「にゅうびけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

蓋部に設けた封止部材に種結晶を配置し、蓋体の温度を検出し種結晶の温度とみなす技術よりも種結晶の温度を正確に監視することができる炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for manufacturing silicon carbide capable of observing a temperature of a seed crystal more accurately than a technique for detecting a temperature of a lid by disposing a seed crystal at a sealing member provided on the lid to regard as a temperature of the seed crystal. - 特許庁

高エネルギー密度へ暴露される光学素子に用いる結晶の安定性の定量的測定方法、同方法により等級付けられた結晶、及び該結晶の使用方法例文帳に追加

QUANTITATIVE MEASURING METHOD FOR STABILITY OF CRYSTAL USED FOR OPTICAL ELEMENT EXPOSED TO HIGH ENERGY DENSITY, CRYSTAL GRADED BY THE METHOD, METHOD OF USING THE CRYSTAL - 特許庁

活性な結晶面からなる酸化物微結晶粒子の比率を従来より大幅に向上させることが可能な酸化物微結晶粒子の製造方法を提供し、それによって従来は得ることができなかった活性な結晶面からなる酸化物微結晶粒子が５０質量％以上を占める粉体、さらには低温及び高温触媒活性に優れた触媒を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing oxide microcrystal particles largely improving the ratio of oxide microcrystal particles formed of active crystal planes than before, a powder consisting of 50 mass% or more of oxide microcrystal particles formed of active crystal planes not obtainable heretofore, and furthermore, a catalyst superior in low-temperature and high-temperature catalytic activities. - 特許庁

フラックス法による結晶育成終了後の降温時において、低品質の結晶が成長しないIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor crystal in which a low quality crystal is not grown during the temperature decrease after the completion of crystal growth by a flux method, and to provide an apparatus for producing a group III nitride semiconductor. - 特許庁

異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。例文帳に追加

To provide an SiC single crystal having few anisotropic crystals or heterogeneous polymorphic crystals, allowing cutting out of a large-diameter {0001} plane substrate, and to provide a method for producing the SiC single crystal, and an SiC wafer cut out from such an SiC single crystal. - 特許庁

原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法例文帳に追加

MATERIAL SUPPLY APPARATUS, SINGLE CRYSTAL DRAWING APPARATUS EQUIPPED WITH THE SAME, AND MATERIAL SUPPLY METHOD - 特許庁

媒質中の分析物を検出または測定するためのセンサ装置用の圧電共振器は、第一結晶表面８および第二結晶表面９を有する水晶結晶板７を備える。例文帳に追加

The piezoelectric resonator for the sensor device for detecting or measuring an analyte in a medium, includes a quartz crystal plate 7 having a first crystal surface 8 and a second crystal surface 9. - 特許庁

結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor crystal structure wherein the cross-sectional strain introduced during separating the nitride semiconductor crystal into a plurality of pieces is reduced to improve the utilization efficiency of the crystal and to provide a method for manufacturing a free-standing nitride semiconductor substrate. - 特許庁

２つの結晶ブロック２ａ，２ｂの光軸調整は軸線Ｘ１を中心として結晶ホルダ３を１軸回転させるだけで行われる。例文帳に追加

Each optical axis adjustment of the two crystal blocks 2a, 2b is executed only by performing one-axis rotation of the crystal holder 3 around the axis X1. - 特許庁

溶融状態の結晶性樹脂が結晶化して固化する状態変化を容易かつ簡便に観測できる結晶性樹脂の状態変化の観測方法および観測装置を提供する。例文帳に追加

To provide an observation method and an observation apparatus of a state change in a crystalline resin which easily and simply observe the state change where the fused crystalline resin is crystallized and solidified. - 特許庁

さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。例文帳に追加

Desirably, the sintered compact consists of an indium oxide crystal phase with a bixbyite type structure in which tungsten is mainly allowed to enter into solid solution and/or an indium tungstate compound crystal phase, and a tungsten oxide crystal phase is not present. - 特許庁

少なくとも表層付近では結晶粒が完全に微細化され，数μｍオーダーの微細結晶粒組織で占められた鋼を製造できる微細結晶粒組織鋼の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a fine crystal grain structure steel with which at least at near the surface layer, the crystal grain is fully fined and the steel occupied with few μm level fine crystal grain structure can be produced. - 特許庁

