「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体封止用接着剤の反応開始温度≧（ｄ）有機溶媒の沸点 （Ｉ）０．５≦半導体封止用接着剤中の（ｄ）有機溶媒の含有量（質量％）≦１．５ （ＩＩ）例文帳に追加

The formula (II) is [0.5≤(content (mass%) of (d) organic solvent in adhesive for sealing semiconductor)≤1.5]. - 特許庁

更に、分離判定部１０３は、差替えるデータ放送番組要素があれば同様に置換 合成部１０４に通知する。例文帳に追加

Further, when there is a data broadcast program element to be replaced, the separation deciding part 103 similarly notifies the replacing/compositing part 104 of the element. - 特許庁

防犯カバーユニット２０は、上カバー３１と下カバー３２とから構成され、主制御装置１５を収納する。例文帳に追加

A crime-prevention cover unit 20 consists of an upper cover 31 and a lower cover 32 to house a main controller 15. - 特許庁

有機ＥＬ装置などを製造するための基板処理装置において、固定チャンバ１５ｂ、１５ｄを接続する基板搬送室３２の内部には、一対のローラ５４ａ、５４ｂの間にベルト５３が張架され、かかるベルト５３には基板搭載部５１が一体に構成されている。例文帳に追加

In the substrate processing apparatus for manufacturing the organic EL device, a belt 53 is extended between a pair of rollers 54a and 54b in a substrate conveyance chamber 32 connecting fixed chambers 15b and 15d to each other, and a substrate mounting portion 51 is constituted integrally with the belt 53. - 特許庁

エラーの発生はバンクＥＣＣ生成／照合修正回路１４ａ〜１４ｃの出力信号に基づいて判定する。例文帳に追加

The occurrence of the error is decided based on the output signals of bank ECC generation/collation correcting circuits 14a to 14c. - 特許庁

反応ステージ１０３は更に、反応容器１０１内のＤＮＡマイクロアレイ１１０ａの温度を調整するため、ベース部１２０とカバー部１２３に埋め込まれた板状ヒーター１０５を有している。例文帳に追加

The reaction stage 103 comprises a plate-shaped heater 105, embedded in both the base part 120 and the cover part 123 for adjusting the temperature of the DNA microarray 110a in the reaction vessel 101. - 特許庁

半導体チップ１を構成する半導体基板１０の表面に受光部１０Ｐ及び発光部１０Ｌが配置されており、それらと対向して、接着剤１５を介して支持体１６が貼り合わされている。例文帳に追加

The light reception part 10P and the light emitting part 10L are arranged on the front face of a semiconductor substrate 10 constituting a semiconductor chip 1, and a support body 16 is stuck oppositely to them through an adhesive 15. - 特許庁

反発磁場コイルユニット１５および反発磁場電源１６は、静磁場磁石からの漏洩磁場を相殺してゼロ磁場領域を形成する反発磁場を発生する。例文帳に追加

A repulsive magnetic field coil unit 15 and a repulsive magnetic field power supply 16 generate a repulsive magnetic field to offset a leakage magnetic field from a static magnetic field magnet and to form a zero magnetic field area. - 特許庁

また、アースラインを構成するバスバーは、バスバー１７４ａとバスバー１７４ｂとに分離され、それらの間には、半導体モジュールの外部に引き出された導線部材１７６が結合される。例文帳に追加

A bus bar constituting an earth line is separated into bus bars 174a, 174b, with a conductor member 176 drawn outside of the semiconductor module being connected between these bus bars. - 特許庁

第１の基板１の表面に金属薄膜の反射板３を有し、かつ絶縁性薄膜４を介してＩＴＯ電極５を有する反射型液晶セル構成において、第１の基板１のＩＴＯ電極５を信号側とし、第２の基板９のＩＴＯ電極６を走査側とした。例文帳に追加

In the reflection type liquid crystal cell structure having a metal thin film reflector 3 on the surface of a first substrate 1 and having an ITO electrode 5 with an insulating thin film 4 interposed, the ITO electrode 5 on the first substrate 1 is used for signals, while an ITO electrode 6 on the second substrate 9 is used for scanning. - 特許庁

