「スパッタ粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、上記ニクロムスパッタ粒子と上記銅スパッタ粒子との質量割合を、上記ポリイミドフィルムとの接触表面から混合スパッタ膜の表層に向けて上記ニクロムスパッタ粒子が少なくなり、かつ上記銅スパッタ粒子が多くなるように変化させた。例文帳に追加

Mass proportion of the nichrome sputtering particles to the copper sputtering particles is so varied that the nichrome sputtering particles get less and the copper sputtering particles get more from a contact surface to the polyimide film toward the surface of the mixed sputtering film. - 特許庁

ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus and method, capable of preventing the adhesion of sputter particles scattered from a target to other targets. - 特許庁

ターゲット被膜３２の加速粒子によるスパッタ率は、ターゲット本体３１の加速粒子によるスパッタ率よりも小さい。例文帳に追加

The sputtering yield of the target coating 32 due to the accelerated particles is smaller than the sputtering yield of the target body 31 due to the accelerated particles. - 特許庁

荷電粒子ビーム処理のための保護層のスパッタリング・コーティング例文帳に追加

SPUTTERING COATING OF PROTECTIVE LAYER FOR CHARGED PARTICLE BEAM TREATMENT - 特許庁

スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。例文帳に追加

The sputtering method includes the steps of: arranging a gettering material 1X on a sputter surface of the sputter target; causing the gettering material 1X to be released in the early phase of the sputtering to increase the degree of vacuum; and then executing the sputtering of an object to be sputtered so as to achieve the film formation on the substrate with sputter particles. - 特許庁

排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。例文帳に追加

A target 2, which is placed inside the sputtering chamber 1 equipped with an exhaust system 11, is sputtered using a sputtering power source 3 so that sputtering particles emitted therefrom reach a substrate 50 to form a film. - 特許庁

ポリイミドフィルムＷ１の少なくとも片面に、主成分としてニクロムスパッタ粒子と銅スパッタ粒子とを含有する混合スパッタ膜３を形成した被銅メッキ処理材Ｗ２とした。例文帳に追加

A mixed sputtering film 3 containing nichrome sputtering particles and copper sputtering particles as main components is formed on at least one surface of a polyimide film W1 to provide a copper-plated material W2. - 特許庁

スパッタ装置におけるスパッタ粒子の放出角度分布を精度よく計測することが可能なスパッタ粒子の放出角度分布計測方法及び膜厚分布のシミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for measuring emission angle distribution of sputtered particles and a simulation method of film pressure distribution, which can accurately measure the emission angle distribution of the sputtered particles in a sputter equipment. - 特許庁

本発明のスパッタ装置１は、ターゲット３とシャッタ１５の間に、スパッタ粒子を制御するためのスパッタ粒子制御板１６が配置されている。例文帳に追加

The sputtering apparatus 1 is provided with a sputtered particle control board 16 for controlling sputtered particles arranged between a target 3 and a shutter 15. - 特許庁

多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法例文帳に追加

SPUTTERING APPARATUS AND METHOD WITH MULTIANGULAR BARREL, FINE PARTICLES AND MICROCAPSULES COATED THEREBY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

スパッタチャンバーはプラズマを形成するイオン化手段を有し、このプラズマ中でスパッタ粒子がイオン化される。例文帳に追加

A sputter chamber has an ionization means for forming plasma, and sputter particles are ionized in the plasma. - 特許庁

基板３４上にターゲット３２の前面からスパッタリングされるスパッタ粒子を積層し、基板３４上に金属層を形成する。例文帳に追加

Sputtering particles to be sputtered from the front side of the target 32 are deposited on the substrate 34 to deposit the metal layer on the substrate 34. - 特許庁

非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。例文帳に追加

In a non-equilibrium magnetron sputtering device 1, sputtered particles discharged from a target T are stuck onto a substrate S to form a film. - 特許庁

一実施形態では、スパッタリングは、気体流入システムから針などのスパッタ材料源に荷電粒子ビームを向けることによって実施される。例文帳に追加

In one embodiment, sputtering is applied by emitting the charged particle beam on a sputter material source such as a needle from a gas flowing-in system. - 特許庁

また、開口から基板に向かってスパッタ粒子を供給するために、開口にはスパッタ室３が取り付けられている。例文帳に追加

Moreover, for feeding sputtering particles from the openings toward the substrate, each opening is fitted with a sputtering chamber 3. - 特許庁

スパッタ粒子の到達率計測方法、成膜方法、ターゲット、スパッタ装置及び膜厚シミュレーション方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING TRANSPORT FACTOR OF SPUTTER PARTICLE, FILM DEPOSITION METHOD, TARGET, SPUTTERING SYSTEM, AND FILM THICKNESS SIMULATION METHOD - 特許庁

