「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体光検出素子１１１上に、平板状の第１蛍光体層１０１を設け、さらに半導体光検出素子１１１の各画素１０５と対応する位置に、柱状の第２蛍光体層１０２を設けて構成される。例文帳に追加

A plate-shaped first phosphor layer 101 is provided on the element 111 and columnar second phosphor layers 102 are provided on the phosphor layer 101 at the positions corresponding to the picture elements 105. - 特許庁

液相合成器１０１からの化合物は、自動精製器１０３によって精製され、自動分注器１０４によって質量分析器１０５に分注され、評価のために分光装置１０６および反応測定装置１０７に運ばれる。例文帳に追加

A compound from the liquid phase synthesizer 101 is purified by an automatic purifier 103, dispensed to a mass spectrograph 105 by an automatic dispenser 104, and carried to a spectral device 106 and a reaction measurement device 107 for evaluation. - 特許庁

光部品１は、光導波路１１１，１１２，１２１，１２２、光分岐部１３１，１３２、反射部１４１，１４２、ブラッググレーティング１５１，１５２および光検出部１６１，１６２が基板１００上に形成されて集積化された光平面導波路型回路を備える。例文帳に追加

The optical part 1 is provided with an optical plane waveguide type circuit made by forming and integrating optical waveguides 111, 112, 121 and 122, optical branching parts 131 and 132, reflecting parts 141 and 142, Bragg grating parts 151 and 152 and optical detection parts 161 and 162 on the substrate 100. - 特許庁

光導波路装置１２ａは、基板１３，下部クラッド層１４、コア１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、上部クラッド層１６、ガラス基板１７、特定の波長域のみ反射しそれ以外の光を透過するフィルタ１８で構成される。例文帳に追加

The optical waveguide device 12a comprises a substrate 13, a lower clad layer 14, cores 15a, 15b, and 15c, an upper clad layer 16, a glass substrate 17, and a filter 18 which reflects only a specified wavelength band and transmits other light. - 特許庁

扉用ロックハンドル装置１の合成樹脂製ケーシング２は、底板１５と、この底板１５上にハンドル３を収納する収納部Ｓと、底板１５上にシリンダ錠６を嵌合固定する錠取付部とを具備する。例文帳に追加

The synthetic resin casing 2 of the lock handle device 1 for the door includes a bottom plate 15, a storage portion S for housing a handle 3 onto the bottom plate 15, and a lock mounting portion for fitting and fixing the cylinder lock 6 onto the bottom plate 15. - 特許庁

想定範囲内になければ、異常通知手段１５０は異常検知信号を当否抽選手段１１２に送信する。例文帳に追加

Unless it is within the envisioned range, an abnormality notification means 150 transmits an abnormal detection signal to the win/failure lottery means 112. - 特許庁

端末部１５ａの信号端子１５ｂには、駆動回路から導かれ、交番信号が加えられるケーブル２０内の信号線がハンダ付けされている。例文帳に追加

On a signal terminal 15b of a terminal 15a, a signal wire in a cable 20 introduced from a driving circuit and added with an alternating signal is soldered. - 特許庁

各ハンドル１５の外径よりも大きい長さを有する回り止め板１７を各ハンドル１５に溶接する。例文帳に追加

A rotation preventive plate 17 having the length larger than an outer diameter of the respective handles 15, is welded to the respective handles 15. - 特許庁

下面１１ｃに複数の透過部１２と非透過部１３を設けた透過性基板１１と透過性基板１１の下面側に配設した反射型偏光板１５で表示板１０を構成する。例文帳に追加

The display panel 10 is constituted by a translucent substrate 11 having a plurality of transmission sections 12 and non-transmission sections 13 disposed on the lower surface 11c and a reflection polarizing plate 15 arranged on the lower surface side of the translucent substrate 11. - 特許庁

ｄｉｓｐ判定部６６４が変位値が“２”以下と判定した場合、判定結果を受けた制御信号生成部６６５は、“Ｈ”（活性状態）の命令フェッチ抑止信号６８１を命令フェッチ要求生成部６５２に送る。例文帳に追加

When a disp determining part 664 determines that a displacement value is not more than "2", a control signal generating part 665 sends an "H" (active state) instruction fetch stop signal 681 to an instruction fetch request generating part 652 upon receiving the determination result. - 特許庁

ここで、合成操作画面６１のスライドバー６２にて前記各画像に対して合成開始位置と合成終了位置を指定可能とし、その指定範囲内の各画像をバッファメモリから読み出して合成処理する。例文帳に追加