調整ネジ５５Ｙで、板バネ部材５４Ｙの第一面５４ａＹをホルダー側へ押圧していくと、板バネ部材５４Ｙが、第二面５４ｂＹの先端Ｂを中心にして、板バネ部材５４Ｙ全体が、図中反時計回りに回動する。例文帳に追加

In the main scan line curvature correction mechanism, when a first side 54aY of a leaf spring member 54Y is pressed by an adjustment screw 55Y toward a holder side, the leaf spring member 54Y as a whole rotates counterclockwise with respect to the figure around a tip B of a second side 54bY. - 特許庁

搬送機構５０は、真空搬送チャンバ１０の長手方向に沿って移動可能とされた搬送基台５１の上に、回転及び屈伸自在とされた２つの搬送アーム５２、５３を設けて構成されている。例文帳に追加

A carrying mechanism 50 is provided, on a carrying base mount 51 movable along the longitudinal direction of a vacuum carrying chamber 10, with two carrying arms 52 and 53 which can turn and stretch freely. - 特許庁

その後、吸着パッド２１の各々を下降（第１の方向と反対方向に移動）させることにより、基板１をステージ１０に当接させて、その後、基板１を吸引孔１１の各々によって固定する。例文帳に追加

After that, each suction pad 21 is lowered (is moved in a direction opposite to the first direction) for allowing the substrate 1 to come into contact with the stage 10 and then the substrate 1 is fixed by each suction hole 11. - 特許庁

ピアノハンドル２は、合成樹脂の成形品よりなるハンドル本体２１と、透明合成樹脂の成形品よりなりハンドル本体２１の前面側に被着されるハンドルカバー２２とを備えている。例文帳に追加

A piano handle 2 comprises a handle body 21 molded of synthetic resin, and a handle cover 22 molded of transparent synthetic resin that covers the front side of the handle body 21. - 特許庁

ピット１４によって信号が記録されている信号面１３を透明基板１２が有しており、信号面１３を色調整膜１５及び反射膜１６が順次に覆っている。例文帳に追加

A transparent substrate 12 has a signal surface 13 having a signal recorded in a pit 14 and the surface 13 is successively covered with a color adjusting film 15 and a reflection film 16. - 特許庁

コンプレッサ１７の底部は４個の制振ばね１０１〜１０７によって支持されており、第２制振系を構成する制振ばね１０１〜１０７のばね定数は、振動を抑制して騒音の発生を防止するために、０．０５１２〜０．１７８８ｋｇｆの範囲内に設定されている。例文帳に追加

The bottom part of the compressor 17 is supported by four damping springs 101-107, and the spring constant of the damping springs 101-107 constituting a second damping system is set to be within a range of 0.0512-0.1788 kgf in order to suppress the vibrations and prevent the generation of the noise. - 特許庁

第１セル１（０−１，１０−２，１０−３）を使用した場合には、Ｍ１電源配線（１０１−１，１０１−２，１０２−２，１０２−３）がセルの境界から離れた位置にレイアウトされているため、半導体集積回路のレイアウトにおいてセル間で電源配線が合成されない。例文帳に追加

In the case that a first cell 1 (0-1, 10-2, 10-3) is used, M1 power source wiring (101-1, 101-2, 102-3) is subjected to layout at a position isolated from a boundary of a cell, so that power source wiring is not combined between cells in layout of a semiconductor integrated circuit. - 特許庁

レーザ光源１は、出力ミラー１１，レーザ媒質１２，光ビーム径調整部１３，アパーチャ１４，反射ミラー１５，駆動部２１，制御部２２を備え、出力ミラー１１から外部へレーザ発振光３１を出力する。例文帳に追加

The laser light source 1 is provided with: an output mirror 11, a laser medium 12; a light beam diameter adjustment part 13; an aperture 14; a reflection mirror 15; a driving part 21; a control part 22, and outputs the laser oscillated light 31 from the output mirror 11 to the outside. - 特許庁

この研削装置１００によれば、保護部材２の厚みＸ_２が半導体基板１相互間においてばらついていても、半導体基板１の厚みＸ_１の仕上げ厚み寸法精度を高く保持することができ、電気特性が安定した信頼性の高いデバイスを得ることができる。例文帳に追加

The thickness X_1 of the semiconductor substrate 1 is calculated from the difference (X_3-X_2) of the respective measurements of each substrate 1. - 特許庁

