「スパッタ粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

高圧スパッタ室３内は、カーボン電極７ａ、７ｂ間に発生するアーク放電９を絞り込んで非常に微細なカーボン粒子を発生させることができるような気圧に設定されており、アーク放電９によってプラズマ１３が発生する。例文帳に追加

The atmospheric pressure inside the high-pressure sputtering chamber 3 is set to a value capable of generating very film carbon particles by reducing the arc discharge 9 generated between carbon electrodes 7a, 7b, and plasma 13 is generated by the arc discharge 9. - 特許庁

グラニュラー磁性層内の強磁性微粒子の酸化を低減し、磁気特性の劣化を抑制することで、高密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体、このような垂直磁気記録媒体を製造するのに好適なスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a perpendicular magnetic recording medium capable of dealing with high density recording by reducing oxidation of ferromagnetic fine particles in a granular magnetic layer to suppress deterioration of magnetic characteristics and to provide a sputtering target suitable for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium. - 特許庁

ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。例文帳に追加

An RF coil 23 is arranged between a target 11 and a workpiece W, and sputtered particles scattered from the target 11 toward the workpiece W are ionized, so as to be plasma ions by feeding high frequency power to the RF coil 23. - 特許庁

直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^２あたり１個以下であり、かつ厚さが１０ｍｍ以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。例文帳に追加

The sputtering target has a sintered compact in which the number of aggregated particles of tin oxide each having a diameter of ≥10 μm is one or less per 0.27 mm^2, and which has a thickness of ≥10 mm and is substantially composed of indium, tin and oxygen. - 特許庁

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。例文帳に追加

A Zn particle in the targets A, B being subjected to sputtering is allowed to react with oxygen gas, and is arranged while being shifted from the axial direction of the opposing target, and is deposited on a substrate in which a gate electrode is formed for forming a ZnO film corresponding to the gate electrode. - 特許庁

酸化チタンの結晶性は成膜初期のスパッタ粒子の入射角度で決定され、その入射角度が８６°以下であればアナターゼ型結晶が成長するので、成膜装置１によれば光触媒活性の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を得ることができる。例文帳に追加

The crystallinity of titanium oxide is determined by the incident angle of sputter particles at the initial stage of film deposition, and, anatase type crystals grow when the incident angle is ≤86°, so that an anatase type titanium oxide thin film having high photocatalytic activity can be obtained by the film deposition system 1. - 特許庁

各種蒸着法やスパッタリング法による成膜方法のように特定方向からのみ成膜粒子が飛来する成膜方法を用いても、回転楕円体形状を含む被着体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できる薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having a uniform thickness on an adhered substrate including a rotating elliptical body shape even when a film formation method wherein film formation particles come flying only in a specific direction like a film formation method by various kinds of deposition methods or sputtering methods is used. - 特許庁

スリット部材５０は、スパッタ粒子放出部３における開口部２５の上流側開口端から上流側へ５０ｍｍ以内に、基板Ｗの搬送方向の上流側におけるスリットＳのスリット開口端が位置している。例文帳に追加

The slit member 50 is disposed so that a slit open end of the slit S in an upstream side of the conveying direction of the substrate W may be positioned within 50 mm toward the upstream side from an open end in the upstream side of the opening 25 of the sputtered particle ejecting section 3. - 特許庁

、ＺｎＳ−ＳｉＯ２などの金属酸化物を含むスパッタターゲットから回転するディスク基板１１に向けて射出された粒子を、所定の膜厚分布に基づいて形成された遮蔽部材５０Ａによって一部遮蔽した状態で、記録層１３の一側に第１誘電体層１２を形成する。例文帳に追加

A first dielectric layer 12 is formed on one side of a recording layer 13 while a portion of particles emitted from a sputtering target including a metal oxide such as ZnS-SiO_2 toward a disk substrate 11 which is rotated is shielded by a shielding member 50A formed based on a prescribed film thickness distribution. - 特許庁

ＳｉＯ_2からなる凸部形成用膜１１の上面に、スパッタ法により、Ａｌを膜厚８０００〜１００００Åに成膜すると、Ａｌの結晶粒子が大きく成長し、表面が荒れて凸凹となり、凸部１２ａを有する表面凸凹層１２が形成される。例文帳に追加

