「にゅうびけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

結晶体が成長した長さの正確な検出と、所望の形状および品質を有する結晶体の製造に有効な結晶体の製造装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a crystal body effective for accurate detection of length of grown crystal body and production of crystal body having desired shape and quality. - 特許庁

Ｂｉ−２２２３結晶構造の酸化物に対して、ＴｅＯ_2 ，ＣａＯ，（ＳｒＣａ）_3 ＴｅＯ_6 等を含有する圧粉成形体を、酸素雰囲気中にて、熱処理し、成形体からＢｉ−２２２３結晶構造の針状単結晶を育成する。例文帳に追加

A sintered compact having a Bi-2223 crystal structure and containing TeO_2, CaO and (SrCa)_3TeO_6 is heat treated in an oxygen atmosphere, and the compact grows with the Bi-2223 crystal structure of the acicular single crystal. - 特許庁

微粒子が紫外光を吸収することで発熱し結晶成長時の結晶核として作用し、原料は該微粒子を核に成長することで、短時間で大型の結晶粒を得られる効果がある。例文帳に追加

The particulate absorbs the ultraviolet light to generate heat and then operate as a crystalline nucleus, and the raw material is grown including the particulate as the nucleus to obtain the effect that a large crystal grain is obtained in a short time. - 特許庁

種結晶と種結晶を保持する黒鉛台座とを空隙のない金属炭化物層を用いて結合させることにより、成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal, in which generation of micocracks elongating in a growing single crystal is suppressed by bonding a seed crystal and a graphite base for holding the seed crystal by using a metal carbide layer free from voids; and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same. - 特許庁

従来のテルビウム酸化物を一部しか含まないガラスや単結晶ではなく、透光性の優れた多結晶酸化テルビウム焼結体を本分野に応用することによって、ガラスや単結晶には不可能である技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique impossible for glass and single crystals by not applying the conventional glass and single crystals only comprising a part of terbium oxide but applying a polycrystal terbium oxide sintered compact having excellent translucency to this field. - 特許庁

この予備結晶化させたシートを、９０〜１３０℃に加熱された成型金型により、結晶化指標が２５Ｊ／ｇ以上となるように、賦型および結晶化させる。例文帳に追加

This preliminarily crystallized sheet is shaped and crystallized by a mold heated to 90-130°C so that the crystallization index becomes 25 J/g or above. - 特許庁

シリコン鋳造用鋳型及びシリコン鋳造装置並びに多結晶シリコンインゴットの鋳造方法例文帳に追加

CASTING MOLD FOR SILICON CASTING, SILICON CASTING DEVICE AND METHOD FOR CASTING POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT - 特許庁

血栓性血小板減少性紫斑病は、抗血小板医薬製剤の投与に起因する副作用として重要な疾患である。例文帳に追加

The thrombotic thrombocytopenic purpura is an important disease as a side effect caused by administration of an anti-platelet agent preparation. - 特許庁

母結晶と(結晶格子の)つながった析出微粒子による回折効果の大部分は、母結晶斑点のゆがみまたは移動に関係している(と結びつけて考えられる)。例文帳に追加

Most diffraction effects with small precipitate particles, which are coherent to the matrix, are associated with the distortion or displacement of the matrix spots.  - 科学技術論文動詞集

透明電極９はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を主体として構成されており、基材１０１側に形成され相対的に結晶性の低い低結晶性層９ａと、基材１０１と反対側に形成され相対的に結晶性の高い高結晶性層９ｂとが積層された構成とされている。例文帳に追加

The transparent electrode 9 is formed principally of ITO (Indium Tin Oxide) and constituted by laminating a low-crystallinity layer 9a which is formed on the side of the base material 101 and has relatively low crystallinity and a high-crystallinity layer 9b which is formed on the opposite side from the base material 101 and has relatively high crystallinity. - 特許庁