半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、室温下にて、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体チップ、及び、前記基板又は他の半導体チップは、厚さが５０〜３００μｍであり、前記半導体部品用接着剤は、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜４０Ｐａ・ｓ、１０ｒｐｍにおける粘度が１０〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ実装体の製造方法。例文帳に追加

Each of the semiconductor chip, and the substrate or the other semiconductor chip has a thickness of 50-300 μm and the adhesive for the semiconductor component has a viscosity in 0.5 rpm measured by an E type viscometer at 25°C is 20-40 Pa s and in 10 rpm is 10-30 Pa s. - 特許庁

コリメート領域Ｂ１から出射する光線束は、基板１１の上面１１ａと、集光領域部Ａ５およびそれ以降の集光領域部に形成された反射面Ｃの間で全反射を繰り返して基板１１の内部を進行し、基板１１の端部に設けられた出力部から導出される。例文帳に追加

The luminous flux emitted from the collimating area part B1 travels in the substrate 11 while being repeatedly totally reflected between the upper face 11a of the substrate 11 and a reflective face C formed in a converging area part A5 and following converging area parts and is emitted from an output part provided in the end part of the substrate 11. - 特許庁

半導体チップ５上に配されて半導体集積回路３の一部を構成するハードマクロ（例えば、ＲＡＭ１、ＰＬＬ回路２）１，２には、該ハードマクロ１，２の内部を通過する通過配線１１ａ〜１１ｆ、２１ａ〜２１ｆが、該ハードマクロ１，２の半導体チップ５上への配置前に予め施されている。例文帳に追加

In the hard macros (for example, RAM 1, PLL (phase locked loop) circuit 2) 1, 2 constituting portions of the semiconductor integrated circuit 3 disposed on a semiconductor chip 5, wiring 11a-11f, 21a-21f passing through the inside of the hard-macros 1, 2 is prearranged before the hard-macros 1, 2 are disposed on the semiconductor chip 5. - 特許庁

中空成形品１０は、幅Ｗ方向において分割され開口縁に接合部１４を有する一対の半中空体１２で構成されている。例文帳に追加

The hollow molded article 10 is composed of a pair of half-hollow bodies 12 which are divided in the width W direction and have a joint part 14 at an opening edge. - 特許庁

半導体装置１０は、バンドギャップの幅が異なる２種類の窒化物半導体で構成されている第１ヘテロ接合４０ｂと、その第１ヘテロ接合４０ｂに電気的に接続可能であるとともにバンドギャップの幅が異なる２種類の窒化物半導体で構成されている第２ヘテロ接合５０ｂと、第２ヘテロ接合５０ｂに対向しているゲート電極５８を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 includes a first hetero-junction 40b consisting of two kinds of nitride semiconductors having different band gap widths, a second hetero-junction 50b consisting of two kinds of nitride semiconductors having different band gap widths, which can be electrically connected to the first hetero-junction 40b, and a gate electrode 58 opposed to the second hetero-junction 50b. - 特許庁

転写ロール１０２にバイアス電圧を供給する軸１０４、この軸１０４を支持する軸受１０５、転写ロール１０２に向けて搬送される用紙を案内する金属製の案内板１１１を備えた構成において、軸１０４と案内板１１１との間、軸受１０５と案内板１１１との間を遮蔽する遮蔽部材１１２を配置する。例文帳に追加

A transfer device includes: a shaft 104 supplying the bias voltage to a transfer roll 102; the bearing 105 supporting the shaft 104; and a metallic guide plate 111 guiding a paper conveyed toward the transfer roll 102, wherein a shield member 112 shielding the gap between the shaft 104 and the guide plate 111 and the gap between the bearing 105 and the guide plate 111, is arranged. - 特許庁

複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。例文帳に追加

Each of the plurality of LED chips 10 has a substrate 11, a seed layer 12, an n-type semiconductor layer 14, a light emitting layer 15, and a p-type semiconductor layer 16. - 特許庁

液晶セル２０と半透過反射板１４とバックライト装置１３０とを備えて成る半透過型カラー液晶表示装置１において、半透過反射板１４を挟むようにして第１及び第２カラーフィルタ２６、１５を配設した。例文帳に追加

