「スパッタ粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

一方、散乱板１１に対する入射角が深いイオンは散乱板１１をスパッタするが、イオントラップ９の基板５の方向は閉じていて、スパッタされた粒子は基板５の方向には飛散しないため、基板５に成膜される多層膜中に取り込まれることはない。例文帳に追加

On the other hand, the ions whose incident angle to the scattering plate 11 is deep sputter the scattering plate 11, but, the direction of a substrate 5 in the ion trap 9 is close, and the sputtered particles are not scattered to the direction of the substrate 5, thus they are not taken into a multilayer film deposited on the substrate 5. - 特許庁

平板形状の基板素材上に金属膜層と誘電体膜層を積層状に形成する際に、この光学膜層を基板表面と裏面にターゲット物質を不活性ガスでスパッタリングしてスパッタ粒子で被膜を形成する。例文帳に追加

When a metallic film layer and a dielectric film layer are formed in a laminate shape on a plate-shaped substrate raw material to constitute an optical film layer, a target material is sputtered with an inert gas onto a surface and a rear surface of the substrate to form a coating film of sputtering particles. - 特許庁

ターゲット１５間に発生したプラズマによってターゲット１５がスパッタリングされ、はじき飛ばされたスパッタ粒子は、アルゴンの強制流によって基板１６まで輸送され、反応性ガスと反応すると共に基板１６表面に堆積する。例文帳に追加

Ti atoms are sputtered from the targets 15 by the plasma generated between the targets 15 and the burst sputtered particles are transferred to a substrate 16 by a forced current of the argon gas and accumulated on the surface of the substrate 16 while reacting with the reactive gas. - 特許庁

この際、ホルダー２として樹脂成形品１よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲット３からのスパッタで発生して樹脂成形品１に向かう粒子をイオン化手段５でイオン化し、該イオンで上記ホルダー２をスパッタする。例文帳に追加

In this case, an electro-conductive metal plate larger than the molded resin article 1 is used as the holder 2, the particles generated from the target by sputtering and flying toward the article 1 are ionized by an ionizing means 5 and the holder 2 is sputtered with the generated ion. - 特許庁

そして、ターゲット近傍におけるスパッタ粒子が増加して、スパッタの効率を向上するため基板表面における成膜速度を高めることができ、且つ、基板近傍へのプラズマの拡散を抑止することにより、基板温度の上昇を最小限に抑えることが可能となる。例文帳に追加

Furthermore, a film formation rate on a surface of the substrate is raised due to an improvement of the sputtering efficiency resulting from an increase of sputtering particles around the target, and the rise of the substrate temperature can be controlled in minimum due to the inhibition of plasma scattering toward the vicinity of the substrate. - 特許庁

成膜室とスパッタ装置との間にシャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす箇所にスパッタ粒子が付着することを防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる液晶装置の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing apparatus of a liquid crystal device, by which film quality of an inorganic alignment layer is improved by preventing attachment of a sputtered particle to a region where on attachment the particle adversely affects the film quality of the inorganic alignment layer, without disposing a shutter between a film depositing chamber and a sputtering apparatus. - 特許庁

イオン化したスパッタ粒子を負電位にバイアスした基材に堆積させ成膜するに際し、基材あるいはその周辺部材にアーク放電が発生した場合でも成膜品質を劣化させることなく成膜することができるパルススパッタ装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a pulse sputtering system and a pulse sputtering method where, when ionized sputtering particles are deposited on a base material biased to a negative potential, so as to form a film, even in the case arc discharge is generated at the base material or the peripheral member thereof, the film formation can be performed without deteriorating the quality of the formed film. - 特許庁

反応室１内の側壁部材や下部電極カバー１Ａ、１４はスパッタを受けスパッタアウトされた粒子が直接ウエハ上に乗ったりウエハ２近辺のサセプタ７や上部電極３に付着して膜２５を形成しウエハ２上へ落下して異物となる。例文帳に追加

A sidewall member and lower electrode covers 1A, 14 in the chamber 1 are sputtered, sputtered out particles directly ride on the wafer or adhere to a susceptor 7 near the wafer 2 or the upper electrode 3 to form a film 25 and the film 25 drops on the wafer 2 as a foreign matter. - 特許庁

本発明は、真空槽２内において基板２０を保持して移動可能な基板ホルダー３と、真空槽２内において第１及び第２のカソード部６、７を有するスパッタ源４と、スパッタ粒子４０を通過させるための開口部１０を有するスリット機構９とを備える。例文帳に追加

A sputtering system provided includes: a substrate holder 3 holding a substrate 20 in a vacuum tank 2 and movable; a sputtering source 4 including first and second cathode parts 6, 7 in the vacuum tank 2; and a slit mechanism 9 having an opening part 10 for passing through sputtering particles 40. - 特許庁

