「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

上記補助板１１ｃの片面で上記バルブ係合部５ｃと反対側の面の両端縁部を、上記各折れ曲がり部２１、２１に突き当てた状態で、上記主体１０ｂと補助板１１ｃとを溶接又はろう付けする。例文帳に追加

In a state of both end edge parts of a surface which is one surface of an auxiliary plate 11c and is on the opposite side of a valve engagement part 5c are struck on each bent part 21, 21, the main body 10b and the auxiliary plate 11c are welded and brazed. - 特許庁

基板１と、基板１に重ねて配された半導体層５とからなる半導体素子１０であって、半導体層５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に分散された少なくとも１種類以上の酸化物半導体からなる第一微粒子３とから構成されていること。例文帳に追加

The semiconductor element 10 comprises a substrate 1 and a semiconductor layer 5 disposed so as to overlap on the substrate 1, wherein the semiconductor layer 5 comprises a binder resin 2 and first fine particles 3 dispersed in the binder resin 2 and made of at least one or more kinds of oxide semiconductors. - 特許庁

コイルブロック１０は、コイルボビン１１と、プリント基板１３に有する貫通孔１４を貫通してプリント基板１３に半田付けされる接続ピン端子１５と、接続ピン端子１５よりも短く、プリント基板１３の実装面１６に当接される当接ピン端子１７とを備える。例文帳に追加

A coil block 10 includes: a coil bobbin 11; a connection pin terminal 15 penetrating through a through hole 14 provided in a printed board 13 to be soldered to the printed board 13; and a contact pin terminal 17 shorter than the connection pin terminal 15 and brought into contact with a mounting surface 16 of the printed board 13. - 特許庁

また、反力ローラ箱１５の底面１５ａを着座台１８で支持することにより、載荷力の反力によるジャッキアップ用ばね１７への過大な荷重作用を防止し、且つ、ジャッキアップ用ばね１７の撓みによる反力ローラ１０の過大変位を制御するように構成する。例文帳に追加

When a bottom face 15a of the reaction roller case 15 is supported by means of a seating base 18, an excessive load action to the jack-up spring 17 due to reaction force of a carrying load force is prevented, and excessive displacement of the reaction roller 10 due to deflection of the jack-up spring 17 is controlled. - 特許庁

エキゾーストマニホールド１７を覆うカバー１８は、排気単管２３ａ〜２３ｄを取付フランジ２１に溶接する部分に一体に溶接される第１カバー半体２４と、この第１カバー半体２４に着脱自在に固定される第２カバー半体２５とから構成される。例文帳に追加

The cover 18 covering the exhaust manifold 17 consists of a first half cover body 24 integratedly welded to the attachment flange 21 at welding parts of the exhaust pipes 23a-23d and a second half cover body 25 to be attachably/detachably fixed on the first half cover body 24. - 特許庁

金属ナノ粒子焼結体層１１と、金属粒子または金属酸化物粒子を含むバリア層１２と、はんだ接合層１３と、をこの順に備えることを特徴とする、はんだ接合用積層体１である。例文帳に追加

A laminate body for solder joining 1 includes a metal nanoparticle sintered layer 11, a barrier layer 12 including metal particles or metal oxide particles, and a solder joined layer 13 in this order. - 特許庁

ホワイトバランス調整回路１０は各色信号が収束判定幅となるようにホワイトバランスを調整する。例文帳に追加

A white balance adjustment 10 adjusts the white balance so that each color signal reaches the convergence discrimination width. - 特許庁

インターポーザ１１Ａの外周電極１５ａに接続された半導体素子１２を有する半導体パッケージ１０Ａは、間隙Ｇを介して配線基板２１Ａと対向し、配線基板２１Ａの外周ランド２４ａに半田接合されて電子基板２０Ａが構成されている。例文帳に追加

The semiconductor package 10A having a semiconductor device 12 connected to outer peripheral electrode 15a of an interposer 11A faces a wiring substrate 21A across a gap G, and is joined to the outer peripheral land 24a of the wiring substrate 21A by soldering to constitute an electronic substrate 20A. - 特許庁

そして、該実装用基板に半導体パッケージ或いは半導体チップ２を半田３接合により取り付けて半導体実装装置を構成する。例文帳に追加

The mount substrate is mounted and joined with a semiconductor package or a semiconductor chip 2 with solder 3 to fabricate a semiconductor mounted device. - 特許庁

平版印刷版原版１２の画像記録層は、重合性化合物を内包するマイクロカプセルと、重合開始剤と、光熱変換剤とを含有する。例文帳に追加

The image recording layer of the original plate 12 contains a microcapsule encapsulating a polymerizable compound, a polymerization initiator and a photothermal converting agent. - 特許庁

