「はんごうせいばいち」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目)

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はんごうせいばいちの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

基板処理装置１１は、大気と異なる雰囲気に調整された複数のチャンバ１５と、複数のチャンバ１５に被処理基板１２の搬送を行う基板搬送室１４とを有する。例文帳に追加

The substrate-treating apparatus 11 includes a plurality of chambers 15 of which the atmosphere is adjusted to differ from the air, and a substrate transfer chamber 14 which transports a substrate 12 to be treated to the plurality of the chambers 15. - 特許庁

また、当接板１５を、商品Ａの上面に当接する当接部１５ａと、落下防止板１４に係合する係合部１５ｂとから構成したので、落下防止板１４と係合した状態で当接板１５を上下方向に移動させることができ、商品搬出装置の搬出動作によって当接板１５が商品Ａの上面から脱落することがない。例文帳に追加

Since the abutment plate 15 is composed of an abutment part 15a, abutting against the upper faces of the merchandises A and engagement part 15b engaging with a drop-preventing plate 14, the plate 15 can be moved upward and downward while being engaged with the preventing plate 14 and the abutting plate 15 can be prevented from dropping off from the upper faces of the merchandises A by the convey operations of the conveying device. - 特許庁

下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。例文帳に追加

The group III-V nitride semiconductor free-standing substrate can be manufactured by forming the semiconductor layer 12 having a crystallinity lower than the group III-V nitride semiconductor crystal 14 on the ground substrate 11, after forming the inorganic particles 13 on the semiconductor layer 12, forming the group III-V nitride semiconductor crystal 14 by selective growth, and separating the ground substrate 11 at the semiconductor layer 12. - 特許庁

透明な電極を有する一対の透明基板１７、１８間に液晶を封入した液晶セル１４の視認側に半透過反射型の第１偏光板１５を配置し、液晶セル１４の視認側と反対側に半透過反射型の第２偏光板１６を配置した。例文帳に追加

A transflective first polarizing plate 15 is disposed on a viewer side of a liquid crystal cell 14 with a liquid crystal encapsulated between a pair of transparent substrates 17 and 18 having transparent electrodes, and a transflective second polarizing plate 16 is disposed on the side opposite to the viewer side of the liquid crystal cell 14. - 特許庁

例文

指向性を有する拡散性の反射シート２は、透明基板１１の二つの対向面にそれぞれ形成された指向性反射層１３及び拡散層１６と、指向性反射層１３の透明基板１１に接する側とは反対側に形成された一つのシールド反射層１５とを含んでいる。例文帳に追加

The diffusive reflection sheet 2 having directivity comprises: a directive reflection layer 13 and a diffusion layer 16 respectively formed on two opposite surfaces of a transparent substrate 11; and one shield reflection layer 15 formed on the opposite side to the side which contacts with the transparent substrate 11 of the directive reflection layer 13. - 特許庁

例文

信号処理ＩＣ１０は、半導体基板１１の第１の面１１Ａに集積回路と電極とが形成されている。例文帳に追加

The signal processing IC 10 is formed with an integrated circuit and electrodes on a first surface 11A of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

真空反応室は第一電極１１、第二電極１２、チャンバ筐体１５、及びこれらにより構成されるチャンバを含む。例文帳に追加

The vacuum reaction chamber includes a first electrode 11, a second electrode 12, a chamber chassis 15 and a chamber structured by above. - 特許庁

リード１５０、スポット溶接部１６０、及びバリ１６０ａは、共に、基板１０１の厚み範囲内に収まっている。例文帳に追加

The lead 150, the spot-welded part 160, and a bur 160a are all within a thickness range of the substrate 101. - 特許庁

生化学反応カセット１９の上面には、加圧ばね５２，５４によって付勢された加圧棒５１と接続パッド５３が当接している。例文帳に追加

The pressure rod 51 and the connection pad 53, both of which are energized by pressure springs 52 and 54, are brought into contact with the upper surface of the biochemical reaction cassette 19. - 特許庁

例文

石炭貯蔵設備は、石炭を搬送する搬送路１６１と、搬送路１６１を覆うとともに、周面に開口部１６５が設けられた搬送路カバー１６４と、開口部１６５に取り付けられた換気ユニット１７０と、を具備する。例文帳に追加

The coal storage facility includes the conveying passage for 161 carrying the coal, a conveying-passage cover 164 with an opening 165 on its periphery for covering the conveying passage 161, and a ventilating unit 170 attached in the opening 165. - 特許庁