When Al is deposited by 8,000-10,000 Å on the upper surface of a protrusion forming film 11 composed of SiO_2 by sputtering, crystal grains of Al grow greatly and the surface becomes irregular thus forming a surface irregular layer 12 having protrusions 12a. - 特許庁

斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成するＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜の微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-precision and high-performance liquid crystal display device having high luminance, by controlling the angle or the density of the fine structure of a particulate columnar laminate of an inorganic alignment layer, such as a SiOx film formed by oblique vapor deposition or directional sputtering, by arranging the alignment of liquid crystal in the order, and by reducing color unevenness. - 特許庁

そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。例文帳に追加

Deposition pressure is so set that the distance between the substrate S and a first target T1 is shorter than a mean free path of sputtered particles discharged from the first target T1, to thereby deposit an MgO layer having 5 to 20 nm film thickness on the substrate S whose temperature is maintained at room temperature. - 特許庁

成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。例文帳に追加

The incident angle of the sputtering particles made incident on the film deposition face 22 is restricted by shielding members 25 or the length of a TS distance, the maximum incident angle θ5 is ≤15°, and the prospective incident angle Δθ as a difference between the maximum incident angle θ5 and the minimum incident angle is ≤10°. - 特許庁

また、基板上の任意の点における総和膜厚から、所定の開口部から到達するスパッタ粒子により形成される膜の厚みを減算することにより、コリメータの複数の開口部のうち、前記所定の開口部を遮蔽して成膜を行う場合の膜厚を予測できるようにする。例文帳に追加

Also, the prediction of the film thickness of the case the deposition is performed while shielding the prescribed aperture is made possible by subtracting the thickness of the films formed by the sputtered particles arriving at the arbitrary point on the substrate through the prescribed aperture from the total sum film thickness at the arbitrary point. - 特許庁

基板への荷電粒子の衝突を抑えることで、基板表面のダメージおよび温度上昇を抑制するとともに、高速に基板表面に薄膜形成可能なマグネトロンスパッタリング装置およびこれを用いた薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering system capable of reducing the damage and temperature rising on the surface of a substrate, and also depositing a thin film on the surface of the substrate at a high speed by suppressing the collision of charged particles against the substrate, and to provide a thin film deposition method using the magnetron sputtering system. - 特許庁

シャッタの開閉二位置において、シャフト１３と挿通穴２０ａとの隙間を塞ぎ、イオンビームでエッチングされて発生したスパッタ粒子が第１カバー１２の内側に侵入するのを防止する２枚の第２カバー２１ａ，２１ｂをシャフト１３に取り付ける。例文帳に追加

Two second covers 21a, 21b are mounted onto the shaft 13 and seal a gap between the shaft 13 and the insert hole 20a at two opening/closing positions of a shutter, respectively to prevent sputter particles generated by etching using ion beams, from invading the inside of the first cover 12. - 特許庁

これによって装置構成を複雑にすることなく、金属モードに近い状態でスパッタ粒子を基板に被着させることができるために薄膜堆積速度が速く、且つ、化学量論的に理論値に近い金属酸化物を効率良く作製することが可能になる。例文帳に追加

In this way, sputtering particles can be deposited on a substrate in a state close to a metal mode without complicating the apparatus constitution, thus metal oxide having a stoichiometric value close to the theoretical one can be efficiently produced at a high thin film deposition rate. - 特許庁

ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。例文帳に追加

A cylindrical shield 6 is placed between the target 2 and a substrate holder 5 to define a plasma-forming space, and an electric field-setting means 8 sets electric field for drawing the ionized sputtering particles from the plasma P and making them enter the substrate 50. - 特許庁

高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がＮｂ_２Ｏ_５単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor nano composite structure thin film material which can be manufactured collectively by a high frequency sputtering method, etc. and which has a structure in which semiconductor nano scale particles are dispersed uniformly in an Nb_2O_5 single phase matrix; and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。例文帳に追加

The sputtering target discharging a metallic component by collision of an accelerated particle, includes a metal substrate and the target material formed into a film-like shape by thermal spraying a metal silicon mixed with a metal whose atomic number is ≤11 on the surface of the substrate. - 特許庁

