「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒化物系化合物半導体結晶成長方法例文帳に追加

NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTING CRYSTAL GROWING METHOD - 特許庁

光ファイバコードの曲げ剛性を１５〜３５Ｎ・ｍｍ^2の範囲とする。例文帳に追加

The bending rigidity of the optical fiber cord is specified to 15 to 35 N.mm^2. - 特許庁

ミラー部５は、入射した光線束を反射する反射面５１を備える。例文帳に追加

The mirror part 5 includes a reflection face 51 which reflects an incident luminous flux. - 特許庁

クロック信号線９は、データドライバＩＣ１５−１〜１５−１０の正規の端子に接続され、反転クロック信号線１８は、データドライバＩＣ１５−１〜１５−１０のダミー端子１６−１〜１６−１０に接続されている。例文帳に追加

The clock signal line 9 is connected to the normal terminals of data driver ICs 15-1 to 15-10 and the inverted clock signal line 18 is connected to dummy terminals 16-1 to 16-10 of the data driver ICs 15-1 to 15-10. - 特許庁

例えば、保護設定のなされている電子メールは一番優先度の高い「優先度１」と判別する。例文帳に追加

For example, an e-mail with protection setting is discriminated to have "priority 1" which is the highest priority. - 特許庁

越後国新発田藩出身、旧姓中山。例文帳に追加

His hometown was Shibata Domain, Echigo Province.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ばねユニット１２は、圧縮コイルばね５２と、前後のばね受け５３，５４と、調節用ロッド５５と、ハンドル５６とを備えている。例文帳に追加

The spring unit 12 includes a compression coil spring 52, front and rear spring bearings 53 and 54, an adjustment rod 55, and a handle 56. - 特許庁

この３本の反射器１１，１２，１３の両端は、第１の角度調整板１４および第２角度調整板１５に固着されている。例文帳に追加

Both the ends of the reflectors 11, 12, and 13 are fixed to a first angle- adjusting plate 14 and a second angle-adjusting plate 15 respectively. - 特許庁

偏波合成分離装置１Ａは、複屈折材料１１、半波長板１５、複屈折材料１２、レンズ１６および透明平板１７を備える。例文帳に追加

A polarization synthesis-and-separation device 1A comprises a birefringent material 11, a half wave plate 15, a birefringent material 12, a lens 16 and a transparent flat plate 17. - 特許庁

半導体装置５０は、大きく分けて半導体基板１と、外部信号処理基板８で構成されている。例文帳に追加

The semiconductor device 50 roughly consists of a semiconductor substrate 1 and an external signal processing substrate 8. - 特許庁

結晶成長用基板およびＺｎＯ系化合物半導体デバイス例文帳に追加

SUBSTRATE FOR CRYSTAL GROWTH AND ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

反射板ケース５１に対して、板部材からなる反射板５３を着脱自在に取り付けた構成とする。例文帳に追加

A reflector 53 consisting of a plate member is attachably/ detachably attached to a reflector case 51. - 特許庁

ベース板１上には第１、第２の半導体構成体１１、２５が積層されて搭載されている。例文帳に追加

On the base plate 1, first and second semiconductor assemblies 11 and 25 are mounted in a laminated state. - 特許庁

半導体装置としての整流素子５５は、ディスク部１５０、半田層１５２、緩衝板１５４、半導体チップ１５６、半田層１５８、リード１６０を含んで構成されている。例文帳に追加

A semiconductor rectifying device 55 as the semiconductor device comprises a disc 150, a solder layer 152, a buffer plate 154, a semiconductor chip 156, a solder layer 158, and a lead 160. - 特許庁

窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法例文帳に追加

SUBSTRATE USED FOR CRYSTAL GROWTH OF NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR CRYSTAL GROWTH OF NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

引出電極１１Ｘ１（１１Ｙ１）はバス電極１１から分岐されるとともにバス電極１１の線幅の±３０％の範囲の線幅を有する複数の狭幅電極部１５１〜１５３を備えて構成される。例文帳に追加

This display panel is so structured that the extraction electrodes 11X1 (11Y1) are branched from bus electrodes 11; and a plurality of narrow electrode parts 151-153 each having a line width in the range of ±30% of a line width of the bus electrode 11 are formed. - 特許庁

判読不可能であれば（Ｓ１０９：ｎｏ）、別の信号についてマッチング調整を行う（Ｓ１１２）。例文帳に追加

When the signal can not be read (S109: no), matching adjustments are performed for another signal (S112). - 特許庁

二番竿２の竿先端の剛性を一番竿１の竿尻端の剛性に対して１．２倍から２倍の範囲に設定し、三番竿３の竿先端の剛性を二番竿２の竿尻端の剛性に対して１．２倍から２倍の範囲に設定してある。例文帳に追加