例文

搬送動作完了時に用紙束搬送方向に対して直角な端面に当接していたジョガーフェンス１２の当接を解除し（ステップＳ１５１）、その後、中綴じされた用紙束を排紙する（Ｓ１１４−１２１）。例文帳に追加

After the carrying operation is completed, the contact of the jogger fence 12 in contact with the end face of the paper bundle perpendicular to the carrying direction of the paper bundle is canceled (S151), and then the saddle stitched paper bundle is discharged (S114-S121). - 特許庁

グリップ部１１をハンドルレバー部４と別体に構成する場合、ハンドルレバー部４と係合する係合部１３と、グリップ部１１をハンドルレバー部４に固定する締結手段を有する。例文帳に追加

When the grip section 11 is constituted in separation from the handle lever section 4, and an engaging section 13 for engaging with the handle lever section 4 and a clamping means fixing the grip section 11 to the handle lever section 4 are included. - 特許庁

携帯型頭部保護具１０は、剛性を有する平板状頭部保護区本体１１と、この平板状頭部保護区本体１１の裏面部１４側に一体的に設けられる物品収納ポケット１５と、平板状頭部保護区本体１１の裏面部１４側に一体的に設けられるハンドル部１６とを備える。例文帳に追加

The portable head-guard 10 is provided with a flat head-guarding body 11 having rigidity, an article holding pocket 15 integrally formed at the back side 14 of the guarding body 11, and a handle 16 integrally formed at the back side 14 of the guarding body 11. - 特許庁

上部を構成する上カバ１３１と下部を構成する下カバ１０１とを有し、ディスク搬送手段３００を上カバ１３１により支持し、駆動手段２５０を上カバ１３１に配置した。例文帳に追加

This device is provided with upper and lower covers 131 and 101 respectively constituting upper and lower portions, a disk carrying means 300 supported by the upper cover 131, and a driving means 250 disposed in the upper cover 131. - 特許庁

半導体装置１０は、電極パッド２１を有する集積回路と、はんだバンプ５５と、電極パッド２１をはんだバンプ５５に接続する再配線４０とを有する。例文帳に追加

A semiconductor device 10 includes an integrated circuit having an electrode pad 21, a solder bump 55, and the rewiring 40 connecting the electrode pad 21 with the solder bump 55. - 特許庁

ナノワイヤ太陽電池１，１１は、半導体基板２と、ｐｎ接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体４，５とを備える。例文帳に追加

The nanowire solar cells 1 and 11 are respectively provided with a semiconductor substrate 2 and a plurality of nanowire semiconductors 4 and 5 forming the pn-junction. - 特許庁

カッタ同期制御装置は、速度指令値に基づいてこれらの汎用モータの駆動制御を行うために複数の汎用インバータ１５Ａ、１５Ｂを備える。例文帳に追加

The synchronous controller for cutters is provided with a plurality of general purpose inverters 15A, 15B for driving control of these motors 14A, 14B. - 特許庁

第１終端抵抗１０１は第１伝送線路１００に並列に接続されて半導体デバイス１０５に外付けされている。例文帳に追加

A first terminator 101 is connected to the first transmission line 100 in parallel and is provided externally of a semiconductor device 105. - 特許庁

出力部１４は、判定部１７により「合成する」と判定された場合は、映像復号部１２からの映像信号に、付加情報抽出部１３により抽出された付加情報を合成して通信部１５に出力する。例文帳に追加

An output unit 14 combines the additional information extracted by an additional information extraction unit 13 with the video signal from a video decoding unit 12 and outputs them to the communication unit 15 if the determination unit 17 determines "to combine it". - 特許庁

本発明の配線板１は、電子部品２〜４と、配線金属板５〜１２と、はんだ１３とから構成されている。例文帳に追加

A wiring board 1 comprises electronic components 2-4, wiring metal plates 5-12, and a solder 13. - 特許庁

コバルト又はコバルト化合物からなる触媒を基体１１表面に担持し、基体１１を酸化雰囲気中で８５０℃以上１１００℃以下の範囲で熱処理した後、基体１１をオクタンチオール１５中で加熱することで、基体１１上にファイバー状のナノ炭素材料１２を合成する。例文帳に追加

