「にゅうびけっしょう」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

基質部２は、レンズ部１の結晶質部１ｂと同じ結晶化ガラスからなり、レンズ部１の周囲を包囲している。例文帳に追加

The substrate part 2 comprises the same glass ceramic as the crystalline substance part 1b of the lens part 1 and surrounds the circumference of the lens part 1. - 特許庁

（２）（Ａ）成分が連続相であり、（３）１５０℃を超える温度における（Ｂ）の結晶性樹脂成分の結晶化エンタルピー（ΔＨｃ１）と（Ｂ）の結晶性樹脂成分の融解エンタルピー（ΔＨｍ１）が以下の式を満たす。例文帳に追加

(3) The crystallization enthalpy (ΔHc1) of the crystalline resin component (B) and the melting enthalpy (ΔHm1) of the crystalline resin component (B) each at a temperature higher than 150°C satisfy the following equations, X=ΔHc1/ΔHm1 and 0≤x≤0.7. - 特許庁

光損傷が少なく、かつ、結晶中におけるＭｇの偏析がなく、結晶組成が均一なマグネシウムニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnesium lithium niobate single crystal which has only small optical damage, no segregation of Mg in the crystal and a uniform crystal composition, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling apparatus that can pull a silicon single crystal, of which the resistivity profile in a growth axis direction in a crystal region after doping has been rapidly changed, and to provide a method for producing a silicon single crystal. - 特許庁

ガイド部材を設けた場合でも、成長終了後に単結晶を切り出す工程で、単結晶におけるガイド部材との接触部から割れが生じることがない炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a silicon carbide single crystal, where a crack does not occur from a contact part with a guide member in the single crystal in a process for cutting down the single crystal after growth end even when a guide member is set. - 特許庁

オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。例文帳に追加

By the preferential growth in accordance with the off-orientation, the crystal defect 113A placed in the upstream side of the off orientation disappears (b), and thereby, a silicon carbide single crystal having fewer crystal defects can be produced. - 特許庁

単結晶シリコンからなり、主表面が清浄化された基板１０１を用意し、基板１０１の上に膜厚２００ｎｍ程度のＢｉＦｅＯ_3の結晶からなるＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２が形成された状態とする。例文帳に追加

A substrate 101 composed of single crystal silicon and whose main surface is cleaned is prepared, and a BiFeO_3 crystal film 102 with a film thickness of about 200 nm composed of the crystals of BiFeO_3 is formed on the substrate 101. - 特許庁

例えば従来の炭化珪素単結晶（ＳiＣ）の成長方法において、種結晶直上から多数発生していた欠陥を抑制することができる低欠陥の単結晶の成長方法及び成長装置を提案する。例文帳に追加

To provide a method for growing and apparatus for growing a low- defect single crystal capable of inhibiting a large number of defects generating from directly upon a seed crystal for example in conventional methods for growing silicon carbide single crystals (SiC). - 特許庁

基板上に、酸化物白色蛍光体結晶薄膜、アモルファスアルミナ薄膜および酸化物赤色蛍光体結晶薄膜や酸化物青色蛍光体結晶薄膜が順次設けられた積層型白色蛍光体。例文帳に追加

The laminate type white fluorescent material is a material in which a substrate is provided thereon sequentially with an oxide white fluorescent material crystal thin layer, an amorphous alumina thin layer and an oxide red fluorescent material crystal thin layer or an oxide blue fluorescent material crystal thin layer. - 特許庁

結晶核剤担持水酸化アルミニウム：異方形状水酸化アルミニウム粒子の表面に結晶核剤が担持されてなり、ＢＥＴ比表面積が２０〜１５０ｍ２／ｇである結晶核剤担持水酸化アルミニウム例文帳に追加

Aluminum hydroxide carrying the nucleating agent carries the crystalline nucleating agent on the surface of the anisotropic aluminum hydroxide and has 20-150 m^2/g BET specific surface area. - 特許庁

微小重力の宇宙環境で結晶を作製すると結晶成長に伴って発生する対流が抑制されるため高品質の結晶が得られることが多い。例文帳に追加

To provide a method for suppressing the convection caused when a crystal is precipitated from a solution, and a suppressing apparatus of the convection. - 特許庁