基板１０１を反応炉１０４の中でヒータ１０５により９００℃に加熱して、基板１０１の表面に化学的気相成長法により複数のカーボンナノチューブ１０２を成長させ、引き続いて、基板１０１の温度を６５０に低下させ、より長いカーボンナノチューブ１０３に成長させる。例文帳に追加

The substrate 101 is heated to 900°C by a heater 105 in a reaction furnace 104 and a plurality of the carbon nanotubes 102 are grown on the surface of the substrate 101 by the CVD method and successively the temperature of the substrate 101 is lowered to 650°C to grow the carbon nanotube 103 more longer. - 特許庁

例えば、半導体素子の入出力部において、ダイオード１７１、１８１の１端をグランド線路１２０に接地し、他の一端をコンデンサ１７２、１８２を挿入して信号線路１１０に接続する。例文帳に追加

At the input and output parts of a semiconductor element, for example, one end of diodes 171, 181 is grounded to ground lines 120, and the other end to a signal line 110 where capacitors 172, 182 are inserted. - 特許庁

本発明のオーバーランニングクラッチ１は、クラッチアウタ１０と、クラッチインナ１１と、クラッチローラ１２と、スプリング１３と、グリス１４と、平ワッシャ１５と、半割りワッシャ１６と、クラッチカバー１７とから構成されている。例文帳に追加

This overrunning clutch 1 is composed of a clutch outer 10, a clutch inner 11, a clutch roller 12, a spring 13, grease 14, a flat washer 15, a half washer 16, and a clutch cover 17. - 特許庁

例えば、モニタ通常状態では、モニタ１１５とビューファインダ１１６とに同じ情報を表示させ、モニタ反転状態では、モニタ１１５とビューファインダ１１６とに異なる情報を表示させる構成とする。例文帳に追加

It is constituted so that, in a monitor normal condition, for example, a monitor 115 and a view finder 116 are operated to display the same information, and in a monitor inverted condition, the monitor 115 and the view finder 116 are operated to display different information. - 特許庁

ガス導入手段及び排気手段を有した成膜チャンバー５と、基板Ｓを保持する基板ホルダー１０１と、基板ホルダー１０１を搬送する搬送手段と、前記基板ホルダー１０１を反転させる反転手段とを備えた縦型化学気相成長装置。例文帳に追加

The vertical chemical vapor deposition apparatus comprises a film deposition chamber 5 having a gas introduction means and an exhaust means, a substrate holder 101 for holding a substrate S, a conveying means for conveying the substrate holder 101, and an inversion means for inverting the substrate holder 101. - 特許庁

ＳＯＩ基板に、インバータ回路部を構成する高耐圧半導体素子の動作タイミングを制御する制御回路部１５１と、その動作タイミングに応じて高耐圧半導体素子を駆動する駆動信号を出力するとともにインバータ回路部の異常を制御回路部１５１にフィードバックする駆動・異常検出回路部１５２ａ、１５２ｂとを形成して、１チップの集積回路チップ１５０とする。例文帳に追加

There are formed on an SOI substrate a control circuit 151 that controls the operation timing of a breakdown voltage semiconductor element that constitutes an inverter circuit, and drive abnormality detection circuits 152a, 152b that output drive signals for driving the breakdown voltage semiconductor element in accordance with the operation timing, and feed back the abnormality of the inverter circuit to the control circuit 151, thus constituting a one-chip integrated circuit chip 150. - 特許庁

この生成されたステップ値が前回のステップ値と同じか否かを判断して（Ｓ１３５）、同じ場合には（Ｓ１３５：ＹＥＳ）、ステップ値を転送せず、同じでない場合には（Ｓ１１５：ＮＯ）、ステップ値を転送する（Ｓ１４５）。例文帳に追加

It is determined whether or not this produced step value is the same as the last step value (S135), and if the step value is the same as the last one (S135:YES), the step value is not transferred, but if the step value is not the same (S115:NO), the step value is transferred (S145). - 特許庁

記録媒体は、記録媒体搬送制御部３４による制御の下、記録媒体搬送機構１３により未記録媒体収納機構１４から取り出され、データ記録部１１、印刷部１２、記録済媒体収納機構１５または取出し機構１６に搬送される。例文帳に追加

The recording medium is taken out from an unrecorded medium housing mechanism 14 by a recording medium conveying mechanism 13 under control of a recording medium conveyance controlling part 34 and conveyed to the data recording part 11, the printing part 12 and a recorded medium housing mechanism 15 or an eject mechanism 16. - 特許庁

