「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

放物面境１２は、これら試験光信号及び校正光信号をファイバ３０及び３２に反射する。例文帳に追加

The mirror 12 reflects the tested signal and the calibration signal to fibers 30, 32, respectively. - 特許庁

半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。例文帳に追加

A semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 10a; an insulation film 10b formed on one surface of the semiconductor substrate 10a; a vertical hole wiring part 30; a metal film 11; and a conductive protection film 12. - 特許庁

界面活性剤及び香料を含有する液体芳香洗浄組成物において、５℃における粘度が１５００〜２５００ｍＰａ・ｓの範囲、１５℃における粘度が１０００〜２０００ｍＰａ・ｓの範囲、および２５℃における粘度が８００〜１８００ｍＰａ・ｓの範囲となるように調製する。例文帳に追加

The composition has a viscosity range of 1,500-2,500 mPa×s at 5°C, 1,000-2,000 mPa×s at 15°C and 800-1,800 mPa×s at 25°C. - 特許庁

後部液晶パネル２１には、偏光板２１６のガラス基板２１５とは反対側に視野角調整フィルム２１７が貼られている。例文帳に追加

A rear liquid crystal panel 21 includes a view angle adjustment film 217 stuck to an opposite side to a glass substrate 215 of a polarizing plate 216. - 特許庁

暗証番号判定手段５は、この指置き及び指離しを「１」「０」ビットの組合せで構成された暗証番号として判定する。例文帳に追加

A password code decision means 5 decides the finger placing and leaving as a password code composed of a combination of bits '1' and '0'. - 特許庁

基板に化合物半導体を結晶成長する際の基板の反りを抑制する。例文帳に追加

To suppress warpage of a substrate during crystal growth of compound semiconductor on the substrate. - 特許庁

干渉計２では、透明基板１３ａの片面が反射透過面である平板型のＢＳ１３で入射光を２光束に分離し、２光束を固定鏡１５および移動鏡１４でそれぞれ反射させた後、ＢＳ１３で合成して干渉させる。例文帳に追加

The two light beams are reflected by a fixed mirror 15 and a moving mirror 14, respectively, and thereafter synthesized by the BS 13 to interfere with each other. - 特許庁

プラズマ処理装置はプラズマ源と基板ホルダ１５を含む反応容器１０によって構成される。例文帳に追加

The plasma processing apparatus includes a reactor vessel 10 having a plasma source and a substrate holder 15. - 特許庁

第１の接合部材である回路基板２と第２の接合部材である半導体素子３とをはんだ接合して構成されるはんだ接合体１の製造方法であって、前記回路基板２と半導体素子３とのはんだ接合時に、該回路基板２と半導体素子３との間に介在させた溶融はんだ４に対して交流磁場を付与し、付与した交流磁場により溶融はんだ４に振動を加える。例文帳に追加

In this case, when the circuit board 2 and the semiconductor element 3 are bonded by solder, alternating magnetic field is applied to a melted solder 4 interposed between the circuit board 2 and the semiconductor element 3, and the applied alternating magnetic field is used to give any vibration to the melted solder 4. - 特許庁

商品販売システム１は、インターネット１００と、小・中学生や高校生が学校終業後に通う塾１０と、塾１０の生徒（塾生）に食料を販売する商品販売店２０とから構成される。例文帳に追加

This merchandise selling system 1 is configured of an Internet 100, a private school 10 to which school children/junior high school students or high school students commute after school and a merchandise selling store 20 for selling food to the students of the private school 10 (private school students). - 特許庁

この半導体装置では、増幅器１０１および周波数混合器１０２がヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で構成された。例文帳に追加

In this semiconductor device, an amplifier 101 and a frequency mixer 102 are composed of a heterojunction bipolar transistor (HBT). - 特許庁

これらのパッド１５を、装置基板２の面２ａにパッド用接着剤１６により接着して、各半導体発光素子１１と交互に配設する。例文帳に追加

These pads 15 are adhered to the plane 2a of the device substrate 2 with adhesives 16 for pad, and are arranged alternately with each semiconductor light-emitting element 11. - 特許庁

液晶表示装置は、この信号処理基板１３を備え、表示画面とは反対側の裏面にＶＲ１５の調整部１５ａを露出させる。例文帳に追加

In the liquid crystal display having the signal processing board 13, the adjustment part 15a of VR15 is exposed to the rear surface opposite to the display screen. - 特許庁

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、前記のＡｌＩｎＡｓバッファ層の膜厚を１μｍ以上として化合物半導体素子を構成する。例文帳に追加

The compound semiconductor device having the AlInAs buffer layer as the first compound semiconductor layer on the substrate and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer is constituted by adjusting the film thickness of the AlInAs buffer layer to ≥1 μm. - 特許庁