従来の磁気光学素子用結晶と比較して高い磁界感度を有する磁気光学素子用結晶を提供すると共に、その磁気光学素子用結晶を用いた磁気光学素子並びに磁界検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal for a magnetooptical element, which has high magnetic field sensitivity in comparison with a conventional crystal for the magnetooptical element; and also to provide a magnetooptical element using the same and a magnetic field detection device. - 特許庁

第２の光起電力素子５は、反射膜４側からｐ型微結晶シリコンカーバイド膜５１、ｉ型微結晶シリコン膜５２およびｎ型微結晶シリコン膜５３を順に含む。例文帳に追加

The second photovoltaic element 5 successively comprises a p-type microcrystal silicon carbide film 51, an i-type microcrystal silicon film 52, and an n-type microcrystal silicon film 53, starting from the reflecting film 4. - 特許庁

結晶核上に多元系金属酸化物薄膜の結晶を成長させるために、結晶の原料となる複数の薄膜原料ガス（Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ）を第２のガス供給系により成膜装置に供給する。例文帳に追加

In order to grow the multielement metal oxide thin film epitaxially on the crystal nuclei, a plurality of thin film material gases (Pb, Zr, Ti) becoming the material of crystal are supplied from a second gas supply system to the film deposition system. - 特許庁

試料搭載部１６の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料２０を搭載し、ＳＴＥＭ検出器１７及び画像解析部１８により結晶格子像を取得する。例文帳に追加

A single crystal sample 20 whose crystal lattice interval is known is mounted on a sample mounting section 16, and a crystal lattice image is acquired by a STEM detector 17 and an image analysis section 18. - 特許庁

シンチレータ結晶層を別個に形成することによって、シンチレータ結晶層の上面、および下面を検査可能として不良結晶を確実に除去するとともに、簡便な放射線検出器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a simple radiation detector by separately forming a scintillator crystal layer to inspect an upper face and a lower face of the scintillator crystal layer so as to surely remove an inferior crystal. - 特許庁

円筒研削工程において、インゴットブロック１０を単結晶シリコンインゴットの結晶成長時における所望の結晶方位と同一方向に延びる軸ａを中心に研削ホイール１１で円筒研削する。例文帳に追加

In a cylinder grinding process, a silicon ingot block 10 is ground into a cylinder with a grinding wheel 11 around an axis (a) which extends in the same direction with a required crystal orientation, when a single crystal silicon ingot is grown in crystal. - 特許庁

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。例文帳に追加

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76. - 特許庁

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、その引き上げ中に、単結晶の冷却効果を高め、引き上げ速度を向上させる、生産性および安全性に優れるシリコン単結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing silicon single crystal, capable of increasing a cooling effect on single crystal and raising a pulling velocity while pulling single crystal, having high productivity and safety in the production of silicon single crystal by a Czochralski method. - 特許庁

結晶化温度よりも低い熱処理温度においても緻密な複合酸化物の結晶微粒子膜が得られる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a crystalline fine particle film of a compound oxide by which a dense crystalline fine particle film can be obtained even at a heat-treating temperature lower than the crystallization temperature. - 特許庁

この接合材は、上記ガラスのマトリックス中に安定化ジルコニア結晶と、クリストバライト結晶（ＳｉＯ_２）および／またはリューサイト結晶（ＫＡｌＳｉ_２Ｏ_６）とが析出している。例文帳に追加

In the connection material, stabilized zirconia crystal, cristobalite crystal (SiO_2), and/or leucite crystal (KAlSi_2O_6) are deposited in a matrix of the glass. - 特許庁

非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる低級結晶性半導体膜１２に接してＮｉ膜１３を形成する。例文帳に追加

An Ni film 13 is formed to be brought into contact with a low rank crystal semiconductor thin film 12 constituted of an amorphous silicon film or a microcrystalline silicon film. - 特許庁

基板側不純物添加層と微結晶シリコンゲルマニウムを有するｉ層との間に、微結晶シリコン又は微結晶シリコンゲルマニウムを有し、所定のラマンピーク比を有するバッファ層を設ける。例文帳に追加

A buffer layer which contains microcrystal silicon or microcrystal silicon germanium and has a specified Raman peak ratio is provided between a substrate-side impurity added layer and an i layer containing microcrystal silicon germanium. - 特許庁