スパッタ粒子の放出角度分布計測方法、膜厚分布シミュレーション方法及びスパッタ装置例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING EMISSION ANGLE DISTRIBUTION OF SPUTTERED PARTICLES, SIMULATION METHOD OF FILM THICKNESS DISTRIBUTION, AND SPUTTER EQUIPMENT - 特許庁

成膜速度が向上し、かつ、スパッタ粒子によるマイクロ波導入窓の汚染を防止することができるＥＣＲスパッタリング装置の提供。例文帳に追加

To provide an ECR sputtering system capable of improving a deposition rate and of preventing the contamination of a microwave introducing window by sputter particles. - 特許庁

ターゲットから蒸発したスパッタ粒子をイオン化空間においてイオン化するイオン化手段を備え、イオン化したスパッタ粒子を堆積させるに際し、スパッタチャンバー内の圧力及びイオン化空間内でのスパッタ放電用ガスの滞留時間を制御する。例文帳に追加

The method is provided with an ionizing means for ionizing the sputter particles evaporated from a target in an ionization space and controls the pressure in a sputtering chamber and the stagnation time of gas for sputtering electric discharge within the ionization space in depositing the ionized sputter particles. - 特許庁

スパッタリング装置において、ターゲットから基板上に飛来するスパッタ粒子に対して基板面を基準にした時の斜め方向から飛来するスパッタ粒子を低減させることにより、基板上に良好な膜質の薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of depositing a thin film of the excellent film quality on a substrate by reducing the number of sputtering particles flying in the diagonal direction with a substrate surface being a reference with respect to the sputtering particles flying onto the substrate from targets. - 特許庁

ひさし部分１１の先端部分を根元部分よりも高くした構造とすることにより、上記先端部分に付着するスパッタ粒子やスパッタ膜と、ウェハ２上に付着するスパッタ粒子や堆積するスパッタ膜との接触を絶ち、両者の癒着を防止する。例文帳に追加

Sputter particles or a sputter film adhering to the forward end part of an eaves part 11 is isolated from sputter particles or a sputtered film, adhering onto a wafer 2 by employing such a structure, since as the forward end part of the eaves part 11 is higher than the root part thereof, thus preventing adhesion thereof. - 特許庁

前記ターゲット２にスパッタ電源３からパルス状のスパッタ電力を供給し、真空チャンバ１内に供給されたスパッタガスのプラズマを形成し、前記スパッタガスのイオンを前記ターゲット２に衝突させてスパッタ粒子を放出させ、このスパッタ粒子をイオン化して前記基材に堆積させる。例文帳に追加

The target 2 is fed with pulse-like sputtering power from a sputtering power source 3, so as to form the plasma of a sputtering gas fed inside the vacuum chamber 1, the ions of the sputtering gas are collided against the target 2, so as to release sputtering particles, and the sputtering particles are ionized and are deposited on the base material. - 特許庁

粒子通路１３０を通過しようとするスパッタリング粒子の中で、中性粒子だけが直進でき、それにより、成膜対象物の有機薄膜表面にスパッタ膜が形成される。例文帳に追加

Among sputtering particles to pass through the particle passage 130, only neutral particles can go straight on, thus a sputtered film is formed on the surface of the organic thin film in an object for film formation. - 特許庁

この金属微粒子３はスパッタ、蒸着又は塗布によりフラーレン重合体膜２に担持させる。例文帳に追加

The metal fine particles 3 are deposited on the fullerene polymer film 2 by sputtering, vapor deposition or coating. - 特許庁

カソード電極１１の針状部材４側にスパッタ粒子遮蔽部材１５が設けられている。例文帳に追加

A sputter particle shielding member 15 is provided on the needle member 4 side of the cathode electrode 11. - 特許庁

高エネルギーの陰イオン粒子を基板に入射させないスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering device in which anionic particles of high energy are not made incident on a substrate. - 特許庁

これにより、スパッタリング堆積時に不純物および粒子の形成を最小にすることができる。例文帳に追加

As a result of these processes, contamination and impurity particle formation are minimized at sputter deposition. - 特許庁

スパッタ粒子のエネルギを調節することによって基板上に配向性の高い膜を形成すること。例文帳に追加

To deposit a film having high orientation on a substrate by controlling the energy of sputtering particles. - 特許庁

補強材は、多孔膜、繊維状物、微粒子、結着剤、スパッタ膜又はカーボン層が好ましい。例文帳に追加

The reinforcement material is preferable to be a porous membrane, a fibrous material, fine particles, a binder, a sputtered membrane, or a carbon layer. - 特許庁