単結晶半導体基板１の上面に微細な台地状の多数の突起２を形成した後、単結晶半導体基板の上面にバッファー層３を積層し、バッファー層上に単結晶半導体基板と異なる種類の単結晶半導体層４を積層して製造した。例文帳に追加

After forming a large number of protrusion 2 in the state of micro-tablelands on the upper surface of a single crystal semiconductor substrate 1, a buffer layer 3 is laminated on the upper surface of the single crystal semiconductor layer, and a single crystal semiconductor layer 4 of a kind different from the single crystal semiconductor layer is laminated on the buffer layer for manufacturing the semiconductor substrate. - 特許庁

高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing an AlN single crystal capable of growing a high-purity AlN single crystal and capable of reducing the dispersion of AlN single crystal growth rates among respective growth steps and to provide an AlN single crystal obtained thereby. - 特許庁

グリコール酸及びアンモニアからなる結晶性化合物であって、該結晶性化合物中に存在するグリコール酸とアンモニアのモル比が1.8〜2.2であることを特徴とする結晶。例文帳に追加

The crystal is a crystalline compound composed of glycolic acid and ammonia and the molar ratio of the glycolic acid to ammonia existing in the crystalline compound is 1.8-2.2. - 特許庁

高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a seed crystal holder, which fully suppresses generation of voids and can form a high-quality single crystal, and a method for producing the single crystal using the same. - 特許庁

エブセレンの粗結晶を、アセトン、アセトニトリルおよびエタノールの混合溶媒に溶解した後、得られた溶液を濃縮乾固して結晶し、下記のＸ線回折パターンを有するエブセレンの結晶を得る。例文帳に追加

This crystal is obtained by following steps; crude crystal of ebselen is dissolved in a mixed solvent of acetone, acetonitrile and ethanol, the resultant solution is concentrated and dried so as to obtain the crystal having a X-ray diffractometry pattern shown below. - 特許庁

結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法および光電変換装置ならびに光発電装置例文帳に追加

METHOD OF DIFFUSING IMPURITIES INTO CRYSTAL SILICON PARTICLES, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PHOTOVOLTAIC GENERATOR - 特許庁

再生器およびこれを用いた吸収ヒートポンプ並びに再生器の解結晶運転方法例文帳に追加

REGENERATOR, ABSORPTION HEAT PUMP USING THE SAME, AND CRYSTAL REMELTING DRIVE METHOD FOR REGENERATOR - 特許庁

結晶性ポリエステル樹脂微粒子の水性媒体中における分散状態が安定に維持されるとともに、結晶性ポリエステル樹脂微粒子の均一な結晶化が促進されて結晶化度の低下が防止された状態で、高い生産効率で結晶性ポリエステル樹脂微粒子分散液を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a crystalline polyester resin fine particle dispersion at high production efficiency, while stably maintaining the dispersion state of the crystalline polyester resin fine particle in an aqueous medium and accelerating uniform crystallization of the crystalline polyester resin fine particle to prevent decrease in a crystallization degree. - 特許庁

溶液法によってＳｉＣ単結晶を製造する際、ＳｉＣ多結晶の析出を抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for producing an SiC single crystal, by which deposition of a SiC polycrystal is restrained when the SiC single crystal is produced by a solution method. - 特許庁

短絡電流の高い多結晶シリコン膜系光起電力素子を与えるような実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜、及び該多結晶シリコン膜の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a polycrystalline silicon film which does not contain an amorphous silicon phase so as to provide a photovaltaic element based on a polycrystalline silicon film having a high short-circuit current, and a method for efficiently manufacturing the polycrystalline silicon film. - 特許庁

結晶構造を維持するための充分な強度を有し、フォトニック結晶等の光機能材料への実用化が可能なコロイド結晶及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a colloidal crystal having enough strength for maintaining a crystal structure and capable of being put to practical use as an optical functional material, such as a photonic crystal, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

光学活性マンデル酸類由来の二量体の結晶内への取り込みを抑制し、かつ結晶粒子を成長させながら、目的の光学活性マンデル酸類結晶を高い化学純度および高い収率で得ることができる。例文帳に追加