下地用半導体基板上に、転位密度が十分小さい高抵抗のノンドープ半導体結晶層を容易に結晶成長させることができる半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された高品質、高性能な半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for semiconductor crystal growth and a crystal growing apparatus which can easily grow a non-doped semiconductor crystal layer having a sufficiently low dislocation density and a high resistance on a semiconductor substrate for a base, and also to provide a high-quality and high-performance semiconductor substrate manufactured by using these. - 特許庁

周期性がよくかつ良好なエピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜二次元フォトニック結晶の製造方法およびこの二次元フォトニック結晶を使用した光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal having good periodicity and good epitaxial crystallinity, and to provide an optical element using the two-dimensional photonic crystal. - 特許庁

結晶配向性に優れた多結晶薄膜Ｂ、特に、化学反応安定性が高く、高温等の加熱処理においても、結晶配向性が乱れることのない安定な多結晶薄膜Ｂを得、優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を得る。例文帳に追加

To obtain a polycrystalline thin film B excellent in crystal orientational property, particularly a stable polycrystalline thin film B increased in chemical reaction stability and free from disturbances in crystal orientational property even in heating treatment at a high temperature, etc., and to obtain an oxide superconductor having an excellent oxide superconducting layer with high critical current density. - 特許庁

基板上に赤色反射用のフォトニック結晶、緑色反射用のフォトニック結晶および青色反射用のフォトニック結晶を順次積層して投射用のスクリーンを構成する。例文帳に追加

The screen for projection is constituted, by successively stacking photonic crystals for red color reflection, photonic crystals for green color reflection and photonic crystals for blue color reflection on a substrate. - 特許庁

単結晶の引上げにチャージ原料として使用される円柱形状の多結晶シリコンロッドの端部に、種結晶を係合させるための直径方向の丸孔１１及び溝１２を加工する際の割れを防止する。例文帳に追加

To prevent cracks that are generated when a round hole 11 and a groove 12, which are to be engaged with a seed crystal, are formed in a diametral direction on the end part of a cylindrical polycrystalline silicon rod used as a charge material in pulling-up of a single crystal. - 特許庁

結晶性ポリ乳酸、非結晶性ポリ乳酸および可塑剤から本質的になり、非結晶性ポリ乳酸が、結晶性ポリ乳酸と非結晶性ポリ乳酸との合計量の５〜３３質量％、可塑剤が組成物全量の３０質量％以下の割合で含まれる、ポリ乳酸樹脂組成物および該組成物からなる成形品。例文帳に追加

The polylactic acid resin composition is essentially composed of a crystalline polylactic acid, an amorphous polylactic acid and a plasticizer wherein the amount of the amorphous polylactic acid to the sum of the crystalline polylactic acid and the amorphous polylactic acid is 5-33 mass% and the content of the plasticizer is ≤30 mass% based on the entire composition, and its molded article. - 特許庁

第１及び第２のフォトニック結晶光導波路を形成するフォトニック結晶材料２、４は、使用する光信号の周波数帯を禁制帯とするようなフォトニック結晶からなる。例文帳に追加

The photonic crystal materials 2, 4 for forming the first and second photonic crystal optical waveguides are composed of such photonic crystals that set, as a forbidden band, the frequency band of the optical signal to use. - 特許庁

準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。例文帳に追加

The method is for producing a crystal-oriented ceramic composed of a polycrystal comprising an isotropic perovskite-type compound as a main phase, wherein a specific crystal face A of its crystal grains is oriented, by performing the steps of preparation, mixing, molding, and burning. - 特許庁

血小板凝集抑制剤及び肝障害改善剤、並びに医薬用組成物及び機能性飲食品例文帳に追加

PLATELET AGGREGATION INHIBITOR, AGENT FOR AMELIORATING HEPATOPATHY, PHARMACEUTICAL COMPOSITION AND FUNCTIONAL FOOD AND BEVERAGE - 特許庁

装置製造コストの増大を抑制し、育成する単結晶の種類や部位に応じた自由度の高い熱環境を容易に形成することにより、結晶欠陥の少ない単結晶を得ることのできる単結晶引上装置及びその制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus, wherein the increase of the apparatus manufacturing cost is suppressed and a single crystal almost free from crystal defects is obtained by easily forming thermal environments being high in degree of freedom according to the kinds or sections of single crystals to be grown, and a method for controlling the same. - 特許庁