Ｆ１５を判断し、シミュレーション結果が期待値と不一致の場合は、ＨＤＬＦ１１の修正を行うか論理合成制約Ｆ１０の制約条件を変更して、再度自動ゲーテッド化論理合成ステップＳ１１を実行する。例文帳に追加

When the F15 is judged and the simulation result does not agree with an expected value, an HDL F11 is corrected or a restriction condition of a logic synthesis restriction F10 is changed to execute an automatic gated changing logic synthesis step S11 again. - 特許庁

マイクロミラーデバイス１００は、メンブレン部１１１を有するマイクロミラー基板１１０と、マイクロミラー基板１１０に対向して配置された電極基板１２０と、マイクロミラー基板１１０と電極基板１２０の間に配置され両者の間隔を規制する中間部材１３０と、マイクロミラー基板１１０と電極基板１２０を接合するハンダボール１５０とから構成されている。例文帳に追加

A micromirror device 100 includes: a micromirror substrate 110 having a membrane part 111; an electrode substrate 120 disposed oppositely to the micromirror substrate 110; an intermediate member 130 located between the micromirror substrate 110 and the electrode substrate 120 to regulate a space therebetween; and a solder ball 150 for bonding the micromirror substrate 110 and the electrode substrate 120 together. - 特許庁

又、保護カバー１５をエプロンサイドメンバフロント２の側面に取り付け、該エプロンサイドメンバフロント２の側面と、前記保護カバー１５の前面１５ａと底面１５ｆ及びエプロンサイドメンバフロント２とは反対側の側面１５ｃとでハーネス１２を覆い隠すよう構成する。例文帳に追加

Further, the protective cover 15 is mounted on a side face of an apron side member front 2 to cover the harness 12 by a side face of the apron side member front 2, a front face 15a, a bottom face 15f of the protective cover 15 and a side face 15c opposite to the apron side member front 2. - 特許庁

第１バンプ１１５ａ、及び半導体素子１１１の特性の安定を確保する静電容量成分を生じさせる容量生成用隙間１１８を形成する第２バンプ１１５ｂを備えることで、特に高速高周波動作が要求される半導体装置であっても、上記静電容量成分によって、半導体素子と回路基板１１２との接続において安定した信号の伝達を実現することができる。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a first bump 115a, and a second bump 115b for forming clearance 118 for capacity generation that allows a capacitance component for securing stability in the characteristics of a semiconductor element 111 to be generated, thus stably transmitting signals in the connection between the semiconductor element and a circuit board 112 by the capacitance component even in a semiconductor device requiring high- speed, high-frequency operation especially. - 特許庁

半導体チップ１０を実装する実装基板９の他面において、上記半導体チップ１０の少なくとも四隅に形成されるバンプ１１に対応する位置に電極１４、ダミー電極１５を設けた構成とする。例文帳に追加

The electrode 14 and a dummy electrode 15 are provided at positions on one surface of the mounting board opposite to its other surface, where the semiconductor chip 10 is mounted as the electrodes 14 and 15 are positioned corresponding to bumps 11 each formed on the four corners of the semiconductor chip 10. - 特許庁

合成樹脂シート１の全面を回転ベルト４に載せて搬送するため、搬送途中で合成樹脂シート１が引き伸ばされることはなく、合成樹脂シート１の厚さが薄くなることはない。例文帳に追加

In a carrying method, the whole surface of a synthetic resin sheet 1 is placed on a rotating belt 4 and carried thereon, and the synthetic resin sheet 1 is not stretched during the carriage and the thickness of the synthetic resin sheet 1 is not reduced. - 特許庁

１１Ｃ−四塩化炭素から１１Ｃ−ホスゲンを合成する際に、反応媒体１０として酸化鉄を用いる。例文帳に追加

When 11C-phosgene is synthesized from 11C-carbon tetrachloride, iron oxide is used as a reaction medium 10. - 特許庁

この打球発射装置Ｇは、本体部１２、回動操作部材１４、光透過性のカバー部材１５を含んで構成されるハンドル１１を備える。例文帳に追加

This ball shooting device G has a handle 11 including a main body part 12, a turning operating member 14, and a light transmitting cover member 15. - 特許庁

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。例文帳に追加

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11. - 特許庁

ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタは、化合物半導体基板１１，１２，１３上にチャネル層１４、第１の電子供給層１５、電界強度緩和層１６、第１のコンタクト層１７、リセスストッパ層５０及び第２のコンタクト層１８が順次積層されて構成されている。例文帳に追加