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。例文帳に追加

To solve the problems, in a method where a mask is provided on a substrate, and a transparent conductive film is pattern-formed on the substrate by a sputtering process, that, since the energy of particles made incident on the substrate is the extremely high one of about 600 eV, the particles infiltrate into the substrate, and the atoms composing the substrate are beaten out or defects are occurred in the substrate. - 特許庁

粒子発生過程と飛翔散乱行程を図１（ａ）に示すフローに従い、予めスパッターチャンバー内の任意の点、又は基板上特定位置において計算しておき、その入射方向、即ち入射する各粒子の水平、垂直入射角分布、及びその角度でのエネルギー分布関数を求めておく。例文帳に追加

The particle generating process and the flying and scattering process are preliminarily calculated according to the flow chart shown in (a) at any points in a sputtering chamber or at specified positions on a substrate so as to obtain the incident angle of particles, namely the distribution of horizontal and vertical incident angle of entering particles, and to obtain the energy distribution function at the angle. - 特許庁

本発明は、真空処理チャンバ１２に配置された銅製のターゲット１６からスパッタリングされた銅粒子を、この真空処理チャンバ１２内の基板支持手段１８により支持された半導体ウェハＷ上に堆積させ銅の膜を形成する成膜方法において、銅粒子の堆積中に水素ガスを水素ガス供給源３２から真空処理チャンバ１２に供給することを特徴としている。例文帳に追加

This deposition method consists in forming the film of the copper by depositing the copper particles sputtered from a target 16 made of the copper arranged in a vacuum treatment chamber 12 onto a semiconductor wafer W supported by a substrate supporting means 18 in this vacuum treatment chamber 12, in which gaseous hydrogen is supplied from a gaseous hydrogen supply source 32 to the vacuum treatment chamber 12 during the deposition of the copper particles. - 特許庁

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。例文帳に追加

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film. - 特許庁

少なくとも一方が透明な対向する２枚の基板間に表示媒体を封入し、表示媒体に電界を付与することによって、表示媒体を移動させて画像等の情報を表示する情報表示用パネルに用いる表示媒体を構成する表示媒体用粒子の製造方法において、粒子表面に金属化合物をスパッタリング法にて形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method for the particles for the display medium that constitute the display medium used for the panel for information display which displays information of an image etc., by moving the display medium by charging the display medium between two opposite substrates at least one of which is transparent and applying an electric field to the display medium, a metal compound is formed on particle surfaces by a sputtering method. - 特許庁

スパッタ成膜装置の膜厚補正治具に於いて、その本来の膜厚補正機能は維持しつつ、膜厚補正治具の部位の内ターゲット面を向いて成膜粒子及び荷電粒子やイオンに晒される全ての部位の表面形状を、ターゲット面からの垂線方向に対する入射角度を２０度以下に成るようにする。例文帳に追加

A film thickness correction tool of the sputter film deposition system is constituted so that the surface shape of all parts to be exposed to film deposition particles, charged particles and ions facing an inner target surface of a part of the film thickness correction tool is set so that the angle of incidence with respect to the perpendicular direction from the target surface is ≤20° while maintaining the original film thickness correction function. - 特許庁

シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。例文帳に追加

Sheet plasma 27 is guided so as to pass a space between the substrate 34B and the target 35B in the sputtering chamber 30, and when an Al material sputtered from the target 35B by charged particles in the sheet plasma 27 is deposited on the aperture of the substrate 34B, the coverage property of a deposited film made of the Al material is adjusted based on plasma discharge current ID and substrate bias voltage VA. - 特許庁

ターゲット２と基板９との間に配置され、スパッタ粒子をイオン化させる熱陰極方式のイオン化手段６を備え、イオン化手段６近傍に磁場発生手段７を配置して、磁場発生手段７により発生させた磁場により、イオン化手段６から発生させた熱電子をターゲット２側へ導くようにしている。例文帳に追加

This apparatus comprises a hot cathode type ionizing means 6 for ionizing sputtered particles which is arranged between a target 2 and the substrate 9, a magnetic field generating means 7 arranged near the ionizing means 6, and introducing thermoelectrons generated from the ionizing means 6 toward the target 2 side by the magnetic field generated by the generating means 7. - 特許庁