The imaging unit uses a slide bar 62 of a composition operating menu 61 to designate a composition start position and a composition end position to each image, reads each image within the designated range from the buffer memory, and applies composite processing to each image. - 特許庁

例えば、第１の反応層１２と電解質層１４の間に第１の反応層１２の構成材料と電解質層１４の構成材料が混在する第３の混合層１３を形成した。例文帳に追加

For example, a third mixture layer 13 in which a component of the first reaction layer 12 and a component of the electrolyte layer 14 are intermingled is formed between the first reaction layer 12 and the electrolyte layer 14. - 特許庁

第１、第２の半環バンド１１、１２は、その一端部同士がヒンジ結合されると共に、その他端部が相互に締結可能に構成されている。例文帳に追加

The first and second half-cylindrical bands 11 and 12 are constituted so that the mutual one end parts are joined by a hinge, and the other end parts can be mutually fastened. - 特許庁

防汚層１４を構成する化合物は、プラスチック基板と反応する反応基を有する反応性化合物と、プラスチック基板と反応しない非反応性化合物と、を含有している。例文帳に追加

The antifouling layer 14 contains a reactive compound having a reactive group which is reacts with the plastic substrate and a non-reactive compound which does not react with the plastic substrate. - 特許庁

重ね合わせた同種の第１の鋼板（例えば、高張力鋼板）１０、１１同士にさらに、第１の鋼板と炭素量、板厚、および硬さの少なくとも１つが異なる第２の鋼板（例えば、軟鋼）１６を重ねた接合部１２を抵抗溶接する抵抗溶接装置１００である。例文帳に追加

The resistance welding apparatus 100 is to join a welding part 12 by resistance welding, where superposed similar first steel sheets 10, 11 (for example, high tensile strength steel sheets) are further superposed with a second steel sheet 16 (for example, a soft steel) different from the first steel sheets in at least one among the carbon content, sheet thickness and hardness. - 特許庁

この場合、半田ボール４４は第２の半導体構成体５１の下面よりも下方に位置させられているので、第２の半導体構成体５１の存在に関係なく、半田ボール４４の配置ピッチを設定することができる。例文帳に追加

Since the solder ball 44 is positioned lower than the second semiconductor structure 51 in this case, a pitch of locating the solder ball 44 can be set irrespective of the presence of the second structure 51. - 特許庁

半導体レーザ５は、活性層側の面を配線基板１の表面部に当接させて配置される。例文帳に追加

A semiconductor laser 5 is arranged by abutting a plane of an active layer side to a surface part of a wiring substrate 1. - 特許庁

化合物半導体集積装置１は、ＧａＡｓ基板１０と、キャパシタ２０と、を備える。例文帳に追加

The compound semiconductor integrated device 1 includes a GaAs substrate 10, and a capacitor 20. - 特許庁

ロッド本体１０には、掘削土を破砕する撹拌バー１５を設けてあり、撹拌バー１５はロッド本体１０に対して回転自在な回転筒１６に撹拌羽根１７を突設して構成する。例文帳に追加

The stirring bar 15 is constituted by providing and projecting a stirring blade 17 to a rotating cylinder 16 which can freely rotate with respect to the rod body 10, and a mixing drum 21 used for leveling a pile hole wall is provided to the rod body 10. - 特許庁

基板１０上に反射層１１、保護層１２、記録層１３、保護層１４および光透過保護層１５を順次積層することにより光情報記録媒体１を構成する。例文帳に追加

The optical information recording medium 1 is composed by making successively a reflective layer 11, a protective layer 12, a recording layer 13, a protective layer 14 and an optical transmission protective layer 15 overlie a substrate 10. - 特許庁

搬送機構５０を構成する搬送アーム５１ａ・５１ｂに吸着機構７３および支持ピン７４を配設し基板Ｇを保持する。例文帳に追加

A suction structure 73 and a supporting pin 74 are arranged in transporting arms 51a and 51b constituting the transporting structure 50 to hold the substrate G. - 特許庁

半導体装置１０は、強制冷却式の冷却器１１と、冷却器１１上に金属層１４を介して接合されたセラミック基板１３と、セラミック基板１３上に設けられた配線金属層１５と、配線金属層１５上に接合された半導体素子１６とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 comprises: a forced cooling type cooler 11; a ceramic substrate 13 bonded on the cooler 11 through a metal layer 14; a wiring metal layer 15 provided on the ceramic substrate 13; and the semiconductor element 16 bonded on the wiring metal layer 15. - 特許庁