ターゲット１１が配置されたカソード１０に高周波電圧を印加し、ターゲット１１をスパッタリングするスパッタリング装置２のターゲット１１上方に偏向器５を配置し、ターゲット１１表面から叩き出された陰イオン粒子を偏向器５内に入射させる。例文帳に追加

High frequency voltage is applied to a cathode 10 placed with a target 11, a deflecting system 5 is arranged in the upper direction of the target 11 in a sputtering device 2 sputtering the target 11, and anionic particles beaten out from the surface of the target 11 are made incident on the inside of the deflecting system 5. - 特許庁

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくするスパッタ装置及びスパッタ方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus that increases a confinement effect for plasma and charged particles such as secondary electrons, which are formed between targets, into a space between the targets, without shortening distance between centers of a pair of the targets, and to provide a sputtering method. - 特許庁

ターゲット２と基板４の間に、コリメータ６を配設し、その複数の開口部７のうち、所定の１以上の開口部７ａを遮蔽してスパッタを行うことにより、基板４の所定の領域に到達するスパッタ粒子ＳＰの量を調整して、膜厚分布を制御する。例文帳に追加

A collimator 6 is disposed between the target 2 and a substrate 4, and sputtering is performed by shielding the prescribed one or more apertures 7a among a plurality of the apertures 7, thereby regulating the amount of sputter particles SP arriving at the prescribed region of the substrate 4 and controlling the film thickness distribution. - 特許庁

上部透明電極形成時、スパッタリングターゲット表面から基板被成膜面へ入射するプラズマ荷電粒子を捕捉して、発光ポテンシャル低下を抑制することが可能なスパッタリング装置及び透明電極形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system capable of suppressing degradation of the luminescent potential by capturing plasma charged particles made incident on a surface to be deposited of a substrate from the surface of a sputtering target when forming an upper transparent electrode, and a transparent conductive film deposition method. - 特許庁

ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを提供すること。例文帳に追加

To provide a CoCrPt-based sputtering target which has enhanced homogeneity as a target and suppresses the occurrence of nodule or arcing and has a target composition ratio by reducing the size and amount of generation of high chromium content particles containing chromium atoms at high concentration and unevenly distributed in the CoCrPt sputtering target. - 特許庁

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element. - 特許庁

試料３５に１次イオンビーム３２を照射し、それによって発生した２次イオン３６を質量分析計４０で分析して、試料３５中の所望とする元素のみを検出するようにした２次イオン質量分析装置において、スパッタ粒子の試料３５への再付着や、試料室内の残留ガスのスパッタ粒子への付着などによる検出精度の低下を低減する。例文帳に追加

To reduce lowering of detecting accuracy caused by sputter particles adhering again to a specimen and remaining gas in a specimen compartment adhering to the sputter particles, in a secondary ion mass spectrometer to detect only a desired element in the specimen by irradiating the specimen with a primary ion beam and analyzing a secondary ion generated by the irradiation by a mass spectrometer. - 特許庁

液晶層１３を有する表示セル１、陽極２５及び陰極２２を有する放電セル２、等からなる液晶表示パネルを備えるプラズマアドレス液晶表示装置において、陰極２２は、その表面２４が、高二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる導電性粒子と低二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる絶縁性粒子との混合物からなる。例文帳に追加

In the plasma-addressed liquid crystal display device provided with a liquid crystal display panel comprising a display cell 1 with a liquid crystal layer 13, a discharging cell 2 with an anode 25 and the cathode 22, etc., the cathode 22 has its surface 24 composed of a mixture of conductive particles with high secondary electron emission and excellent sputtering resistance and insulating particles with low secondary electron emission and excellent sputtering resistance. - 特許庁

スパッタ装置は、基板５が設置される基板設置領域５ａと、ターゲット８が設置される領域であって、該ターゲットからのスパッタ粒子が放出される粒子放出領域８ａと、基板上に形成された膜厚を測定するためのセンサ１１が設置されるセンサ設置領域１１ａとを有する。例文帳に追加

The sputtering system comprises: a substrate installation region 5a in which a substrate is installed; a particle release region 8a in which a target 8 is disposed and sputtering particles from the target are released; and a sensor installation region 11a in which a sensor 11 for measuring the film thickness formed on the substrate is installed. - 特許庁

熱電材料中に分散材ナノ粒子が分散した原料をターゲットとして用いて、該分散材ナノ粒子の粒子サイズより大きいビーム径を有するビーム照射によってスパッタリングして基板上に熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料薄膜を形成することを特徴とする熱電材料薄膜の製造方法。例文帳に追加