少なくとも結着樹脂及び着色剤を有するトナーであって、該結着樹脂は非結晶性樹脂と結晶性樹脂を含み、かつ該非結晶性樹脂の軟化温度ＲＴと結晶性樹脂の軟化温度ＣＴが、５≦ＲＴ−ＣＴ≦２０（但し、ＲＴ＞ＣＴとする）の関係を満たすことを特徴とするトナー。例文帳に追加

A toner has at least a binder resin and a colorant, in which the binder resin includes a non-crystalline resin and a crystalline resin, and a softening temperature RT of the non-crystalline resin and a softening temperature CT of the crystalline resin satisfy the following relation: 5≤RT-CT≤20 (where RT>CT). - 特許庁

全血製剤及び濃厚血小板製剤や多血小板製剤等の血液製剤から、白血球を選択的に除去し、血小板回収率を安定して高めることができる、血液ろ過方法の提供。例文帳に追加

To provide a blood filtration method by which leukocytes can selectively be removed from a whole blood preparation or a blood preparation such as a concentrated platelet preparation or a high platelet preparation to stably enhance a platelet recovery rate. - 特許庁

X線結晶学による構造データを得るために十分な大きさと質のグルコキナーゼ結晶型、およびそのような結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide crystals of glucokinase with sufficient size and quality for obtaining structural data by X-ray crystallography, and to provide a method of growing the crystals. - 特許庁

オキシ塩化ビスマス結晶は、その粒径が７〜１１μｍの範囲内にあり、かつ、結晶の厚みが６０ｎｍ未満であるものを使用する。例文帳に追加

As the bismuth oxychloride crystal, there is employed one having a particle size in the range of 7-11 μm and has a crystal thickness of less than 60 nm. - 特許庁

単結晶インゴットのまま、単結晶インゴット中の酸素濃度のプロファイルを正確に予測するとともに、局所的な酸素濃度の変動にも対応することができる単結晶インゴットの評価方法及びこれを用いた単結晶インゴットの切断方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating a single-crystal ingot, capable of accurately inferring a profile of oxygen concentration in the ingot, while leaving the ingot as it is, and dealing with a local change of the concentration, and to provide a method for cutting the ingot using the same. - 特許庁

単結晶引上装置において、原料シリコン溶融時間を短縮し、操業効率を向上することのできる単結晶引上装置及び単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus and a method of manufacturing a single crystal, in which the time for melting raw material silicon can be shortened and operation efficiency can be improved on the single crystal pulling apparatus. - 特許庁

結晶性芳香族ポリカーボネート粉粒体を輸送する際に、結晶化溶剤の非存在下で、結晶化および粉粒化をこの順序、逆の順序若しくは同時に実施して結晶性芳香族ポリカーボネート粉粒体として輸送する。例文帳に追加

When the crystalline aromatic polycarbonate powder particulate is transported, an amorphous aromatic polycarbonate is subjected to crystallization and pulverization in this order, in the reverse order, or simultaneously in the absence of a crystallization solvent to be converted into the crystalline aromatic polycarbonate powder particulate and then transported. - 特許庁

融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a crucible for growing a single crystal, with which the outflow of a melt from the lower end part of the crucible to the outer bottom surface part of the crucible can be controlled and the crystal growth can be suitably performed when the single crystal is grown by pulling down, cooling and solidifying the melt: and a method for growing the single crystal. - 特許庁

非晶質シリコン薄膜又は、レーザーアニールにより結晶化された多結晶又は単結晶シリコン薄膜を用いてフレキシブル基板上１及び２に集積回路を形成する。例文帳に追加

The integrated circuit is formed on the flexible substrates 1, 2 by using an amorphous silicon thin film or a polycrystalline silicon thin film or a single-crystal silicon thin film crystallized by laser annealing. - 特許庁

耐久性を有し、かつ坩堝の外部から不純物が混入することを抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a nitride semiconductor crystal, which has adequate durability and is suppressed in the entrance of impurities from the outside of a crucible, a method for producing the nitride semiconductor crystal, and the nitride semiconductor crystal. - 特許庁

シリコン粒子処理台板およびその製造方法ならびに単結晶シリコン粒子の製造方法例文帳に追加

SILICON PARTICLE TREATING BEDPLATE, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON PARTICLE - 特許庁

酸化物超電導体単結晶粒子の集合体およびターゲット材並びにその製造方法例文帳に追加

OXIDE SUPERCONDUCTOR SINGLE CRYSTAL GRAIN AGGREGATE, TARGET MATERIAL AND PRODUCTION PROCESS OF THE SAME TARGET MATERIAL - 特許庁