空洞含有樹脂成形体は、結晶性ポリマー及び結晶核剤を含むポリマー成形体からなり、内部に空洞を含有する空洞含有樹脂成形体であって、該空洞含有樹脂成形体における結晶性ポリマーの結晶化度が１０％以上５０％未満であること。例文帳に追加

The cavity-including resin molded article comprises a molded polymer article containing a crystalline polymer and a crystal nucleating agent, and includes a cavity inside thereof, and crystallinity of the crystalline polymer contained in the cavity-including resin molded article is ≥10 and <50%. - 特許庁

シリコン単結晶の育成に使用される、融液中への結晶化したクリストバライトの細片混入を抑止し単結晶の無転位引き上げを確実にする石英るつぼおよびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a quartz glass crucible to be used for the growth of silicon single crystal, effective for suppressing the intrusion of small pieces of crystallized cristobalite into the molten liquid and ensuring the dislocation-free pull-up of a single crystal and provide its production process. - 特許庁

太陽電池モジュールの面内における微結晶シリコン膜の結晶性の不均一性による特性の低下を抑制する。例文帳に追加

To inhibit reduction in characteristic due to non-uniformity of crystallinity of a microcrystalline silicon film in a surface of a solar cell module. - 特許庁

第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。例文帳に追加

The second plated films 24a, 24b have a polycrystalline structure, and flake-shaped Sn-Ni alloy grains are formed respectively at an Sn crystal grain boundary and in an Sn crystal grain. - 特許庁

特に低速回転領域におけるルツボの回転精度を向上することができ、育成する単結晶の不純物濃度をより高度に制御して、不純物濃度のバラツキが抑制された単結晶を製造することができる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a single crystal, which are capable of improving rotational accuracy of a crucible, particularly in a low rotational speed range, and performing advanced control of the impurity concentration in the single crystal to be grown, thereby producing the single crystal with little variation in impurity concentration. - 特許庁

結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。例文帳に追加

The rapid thermal-flux amount change of the crystal is prevented by auxiliary-heating the vicinity of the crystal 5 or 15 in the non-steady processes in the vicinity of crystal growth start and/or completion to obtain the good quality crystal having no crack. - 特許庁

粒状結晶の製造装置および製造方法ならびに光電変換装置および光発電装置例文帳に追加

APPARATUS FOR AND METHOD OF PRODUCING GRANULAR CRYSTAL, PHOTOELECTRIC CONVERTER, AND PHOTOVOLTAIC GENERATOR DEVICE - 特許庁

高仕事関数領域１４Ｂは、その結晶粒が先端部中央の結晶粒に比較して大きくなっている。例文帳に追加

The high work function region 14B consists of larger crystal grains than crystal grains in the middle of the tip part. - 特許庁

当該上界面の位置に基づいて原料融液Ｂの結晶化している比率が導出され，結晶成長界面の位置が特定される。例文帳に追加

The ratio of crystallization of the raw material melt B is derived on the basis of the position of the upper interface, and the position of the crystal growth interface is identified. - 特許庁

結晶性樹脂及びガラス繊維を含有してなるガラス繊維強化結晶性樹脂組成物において、前記ガラス繊維が前記ガラス繊維集束剤で処理されてなることを特徴とするガラス繊維強化結晶性樹脂組成物。例文帳に追加

The glass fiber-reinforced crystalline resin composition comprises a crystalline resin and glass fibers, wherein the glass fibers are obtained by treatment with the glass fiber sizing agent. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ５０ｎｍ〜１μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ１〜１０ｎｍ程度のＧａＰ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。例文帳に追加

In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order. - 特許庁

結晶として異種材料の単結晶を用いた場合であっても、欠陥が少なく、高品質のAlN単結晶バルク及びその製造方法、並びに半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an AlN bulk single crystal which has high quality with less defects even when a single crystal of a dissimilar material is used as a crystal, and to provide a method for producing the same and a semiconductor device using the crystal. - 特許庁