A channel layer 14, a first electron supply layer 15, a field intensity reducing layer 16, a first contact layer 17, a recess stopper layer 50, and a second contact layer 18 are sequentially laminated on compound semiconductor substrates 11, 12, and 13. - 特許庁

一方、半導体チップＣＨＰ２には、アンテナスイッチが形成されており、シリコン基板もしくは化合物半導体基板から構成されている。例文帳に追加

On the other hand, the semiconductor chip CHP2 is formed with an antenna switch and comprises the silicon substrate or compound semiconductor substrate. - 特許庁

センサ１２０は、液体１０１の液面１０５が光コンジット１３０を通過する光線の一部と一致する場合には光線を検知し、当該液面１０５での内部反射によって液体１０１を通過する光線の他の一部と一致する場合には光線を検知しない。例文帳に追加

A sensor 120 detects the light ray if liquid level 105 of the liquid 101 coincides with the part of the light ray which passes through the light conduit 130 and the sensor 120 will not detect the light ray, if it coincides with the other part of the light ray which passes through the liquid 101 by internal reflection in the liquid level 105. - 特許庁

合成画像分割判定部１７０は、特徴量が閾値以上である場合に撮像画像および履歴画像を合成しないと判定する。例文帳に追加

A composite image division determination part 170 determines that the captured image and a history image are not to be composed when the feature value is not smaller than the threshold. - 特許庁

基板製造装置１００の搬送制御手段１６０は、この搬送制御用熱電対１５０で測定した温度変化に応じて搬送間隔Ｑｙを認識し、調整搬送ローラ１１１Ｂの回転速度を制御することにより、基板Ｋｘの搬送速度を個別に制御する。例文帳に追加

A carrying controlling means 160 of the substrate manufacturing device 100 recognizes a carrying interval Qy according to the temperature change measured by the carrying controlling thermocouple 150, and controls the rotation speed of an adjusting carrying roller 111B, thereby individually controlling the carrying speed of the substrate Kx. - 特許庁

接合材（半田）が溶融状態から凝固する際に、例えば強制冷却ファン１によって半導体レーザ素子２を強制冷却する。例文帳に追加

When a bonding material (solder) solidifies from a melting state, the semiconductor laser element 2 is subjected to forced cooling by e.g. a forced cooling fan 1. - 特許庁

本発明の半導体基板の製造方法は、エピタキシャル成長法によって、結晶成長用基板１０１の表面に第１半導体多層膜１３０を形成するとともに、結晶成長用基板１３０の裏面に第２半導体多層膜１５０を形成する。例文帳に追加

Through epitaxial growth, a 1st semiconductor multilayered film 130 is formed on the top surface of a substrate 101 for crystal growth, and a 2nd semiconductor multilayered film 150 is formed on the reverse surface of the substrate 130. - 特許庁

基板１０の第１封止代１１の内周側に沿ってリング状の凹部２３を形成して、この第１封止代１１に対してキャップ１２の第２封止代１３をはんだ材１４を用いて封止接合することに構成した。例文帳に追加

A ring-shaped recessed portion 23 is formed along an inner peripheral side of a first sealed margin 11 of a substrate 10, and a second sealed margin 13 is joined to the first sealed margin in a sealing state by using a solder material 14. - 特許庁

ｐ形半導体領域１５の上にアノード電極１７を設け、低抵抗性基板１１にカソード電極１８を設ける。例文帳に追加

An anode electrode 17 is provided on the p-type semiconductor region 15, and a cathode electrode 18 is provided on the low resistance substrate 11. - 特許庁

下地基板１１上に無機粒子１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１と無機粒子１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。例文帳に追加

In the group III-V nitride semiconductor laminated substrate 1 having a group III-V nitride semiconductor crystal 14 formed on a ground substrate 11 by the selective growth using inorganic particles 13, a semiconductor layer 12 having a crystallinity lower than the group III-V nitride semiconductor crystal 14 is formed between the ground substrate 11 and the inorganic particles 13. - 特許庁

下地基板１１上にマスク１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１とマスク１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。例文帳に追加

In this invention, on a group 3-5 nitride semiconductor laminated substrate 1, which has a group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 formed by selective growth using a mask 13 on a base substrate 11, a semiconductor layer 12 having lower crystallinity than the group 3-5 nitride semiconductor crystal 14 is prepared between the base substrate 11 and the mask 13. - 特許庁

搬送装置におけるローラコンベア１６では、加圧ローラ５２により平版印刷版束１４を上方から加圧して平版印刷版１２の間から空気を強制排出させた後に、帯電装置７４により平版印刷版束１４の上層部に積層された平版印刷版１２を帯電する。例文帳に追加

