「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

第４の基板２０９上において第１の半導体集積回路２０１は互いに間隔をおいて配置され、第５の基板２１０上において第２の半導体集積回路２０２は互いに間隔をおいて配置されている。例文帳に追加

The first semiconductor integrated circuits 201 are arranged while keeping a distance from each other over the fourth substrate 209, and the second semiconductor integrated circuits 202 are arranged while keeping a distance from each other over the fifth substrate 210. - 特許庁

演出制御基板１２０のＣＰＵ１２２は、サブ処理として、遊技制御基板１１１から受信したコマンドに基づいて、１５ラウンド大当たり当選したか否かの判別を行い、１５ラウンド大当たりに当選していると判別した場合、大当たり用の遊技演出の抽選を行う。例文帳に追加

The CPU 122 of the performance control board 120 discriminates whether or not a 15-round jackpot is won on the basis of the command received from the game control board 111 as sub processing, and executes drawing of a game performance for a jackpot when discriminating that the 15-round jackpot is won. - 特許庁

光学素子１００は、露光光である例えば極端紫外線を反射する多層膜１０３と、多層膜１０３の最表層に設けられて光学素子１００の反射特性を調整する反射調整層１０５とを備える。例文帳に追加

The optical element 100 is provided with: a multilayer film 103 for reflecting, for example, extreme ultraviolet light being exposing light; and a reflection adjustment layer 105 which is arranged on the outermost surface layer of the multilayer film 103 and used for adjusting the reflection characteristics of the optical element 100. - 特許庁

粗粒材料１０と、水硬性固化材１１と、水とを混合してなり、改良対象範囲に充填された粗粒材料１０の噛み合い部を水硬性固化材１１で、点接触部１ないしごく小範囲の接触部２で結合、接着させて改良地盤体を構築する。例文帳に追加

The improved ground material is obtained by mixing a coarse particle material 10 with a hydraulic hardener 11 and water and the engaged parts of the coarse particle material 10 packed into an improved target area are connected and bonded by the hydraulic hardener 11 at point contact parts 1 or contact parts 2 of an extremely small range to construct an improved ground body. - 特許庁

反射面が水平な状態で保持され、投影光が入射する反射ミラーの反射面Ｍ１が平面となっている場合には、５本の光線は、テーブル面Ｓ１上の位置Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１、Ｅ１に入射するようになる。例文帳に追加

When a reflection surface is held in a horizontal state and the reflection surface M1 of a reflection mirror on which the projected light is made incident is plane, five light beams are made incident on positions A1, B1, C1, D1 and E1 on a table surface S1. - 特許庁

半導体基板１０１及び薄膜で構成するエレクトレットコンデンサーにおいて、半導体基板１０１の中央部に、半導体基板１０１を選択的に除去したメンブレン領域１１３を備え、導電膜により、下部電極１０４と引出し配線１１５が設けられている。例文帳に追加

In the electret capacitor comprising a semiconductor substrate 101 and a thin film, a membrane region 113 for selectively removing the semiconductor substrate 101 is provided to a middle part of the semiconductor substrate 101, a lower electrode 104 and a lead wire 115 are configured with a conductive film. - 特許庁

反応性イオンエッチング法を行っている時には、半導体基板１０１を８０乃至１５０℃にしておく。例文帳に追加

When a reactive ion etching method is carried out, the semiconductor substrate 101 is kept at a temperature of 80 to 150°C. - 特許庁

放熱用金属板２０は、上面に半導体素子５０が搭載されて固定される半導体素子搭載面２２を有する庇部２１と、底面２６がコバール板１０にろう材１５により接合される軸部２５とから構成されている。例文帳に追加

A metal plate 20 for heat dissipation comprises an eaves 21 having an upper surface 22 for mounting a semiconductor element 50 fixedly, and a shaft 25 having bottom 26 being bonded to a kovar plate 10 through a brazing material 15. - 特許庁

異常停止すると判断された場合、ガス供給制御系５１により反応室５２１にパージ用ガスを導入する。例文帳に追加

When it is determined to make the abnormal stop, purge gas is introduced into the reaction chamber 521 by the gas supply control system 51. - 特許庁