閉時学習値が異常判定値αｆａｉｌ以上であり（Ｓ１５）、かつ、両学習値の偏差が所定の漏洩判定値Δαｌｅａｋ以下の場合に（Ｓ１８）、流路切換弁の漏洩と判定する（Ｓ１９）。例文帳に追加

When the closing time leaning value is an abnormal determining value αfail or more (S15) and a deviation of both learning values is a predetermined leakage determining value Δαleak or less (S18), a determination is made as leakage of the flow passage switching valve (S19). - 特許庁

論理回路とバッファ回路を別々の半導体基板１１，１２に集積し、論理回路の端子となる第１のバンプ１３と、入出力バッファ回路の端子となる第２のバンプ１４を直接接続するとともに、バッファ回路が集積された半導体基板１２にスルーホール１５を形成し、このスルーホール１５の上端部に第３のバンプ１６を形成する。例文帳に追加

Together with it, a through hole 15 is made in the semiconductor substrate 12 where the buffer circuit is integrated, and a third bump 16 is made on this through hole 15. - 特許庁

また上記１１４、１１５を参照して、通行可否テーブル１１２に不整合な設定があるかを判定するテーブル管理手段１１３を備えるため、設定に不整合があった場合の修正も容易である。例文帳に追加

As compared with 114, 115, since a table management means 113 deciding whether an inconsistent establishment exists in the passage propriety table 112 is provided, it can be easily corrected for the inconsistent establishment. - 特許庁

生化学反応カセット１０１が、標的物質と特異的に結合可能なプローブ１０５が固定されている基板１００と、基板１００とともに反応場１０６を構成する反応場構成部材である天井部材１０８と、弾性部材１０４と、基板１０１を天井部材１０８に対して弾性部材１０４を介して移動可能に支持する固定部材１０３とを有している。例文帳に追加

This biochemical reaction cassette 101 comprises substrate 100 on which probe 105 specifically-combinable with the target matter is fixed, ceiling member 108 as a reaction stage component forming reaction stage 106 together with the substrate 100, elastic member 104, and stationary member 103 for supporting the substrate 100 so as to be movable towards the ceiling member 108 through the elastic member 104. - 特許庁

そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。例文帳に追加

The semiconductor device 79 comprises warpage correction layers 13, 14 formed on at least one selected from the first principal surface 31A side of the first semiconductor substrate 31, the first principal surface 45A side of the second semiconductor substrate 45, a second principal surface 31B side of the first semiconductor substrate 31 and a second principal surface 45B side of the second semiconductor substrate 45. - 特許庁

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。例文帳に追加

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them. - 特許庁

反射型液晶表示装置１３において、反射型液晶表示パネル８上に導光板３にて構成したフロントライト１２を当接配置し、そして、この導光板３の当接面１５に算術平均粗さＲａ０．１μｍ以上の光反射防止板１６を設けている。例文帳に追加

In the reflection type liquid crystal display device 13, a front light 12 composed of a light guide plate 3 is abutted and arranged on a reflection type liquid crystal display panel 8, and an antireflection plate 16 having ≥0.1 μm arithmetic mean roughness Ra is provided on the abutting face 15 of the light guide plate 3. - 特許庁

この２つの半球状のバルブ部材１１を摩擦溶接により接合して、一つの球状バルブ部材１が形成される。例文帳に追加

These two semi-spherical valve members 11 are joined by friction-welding to form one spherical valve member 1. - 特許庁

さらに、画像調整部１５は、カラーバー信号の種類の判別結果に基づいて入力画像の信号レベルの調整制御を行う。例文帳に追加

The image adjusting unit 15 also performs adjustment control of a signal level of the input image on the basis of a determination result of the type of the color bar signal. - 特許庁

周縁部１６ａ，１７ａには、高剛性域と低剛性域とがバンド２１，２２の後端部が固定されている部位からバンド２１，２２の延びる方向の所要範囲に交互に形成される。例文帳に追加

The peripheral edges 16a and 17a are alternately formed with high-rigidity areas and low-rigidity areas in the required ranges in the extending direction of the bands 21 and 22 from the areas where the rear ends of the bands 21 and 22 are fixed. - 特許庁

蛍光灯１２から出力された各光束が導光板１１に入ると、各反射面１５ａ・・・１５ｎで反射し、液晶パネル２０の各液晶セルにほぼ垂直に照射される。例文帳に追加

When respective beams outputted from a fluorescent lamp 12 enter a light transmission plate 11, they are reflected by respective reflection surfaces 15a...15n, and respective liquid crystal cells of the liquid crystal panel 20 are irradiated nearly vertically. - 特許庁