The forming method of the thermoelectric material thin film formes the nanocomposite thermoelectric material thin film in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the mother phase of the thermoelectric material on a substrate by using a material in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the thermoelectric material as a target and by sputtering by beam irradiation which has a larger beam diameter than particle sizes of the dispersant nanoparticles. - 特許庁

このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。例文帳に追加

The magnetic particles 1 whose average particle diameter D including the hair-like projections 3 is within the range from 100 nm to 300 nm are excellently obtained as iron particles formed by a gas flow sputtering method, and are used as magnetic particles for destructing tumor cells by a converted magnetic field given inside the tumor cells from outside by phagocytosis or endocytosis. - 特許庁

スパッタ時に異常放電が発生することがない低原子価酸化ニオブドープ酸化亜鉛ターゲットを作製するのに好適な微粒子低原子価酸化ニオブ組成物、および該微粒子低原子価酸化ニオブ組成物を極めて安価に作製することが可能な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fine particle low valence niobium oxide composition which is suitable for producing a low valence niobium oxide-doped zinc oxide target not generating abnormal discharge at the sputtering time, and to provide a production method capable of producing the fine particle low valence niobium oxide composition extremely inexpensively. - 特許庁

また、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板表面にスパッタにより金属微粒子を付着させるステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。例文帳に追加

Also, the sample preparation method for the charged particle device includes a step of forming fine irregularities on the surface of the substrate and a step of attaching metal fine particles on the surface of the substrate by sputtering. - 特許庁

シリカを主成分とするマトリクス、及び、マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備えたスパッタリングターゲットで、酸化ビスマス粒子の平均粒径が３〜７μｍとし、シリカと、酸化ビスマスと、の合計に対するシリカのモル分率が、４０〜７０％とする。例文帳に追加

This sputtering target includes a matrix mainly made of silica, and bismuth oxide particles dispersed in the matrix, where the average particle diameter of the bismuth oxide particles is set at 3-7 μm, and the molar fraction of silica to the total of silica and bismuth oxide is set at 40-70%. - 特許庁

ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の中に挿入されると、ボンディングワイヤ２の材料が微粒子化し、そのスパッタされた金の微粒子を含むマイクロプラズマ３０３が開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面にボンディングワイヤ２と同じ材料が堆積する。例文帳に追加

When the bonding wire 2 is inserted into the plasma region 52; the material of the bonding wire 2 is changed into particles and the micro-plasma 303 containing the particles of that sputtered gold is jetted from the opening 48, and the material same as that of the bonding wire 2 is deposited on the surface of the bonding target. - 特許庁

マイクロ波電界及び荷電粒子を遮蔽して活性化された中性粒子による安定した処理を行いつつ、石英等で表面を保護しなくても多孔遮蔽板のスパッタを防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processor in which a sputtering of a porous shielding plate can be prevented even if a surface is not protected with quartz and the like while a microwave field and electrically charged particles are shielded and a stable processing by activated neutral particles is performed, and to provide a plasma processing method. - 特許庁

均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

スパッタリングによって基板上に酸化物磁性薄膜を形成する際に、基板温度を所定の範囲内で制御することにより、酸化物磁性粒子の径をナノレベルで制御し、所望の粒径のナノ粒子が存在する酸化物磁性薄膜を得る。例文帳に追加

When depositing an oxide magnetic thin film on a substrate by sputtering, the diameter of oxide magnetic particles is controlled on the nano-level by controlling the temperature of the substrate in a predetermined range, and the oxide magnetic thin film is obtained, in which nano-particles of the desired grain size are present. - 特許庁

処理室２０の内部に、スパッタリングによって表面のメタル粒子３が弾き出されるターゲット１と、メタル粒子３が付着してメタル膜が形成される半導体基板２と、ターゲット表面までの距離を測定する距離センサー９とが設けられている。例文帳に追加

A treatment chamber 20 is provided in its inside with: a target 1 from which metal particles 3 on the surface are sputtered; a semiconductor substrate 2 to which the metal particles 3 deposit to form a metal film; and a distance sensor 9 which measures the distance to the surface of the target. - 特許庁

ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。例文帳に追加

The method for forming a transparent conductive film is characterized in that plasma charged particles leaked out from a grid installed between a target and a substrate are coupled with electrons released from the tip of a filament (electron gun) inserted from the side face of a vacuum sputtering chamber, thus the polarity of the particles is neutralized. - 特許庁

グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a target capable of forming a magnetic layer which has superior electromagnetic conversion characteristics and can respond to higher recording density by miniaturizing magnetic grains to be formed and increasing a grain boundary width of the magnetic grains in forming a perpendicular magnetic layer having a granular structure by a sputtering method. - 特許庁

銅・ニッケル合金コ−ティング層は、洋白、コンスタンタンまたはモネルメタルのいずれかであって、例えば、スパッタリング法によって銅粉末粒子の表面に形成される。例文帳に追加