The rigidity of the tip end of the second section rod 2 is 1.2-2 times the rigidity of the butt end of the first section rod 1, and the rigidity of the tip end of the third section rod 3 is 1.2-2 times the rigidity of the butt end of the second section rod 2. - 特許庁

第１斜板１８及び第２斜板５１には、第１斜板１８に当接する第１シュー２５Ａ、及び第２斜板５１に当接する圧縮反力を受ける側の第２シュー２５Ｂを介してピストン２３が係留されている。例文帳に追加

To the first swash plate 18 and the second swash plate 51, a piston 23 is moored via a first shoe 25A for abutting on the first swash plate 18 and a second shoe 25B on the side of receiving compression reaction for abutting on the second swash plate 51. - 特許庁

階調範囲算出部１３１は、合成画像の階調幅（例えば、最大階調と最小階調）を算出する。例文帳に追加

A gradation range calculation unit 131 calculates a gradation width (such as maximum gradation and minimum gradation) of the composite image. - 特許庁

ベース層１０ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅は、エミッタ層１２ａを構成する化合物半導体の禁制帯幅より狭い。例文帳に追加

The forbidden gap of the compound semiconductor constituting the base layer 10a is narrower than that of the compound semiconductor constituting the emitter layer 12a. - 特許庁

係るはんだ合金を熱電素子１０２の接合に用いるならば、第１、第２はんだ層１０５，１０６に高融点のはんだ合金を用いることができ、安価に、Ｐｂを含まないレーザモジュールを構成することができる。例文帳に追加

The use of such solder alloy in joining of thermoelectric elements 103 permits the use of the solder alloy having the high melting point for first and second solder layers 105 and 106 and makes the configuration of a laser module not containing Pb possible. - 特許庁

窒化物系化合物半導体素子、窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、及び窒化物系化合物半導体素子の製造方法例文帳に追加

NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, CRYSTAL GROWTH OF THE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURE OF THE ELEMENT - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法例文帳に追加

CRYSTAL GROWTH METHOD OF NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

基板ホルダー１１４へ基板１１３が設置され、ラジカル発生装置１１５は反応性ガスをラジカル化してチャンバー内に導入する。例文帳に追加

A substrate 113 is installed in a substrate holder 114, and a radical generating device 115 converts a reactive gas into a radical so as to be introduced into the chamber. - 特許庁

各ハンドル１５に溶接した回り止め板１７をフレームの後部上骨部１０b1に当接させて、各ハンドル１５の回り止めを図る。例文帳に追加

Rotation of the respective handles 15 is prevented by allowing the rotation preventive plate 17 welded to the respective handles 15 to abut on a rear upper rib part 10b1 of the frame. - 特許庁

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物系半導体例文帳に追加

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF NITRIDE-BASED CHEMICAL SEMICONDUCTOR, AND GROUP III NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR - 特許庁

次に、各半導体素子１５を構成する半導体基板１７をエッチングする（ｅ）。例文帳に追加

A semiconductor substrate 17 constituting each semiconductor element 15 is etched (e). - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置２５を半導体基板１と複数個のメモリーセル２１とで構成する。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage device 25 is constituted of a semiconductor substrate 1 and a plurality of memory cells 21. - 特許庁

例えば、図示する画面構成において、範囲１１，１２は、それぞれ異なる階調数（例えば範囲１１を６４階調、範囲１２を２５６階調）で表示を行うようにする。例文帳に追加

In, for example, the screen constitution shown in Figure, the display is performed by respectively different numbers of gradations (for example, 64 gradations in the range 11 and 256 gradations in the range 12) in the ranges 11 and 12. - 特許庁

シリコン基板２５１は剛性を有しており、ピエゾ素子２５５に対して弾性反力を及ぼす。例文帳に追加

The silicon substrate 251 rigidity and provides elastic counterforce onto the piezoelectric element 255. - 特許庁

半導体ブロック１は、ベース板２、半導体構成体３、絶縁層１５、上層絶縁膜１６、上層配線１９を含んで構成されている。例文帳に追加

A semiconductor block 1 comprises a base plate 2, a semiconductor structure 3, an insulation layer 15, an upper layer insulating film 16, and an upper layer interconnect line 19. - 特許庁

故障検知部５５ａはインバータ装置１を構成している半導体素子１８の故障を検知する。例文帳に追加

A fault detector unit 55a detects the fault of a semiconductor element 18 which constitutes the inverter device 1. - 特許庁

この６つの支持位置１０４，１０５に基板搬送用ハンドの支持部材をそれぞれ当接させて基板１０１を支持する。例文帳に追加

Support members of a substrate carrying hand are abutted at the six support positions 104 and 105, respectively, to support the substrate 101. - 特許庁