埋め込み酸化膜１２、１４の幅を単結晶半導体層１３、１５の幅よりも狭くなるように構成し、単結晶半導体基板１１上で単結晶半導体層１３、１５を支持する支持体１８を、単結晶半導体層１３、１５の側壁を介して単結晶半導体層１３、１５下に回り込むように配置する。例文帳に追加

The buried oxide films 12 and 14 are formed so that their widths are smaller than the widths of single-crystal semiconductor layers 13 and 15, and a supporter 18 for supporting the semiconductor layers 13 and 15 on a single-crystal semiconductor substrate 11 is arranged so as to enter in below the semiconductor layers 13 and 15 via the sidewalls of the semiconductor layers 13 and 15. - 特許庁

次に、結晶性半導体膜１５に触媒元素を選択的に添加して、１５族添加領域１５ａを形成する。例文帳に追加

Then, catalytic elements are selectively added to the crystalline semiconductor film 15, and a 15 group dopant region 15a can be formed. - 特許庁

主基板５０には第２の信号線路５２が形成され、第１の信号線路２２と第２の信号線路５２が、キャリア基板の側壁に設けた接続電極２５１とはんだ３５からなる接続部により接続され、キャリア基板２０を主基板５０上に２次実装されている。例文帳に追加

On a main substrate 50, a second signal line 52 is formed, the first signal line 22 and the second signal line 52 are connected by a connecting part composed of a connecting electrode 251 and a solder 35, provided on the sidewall of the carrier board, and the carrier substrate 20 is mounted secondarily on the main substrate 50. - 特許庁

熱線反射層４と可視光線調整層５とが透明板３を介して設けられた採光調整板２を備える採光調整装置１ａ。例文帳に追加

The daylighting adjusting device 1a has daylighting adjusting plates 2 in which heat-ray reflecting layers 4 and visible-ray adjusting layers 5 are mounted through transparent plates 3. - 特許庁

反応生成物５の柱状構造を形成後、基板１に遮光膜６を成膜する（ｃ）。例文帳に追加

After forming the columnar structure of the reaction product 5, a light shielding film 6 is formed on the substrate 1 (c). - 特許庁

カバー６を、第２反射部５５に対して、略平行に配置された面取り部７を備えるように構成する。例文帳に追加

The cover 6 has chamfers 7 positioned substantially parallel to the second reflection part 55. - 特許庁

従動ローラ３９ｂは板ばね５５の先端部に回転可能に軸支され、板ばね５５の基端部を固定するばねホルダ５２がシート搬送路の一部を構成するシートガイド部材５１に軸形状に立上げられている。例文帳に追加

A driven roller 39b is rotatably journaled to a tip part of a plate spring 55, and a spring holder 52 for fixing a base end part of the plate spring 55 is uplifted in a shaft shape in a sheet guide member 51 constituting a part of the sheet carrying passage. - 特許庁

自動販売機１の制御部１１が、決済で用いられたＩＣカード３１の識別情報と記憶部１７に記憶された当選情報とが一致すると判断した場合、販売機能部１６は商品３５を排出する。例文帳に追加

When a control part 11 of the automatic vending machine 1 judges that identification information of an IC card 31 used for payment coincides with winning information stored in a storing part 17, a sales function part 16 ejects an article 35. - 特許庁

素子列１５と反射板１２との間隔は、双ループアンテナ素子１３ａ〜１３ｄの基部及び結合線路１４ａ〜１４ｃが約λ／４に設定され、双ループアンテナ素子１３ａ〜１３ｄの左右が例えば１５°程度反射板１２側に折曲げられる。例文帳に追加

With respect to the interval of the element column 15 and the reflector 12, the bases of the stacked loop antenna elements 13a-13d and the coupling lines 14a14c are approximately set to λ/4, and the right and left sides of the stacked loop antenna elements 13a-13d are folded to the side of the reflector 12 approximately at 15°, for example. - 特許庁

電子商取引システム１は、販売仲介サーバ２と、決済機関サーバ３と、購入企業端末５１Ａ〜５１Ｃと、販売企業端末６１Ａ〜６４Ａとがネットワーク４により接続されて構成されている。例文帳に追加