The copper-nickel coated layers are either nickel silver, Constantan, or Monel metal and formed on the surfaces of the copper particles by e.g. a sputtering method. - 特許庁

相変化物質層を形成するために、アンチモンとテルルを含むカルコゲンターゲットにスパッタリング工程を行い、前記ターゲットから前記ターゲットを構成する粒子を離脱させる。例文帳に追加

In order to form the phase change material layer, a spattering step is performed to a chalcogen target including antimony and tellurium, and makes particles forming the target leave the target. - 特許庁

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide new gallium oxide powders whose aggregated particles are easily broken so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as an IGZO and the like. - 特許庁

本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。例文帳に追加

The probe device reduces adverse effect on the sample caused by sputter particles generated by ion beam irradiation to the probe, debris of the probe, and the ion beams passing through the vicinity of the probe. - 特許庁

成膜圧力を１．３３Ｐａ以上２．６７Ｐａ以下に設定したことで、飛翔するチタンがアルゴン及び酸素のイオンや中性粒子と衝突する回数が一般的なスパッタによる成膜方法に比べて多くなる。例文帳に追加

By setting a film deposition pressure at 1.33-2.67 Pa in sputtering, frequency of collision of flying titanium with argon and oxygen ions or neutral particles in creases compared to a conventional method. - 特許庁

金属の超微粒子５は、水溶性または水分散性の層３ｂの上にスパッタリングされた金属を、前記層３ｂの全部または一部とともに、水あるいは含水アルコール４で取り込むことによって得られる。例文帳に追加

The super-fine particles 5 of metal are obtained by taking metal sputtered on a water soluble or water dispersible layer 3b by water or hydrate alcohol 4. - 特許庁

これにより、スパッタリングされた銅粒子を半導体ウェハＷ上で再結晶化する際に生じ得る銅の酸化が、導入した水素ガスにより還元され防止される。例文帳に追加

As a result, the oxidation of the copper which can occurrence of when the sputtered copper particles are recrystallized on the semiconductor wafer W is reduced and prevented by the gaseous hydrogen introduced into the chamber. - 特許庁

ターゲット５に負の直流電圧または高周波電力が印加されると、プラズマＰ中のイオンによってターゲット５の組成粒子がスパッタされ、基板１００上に堆積する。例文帳に追加

When a negative DC voltage or high-frequency power is applied to a target 5, component particles in the target 5 are sputtered by ions in the plasma P and deposited on the substrate 100. - 特許庁

電極21，22を２次再結晶させて結晶粒子を大きくし、アークスポットの発生により加熱してもスパッタリングする割合が少なくなり、管壁に付着するのが軽減されて黒化を防止する。例文帳に追加

Blackening is prevented by growing a crystal grain by secondarily recrystallizing electrodes 21, 22, reducing proportion of sputtering even if it is heated by occurrence of an arc spot and reducing its adhesion to a tube wall. - 特許庁

ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。例文帳に追加

Herein, the roughening of the surface is carried out by a blast by dry ice particles, a sputtering using an inert gas, or a dry etching using an etching gas. - 特許庁

回転するドラム６に基板７ａ〜７ｅを保持させ、ドラム６を回転させながらターゲット材料９，１０からの飛散粒子で位相差補償層をスパッタ成膜する。例文帳に追加

Substrates 7a to 7e are held by a rotated drum 6 and the phase difference compensation layer is deposited by sputtering of scattered particles from target materials 9 and 10 while the drum 6 is rotated. - 特許庁

アノード電極４で飛行方向が曲げられたスパッタリング粒子３０の軌道が修正され、基板台１６上の基板１７表面に垂直に入射する。例文帳に追加

The orbit of sputtering particles 30 whose flying direction is bent by the anode electrode 4 is corrected, and the particles are vertically made incident on the surface of a substrate 17 on the substrate stand 16. - 特許庁

ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。例文帳に追加

A minus bias is applied to the workpiece W or a workpiece holder 8 holding the workpiece W by a bias power source 26, and the ionized sputtered particles are adsorbed. - 特許庁

薄膜を形成すべき基板に対し対向して配設されたターゲットから薄膜形成用のスパッタリング粒子を発生させるための各磁石ユニットを各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに設ける。例文帳に追加

Each magnet unit for generating sputtering particles for forming a thin film from a target arranged oppositely to the substrate to be thin film- formed is provided on each magnet fitting boards 50a, 50b and 50c. - 特許庁

単一の比較的安価な電源で安定して駆動され、且つ基体表面に高い入射エネルギーの粒子を付与することが可能なスパッタリング装置を提供しようというものである。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus which is stably driven by a single and relatively inexpensive power source, and can impart particles of high incident energy onto a surface of a substrate. - 特許庁