シリコン基板上に形成されるＡｌ合金配線層の反射防止膜としてのＴｉＮ膜１３ｄ、１３ｅ、１６ｄ、１６ｅを非結晶性のＴｉＮ膜１３ｄ、１６ｄと結晶性のＴｉＮ膜１３ｅ、１６ｅとで構成する。例文帳に追加

The TiN films 13d, 13e, 16d and 16e as the antireflective coatings of an Al alloy wire layer formed on a silicon substrate consist of amorphous TiN films 13d and 16d and crystalline TiN film 13e and 16e. - 特許庁

また走査部５は、偏光分離光変角素子１１と、再帰性反射素子１２と、１／４波長板１３とから構成される。例文帳に追加

Further, the scanning part 5 is constituted by a polarization separation light varied-angle element 11, a retroreflective element 12, and a 1/4 wavelength plate 13. - 特許庁

本質量流量センサは半導体基板１、絶縁層２、ヒータ３１１、３１２、測温抵抗体３２１、３２２及び保護層４とを備える。例文帳に追加

The mass flow rate sensor is provided with a semiconductor substrate 1, insulating layer 2, heaters 311, 312, resistance temperature sensors 321, 322 and protective layer 4. - 特許庁

光量設定値と画像信号のパルス幅値によって半導体レーザのＯＮ幅を変える。例文帳に追加

An image forming apparatus changes an ON width of the semiconductor laser by a light amount set value and a pulse width value of an image signal. - 特許庁

複数のアンテナ素子例えば３個の半円ラジアルアンテナ１１〜１３を１２０°の角度で円状に配置し、各給電点から得られる信号を合成器１４により同相合成したものである。例文帳に追加

A plurality of antenna elements, for example three semi-circular radial antennas 11 to 13, are arranged at intervals of 120° in a circular form, and signals from each power feed point are combined in phase by using a combining processor 14. - 特許庁

本発明の半導体装置は、ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、３−５族化合物半導体から構成されるＨＢＴ１３０と、ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、ＨＢＴ１３０を構成する半導体エピタキシャル層の少なくとも１層から構成される半導体抵抗素子１２０とを備え、半導体抵抗素子１２０は、ヘリウム不純物を含む。例文帳に追加

A semiconductor device includes: a HBT 130 which is formed on a GaAs substrate 101 and includes a group III-V compound semiconductor; and a semiconductor resistor element 120 which is formed on the GaAs substrate 101, and made of at least one layer included in a semiconductor epitaxial layer included in the HBT 130, and the semiconductor resistor element 120 includes helium impurities. - 特許庁

好ましくは、上記高分子膜を構成する材料の最低溶融粘度は、５×１０^３〜１×１０^５Ｐａ・ｓの範囲内にあると良い。例文帳に追加

The minimum melting viscosity of the material which constitutes the polymer film is preferably in a range of from 5×10^3 to 1×10^5 Pa s. - 特許庁

ハンドルスイッチ装置１を、筐体１１と、筐体１１内に収納された回路基板１２と、回路基板１２に実装されたスイッチ本体１３及び発光ダイオード１４と、スイッチノブ１５と、スイッチノブ１５の戻しばね１６とから構成する。例文帳に追加

The handle switch apparatus 1 comprises a casing 11, a circuit board 12 contained in a casing 11, a switch body 13 and a light emitting diode 14, both mounted on the circuit board 12, a switch knob 15, and a return spring 16 of the switch knob 15. - 特許庁

導光板１５の光源１６に対向した辺を含む第１の側壁１５ａの長さは、第１の側壁１５ａの反対側の第２の側壁１５ｂの長さより小さく、バックライト筐体１４の内壁は、導光板１５の形状に対応した略四辺形を構成する。例文帳に追加

The length of a 1st side wall 15a including the side opposite to the light source 16 of the light guide plate 15 is shorter than that of a 2nd side wall 15b on an opposite side of the 1st side wall 15a, and an inner wall of the backlight housing 14 is shaped in almost a quadrilateral shape corresponding to the shape of the light guide plate 15. - 特許庁