導電層３は基板１上に形成され半導体層５、７と同一レイヤにより構成される。例文帳に追加

The conductive layer 3 is formed of the same layer as the semiconductor layers 5, 7 formed on the substrate 1. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶性インゴットのアンモノサーマル成長のための反応器を提供する。例文帳に追加

To provide a reactor for ammonothermal growth of a group Ill-nitride crystalline ingot. - 特許庁

これらが積層された状態でＳＯＩ構造を有する半導体基板１５が構成されている。例文帳に追加

A semiconductor substrate 15 having SOI structure is constituted of a laminated state of these layers 11, 13, 14. - 特許庁

再送制御部１０５にて、受信電力が０でない場合に再送要求が有ったと判断する。例文帳に追加

A retransmission control part 105 judges that a retransmission request is given when reception power is not '0'. - 特許庁

Ｌ負荷アバランシェ耐量（破壊耐量）が高く、信頼性が高い超接合半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable superjunction semiconductor device which has high L load avalanche withstand (breakdown withstand) amount. - 特許庁

アンテナ１Ａは、反射板であるＥＢＧ１を備え、ＥＢＧ１の上の高さｈの位置にアンテナ素子１５が配置されて構成されている。例文帳に追加

The antenna 1A includes the EBG 1 being a reflector and is configured to arrange an antenna element 15 at a position having height H over the EBG 1. - 特許庁

配置条件が登録されている場合には、配置条件に従った配置スペースが合成画像内にあるか否かを判断する（ステップＳ１６）。例文帳に追加

When the arrangement condition is registered, whether or not an arrangement space in accordance with the arrangement condition exists in the composite image (step S16). - 特許庁

燃料電池の空気極１３において、生成水調整層（撥水層）１７と反応層１５との間に中間層１６を設ける。例文帳に追加

In an air electrode 13 of the fuel cell, an intermediate layer 16 is installed between the formed water adjusting layer (the water repellent layer) 17 and a reaction layer 15. - 特許庁

その反射光線束５３は、レンズ系１１を通過し、その通過後の光線束５４のうち所望の光線束のみが選択的に透過型液晶パネル１２の透光部位を通過する。例文帳に追加

Its reflected light beam 53 passes through the lens system 11 and only a desired light beam of the light beam 54 having passed selectively passes through a light transmission part of a transmission type liquid crystal panel 12. - 特許庁

保護ベルト層１６を構成する５ベルト１６Ａの幅は、６ベルト１６Ｂの幅、及び、交錯ベルト層１４を構成する各交錯ベルト層の幅よりも広く、かつ、トレッド幅Ｗｔの８０〜９６％の範囲である。例文帳に追加

Width of a 5 belt 16A constituting the protection belt layer 16 is wider than width of a 6 belt 16B and width of the respective crossing belt layers constituting the crossing belt layer 14 and is within a range of 80-96% of tread width Wt. - 特許庁

転写ベルト１１の近傍にトナー濃度センサ２６、および濃度パターン校正用の半月板の基準濃度反射板２５を備える。例文帳に追加

The image forming apparatus is equipped with a toner concentration sensor 26 and a reference concentration reflection plate 25 that is a semicircular plate for calibrating a concentration pattern near a transfer belt 11. - 特許庁

該合成床版１０は底部すなわち、床版コンクリート１１を打設したときは、そのコンクリート１１の底面１１ａに位置する鋼板１２を配置している。例文帳に追加

At the placing of the bottom part of the floor slab 10, that is, the floor slab concrete 11, a steel plate 12, located on a bottom surface 11a of the concrete 11, is arranged in the floor slab 10. - 特許庁

作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which suppresses variation in the oscillation wavelength of a nitride base compound semiconductor element to be manufactured and manufactures a plurality of nitride base compound semiconductor elements having high yield from one semiconductor substrate. - 特許庁

そして、金属板２０に半導体装置１００の電流経路となる導体板１５をレーザー溶接によって接合した。例文帳に追加

Besides, a conductor plate 15 serving as a current path of the semiconductor device 100 is bonded onto the metal plate 20 by laser welding. - 特許庁

スライドカバー１２が閉じ位置へと達すると、カム４０が係止レバー５０のピン５０ｂと当接して、これを図中反時計方向に回転させる。例文帳に追加

When the cover 12 reaches the closing position, a cam 40 abuts on the pin 50b of the lever 50 and rotates it counterclockwise in the figure. - 特許庁

丁合機１により丁合された用紙束は、排出部１１より用紙集積装置２０の搬入路２３に搬入される。例文帳に追加

Bundles of papers gathered by a gathering machine 1 are carried into a carry-in path 23 of a paper accumulation device 20 from a discharge part 11. - 特許庁