A catalyst comprising cobalt or a cobalt compound is carried on a surface of a substrate 11, the substrate 11 is heat-treated in an oxidizing atmosphere within a range of 850-1,100 °C, and a fibrous nanocarbon material 12 is synthesized on the substrate 11 by heating the substrate 11 in octanethiol 15. - 特許庁

固体酸触媒であるＨ−ＺＳＭ−５を混合したフィッシャー・トロプシュ合成触媒である担持コバルト触媒が収容された第１反応槽１０に、水素と一酸化炭素との合成ガスを供給し、ＦＴ合成反応により炭化水素を合成する。例文帳に追加

The synthesis gas comprising hydrogen and carbon monoxide is supplied into the first reactor 10 fixing a carried cobalt catalyst, a Fischer- Tropsch synthesis catalyst mixed with H-ZSM-5 of solid acid catalyst, to synthesizes the hydrocarbons by the FT synthesis reaction. - 特許庁

通し用パネル９は、複数の通し柱１１と、これらの通し柱１１の外側を覆う構造用合板１３から構成されている。例文帳に追加

The panel 9 for passing comprises a plurality of through-columns 11 and a structural plywood 13 covering an outer side of these through-columns 11. - 特許庁

コントローラーボード２（図３）は、不揮発性メモリ１２１から調整データを読み出し、この調整データを用いて補正した画像信号を反射型ライトバルブ１１１Ｒ、１１１Ｇおよび１１１Ｂへ駆動信号として出力する。例文帳に追加

A controller board (fig. 3) reads the pieces of adjustment data from the nonvolatile memory 121 and outputs image signals compensated by using the pieces of adjustment data to the reflection light bulbs 111R, 1111G and 111B as driving signals. - 特許庁

合成ポリアミド繊維材料の三色浸染または捺染の方法であって、例えば式（１０１）の赤色の反応染料を、式（１０２）の黄色の反応染料と、式（１０３）の青色の反応染料と一緒に用いる方法である。例文帳に追加

This process for the trichromic dyeing or printing of the synthetic polyamide fiber material is characterized by together using, for example, a red color reactive dye of formula (101), a yellow color reactive dye of formula (102) and a blue color reactive dye of formula (103). - 特許庁

フラグが付加されていない場合は、販売実績を考慮して仮装填計画を作成、修正する（Ｓ１５１〜１５４）。例文帳に追加

If no flag is added, a temporary loading plan is prepared and fixed by considering a sales result (S151-154). - 特許庁

プリント回路板１１には、半導体チップ１２の実装部位近傍に、プリント回路板１１に加わる外部応力に伴うプリント回路板１１の撓みから半導体チップ１２を保護するための、剛性を有する保護部品１５，…が実装されている。例文帳に追加

The protection components 15, ... which protect a semiconductor chip 12 from the bending of the printed circuit board 11 with external stress added to the printed circuit board 11 and has rigidity are mounted near a mounting part of the semiconductor chip 12 on the printed circuit board 11. - 特許庁

移動局５０の移動によりハンドオーバが必要なとき、ＨＨＯ判定部１１５でハンドオーバに要する制御信号量を判定し、移動によりハンドオーバが必要になった移動局５０より優先度の低い他の移動局６０をハンドオーバする。例文帳に追加

When the handover is required due to the travel of the mobile station 50, the HHO determination section 15 determines the control signal amount required for the handover and hands over the other mobile station 60 having priority lower than that of the mobile station 50 when the handover due to travel is required. - 特許庁

類似していないと判定された場合（Ｓ１１４でＹＥＳ）、センターチャネルのオーディオ信号に対し音量制御処理Ａが行なわれる（Ｓ１１５）。例文帳に追加

When it is determined that they are not similar (YES at S114), sound volume control processing A is performed on the audio signal of the center channel (S115). - 特許庁

これにより、はんだ付けの際に、熱伝導性を高めることができ、高融点の鉛フリーはんだ１５を用いる場合でも良好にはんだ付けを行える。例文帳に追加

So, thermal conductivity is raised when soldering, for good soldering even if the lead-free solder 15 of high melting point is used. - 特許庁

このため、透明基板１２を通過して色調整膜１５で反射された可視光や、透明基板１２及び色調整膜１５を通過し反射膜１６で反射されて再び色調整膜１５を通過した可視光については、信号層等によってその色相及び色濃度が影響を受けない。例文帳に追加