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。例文帳に追加

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape. - 特許庁

ターゲットＴが移動しても、ガラス基板Ｓに対して磁界分布は変動しないために、磁界の強さが所定値以上でターゲットＴ近傍のプラズマが集中する領域は、ガラス基板Ｓに対して変動せず、したがって、スパッタされる粒子が比較的多数放出される箇所は変動せず、ガラス基板Ｓに成膜される膜厚の分布は均一に保たれる。例文帳に追加

Even if the target T moves, the distribution of the magnetic field is not varied to a glass substrate S, thus the part where particles to be sputtered are relatively largely released is not varied, and the distribution in the thickness of the film deposited on the glass substrate S is uniformly retained. - 特許庁

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。例文帳に追加

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon. - 特許庁

ターゲットからの粒子の分布をより精密に測定することができ、測定値のシミュレーション関数としての適切な表現等による測定データ処理が可能となるスパッタシミュレーションのための膜厚分布関数の測定装置、及び該測定装置による測定データの処理方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a device for measuring a film thickness distribution, which can more precisely measure a distribution of particles sputtered from a target, and can provide a distribution function for sputter simulation by processing the measured data into an appropriate expression as the simulation function of the measured values, and to provide a method for processing the measured data by the measuring device. - 特許庁

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。例文帳に追加

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists. - 特許庁

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。例文帳に追加

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon. - 特許庁

Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。例文帳に追加

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element. - 特許庁

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。例文帳に追加

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method). - 特許庁

本発明は、基板上に原料粒子を飛翔させて膜を製造する、スパッタリング法などによる膜の製造方法に関し、特に、成膜中の膜厚を制御・管理する手段と、その制御された堆積膜を所定の目標膜厚で正確に加工終了させるように停止させる手段に関する。例文帳に追加

The method of depositing a film by a sputtering method or the like where raw material particles are flown onto a substrate to deposit a film is provided with, in particular, a means of controlling/managing a film thickness in the process of film deposition, and a means of stopping the working so that the working is ended when the controlled deposition film obtains a prescribed objective film thickness. - 特許庁

フラッシュランプによる光パルス殺菌の実用化と普及を図るために、ランプ点灯時に電極の先端部から生ずるスパッタ粒子が発光管の放電空間を成す内壁に付着することを防止して、フラッシュランプの光出力の低下を抑制し、ランプ寿命を飛躍的に向上させる。例文帳に追加

To restrain degradation of light output of a flash lamp to remarkably improve a lamp service life by preventing spattering particles generated from a tip part of an electrode in lighting the lamp from adhering to the inside surface of an arc tube forming a discharge space in order to realize practical application and dissemination of light pulse sterilization by the flash lamp. - 特許庁

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides. - 特許庁

第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。例文帳に追加

To obtain a high quality film and to prevent particles from diffusing in a chamber 3 in a sputtering apparatus of a continuous system that a first target 17a and a second target 17b are arranged to obliquely face a substrate 6 and other targets to form a film while conveying the substrate 6 along a conveying part 15. - 特許庁

本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。例文帳に追加

In a probe device having an ion beam system for irradiating an ion beam, and a probe control device for driving the probe arranged in a vacuum sample chamber, a zone for processing the probe with ion beams is arranged in the sample chamber, and sputter particles of the probe and ion beams passing through in the vicinity of the probe are captured in the zone. - 特許庁

ターゲット中に存在する最大長さが３０μｍ以上の絶縁性の酸化物、特に、Ａｌ_2Ｏ_3、ＺｒＯ_2、ＴｉＯ_2、ＳｉＯ_2、ＣａＯおよびＭｇＯの粒子の総数が２０個／ｇ以下であると共に、前記ターゲットを構成するクロムまたはクロムマトリクス相の平均粒径が５０μｍ以下であるクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

In the sputtering target composed of chromium for chromium alloy, the total number of insulating oxides of ≥30 μm maximum length existing in the target, particularly particles of Al_2O_3, ZrO_2, TiO_2, SiO_2, CaO, and MgO, is ≤20 pieces/g and the average particle size of the chromium or chromium matrix phases constituting the target is ≤50 μm. - 特許庁

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate. - 特許庁

焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。例文帳に追加

The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material. - 特許庁

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。例文帳に追加

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material. - 特許庁