バイアス層５を形成するときに、磁性結晶粒子と、非磁性絶縁物質とを同時にスパッタする。例文帳に追加

When the bias layer 5 is formed, magnetic crystal grains and non-magnetic insulating material are simultaneously sputtered. - 特許庁

ターゲット３から放出されたスパッタ粒子が基板９に到達して導電膜が作成される。例文帳に追加

Sputter particles emitted from the target 3 reach the substrate 9 to deposit the conductive film. - 特許庁

この発明は、複数の基板のスパッタが可能であると共に、それぞれの基板に対するスパッタ粒子の入射角度を変化させることができ、所望の成膜分布を得ることができるスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which forms a film on a plurality of substrates through sputtering, and can change incidence angles of sputtered particles heading for each substrate to form the film with desired thickness distribution. - 特許庁

ターゲット３のスパッタで成膜するだけでなく、ホルダー２もスパッタして成膜するとともに、ホルダー２のスパッタをターゲット３から出る粒子を利用して行う。例文帳に追加

Film is formed by the sputtering of the holder 2 in addition to the sputtering of the target 3 and the sputtering of the holder 2 is carried out by using the particles generated from the target 3. - 特許庁

基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system which can secure a satisfactory film deposition rate in a reactive sputtering system where sputtering particles are fed from the oblique direction of a substrate. - 特許庁

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。例文帳に追加

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342. - 特許庁

本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system which prevents metal particles from depositing on the inside of a through-hole upon formation of a sheet layer, and prevents occurrence of voids upon filling of a conductive material, and to provide a sputtering method. - 特許庁

スパッタ粒子の飛び散りを減少させ、後からスパッタを剥がす作業を軽減し、周辺をスパッタによって傷めてしまうことをすることができる溶接装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a welding equipment capable of reducing scattering of spatter particles, reducing the working of removing spatter later, and preventing damages of a periphery by spatter. - 特許庁

このスパッタ処理により、他のターゲットからスパッタリングされた粒子がターゲット上に飛来して形成された堆積物が除去され、位相シフト膜のスパッタリング成膜時の異常放電が抑制される。例文帳に追加

By the sputtering treatment, a deposit of particles on one target is removed, the particles sputtered and flying from other targets, and abnormal discharge during the sputtering formation of the phase shift film can be suppressed. - 特許庁

それから、スパッタターゲットにＤＣ電力を印加してプラズマを形成し、Ａｒスパッタによりスパッタ粒子Ｓ_Ａを生ぜしめ、金属膜１０１を堆積させる。例文帳に追加

Then, DC electric power is applied to the sputtering target to form plasma, and sputtering particles S_A are produced by Ar sputtering to deposit a metal film 101. - 特許庁

スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved. - 特許庁

本発明の方法においては、汚染粒子ソース（５）とマイクロコンポーネント（２）との間において粒子ビーム（８）をスパッタする。例文帳に追加

In the method, sputtering of a particle beam (8) is performed between a contaminating particle source (5) and the microcomponent (2). - 特許庁

コーティングは、荷電粒子ビーム真空室内において、または荷電粒子ビーム真空室外において、スパッタリングによって加えられる。例文帳に追加

The coating is applied by sputtering in a charged particle beam vacuum chamber, or the outside of the charged particle beam vacuum chamber. - 特許庁

基板Ｗを収容する成膜室２と、成膜室２に着脱可能に設けられ、対向する一対のターゲット５ａ，５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５Ｐを生じさせ、スパッタ粒子５Ｐを成膜室２内の基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出ユニット３と、を備えるスパッタリング装置１である。例文帳に追加

The sputtering apparatus 1 includes: a deposition chamber 2 housing a substrate W; and a sputtered particle ejecting unit 3, which is detachably disposed in the deposition chamber 2, and which produces sputtered particles 5P from a pair of targets 5a, 5b opposing to each other by plasma Pz and ejects the sputtered particles 5P toward the substrate W in the deposition chamber 2. - 特許庁

ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。例文帳に追加

Argon ions in plasma generated through ionization of argon gas by an ECR are accelerated in the sputter cathode direction by the electric field by the target voltage, and made incident in the sputter cathode 5 to emit sputter particles consisting of aluminum from the sputter cathode 5 in the direction of a substrate 6. - 特許庁

スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体において、スパッタリング中にスパッタ粒子が飛来して付着するバッキングプレート領域をターゲットと同一の材料としたことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体。例文帳に追加

In an assembly comprising the sputtering target and the backing plate with less particle generation, a backing plate area with sputter particles flying and adhering thereto during the sputtering is formed of the same material as that of the target. - 特許庁