本発明は、半田マスク板１に穿設した開口部２及び半田マスク板１の裏面に合成樹脂層３を形成するものである。例文帳に追加

A synthetic resin layer 3 is formed in openings 2 made in the solder mask board 1 and on a rear face of the solder mask board 1. - 特許庁

半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 21 and a p-type semiconductor region 22 are provided for constituting a zener diode as a protective element in the semiconductor substrate 5. - 特許庁

これと共に、比較結果を反映した宿題番号を、次番号として生成し、番号選択部２３を経てシリアル通信部２１に供給する。例文帳に追加

A homework number reflecting the comparison results is generated as a next number, and supplied to a serial communication part 21 through a number selection part 23. - 特許庁

当選番号が確定した場合、宝くじ販売装置１の制御部２は、販売情報データベース５が管理する情報に基づいて当選者を判断し、当選金を計算する。例文帳に追加

When winning numbers are determined, a controlling part 2 of the lottery selling device 1 decides a winner on the basis of the information managed by the sale information database 5 and calculates winning money. - 特許庁

リードレスチップキャリア１２を構成するリードレスチップキャリア基板１４には電極１６が形成され、有機基板２２のはんだ被接合部２３と電極１６とをはんだ接合しているはんだ接合部２０の厚みが所定範囲内にされている。例文帳に追加

Each electrode 16 is formed in a leadless chip carrier substrate 14 constituting the leadless chip carrier 12, and the thickness of each solder joining portion 20 which joins by solder each electrode 16 to each solder-joined portion 23 of the organic substrate 22 is made to fall within a predetermined scope. - 特許庁

電源ラインを構成するバスバーは、バスバー１７３ａとバスバー１７３ｂとに分離され、それらの間には、半導体モジュール外部に引き出された導線部材１７５が結合される。例文帳に追加

A bus bar constituting a power source line is separated into bus bars 173a, 173b, with a conductor member 175 drawn outside of the semiconductor module being connected between these bus bars. - 特許庁

【解決手段】本発明のエアバッグ装置１は、第１及び第２フロントセンサ１２、１３と通信途絶判定部１４７、１４８とセーフィング強制オン信号生成部１４９と診断部１５とを備えている。例文帳に追加

An airbag device 1 of the invention is provided with first and second front sensors 12 and 13, a communication stoppage judging parts 147 and 148, a safing forced on signal generating part 149 and a diagnosis part 15. - 特許庁

化合物半導体装置は、結晶基板２１と、基板２１に支持されるように気相成長により形成され、且つマグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６を具備する。例文帳に追加

The compound semiconductor device comprises a crystal substrate 21, and first semiconductor layers 25 and 26 of p-type or n-type nitride based compound containing magnesium formed by vapor phase epitaxial growth such that it is held on the substrate 21. - 特許庁

育苗箱搬送装置において、移動可能な搬送台車６と、育苗箱受け渡し部５又は育苗箱受け入れ部１６５と搬送台車６との間を移動可能な補助搬送台車１５０とを備え、補助搬送台車１５０により育苗箱受け渡し部５又は育苗箱受け入れ部１６５と搬送台車６との間で育苗箱Ｃを移動可能に構成する。例文帳に追加

This seedling culture box transporting device comprises a movable transporting carriage 6 and an auxiliary transporting carriage 150 capable of moving between a seedling culture box delivery section 5 or a seedling culture box receiving section 165 and the transporting carriage 6, and is structured to move seedling culture boxes C between the seedling culture box delivery section 5 or the seedling culture box receiving section 165 and the transporting carriage 6 with the auxiliary transporting carriage 150. - 特許庁

また、伝送線路２５は、ボンディング電極１２の中の所定の回路ブロックである例えば出力バッファ回路ブロック１５と接続された第１のボンディング電極１７と誤動作判定回路２１の入力端とを接続する。例文帳に追加

Further, the transmission line path 25 connects an input end of the malfunction decision circuit 21 to a first bonding electrode 17 connected to, for example, an output buffer circuit block 15 as a predetermined circuit block in a bonding electrode 12. - 特許庁