The crystals of the target optically active mandelic acids can be obtained with high chemical purity in a high yield while inhibiting the incorporation of a dimer derived from the optically active mandelic acids into the crystals and allowing crystal particles to grow. - 特許庁

エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal which can control an SiC polycrystal to be accumulated on the surrounding of a pedestal at which a seed crystal is installed even if not using etching gas. - 特許庁

ガラス中に着色剤を使用していないため、リサイクルが容易となる結晶化ガラス、結晶化ガラス建築材料及び結晶化ガラス物品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallized glass in which recycling becomes easy since a coloring matter is not used in the glass and to provide a manufacture method of a crystallized glass building material and a crystallized glass article. - 特許庁

また、この血液成分採取装置１は、血小板採取バッグ２６内の空気を除去する第１の送液ポンプ１１を有し、血小板採取バッグ２６内に血小板を採取した後に、第１の送液ポンプ１１により血小板採取バッグ２６および血漿採取バッグ２５内の空気を除去する空気除去操作を行うように構成されている。例文帳に追加

The blood component sampling system 1 has a first liquid sending pump 11 for removing the air in the blood platelet sampling bag 26 and is constituted to carry out an air removing operation to remove the air in the blood platelet sampling bag 26 and the blood plasma sampling bag 25 by the first liquid sending pump 11 after sampling the blood platelets in the blood platelet sampling bag 26. - 特許庁

水平磁場あるいはカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造し、育成中の単結晶が有転位化した場合に、有転位化した単結晶を無磁場の状態で溶解した後、再び磁場を印加してシリコン単結晶を引き上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is manufactured by a Czochralski method of impressing a horizontal magnetic field of cusp magnetic field and when the single crystal under growth is dislocated, the dislocated single crystal is melted in the state of the absence of the magnetic field and thereafter again the magnetic field is impressed to the melt and the silicon single crystal is pulled up. - 特許庁

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

高純度Ｎｂからなるスパッタターゲットであって、Ｎｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲である。例文帳に追加

Disclosed is a sputter target consisting of high-purity Nb in which each Nb crystal grain has a grain size of 0.1 to 10 times the average crystal grain size and a grain size ratio between adjacent crystal grains is 0.1 to 10. - 特許庁

転位が結晶の中心部のみに存在し、転位が存在しないその他の結晶領域をデバイス工程で使用可能なシリコン単結晶およびシリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal in which a dislocation exists only at the center part of the crystal and the other crystal region where a dislocation does not exist is usable in a device process and a silicon wafer. - 特許庁

表面形状不良やソリがないように多結晶シリコンを析出することが容易な多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッドを提供すること。例文帳に追加

To provide a polycrystalline silicon reducing furnace capable of easily depositing polycrystalline silicon without causing surface profile defect or warpage, and a polycrystalline silicon rod. - 特許庁

垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal producing apparatus to grow a high quality crystal with good yield at an optimum temperature condition by locally controlling the temperature distribution of the neighborhood of a seed crystal in the production of, for example, a K(Ta,Nb)O3 crystal by a vertical Bridgman method. - 特許庁

全血血小板凝集能測定方法及び装置並びに薬効評価方法例文帳に追加

WHOLE BLOOD PLATELET AGGREGATING CAPACITY MEASURING METHOD AND DEVICE, AND MEDICINAL BENEFIT EVALUATING METHOD - 特許庁

多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕するとともに、破砕歯及びロール外表面からの多結晶シリコン塊への不純物のコンタミを防止し、高品質の多結晶シリコンを得ることができる多結晶シリコンの破砕装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for fracturing the polycrystalline silicon into masses with a desired size, preventing contamination of impurity to the polycrystalline silicon masses from fracturing teeth and roll outer surfaces, and capable of obtaining the high quality polycrystalline silicon. - 特許庁

単結晶半導体層に窒素雰囲気中でレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化し、しかる後支持基板に接着された単結晶半導体層から、一又は複数の表示パネルを作製する。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer is irradiated with laser beams in a nitrogen atmosphere, the surface of the single crystal semiconductor layer is planarized, and then one or a plurality of display panels are manufactured from the single crystal semiconductor layer bonded to the support substrate. - 特許庁

