「スパッタ粒子」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ_２膜よりなるｐ層３が形成する。例文帳に追加

Particles are sputtered from a target 21a consisting of copper and a target 21b consisting of aluminum, and a p-layer 3 consisting of a CuAlO_2 film is deposited on the substrate 1. - 特許庁

最外層に硬い金属スパッタ層１３が形成されているため、配線へ導電性粒子を食い込ませることができ、高い接続信頼性を得ることができる。例文帳に追加

Since the hard sputtered metal layer 13 is formed as the outermost layer, the conductive particles can be made to bite into wiring, thereby allowing high connection reliability to be obtained. - 特許庁

狭いホール５００の底面５０２まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール５００の底面５０２での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。例文帳に追加

Since the sputtered particles can efficiently arrive even at the bottom face 502 of the narrow hole 500, the deposition of the film at the bottom face 502 of the hole 500 is promoted, and a bottom coverage ratio improves. - 特許庁

また、放電ガスの全体的な質量が従来より大きくなってガス粒子の運動エネルギーは減るため、保護層に加えられるスパッタリング比率が減少し、その結果パネルの寿命が延びる。例文帳に追加

Furthermore, since the overall mass of the discharge gas becomes larger than the conventional one, and the kinetic energy of the gas particles decreases, the sputtering ratio applied on the protection layer is reduced and thereby, lifetime of the panel is prolonged. - 特許庁

好ましくは、前記ターゲットのスパッタ可能な部分は制限側壁３１２を含み、上部シールド３２２と前記ターゲットの間の前記暗空間ギャップ３２０へのプラズマ及び後方散乱粒子の侵入を制限する。例文帳に追加

Preferably, the part capable of sputtering in the target contains a limiting side wall 312, which limits the intrusion of plasma and backscattering grains into a dark space gap 320 between the upper shield 322 and the target. - 特許庁

基板４の近傍には、フッ素を含む固体化合物９が配置され、固体化合物９がプラズマに曝されてフッ素が脱離し、フッ素とスパッタ粒子が反応し基板４にフッ素を含む薄膜が形成される。例文帳に追加

A fluorine-containing solid compound 9 is disposed in the vicinity of the substrate 4 and exposed to the plasma so as to separate fluorine from the compound, and fluorine and sputter particles react with each other, thereby depositing the fluorine-containing thin film on the substrate 4. - 特許庁

本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、ビーム絞りから発生するスパッタ物によるチャージング現象に起因する加工不良を回避し、装置の稼働率を向上させることに関する。例文帳に追加

To provide a charged particle beam machining apparatus that implements an improved apparatus availability factor by avoiding a machining error caused by a charging phenomenon of sputter emitted from a beam diaphragm. - 特許庁

重合体生成ガスをその分圧が０．３ｍＴｏｒｒ以下となるように導入し、スパッタリング法により重合高分子中ＣｏＰｔ磁性粒子を分散させてなる磁気記録媒体を形成することを特徴とする。例文帳に追加

This method consists in forming the magnetic recording medium by introducing a polymer forming gas in such a manner that its partial pressure attains ≤0.3 mTorr and dispersing the CoPT magnetic particles into the polymerized high polymer by a sputtering method. - 特許庁

イオン化スパッタ粒子は電界設定手段が与える電界によって基板９に垂直に多く入射し、ホール９０内のカバレッジが向上する。例文帳に追加

The ionized sputter particles are incident much on the substrate 9 in a normal direction by the electric field given by an electric field setting means. - 特許庁

方向規制具３９１は、基板９と同軸の中心軸Ａから放射状に延びる複数の羽根板３９２から成り、基板９の径方向に長く一カ所で開いた断面形状のスパッタ粒子通過口を形成する。例文帳に追加

The direction regulating tool 391 is composed of several blade plates 392 radially extending from a center axis A coaxial with the substrate 9, and forms a sputtered particles- passing port having a profile which is long in a radial direction of the substrate 9 and opened at one placed. - 特許庁

水分の添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるため、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない高品質なものとなる。例文帳に追加

By the additon of water, the oxidation of sputtering particles is promoted, so that the metallic oxide thin film formed on the substrate W is made into the one small in absorption and having high quality. - 特許庁

下地層はECRスパッタ法により形成したMgO-SiO_2膜で、MgOである正六角形の結晶粒子12が、均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。例文帳に追加

The substrate layer is a MgO-SiO2 film formed by a ECR sputtering method and has honey-comb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon of MgO are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width. - 特許庁

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide new gallium oxide powder whose aggregated particles tend to be easily broken when they are pulverized in order to improve miscibility with other powders, so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as IGZO (InGaZnOx). - 特許庁

これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。例文帳に追加

Thereby a property unique to a sputtering method that deposited particles attached on the substrate 35 move on the substrate 35 by the influence of the plasma 22 is suppressed. - 特許庁

これにより、基板８における内周と外周との両方において、基板８上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板８面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。例文帳に追加

This enables targets made of different materials to be positioned on the symmetrical sections above the substrate 8 on both internal and external peripheries of the substrate 8 and this also decreases the incident angle of particles sputtered to the inside of the surface of the rotating substrate 8. - 特許庁