１回の判定では誤判定をする可能性がある場合には、数回の判定結果により最終判定し、対応処理を行うようにする。例文帳に追加

When there is a possibility of an error for one determination, it is finally determined by results of a plurality times of determination to perform a corresponding processing. - 特許庁

該装置は、一次状態調節シリンダ１５及び一次状態調節ピストン２５の直径を変化させ、さらに媒体の温度を制御することにより、研摩材媒体を所定の範囲の粘度内に管理し共用可能とする。例文帳に追加

The abrasive medium can be controlled at the viscosity in a prescribed range for common use by changing the diameters of a primary state adjusting cylinder 15 and a primary state adjusting piston 25 and controlling the temperature of the medium. - 特許庁

その反射光線束４３は、レンズ系１１を通過し、その通過後の光線束４４のうち所望の光線束のみが選択的に光線束制限部１２の開口１２ａを通過する。例文帳に追加

The flux of reflected rays 43 from each section 5 passage through the lens system 11 and, after passing through the system 1, only a desired bundle of rays of the passed flux of rays 44 selectively passes through the opening 12a of a flux-of-ray restricting section 12. - 特許庁

半導体(コレクタ層１３)/金属(ベース層１４)/半導体(エミッタ層１５)から成る３層構造の各層は、窒化物で構成されている。例文帳に追加

Each layer of three-layer structure comprises a semiconductor (a collector layer 13)/a metal (a base layer 14)/the semiconductor (an emitter layer 15) is composed of a nitride. - 特許庁

第１の基板上に形成された第１の半導体集積回路２０１及び第２の半導体集積回路２０２は、それぞれ別の基板（第４の基板２０９及び第５の基板２１０）に移された後、１つずつの半導体集積回路に対応する半導体装置に分断される。例文帳に追加

After the first semiconductor integrated circuits 201 and the second semiconductor integrated circuits 202 formed over the first substrate are transferred to the other substrates (a fourth substrate 209 and a fifth substrate 210) respectively, the circuits are divided into a semiconductor device corresponding to each semiconductor integrated circuit. - 特許庁

回路基板１２に半導体発光素子１３をフリップチップ実装したＬＥＤ装置１０の製造方法は、ＬＥＤ素子１３が実装された集合基板５１を準備する基板準備工程と、集合基板５１を加熱し、半導体発光素子１３の裏面の温度をサーモグラフィ５２で測定し、接合状態の良否判定を検査部５３で行う接合判定工程と、集合基板５１を蛍光体を含有する樹脂層１１で封止する封止工程と、集合基板５１を切断し個片化した半導体発光装置１０を得る個片化工程とを備える。例文帳に追加

Accordingly, the temperature of the LED element 13 is measured in such a state that the rear face is exposed, so that quality determination of the joint state can be precisely performed. - 特許庁

化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device comprises an integrated circuit layer 102 equipped with an integrated circuit formed on a principal face of a first substrate 101 composed of a compound semiconductor, an insulation film 103 formed on the first substrate 101 while covering the integrated circuit layer 102 and a second substrate 104 bonded on the insulation film 103. - 特許庁

合成画像に付加データが検出されない場合は、画像判定手段２０１は、印刷指示信号を出力せず、合成画像を印刷しない。例文帳に追加

When no additional data are detected in the synthetic image, the image judgement means 201 does not output the print instruction signal and the synthetic image is not printed. - 特許庁

判断部２９により、勾配値（θｂ−θａ）／（Ｆｂ−Ｆａ）が、目標勾配値範囲ＰＲ１内の値であると判断されると（ＳＡ１３：Ｙｅｓ）、周波数変更制御部２４は、駆動信号ＤＳの駆動周波数の周波数値が変更されないように、信号生成部２１を制御する（ＳＡ１５）。例文帳に追加

When a determination part 29 determines that the gradient value (θb-θa)/(Fb-Fa) falls within a target gradient value range PR1 (SA13: Yes), a frequency change control part 24 controls a signal generation part 21 so that the frequency value of the driving frequency of the driving signal DS is not changed (SA15). - 特許庁