結晶化後の熱処理工程、例えば真空排気工程で再流動することがなく、しかも結晶化後に熱膨張係数が不当に上昇しない結晶性ビスマス系ガラス組成物を得ること。例文帳に追加

To provide a bismuth based glass composition with crystallinity which does not reflow during the heat treatment after crystallization, for example, vacuum discharge process, and further does not increase heat expansion coefficient after crystallization. - 特許庁

エチレンと酢酸ビニルなどのコモノマーとの直接の水性系遊離基乳化重合により調製される半結晶性水性系ポリマーエマルジョンであって、該半結晶性水性系ポリマーエマルジョンは結晶溶融点と、５〜１００Ｊ／ｇの範囲の結晶融解熱とを有する。例文帳に追加

The semi-crystalline water-based polymer emulsions are prepared by direct water-based free radical emulsion polymerization of ethylene with a comonomer such as vinyl acetate and have a crystalline melting point and heat of crystal fusion ranging from 5 to 100 J/g. - 特許庁

また、イオンを照射した部分２aを９００℃以下で熱処理することによりアナターゼ型結晶ＴｉＯ_2にすることにより、ルチル型結晶ＴｉＯ_2とアナターゼ型結晶ＴｉＯ_2とが混在した微細構造を形成する。例文帳に追加

In addition, a microstructure mixing the rutile crystal TiO_2 and an anatase crystal TiO_2 is formed by forming the part 2a irradiated with the ions into the anatase crystal TiO_2 by heat treatment at 900°C or lower. - 特許庁

受け皿５０を加熱炉７０内に収容してアニール（熱処理）を行うと、アモルファス粉６４が結晶化し、比較的粒径の揃った超微細結晶粒が析出した結晶化粉６８が得られる。例文帳に追加

The tray 50 is put in a heating furnace 70 and annealed (heat-treated), whereby the amorphous powder 64 crystallizes and crystallized powder 68 in which ultrafine crystal grains relatively uniform in grain size deposit is obtained. - 特許庁

単結晶を引き上げる過程にて、単結晶の引き上げ速度の操作量の上下限値の算出、及び、これら設定値と上下限値に基づく単結晶の引き上げ速度の移動平均値の制御、を繰り返し行い、単結晶の直径を制御する。例文帳に追加

The diameter of the single crystals is controlled by repeating the calculation of the upper and lower limits for the manipulative variables of the rates of pulling the single crystals and the control of the moving average of the rates of pulling the single crystals based on the settings and the upper and lower limits during the process of pulling the single crystals. - 特許庁

新規酸化チタン製造方法によって、特異な結晶面をもつ、結晶性の高い5nm〜100nmの粒子径の、高結晶性アナターゼ単相酸化チタン超微粒子の分散液を提供する。例文帳に追加

To provide a high-crystallinity anatase single phase titanium oxide ultrafine particle dispersion of which the ultrafine particles have a specific crystal face, have high crystallinity, and have particle diameters of 5-100 nm, according to a new method for producing titanium oxide. - 特許庁

チタン化合物溶液及びその製造方法並びに結晶性酸化チタン粒子の製造方法例文帳に追加

TITANIUM COMPOUND SOLUTION, ITS PRODUCING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE TITANIUM OXIDE PARTICLE - 特許庁

円柱形単結晶の製造方法及び装置、並びに半導体ウェ—ハの切断方法例文帳に追加

PRODUCTION OF CYLINDRICAL SINGLE CRYSTAL, EQUIPMENT THEREFOR AND METHOD FOR SLICING SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。例文帳に追加

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity. - 特許庁

高温炉と低温炉の突合せ部分における周方向の温度差を少なくし、結晶全体で低転位の結晶を得るための単結晶成長用ヒータ及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heater for growing a single crystal, with which the temperature difference in the circumferential direction at the abutting part of a high-temperature furnace and a low-temperature furnace is made small and a crystal almost free from dislocations over whole crystal can be obtained, and to provide a device for producing a compound semiconductor single crystal using the heater. - 特許庁