The semi-transmission type color liquid crystal display 1 comprising a liquid crystal cell 20, a semi-transmission and reflection plate 14, and a back light unit 130 has a 1st color filter 26 and a 2nd color filter 15 arranged across the semi-transmission and reflection plate 14. - 特許庁

第１の改善装置１０は、エアクリーナ２に近い側（図２中の下側）から、ケース１１，磁気発生板１２，ケイ素１３，銅板１４，微弱エネルギテープ１５，銅板１６，微弱エネルギテープ１７，反射板１８，蓋１９が積み重ねられた構成とする。例文帳に追加

A first improving device 10 is constructed by overlaying a case 11, a magnetism generating plate 12, a silicon 13, a copper plate 14, a slight energy tape 15, a copper plate 16, a slight energy tape 17, a reflecting plate 18 and a cover 19, in the order near an air cleaner 2 (on the lower side in Fig.2). - 特許庁

半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。例文帳に追加

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 100 including an n-type cladding layer 103, an active layer 105 and a p-type cladding layer 108 which are sequentially laminated on a substrate 101, and forming a resonator. - 特許庁

さらに、金属フィラーを含む樹脂からなる樹脂モールド部５２によって一体的にモールドされ、正極バスバー５０と負極バスバー５１との間の抵抗が、１ｋΩ〜１００ｋΩの範囲内になるように調整されている。例文帳に追加

The bus bars are integrally molded by the resin molding portion 52 comprising the resin including metal fillers and the resistance between the positive bus bar 50 and the negative one 51 are regulated to be in the range of 1kΩ-100kΩ. - 特許庁

光学デバイスは、平板状の基板部１２及び矩形枠状のリブ１３からなる筐体１０の内部空間１４に、半導体チップ３０と光学素子チップ１５とを配置して構成されている。例文帳に追加

The optical device is configured by disposing a semiconductor chip 30 and an optical element chip 15 in an internal space 14 of a chassis 10 comprising a flat plate base portion 12 and a rib 13 in a rectangular frame shape. - 特許庁

【解決手段】本発明のエアバッグ装置１は、フロアセンサ１０と低速衝突判定部１１４と第１及び第２フロントセンサ１２、１３と低速衝突無効信号生成部１５とを備えている。例文帳に追加

An airbag device 1 is provided with a floor sensor 10; a low speed collision determination part 114; the first and second front sensors 12, 13; and a low speed collision invalid signal production part 15. - 特許庁

横方向成長的にピットの底部Ｓを第２のIII族窒化物系化合物半導体４が覆ったのち、再度第１のIII族窒化物系化合物半導体層３２を形成すべくエピタキシャル成長を行えば（ｃ）、凹部には急速にIII族窒化物系化合物半導体３２が形成され、極めて平坦なｃ面が形成される（ｄ）。例文帳に追加

Thus, the group III nitride compound semiconductor 32 is formed quickly in a recess, and a very flat (c) surface is formed (d). - 特許庁

第１の半導体ウェハ３１と、第２の半導体ウェハ４５とを、基板間配線６８で接続する構成とする。例文帳に追加

The semiconductor apparatus is constituted so that a first semiconductor wafer 31 and a second semiconductor water 45 connected together by inter-substrate wiring 68. - 特許庁

信号線１２１は、図中、幅ｗ_2にて右から延設され、範囲Ｓ_1でｗ_0となるよう範囲Ｓ_3で広がるよう形成されている。例文帳に追加

In the drawing a signal line 121 extending from right with a width w2 is changed to a width w0 in the section S1 and expands in the section S3. - 特許庁

一方、言語体系がアラビア語であれば（Ｓ１０２：アラビア語）、右から左へと文字を書く言語であるため、同じ位置情報のＸ座標を計算し直して（Ｓ１０７）、構成要素の配置が、英語の場合と左右で反対側の位置となるように配置して表示する（Ｓ１０８）。例文帳に追加

When a language system is Arabic (S102: Arabic), on the other hand, characters are written from a right side to a left side, so X coordinates of the same position information are recalculated (S107), and components are arranged and displayed at positions on the right-left opposite side from those of English (S108). - 特許庁

平版印刷版１０と合紙１４のみ、又は平版印刷版１０のみで積層束１２が構成され、内装紙１６等の包装材で包装される。例文帳に追加

A layered bundle 12 comprises only a lithographic printing plate 10 and liner sheets 14 or only the plate 10, and is wrapped with a packaging material such as an interior wrapping sheet 16. - 特許庁