Therefore, the hues and the color concentrations of the visible light passing through the substrate 12 and reflected at the film 15 and the visible light passing through the substrate 12 and the film 15, reflected at the film 16 and passing through the film 15 again are not affected by a signal layer or the like. - 特許庁

方向性電磁鋼板からなる鉄心を有するトランスの製造方法であって、その鉄心に用いる方向性電磁鋼板として、下記式； λ_ｂ＝ｍａｘ（λ_Ｐ−Ｐ１５／５０、λ_Ｐ−Ｐ１６／５０、λ_Ｐ−Ｐ１７／５０、λ_Ｐ−Ｐ１８／５０）＋λ_０−Ｐ１９／５０ここで、上式においては、例えば、５０Ｈｚ−１．７Ｔにおける磁歪０−ｐｅａｋ値をλ_０−Ｐ１７/５０、５０Ｈｚ−１．７Ｔにおけるｐｅａｋ−ｐｅａｋ値をλ_Ｐ−Ｐ１７／５０のように表す。例文帳に追加

This method is for manufacturing a transformer, comprising an iron core which includes a grain-oriented electromagnetic steel plate. - 特許庁

搬送室１２０内にて搬送ロボット１１０が基板９を搬送する基板処理装置１００において、フレーム１５０に対する搬送室１２０の姿勢を調整する姿勢調整機構１２３と、フレーム１５０に対する搬送ロボット１１０の姿勢を調整する姿勢調整機構１１３とを設ける。例文帳に追加

In a substrate treatment device 100, in which a conveyer robot 110 conveys a substrate 9 in a transfer chamber 120, a position adjusting mechanism 123 are provided for adjusting the position of the transfer chamber 120 with respect to the frame 150 and a position adjusting mechanism 113 for adjusting the position of the conveyer robot 110 with respect to the frame 150. - 特許庁

利用者は、ステップＳ１０１でその当選番号を写真自動販売機に入力し、その番号が当選番号と認証されたら（Ｓ１０２でＹＥＳ）、ステップＳ１０３で当選プレイモードにて処理（プレイ）を行なうことができる。例文帳に追加

A user inputs the winning number to the photograph vending machine in a step S101 and is able to perform a process (play) in a step S103 when the number is recognized as the winning number (YES at S102). - 特許庁

基板１１と、基板１１上のＢＮ系化合物半導体バッファー層２４と、バッファー層２４上の窒化物系化合物半導体結晶層（３４、３５，３６）とから構成されている。例文帳に追加

This semiconductor element includes a substrate 11, a BN-based compound semiconductor buffer layer 24 on the substrate 11, and nitride-based compound semiconductor crystalline layers 34, 25 and 36 on the buffer layer 24. - 特許庁

このうちメモリ１１及び信号処理回路１２によって無線ＩＣ部が構成され、例えば有機半導体材料を用いた半導体回路によってメモリ１１及び信号処理回路１２が構成される。例文帳に追加

The radio IC part is configured of the memory 11 and the signal processing circuit 12, and the memory 11 and the signal processing circuit 12 are configured by a semiconductor circuit using organic semiconductor materials. - 特許庁

ベース板１下にデジタル系回路部を構成する半導体構成体２を配置し、ベース板１上にアナログ系回路部を構成する半導体構成体５１およびチップ部品７１を配置した半導体装置において、半導体構成体２からの放射雑音が半導体構成体５１およびチップ部品７１に与える妨害を軽減するためのシールドカバーの取付作業を簡略化する。例文帳に追加

To simplify fitting operation for a shield cover for reducing disturbance of radiation noise from a semiconductor configuration 2 to a semiconductor configuration 51 and a chip component 71, in a semiconductor device that has the semiconductor configuration 2 arranged below a base plate 1 and constituting a digital circuit portion, and that has the followings arranged on the base plate 1: the semiconductor configuration 51 constituting an analog circuit portion; and the chip component 71. - 特許庁

受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。例文帳に追加

The light reception section 14 composes a pn junction diode with the semiconductor substrate 10. - 特許庁

基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。例文帳に追加

In the field effect transistor wherein a substrate 10, a diamond semiconductor layer 11, and a compound semiconductor layer 12 are formed in this order, the diamond semiconductor layer 11 is formed of (111)-plane diamond and the compound semiconductor layer 12 is formed of a (0001)-plane hexagonal compound semiconductor or (111)-plane hexagonal compound semiconductor. - 特許庁