複合金属超微粒子三次元超結晶及びその製造方法、並びに製造装置例文帳に追加

THREE-DIMENSIONAL SUPER CRYSTAL COMPOSITE METAL ULTRAFINE PARTICLE, METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

大粒径の結晶粒を膜全体にわたりち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallization method, crystallization equipment, a thin-film transistor, and a display device that can minutely form crystal grains with a large grain diameter over a film and can meet low-temperature treatment requirements. - 特許庁

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ５〜５０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＣ単結晶層２及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のｃ−ＴｉＮ単結晶層３を順に介在して厚さ１〜５μｍ程度のｃ−ＡｌＮ単結晶膜４が形成されている。例文帳に追加

The AlN semiconductor includes a c-AlN single crystal film 4 having a thickness of about 1-5 μm, and is formed sequentially via a c-TiC single crystal layer 2 having a thickness of about 5-50 nm and a c-TiN single crystal layer 3 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1. - 特許庁

減圧下好ましくは５ｋＰａ〜１００ｋＰａの減圧下、炭化水素系溶媒中で、４’−ブロモメチルビフェニル−２−カルボン酸 ｔ−ブチルエステルを結晶化および再結晶化させる同結晶の製造方法。例文帳に追加

The 2nd objective method for producing the crystal comprises crystallization and recrystallization of 4'-bromomethylbiphenyl-2- carboxylic acid t-butyl ester under a reduced pressure of preferably 5 kPa-100 kPa in a hydrocarbon-based solvent. - 特許庁

焼結体の結晶粒径を走査型電子顕微鏡で観察したとき、平均結晶粒径は０．１〜２０μｍであることが好ましい。例文帳に追加

When the crystal grain size of the sintered body is observed by a scanning electron microscope, the average crystal grain size is preferably 0.1 to 20 μm. - 特許庁

鋳塊内の結晶粒を微細化し、かつ結晶粒径の標準偏差を小さくしたアルミニウム合金鋳塊を得る。例文帳に追加

To obtain an aluminum alloy ingot in which the crystal grains therein are refined, and also, the standard deviation of the crystal grains is reduced. - 特許庁

高純度銅や低濃度銅合金からなり、結晶粒が微細化されるとともに熱的に安定した微細結晶粒銅材料を低コストで製造することが可能な微細結晶粒銅材料の製造方法、この製造方法によって製造される微細結晶粒銅材料、並びに、この微細結晶粒銅材料からなるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a fine crystal grain copper material which can produce a fine crystal grain copper material made of high purity copper or a low concentration copper alloy at low cost, in which crystal grains are refined, and which is thermally stable, to provide a fine crystal grain copper material produced by the production method, and to provide a sputtering target composed of the fine crystal grain copper material. - 特許庁

LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a semiconductor single crystal capable of suppressing polycrystallization and a bottom-out phenomenon during growth and improving the production yield of a single crystal ingot, in producing a single crystal ingot by an LEC method. - 特許庁

連続発振レーザを用いた高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層の形成における凝集の発生を抑制して得られた高品質で均質な高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層に薄膜トランジスタ等を作り込むことで歩留まりを向上した表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an indicating device improved in yield by incorporating a thin film transistor or the like into a high quality and homogeneous high-quality polycrystal silicon (strip crystal) layer obtained by suppressing the generation of flocculation, in the formation of the high-quality polycrystal silicon (strip crystal) layer employing continuous oscillation laser. - 特許庁

これにより、ＳｉＣ単結晶基板３にＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ単結晶４のうちの螺旋転位発生可能領域４ｂがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。例文帳に追加

Thereby, when growing up a SiC single crystal 4 on the SiC single crystal substrate 3, it is possible to prevent that the region 4b in which screw dislocation can occur in the SiC single crystal 4 have a higher temperature than the region surrounding the above region. - 特許庁

高品質Ｍｎドープセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）ナノ結晶、高品質Ｍｎトープ硫化亜鉛（ＺｎＳ）ナノ結晶、及び高品質Ｍｎドープテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）ナノ結晶の製造に特に有用である。例文帳に追加

This method is useful especially for producing a high quality zinc selenide(ZnSe) nanocrystal doped with manganese, a high quality zinc sulfide(ZnS) nanocrystal doped with manganese, and a high quality zinc telluride(ZnTe) nanocrystal doped with manganese. - 特許庁