズマプロセスにおいて、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができる耐プラズマ性セラミックス溶射膜を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma resistant ceramics sprayed coating which is a yttria ceramics based sprayed coating used for a plasma treatment device member for fabricating a semiconductor, a liquid crystal or the like, wherein corrosion resistance to chlorine based plasma is improved, and impurity metal contamination caused by the component raw material of the ceramics is suppressed particularly in a chlorine based plasma process. - 特許庁

そのころ、マキノの四国ブロック配給を行っていた三共社の山崎徳次郎は、阪東妻三郎プロダクションの経営者・立花良介と謀り、神戸市の菊水キネマ商会の大島菊松ら全国150館の独立系映画館主に呼びかけ、大阪に「日本活動常設館館主連盟映画配給本社」を設立、独立プロダクションへの製作費の出資と作品の直接公開の方針を打ち出した。例文帳に追加

At about that time, Tokujiro YAMAZAKI of Sankyo, which distributed Makino's movies in the Shikoku area, conspired with Ryosuke TACHIBANA, the top executive of Bando Tsumasaburo Productions, to ask 150 independent theater owners throughout Japan, including Kikumatsu OSHIMA of Kikusui Kinema in Kobe, to cooperate in establishing 'Nihon Katsudo Josetsukan Kanshu Renmei Eiga Haikyu Honsha' (Distribution Company Headquarters for Movie Theater Owners in Japan) (also known as "Kanshu Renmei" [the Theater Owner's Association]) in Osaka and declaring policies on directly releasing movies and funding for production costs of independent productions.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

複数の基板を保持する基板保持部と、前記基板の表面を平坦化するプラズマ処理部と、前記基板の表面を絶縁膜を形成するスパッタ成膜処理部と、前記基板の表面と裏面を装置内で反転させる反転部と、基板と基板との表面を向かい合わせに貼り合わせ、一対の基板とする貼り合せ部と、前記一対の基板を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板の製造装置にて、表面清浄化、平坦化処理を行いつつ、工程中の基板移動距離を少なくする。例文帳に追加

In the manufacturing apparatus, the moving distance of the substrate during the process is reduced, while cleaning the surface, and performing planarization treatment. - 特許庁

複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、少なくとも隣接する絶縁膜を形成する際の圧力条件とは異なる圧力条件でプラズマＣＶＤを行い、絶縁膜積層体を構成する隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさを変えて順次成膜する。例文帳に追加

Plasma CVD is carried out in a pressure condition different from that in forming at least an adjacent insulating film by using a plasma treatment device 100 introducing microwaves into a chamber 1 by a flat antenna 31 having a plurality of holes, and thereby insulation films are sequentially formed by changing the sizes of the band gaps of the insulation films constituting the insulation film laminate and adjacent to one another. - 特許庁

こうして形成された薩摩藩への悪評（世論も大きな影響を持っていた）は薩摩藩の京都・大坂での活動に大きな支障となったので、西郷は6月11日に大坂留守居木場伝内に上坂中の薩摩商人の取締りを命じ、往来手形を持参していない商人らにも帰国するよう命じ、併せて藩内での取締りも強化し、藩命を以て大商人らを上坂させぬように処置した。例文帳に追加

The bad reputation that the Satsuma Domain had rested on things like this, and caused them no small interruption of their activities in Kyoto and Osaka, Saigo was ordered by Dennai KOBA of Osaka Rusui to regulate the activeity of the merchant of Satsuma who is in Osaka on June 11, and he gave the order to merchants who did not have Orai-tegata (travel permit) to go return to their points of origin, and also made strict regulations in the domain, and took measures against merchants coming to Osaka by command of domain.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

望ましくない脈絡膜新血管構造により特徴づけられる哺乳類の眼球状態、例えば、血管新生ＡＭＤ、眼ヒストプラズマ症候群、病的近視、網膜色素線条、突発性障害、脈絡膜炎、脈絡膜破裂、被覆する脈絡膜の母斑、および特定の炎症性の疾患の処置における、同時の、別々の、または連続した使用のためのアポトーシス調節因子および光増感剤の組合せ剤を提供することにより上記課題を解決する。例文帳に追加

There is provided a combination drug of an apoptosis modulating factor and a photosensitizer for simultaneous, separate, or continuous use in treatment of ocular conditions in mammals characterized by unwanted choroidal neovasculature, for example, neovascular AMD(Age-related Macular Degeneration), ocular histoplasmosis syndromes, pathologic myopia, angioid streaks, episodic disorders, choroiditis, choroidal rupture, overlying choroid nevi, and certain inflammatory diseases. - 特許庁

京極派の歌人として新後撰和歌集以下の勅撰和歌集に計24首採録されているが、政治的才能には乏しかったとされ、『花園天皇宸記』文保元年3月26・27日条には公顕が県召除目の大間書執筆を担当した際に、その作法が分らずに娘婿の二条道平が天皇の御前で舅に教えている有様に記主である花園天皇が憤慨したことが記されている。例文帳に追加

While, as a kajin (waka poet) of the Kyogoku school of poetry, he had 24 poems of his own adopted in Chokusen wakashu (anthologies of Japanese poetry compiled by Imperial command) subsequent to Shingosen Wakashu (New Later Collection of Japanese poems), it is said that he had little political ability, and it is recorded in the articles of March 26 and 27 of the first year of Bunpo era (in the old lunar calendar, that is, May 15 and 16 of 1317 in the Gregorian calendar) of "Hanazono Tenno Shinki" (The Records of Emperor Hanazono) that when Kinaki was in charge of writing Omagaki (a list of candidates) of Agatameshi no jimoku (ceremony for appointing local officials), because he didn't know the manner, he learned it from the husband of his daughter, Michihira NIJO, in the presence of Emperor Hanazono, and that the emperor who wrote these records was indignant at their behaviors.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。例文帳に追加

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply. - 特許庁