半導体チップ１１０とカバーガラス１１２の接合時に接着剤１１６がはみ出した場合に、その余剰接着剤は、はみ出し防止用凹部１１０Ａ、１１２Ａ内に吸収され、大きく外側にはみ出さず、はみ出し防止用凹部１１０Ａ、１１２Ａ内に貯留される。例文帳に追加

When the adhesive 116 is protruded, upon bonding the semiconductor chip 110 to the cover glass 112, the excessive adhesive is absorbed into the recessed parts 110A, 112A for preventing the protrusion, whereby the adhesive will not be forced out so much and is reserved in the recessed parts 110A, 112A for preventing the protrusion of the same. - 特許庁

そして、冷媒漏洩判断部１５は、圧縮機６が停止しているときに温度センサ１１が検出した冷媒温度が所定速度を越えて下降したときに、冷媒が急速に漏洩していると判断する。例文帳に追加

Further, a refrigerant leakage deciding part 15 decides that the refrigerant rapidly leaks when the refrigerant temperature detected by the temperature sensor 11 is lowered at a speed exceeding a given value when a compressor 6 is stopped. - 特許庁

そして、冷媒漏洩判断部１５は、圧縮機６が停止しているときに温度センサ１１が検出した冷媒温度が所定速度を越えて下降したときに、冷媒が急速に漏洩していると判断する。例文帳に追加

A refrigerant leakage determination part 15 determines a rapid leakage of the refrigerant when the refrigerant temperature detected by the temperature sensor 11 drops over a predetermined rate when a compressor 6 is stopped. - 特許庁

光記録媒体１は、光入射側となる第１の基板２１上に、第１の記録層３１、第１の反射層４１、中間層１５、保護層７、第２の記録層３２、第２の反射層４２及び第２の基板２２がこの順に積層された構成を有している。例文帳に追加

This optical recording medium 1 has a structure where a first recording layer 31, a first reflection layer 41, an intermediate layer 15, a protective layer 7, a second recording layer 32, a second reflection layer 42, and a second base 22 are sequentially stacked in this order on a first substrate 21 which becomes the light incidence side. - 特許庁

正中(日本)元年（1324年）、後醍醐天皇の倒幕計画が露見した正中の変において、『太平記』に拠れば鎌倉へ送られた後醍醐天皇誓書の判読を止めたという。例文帳に追加

According to the "Taiheiki" (The Record of the Great Peace), he supposedly stopped the deciphering of the imperial command of Emperor Godaigo sent to Kamakura during Shochu Disturbance when the subjugation plan of Emperor Godaigo against the bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) was revealed in 1324.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

演算回路５は車両信号の内容を判断し、位置調整動作開始条件を満たす場合は位置調整動作を開始するとともに、満たさない場合は位置調整動作を開始しない。例文帳に追加

The arithmetic circuit 5 determines the content of a vehicle signal, and starts position adjusting operation if a position adjusting operation starting condition is satisfied, and does not start the position adjusting operation if the condition is not satisfied. - 特許庁

板状放射素子１１の背面側に所定の間隔、例えば１００ｍｍ程度の間隔を保って反射板１４を設けると共に、この反射板１４の上下に金属により反射板１４の幅と略同じ長さに形成した棒状の反射素子１５、１６を所定の間隔を保って配置し、反射器１７を構成する。例文帳に追加

A reflector 17 is constituted by providing the reflector plate 14 on the rear side of the plate-like radiating element 11 by maintaining a prescribed interval, for example, to the degree of about 100 mm and arranging bar-like reflector elements 15, 16 formed as approximately the same length as width of the reflector plate 14 by metal on the upper and lower sides of the reflector plate 14. - 特許庁

半導体発光層２に電気エネルギーを供給する電極４１１〜４１４は、基板を貫通し半導体発光層２に到達する微細孔５１１〜５１４内に充填された導体によって構成されている。例文帳に追加

Electrodes 411-414 for supplying electric energy to the semiconductor light-emitting layer 2 are composed of a conductor filled in micropores 511-514 penetrating through the substrate and reaching the semiconductor light-emitting layer 2. - 特許庁