駆動制御部１０に基づき制御を行う制御部１は、搬送経路に設けられ記録媒体２１を挟持してベルト搬送機構５へ搬送するローラ搬送機構８の駆動タイミングを、この選択された情報に基づいて制御して、記録媒体２１をベルト搬送機構５へ搬送する。例文帳に追加

The control part 1 for controlling by a drive control part 10 controls the drive timing of a roller conveying mechanism 8 installed in the conveying route, holding the recording medium 21, and conveying it to the belt conveying mechanism 5 according to the selected information, and conveys the recording medium 21 to the belt conveying mechanism 5. - 特許庁

前記有機発光媒体層を構成する各層のいずれかの成分を含有率１．０〜２．５ｗｔ％の範囲で含有し、さらに粘度調整剤を添加混合して粘度を１５〜５０ｍPa・ｓを調整する。例文帳に追加

Any of components of each layer making up the organic light emitting medium layer is contained in a content ranging from 1.0 to 2.5 wt.%, and a viscosity adjusting agent is added and mixed to adjust the viscosity to 15 to 50 mPa s. - 特許庁

また半導体装置は、上記構成の第１の半導体チップ（１００）と、第１の半導体チップ（１００）を電気的に接続した外部端子（１３）を有する基板（１０）と、少なくとも第１の半導体チップ（１００）を覆う封止体（１５／１６）と、からなる。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a first semiconductor chip (100) of the above configuration; a substrate (10) with an external terminal (13) electrically connecting the first semiconductor chip (100); and sealing arrangements (15/16) for covering at least the first semiconductor chip (100). - 特許庁

半導体薄膜層１０４と、基板１０１とを有し、半導体薄膜層１０５と基板１０１とが、高融点金属１０３と、高融点金属１０３と低融点金属１０４との合金の層１２１とを介して相互に接合されて、合金１２１が、低融点金属１０４よりも高い融点を有する半導体複合装置を構成する。例文帳に追加

A semiconductor composite device having a semiconductor thin film layer 104 and a substrate 101 so that a semiconductor thin film layer 105 and the substrate 101 are bonded mutually through a high melting point metal 103, and an alloy layer 121 of a high melting point metal 103 and a low melting point metal 104 and the alloy 121 has a higher melting point than the low melting point metal 104. - 特許庁

エアバッグ１２２は、このエアバッグ１２２の一部である第２構成部１２４がリテーナー１２８の外部においてハンドル１０４のハンドル中央部１０４ａを前後方向に跨ぐように配置され、この配置部分が取付具１２５によってパネル１０５の前部に取り付けられる。例文帳に追加

The air bag 122 is arranged so that a second constitution section 124 as a part of the air bag 122 straddles a handle central section 104a of the handlebar 104 in the longitudinal direction outside the retainer 128, and the arrangement section is attached to the front part of a panel 105 by a fixture 125. - 特許庁

振動源１１０、１１１を駆動する際の駆動信号の位相を調整することで、発生した板波の合成並みの節の位置を、梁１２０から許容範囲内に位置させる。例文帳に追加

By adjusting phases of driving signals when driving the vibration sources 110, 111, the position of a node of a composite wave of generated plate waves is located within an allowable range from the beam 120. - 特許庁

半導体チップ５を支持基板２２上に高精度で位置決めし、載置・固定することができる樹脂封止型半導体装置１を提供する。例文帳に追加

To provide a resin sealed semiconductor device in which a semiconductor chip can be mounted fixedly on a supporting board, while being positioned with high accuracy. - 特許庁

トロリ線Ｔのハンガ装置は、金属棒材又は板材を屈曲して構成されるハンガバー１と、ハンガバー１の下部に設けられてトロリ線Ｔを把持するイヤ２と、ハンガバー１の屈曲部４に装着される弾性合成樹脂製の保護カバー３とで構成される。例文帳に追加

The hanger device of the trolley wire T is constituted by a hanger bar 1 constituted by bending a metal bar material or a plate material; an ear 2 provided on a lower part of the hanger bar 1 and gripping the trolley wire T; and a protection cover 3 made of an elastic synthetic resin attached to a bent part 4 of the hanger bar 1. - 特許庁