An electronic transaction system 1 comprises a sale mediation server 2, a settlement facility server 3, purchasing company terminals 51A-51C, and selling company terminals 61A-64A, all of which are connected to one another by a network 4. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体からなる第１の半導体層１２を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、その後、第１の半導体層１２上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第２の半導体層１３を結晶成長させる工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method comprises a first process of heating a first semiconductor layer 12 of III nitride compound semiconductor in an atmosphere of gas containing nitrogen atoms, and a second process of growing a second semiconductor layer 13 of III nitride compound semiconductor in crystal. - 特許庁

素子基板１０４上には、信号線１０９、画素電極１１０、ＭＩＭ素子１１１が設けられ、その下に、下側偏光板１０５と散乱反射板１０６が設けられている。例文帳に追加

Signal lines 109, pixel electrodes 110 and MIM elements 111 are formed on an device substrate 104, and a lower polarizing plate 105 and a scattering reflection plate 106 are disposed under the substrate. - 特許庁

半導体検査回路１００は、半導体デバイス２００の１本の端子２０３に接続する信号線１０１と、半導体デバイス２００の複数の端子２０５に信号線１０１を接続するスイッチ回路１０２と、信号線１０１の末端に接続する抵抗器１０３と、を備え、半導体デバイス２００上に形成されている。例文帳に追加

The semiconductor inspection circuit 100 is provided with a signal line 101 to be connected to one terminal 203 of the semiconductor device 200, a switching circuit 102 for connecting the signal line 101 to a plurality of terminals 205 of the semiconductor device 200, and a resistor 103 to be connected to an end of the signal line 101, and is formed on the semiconductor device 200. - 特許庁

コラム図形１０１には、コラム番号、選択ボタン番号、商品形態、平行販売グループを表示する。例文帳に追加

In the column figure 101, a column number, a selection button number, a merchandise form and a parallel sales group are displayed. - 特許庁

この校正基板用治具１５は半導体ウエハや液晶基板の検査に用いることができる。例文帳に追加

The tool 15 for a calibration board can be used for inspection of a semiconductor wafer and a liquid crystal substrate. - 特許庁

合成床版１００は、床鋼板１０、付着材２０、コンクリート３０を備える。例文帳に追加

This composite floor slab 100 includes the floor steel plate 10, an adhesion material 20 and the concrete 30. - 特許庁

合成床版１００は、床鋼板１０、付着材２０、コンクリート３０を備える。例文帳に追加

A composite floor slab 100 is composed of the floor steel plate 10, an adhesion material 20 and the concrete 30. - 特許庁

次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。例文帳に追加

The sapphire substrate 10 is introduced into a reactive magnetron sputtering device to form an AlN film 12 into 75 to 125 Å thickness (Fig.1(b)). - 特許庁

複数の電力用半導体素子２１０によって構成されるインバータ回路１５１，１５２がパワーモジュール２００の筐体２８０に格納される。例文帳に追加

Inverter circuits 151 and 152 composed of a plurality of semiconductor elements 210 for power are housed in a cabinet 280 of the power module 200. - 特許庁

第２基地局制御部は、ハンドオーバ処理要求に応答して、第２選択合成手段１１１−２と無線信号終端手段１０５−１との間に、第２通信回線（１２３，１２５（１２１））を確立する。例文帳に追加

The control part 111 sets a 2nd communication line (123, 125 (121)) between a 2nd selective synthesis means 111-2 and the means 105-1 in response to the handover processing request. - 特許庁

絶縁材２に当接する半導体モジュール１の当接面１５は、導電性部材（放熱板１５０）の表面１５１と放熱板１５０の周囲に形成された絶縁性部材（モールド材１３）の表面１３１とによって構成された平面からなる。例文帳に追加

The abutting surface 15 of the semiconductor module 1 which abuts on the insulating material 2 is made a plane configured of the surface 151 of a conductive material (heat radiating plate 150) and the surface 131 of an insulative material (mold material 13) formed around the heat radiating plate 150. - 特許庁

基板１０とＬＤ３０との間に石英球５を挟み込み、その位置で半田１３を介してＬＤ３０を基板１０上に固定する構成とする。例文帳に追加

Quartz spheres 5 are held between a substrate 10 and an LD 30, and the LD 30 is fixed onto the substrate 10 at that position via solder 13. - 特許庁

振動センサ１０は、半導体基板１１とこれ接合されるベース基板１２とを用いて、微細加工にて作成される。例文帳に追加

The vibration sensor 10 is made up by using a semiconductor substrate 11 and a base substrate 12 to be joined thereto, to which a fine processing technology is applied. - 特許庁