基板１７表面に入射するスパッタリング粒子の量が増し、しかも垂直に入射するので、高アスペクト比の薄膜を形成することができる。例文帳に追加

Since the amount of the sputtering particles made incident on the surface of the substrate 17 increases, and, they are vertically incident as well, a thin film having a high aspect ratio can be deposited. - 特許庁

本発明の成膜装置１では、遮蔽板５３とターゲット４２、４５との相対的な位置関係により、基板１７に最初にするスパッタ粒子の入射角度θ_2が８６°以下になっている。例文帳に追加

In a film deposition system 1, the incident angle θ_2 of sputter particles to be film-deposited on a substrate 17 at the first time is ≤86° by the relative positional relation between a shielding board 53 and targets 42 and 45. - 特許庁

そして、磁場発生手段によって形成される磁場により両極性拡散でイオン化したスパッタ粒子を散乱させることなく基体方向に飛翔させ基体に堆積させる。例文帳に追加

Then, ionized sputtered particles are allowed to take a flight toward the base body without being scattered with ambipolar diffusion by a magnetic field formed by a magnetic field generating means and deposited on the base body. - 特許庁

本発明は、ビーム絞りの材料として、ビーム絞りから放出されるスパッタ粒子により生成した、ビーム絞りの下流にある光学素子表面上の付着膜が、導電性を示す材料を用いることに関する。例文帳に追加

The material of the beam diaphragm is predetermined such that a deposited film on an optical element surface downstream of the beam diaphragm which is generated by sputter particles emitted from the beam diaphragm is conductive. - 特許庁

ターゲット２２の片半分を遮蔽板５１によって覆い、その下のエロージョン領域３９（磁束密度の最も大きな領域）から飛び出たスパッタ粒子が基板２８へ飛来しないように遮断する。例文帳に追加

One-half of the target 22 is covered by a shielding plate 51, thus shielding sputtered particles sputtered from an erosion area 39 underneath (highest magnetic flux-density area) so as not to fly to a substrate 28. - 特許庁

スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for uniformly covering a particle surface with a thin film by using a sputtering or vapor deposition technique, and to provide an apparatus to be used therefor. - 特許庁

スパッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for synthesizing tin oxide powder which can be suitably used as the source material of a tin oxide sintered body used as a sputtering target and which has little aggregation of primary particles and narrow distribution of the particle size. - 特許庁

かかる保護基板は、基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程、ダイヤモンドライクカーボン層形成工程及び表面層除去工程を経て形成される。例文帳に追加

The protected substrate is formed by carrying out a substrate cleaning step, a carbon particle sputtering step, a diamond-like carbon layer depositing step and a surface layer removing step. - 特許庁

成膜基板の成膜時にターゲットからスパッタされた粒子がモニター基板２１の裏面に到達する経路を遮断する経路遮断手段２２が設けられている。例文帳に追加

A passage cut-off means 22 cutting-off a passage through which particles sputtered from a target reach the back face of the monitor substrate 21 upon film deposition for the substrate to be-film deposited is provided. - 特許庁

これにより、スパッタターゲット２５から射出される粒子の一部が、形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいて遮蔽され、ディスク基板１１上の記録領域１０ａに、所望の膜厚分布の薄膜が形成される。例文帳に追加

Thereby, a portion of particles emitted from the sputtering target 25 is shielded based on the film thickness distribution of the thin film to be formed and the thin film of the desired film thickness distribution is formed in the recording region 10a on the disk substrate 11. - 特許庁

そこで、ウエハ２の周辺に塵埃トラップ板６を配置し、スパッタアウトされた粒子をトラップ板６の外周面に付着させウエハ２上へ飛来させず異物防止効果が得られる。例文帳に追加

Then, a dust trap plate 6 is disposed on the periphery of the wafer 2, the sputtered particles are adhered to the outer peripheral surface of the plate 6 to obtain a foreign matter preventing effect without flying the particles onto the wafer 2. - 特許庁

これにより、保護シールド９における他方のターゲットのスパッタ面と対向する部分の面積を小さくして保護シールド９に付着するターゲット２の膜材料の粒子の量を減少させる。例文帳に追加

By this structure, the area of a protection shield 9 in the part facing the sputter surface of another target can be decreased and the number of particles of film material of the target 2 adhering to the shield 9 can be decreased. - 特許庁

本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。例文帳に追加

To process a probe by avoiding inadvertent damage on a sample and reducing scattering and adhesion as much as possible of sputtering particles of heavy metal which are constituents of the probe and a sample stage. - 特許庁

この状態で、ドラムの周囲に配設されたターゲットの電源を時間制御でオンして、スパッタによりターゲットの粒子を基板に付着させることにより、複数の薄膜を基板に積み重ねて層を形成する。例文帳に追加

In such a state, the power source of a target arranged around the drum is turned on by time control, and the particles of the target are stuck to the one or more substrates by sputtering, thus a plurality of thin films are laminated on the substrates, so as to form layers. - 特許庁