実装基板１１１の厚さ方向から見て、半導体デバイス１２１が実装された領域の外側に、実装基板１１１の剛性を高める補強体１１２ａ−１１２ｄが、半導体デバイス１２１の角部１２１ａ−１２１ｄに個別に隣接するように配置されている。例文帳に追加

Outside a region where the semiconductor device 121 is mounted when viewed from a thickness direction of the mounting substrate 11, reinforcing bodies 112a to 112d which enhance rigidity of the mounting substrate 111 are arranged individually adjacently to corner parts 121a to 121d of the semiconductor device 121. - 特許庁

また、本体１１の下面に蛍光ランプ１２の口金部１４付近を避けて本体１１の一部を構成する反射板１５を設けている。例文帳に追加

A reflecting plate 15 which constitute aw part of the body 11 is prepared out of the position of the base 14 of the fluorescent lamp 12. - 特許庁

反射板１０３の初期位置を調整する際に、発光手段１５からのレーザービームが反射板１０３に当たるように送信アンテナ１１の角度を調整し、次に、反射板１０３で反射したレーザービームが受信アンテナ２１に当たるよう反射板１０３の角度を調整する。例文帳に追加

In the case of adjusting an initial position of the reflecting plate 103, the angle of a transmission antenna 11 is adjusted so that a laser beam from the light emitting means strikes on the reflecting plate 103 and then the angle of the reflecting plate 103 is adjusted so that the laser beam reflected in the reflecting plate 103 strikes on a reception antenna 21. - 特許庁

液体媒質のＰＨをほぼ６．５〜１４の範囲に調節する。例文帳に追加

Hydrogen ion concentration pH of the liquid medium is adjusted within a range from 6.5 to 14. - 特許庁

コプレーナ線路（信号線１１１、グランド線１１２及び１１３）を形成した半導体基板１１０を実装するための実装基板１００が、裏面に接地導体板１０４を有する際に、半導体基板１１０と実装基板１００の間隙に誘電体１５０を充填する。例文帳に追加

A gap between a semiconductor substrate 110 and a mounting substrate 100 is filled with a dielectric 150 when the mounting substrate 100 for mounting the semiconductor substrate 110 where the coplanar lines (signal line 111 and ground lines 112 and 113) are formed has a ground conductor plate 104. - 特許庁

カード状記録媒体（７）が搬送されるカード搬送路の第一の摺動部（１１０Ａ）には搬送路を保護する保護部材（１１１Ａ）を付加し、第二の摺動部（１１０Ｂ）には摺動性を高める摺動部材（１１１Ｂ）を貼着する。例文帳に追加

A first slide portion 110A of the card feed passage, for feeding a card-shaped recording medium 7, is provided with a protection member 111A for protecting the feed passage, and a second slide portion 110B is provided with a slide member 111B, attached to enhance siding motion. - 特許庁

横枠１２Ａは、ステンレス鋼板製の外装板２０と合成樹脂製の内装板２５とを備える。例文帳に追加

A horizontal frame 12A is equipped with a stainless steel outer plate 20 and a synthetic resin inner plate 25. - 特許庁

その後、合成樹脂層１１ａ側を向くエンボスロール１４と、バックアップロール１５との間で原反１１を挟圧し、溶剤１３ａにより軟化した原反１１の合成樹脂層１１ａ側表面１１ｃにエンボスロール１４によりエンボス１１ｄを成形する。例文帳に追加

Thereafter, the raw material 11 is pressed between the embossing roll 14 directed to the synthetic resin layer 11a and a backup roll 15 and embosses 11d are formed to the surface 11c on the side of the synthetic resin layer 11a of the raw material 11 softened by the solvent 13a by the embossing roll 14. - 特許庁

半導体デバイス試験装置は，回路基板１０３およびフィルム１０５を含む構成を有するものである。例文帳に追加

A semiconductor device testing device comprises a circuit board 103 and a film 105. - 特許庁

上記ループ状のアンテナ素子１４ａ、１４ｂには、結合線路１５と反対側の側部に所定幅の容量板１６ａ、１６ｂを設ける。例文帳に追加

The loop-shaped antenna elements 14a and 14b are provided with capacitor boards 16a and 16b with prescribed width at the side part opposite from the coupling line 15. - 特許庁

光記録媒体１０は、基板１１上に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６、反射層１７、基板１８を順次積層した構成を有する。例文帳に追加

An optical recording medium 10 has such constitution that a dielectric layer 12, a recording layer 13, a dielectric layer 14, a reflection layer 15, a protective layer 16, a reflection layer 17, and a substrate 18 are successively laminated on a substrate 11. - 特許庁