In the roller conveyor 16 of conveying equipment, the lithographic plate 12 stacked on the upper layer part of the lithographic plate bundle 14 is charged by a charger 74 after air forcibly discharged from a clearance between the lithographic plates 12 by pressurizing the lithographic plate bundle 14 by a pressurizing roller 52 from the upper side. - 特許庁

半導体光集積素子１００は、ＧａＡｓからなる基板１０と、この基板上に配置された第１の半導体積層構造５１及び第２の半導体積層構造５２を有している。例文帳に追加

The semiconductor optical integrated element 100 includes: a substrate 10 comprising GaAs, a first semiconductor lamination structure 51 and a second semiconductor lamination structure 52 arranged on the substrate. - 特許庁

電極上に形成されたはんだバンプ１３ａ〜１３ｎを有する半導体チップ１０の該電極領域外に少なくとも３個設けた前記はんだバンプ１３ａ〜１３ｎより大径のはんだバンプ１４（ａ〜ｄ）に、上型２１を無加圧で当接させ、その後上型２１を加圧してはんだバンプ１３ａ〜１３ｎの頂点を平坦化する。例文帳に追加

An upper mold 21 is made into contact without pressure with at least three solder bumps 14(a-d) which are provided outside the electrode region of a semiconductor chip 10 and whose diameter is larger than solder bumps 13a-13n formed on the electrodes of the semiconductor chip 10, and then is pressurized for planarizing the tops of the solder bumps 13a-13n. - 特許庁

半透過反射基板の製造工程において、まず、図５（ａ）に示すように第２基板１２０上に感光性樹脂１３２を塗布する。例文帳に追加

In steps of manufacturing a transflective substrate, a photosensitive resin 132 is first applied on a second substrate 120 as shown in Figure (a). - 特許庁

光変換器８は、複数本の光ファイバーを束ねた光ファイバー束１１ａ〜１１ｃを結束部１２で束ね、光ファイバ束１１ａ〜１１ｃを構成する個々の光ファイバーをばらした後、ファイバーガイド１３の内部で、光出射端を光ファイバ束１１ａ〜１１ｃ毎に半径の異なる同心円状に再配置している。例文帳に追加

In the optical transducer 8, the optical fiber bundles 11a to 11c into which a plurality of optical fibers are bundled are bundled at a bundling part 12, where the individual optical fibers constituting the optical fiber bundles 11a to 11c are separated before light emitting ends of the respective optical fiber bundles 11a to 11c are rearranged in a fiber guide 13 into concentric circles of different radii. - 特許庁

本発明の半導体装置は、半導体基板（２０）と、半導体基板（２０）に設けられた第１配線（４、２４）と、半導体基板に設けられた第２配線（５、２５）と、一又は複数の容量セル（３、３４、３５）とを具備する。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 20, first wiring 4 and 24 provided on the semiconductor substrate 20, second wirings 5 and 25 provided on the semiconductor substrate, and one or plural capacity cells 3, 34, and 35. - 特許庁

基板１１の一主面に凸部１２を形成し、それらの間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行った後、その上に活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる。例文帳に追加

Projections 12 are formed on one main surface of a board 11, and a nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 is grown in recesses 13 between the projections 12 after growth states of triangular sectional shapes with bottom sides along bottom faces of the recessions 13. - 特許庁

半導体基板１の主表面側の全面にはイオン感応性膜７が形成され、イオン感応性膜７上には保護膜１１が形成される。例文帳に追加

An ion responsive film 7 is formed throughout the main surface side of the semiconductor substrate 1 on which a protective film 11 is formed. - 特許庁

各半円ラジアルアンテナ１１〜１３は、水平面のビーム幅が１２０°程度であるので、各アンテナ１１〜１３から得られる信号を同相合成することにより水平面指向性は無指向性となる。例文帳に追加

Each of radial antennas 11 to 13 has a beam width of about 120° in the horizontal plane, and the horizontal plane directivity becomes almost omnidirectional by combining the signals in phase from each antennas 11 to 13. - 特許庁

半導体装置１０は、外部ピン１１と、信号配線１２と、シールド配線１３と、クロックドライバ１４と、ダミークロックドライバ１５と、フリップフロップ１６と、ダミーフリップフロップ１７とから構成した。例文帳に追加

A semiconductor device 10 is constituted of an external pin 11, a signal wiring 12, a shield wiring 13, a clock driver 14, a dummy clock driver 15, a flip flop 16 and a dummy flip flop 17. - 特許庁

例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＨＥＭＴの能動層を構成するＧａＡｓバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、電子供給層１５、障壁層１６が順に積層されている。例文帳に追加

A GaAs buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, an electron supply layer 15 and a barrier layer 16 for constituting an active layer of a HEMT are laminated sequentially, for example, on a semi-insulating GaAs substrate 11. - 特許庁