この方法によって加工されたスパッターターゲットは、透磁率約９未満、サイズが約７０〜１６０μｍの範囲の粒子サイズ及び平均サイズ約１３０μｍを有する。例文帳に追加

The resultant target has about <9 magnetic permeability, about 70-160 μm particle size, and about 130 μm average particle size. - 特許庁

次いで、この薄膜２に堆積させるべき物質と濡れ性の高い開口部３を形成した後、前記堆積させるべき物質にスパッタリングなどを施して基板１上に、堆積させるべき物質粒子４を堆積させる。例文帳に追加

Then after a material to be deposited and an opening 3 which exhibits high wettability are formed on the thin film 2, sputtering or the like is applied to the material to be deposited to deposit particles 4 of the material to be deposited. - 特許庁

非滑面領域１８ｂ近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット９表面の非滑面領域１８ｂに衝突し、ターゲット９からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域１８ｂを削る。例文帳に追加

Argon ions ionized in a vicinity of a non-smooth area 18b are collided with the non-smooth area 18b of a surface of a target 9, and emit sputter particles from the target 9 to grind the non-smooth area 18b. - 特許庁

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。例文帳に追加

Zn particles in the targets A, B being subjected to sputtering are allowed to react with oxygen gas, and are deposited on a substrate that is shifted from the axial direction of the opposingly target and is arranged for forming a ZnO film on the substrate surface. - 特許庁

大きな生産高を有し、低減された量の帯域外放射、及び、下流の物体をスパッタする可能性がある高速粒子の低減された量を発生できる放射システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation system which has a large turnout, and radiates a reduced out-of-band radiation amount and a reduced amount of high-speed particles which may possibly sputter downstream matters. - 特許庁

真空チャンバ２１内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板２８を配置し、エロージョン領域３９の遮蔽板５１から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板２８の表面に入射させる。例文帳に追加

The substrate 28 is arranged to position inside a plasma region in a vacuum chamber 21, and the sputtered particles sputtered from a region exposed from the shielding plate 51 of the erosion area 39 are made to be incident to the surface of the substrate 28. - 特許庁

塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。例文帳に追加

To provide a nano crystal grain dispersion solution for providing the quality equal to that of an electronic device using the conventional sputtering process, vacuum deposition, and the like even in application or a dry technique. - 特許庁

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。例文帳に追加

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide. - 特許庁

磁気記録層用の磁性膜の下に予め作成される下地膜を作成する下地膜作成チャンバー１内には、ターゲット３０からスパッタリングにより放出されるスパッタ粒子を選択的に通過させることにより磁性膜に磁気異方性を与える方向規制具３９１がターゲット３０と基板９との間に設けられている。例文帳に追加

This apparatus has a direction regulating tool 391 installed between a target 30 and a substrate 9, for giving the magnetic anisotropy to the magnetic film, by selectively passing particles emitted from the target 30 by sputtering, in a chamber 1 for forming a base film as a magnetic recording layer to be precedently formed beneath the magnetic film. - 特許庁

このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。例文帳に追加

A film forming device is used to attain high directivity sputtering using a titanium target for forming the barrier metal layer, and includes a substrate bias mechanism for applying a high frequency voltage as a bias voltage to a semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to attract sputter particles from the titanium target, thereby allowing the titanium nitride film 11 to include an amorphous metallic film. - 特許庁

このようなプラズマ中のＡｒイオンがスパッタ・ターゲット５２に入射することによって生じた成膜粒子は、スパッタ・ターゲット５２上空のプラズマによってそのほとんどがイオン化されてワークＷ表面に入射するので、ワークＷ表面の電位を調節することにより、ワークＷ上にダメージない高配向膜を形成することができる。例文帳に追加

Almost of the film deposition particles produced by making Ar ion in the plasma incident to the sputtering target 52 are ionized by the plasma in the space over the sputtering target 52 to be made incident to the surface of a work W and then a highly oriented film free from damage is deposited on the work W by controlling the potential of the surface of the work W. - 特許庁

一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくし、且つカソードへの投入電力を大きくすることができる複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a composite type sputtering system and a composite type sputtering method where, without shortening the pitch of a pair of targets, the confining effect to the space between the targets of the charged particles of plasma, secondary electron or the like formed between the targets is increased, and also, the electric power supplied to cathodes can be increased. - 特許庁

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。例文帳に追加

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31. - 特許庁

半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。例文帳に追加

When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method. - 特許庁

ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。例文帳に追加

In a sputtering device equipped with a MgO target 3 and a ferromagnetic target 4, and sputtering MgO and a ferromagnetic substance to a substrate 8, this low-resistance granular film including a MgO barrier layer having (111) orientation and ferromagnetic fine particles dispersed in the MgO barrier layer is formed on the substrate 8 while a plasma interference state is optimized. - 特許庁

このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。例文帳に追加

Even if the graphite 32a is sputtered by the ion beam, since the injector flag Faraday cut 32 is arranged in an upstream of the beam scanner 36 and the ion beam is shielded by the injector flag Faraday cut 32, sputtered graphite particles do not deposit on a surrounding member of the injector flag Faraday cut 32. - 特許庁