第１結晶１は入射される白色光から１次光とｎ次光とを選択し、第２結晶２はそれらのビームを拡大する。例文帳に追加

The first crystal 1 selects the primary light and n-th light from white light incident, and the beams of the light are enlarged by the second crystal 2. - 特許庁

透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係測定装置及びそれによる結晶粒界の特性の糾明方法例文帳に追加

APPARATUS FOR MEASURING CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION RELATIONSHIP OF ADJACENT CRYSTAL GRAINS USING GONIOMETER OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE, AND METHOD OF EXAMINING CHARACTERISTICS OF GRAIN BOUNDARY USING THE SAME - 特許庁

結晶成長温度９００℃にし、下記の結晶成長条件でＧａＮ層Ａ，Ｂをハイドライド気相成長させ（第１及び第２の結晶成長工程）、その後不要部を除去した。例文帳に追加

The method comprises setting a crystal growing temperature to 900°C, and growing at a hydride gas phase (the first and second crystal growing processes) GaN layers A and B under the undermentioned crystal growing condition and then removing the unnecessary parts. - 特許庁

オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing a silicon carbide single crystal, by which the growth of an SiC single crystal of different polymorphism is prevented and a high quality SiC single crystal is produced when the SiC single crystal is grown by using a seed crystal composed of an SiC single crystal of an ON-substrate in which the off-angle is almost zero, e.g., 0.5° or less. - 特許庁

これにより、外部から供給されるナノ粒子を結晶核として非晶質シリコン膜を結晶化させて形成される結晶粒径を大きくでき、さらにナノ粒子の数と大きさとを調節することにより結晶粒径のサイズ及びその配列を制御できる。例文帳に追加

This method enables an increase in the size of the crystal gains formed by crystallizing the amorphous silicon film using the nano-particles externally fed as the crystal nuclei, and the size and arrangement of the crystal gains can be controlled by adjusting the number and size of the nano-particles. - 特許庁

分離された血漿の少なくとも一部を浄化した後、透析液として循環させて患者血液を透析し血漿中に含まれる有害物を除去することを特徴とする、血漿交換療法に使用する方法、及び、該方法を用いる血漿交換方法。例文帳に追加

This method used in a plasma exchange therapy and the plasma exchange therapy using the method, are characterized in that at least a portion of separated plasma is purified and circulated as a dialysis solution to dialyze patient's blood to remove harmful substances contained in the plasma. - 特許庁

構造因子の符号(中心のある結晶における)と結晶の極性の決定は、すべて3ビーム理論を使って理解できる。例文帳に追加

The determination of structure-factor signs (in centric crystals) and crystal polarity can all be understood using the three-beam theory.  - 科学技術論文動詞集

この結晶粒列（５）の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、ＴＦＴのソース領域（ｓ）及びドレイン領域（ｄ）を形成する。例文帳に追加

A source region (s) and a drain region (d) of a TFT are formed in a region including a plurality of crystal grains within the alignment of the crystal grains 5 so that an electric current may flow in the direction of the crystal growth. - 特許庁

非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置およびその製造方法、ならびに該半導体装置の単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを形成するための単結晶Ｓｉ基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a non-single crystal Si thin film and a single crystal Si thin-film device are formed and a high-performance system is integrated, to provide a method for manufacturing it, and to provide a single-crystal Si substrate for forming the single crystal Si thin-film device of the semiconductor device. - 特許庁

単結晶成長時のメニスカスが安定し、しかも析出等の発生しない最適なＢ_2 Ｏ_3 量を規定した単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a single crystal having a stabilized meniscus in the growth of single crystal, prescribing the optimum B2O3 amount not causing precipitation, etc. - 特許庁

レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。例文帳に追加

When a non-single crystal semiconductor thin film is irradiated with laser beam and crystallized, irradiation light to the non-single crystal semiconductor thin film has intensity distribution which repeats monotonous increase and monotonous falloff periodically, and has intensity by which the non-single crystal semiconductor thin film is melted. - 特許庁