「マグネトロン放電」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、マグネトロン１２Ａ、１２Ｂによって同軸モードのマイクロ波を放電管４０の端部４０Ａ、４０Ｂへ供給する。例文帳に追加

Then, the microwave of a coaxial mode is supplied to both end sections 40A, 40B of the discharge tube 40 by the magnetrons 12A, 12B. - 特許庁

また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。例文帳に追加

The metal film is formed on the carrier surface by a sputtering method through magnetron discharge using an assist by a rotating magnetic field. - 特許庁

マグネットの移動による放電電圧の変化が少ないマグネトロンスパッタ方法とその方法の実施に適した装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering method by which the change of discharge voltage by the movement of a magnet is small and to provide a device suitable for the execution of the method. - 特許庁

電子レンジの出力効率が良好で、かつ、マグネトロンの出力部と導波管との間に生じる放電を抑制する。例文帳に追加

To provide a microwave oven having superior output efficiency, capable of restraining discharges between an output part of a magnetron and a waveguide. - 特許庁

放電開始可能圧力より低い圧力で成膜するマグネトロンスパッタ方法において、膜質の向上を図る。例文帳に追加

To improve the film quality in a magnetron sputtering method in which film formation is executed under the pressure lower than that capable of starting discharge. - 特許庁

無電極ランプを放電させるマグネトロンの寿命を損なわずに、調光時における良好な発光スペクトルを実現する。例文帳に追加

To achieve a suitable light-emitting spectrum upon dimming without damaging life of a magnetron for discharging an electrodeless lamp. - 特許庁

マグネット６を移動させてマグネトロンスパッタリングする方法に於いて、該マグネットをその移動中にマグネトロン放電の電圧の増減に応じて該表面と垂直方向へ移動させてその放電の電圧をほぼ一定に維持する。例文帳に追加

In this method in which a magnet 6 is moved, and magnetron sputtering is executed, in the process of the movement of the magnet, it is moved to the direction vertical to the surface in accordance with the increase and decrease of the voltage of magnetron discharge, and the voltage of the discharge is retained to the approximately certain one. - 特許庁

真空に排気可能な容器内に、平板型マグネトロンカソードと基材保持機構とが対向して配置されているスパッタ成膜装置において、前記マグネトロンカソードと前記基材保持機構との間に、前記マグネトロンカソードの放電面を囲んで環状の磁性体が配置されていることを特徴とする、スパッタ成膜装置。例文帳に追加

In the sputtering film deposition apparatus, a flat plate type magnetron cathode and a base material holding mechanism are arranged opposite to each other in a vessel to be evacuated to vacuum, an annular magnetic material is arranged surrounding a discharge surface of the magnetron cathode between the magnetron cathode and the base material holding mechanism. - 特許庁

高周波を発振するマグネトロン２４と、マグネトロン２４に高電圧を印加する高圧トランス２１とを含む高周波発振手段２でもって、調理対象を高周波加熱する高周波加熱装置であって、高圧トランス２１の２次コイルＴｓでコロナ放電が発生したときに、マグネトロン２４の動作を停止させる異常対処手段３，４を備えている。例文帳に追加

The high frequency heating device high frequency-heats a cooking object with a high frequency oscillation means 2 containing a magnetron 24 for oscillating high frequency, and a high voltage transformer 21 for applying high voltage to the magnetron 24, and has means-coping-with-abnormality 3, 4 for stopping the operation of the magnetron 24 when corona discharge is generated in a secondary coil Ts of the high voltage transformer 21. - 特許庁

異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron electrode for plasma processing which causes less abnormal discharge and can stably discharge for a long time, and to provide a film deposition method in which dust generation accompanied by abnormal discharge is suppressed. - 特許庁

マグネトロン真空計は一度放電が停止してしまうと再度放電させるまでに長時間を要するという点であり、また、マグネトロン真空計では低真空領域の測定ができず、定電流による測定は陽極を破壊してしまう虞もあり、異常大電流を抑えて単に定電流を流しても非線形となっているため、そのままでの測定はできないという点である。例文帳に追加

To solve the problem that a magnetron vacuum gage needs a long time until discharge is performed again when discharge stops once, can not measure in a low vacuum region, has a risk breaking a positive electrode in measurement by constant current, and can not perform measurement as it is since abnormal large current is suppressed to be non-linear even when simply flowing the constant current. - 特許庁

本発明は電子レンジのようなマグネトロンを駆動する高周波加熱電源装置に関するものであり、故障等によりマグネトロンの発振が行われなくなった際に二次側高圧整流回路部の高圧コンデンサに溜まった容量Ｃを放電するための放電抵抗の構成方法により低コスト化と基板サイズの小型化を目的とする。例文帳に追加

To reduce the cost and size of a substrate by a construction method of a discharge resistor for discharging a capacity C accumulated in a high-voltage capacitor of a secondary-side high-voltage rectification circuit in the case a magnetron has stopped oscillation due to a failure or the like, in a high-pressure heating power supply device driving the magnetron such as a microwave oven. - 特許庁

このシステムは、真空チャンバと、真空チャンバに内蔵された線形放電管と、線形放電管に印加可能なマイクロ波電力信号を生成するよう構成されたマグネトロン１７０と、マグネトロンに電力信号を供給するよう構成された電力供給源１６０と、電力供給源に接続されたパルス制御部１６５とを含む。例文帳に追加

This systems includes a vacuum chamber; a linear discharge tube housed inside the vacuum chamber; a magnetron 170 configured to generate a microwave power signal that can be applied to the linear discharge tube; a power supply 160 configured to provide a signal to the magnetron 170; and a pulse control 165 connected to the power supply. - 特許庁

略円筒形となる形状の石英ガラス製のバルブ１１の発光空間１２内に、少なくとも希ガスと放電媒体となる水銀、鉄、ヨウ素、錫が封入され、マグネトロンより放射されるマイクロ波により放電をさせる。例文帳に追加

At least rare gas and mercury, iron, iodine, and tin as discharge media are enclosed in a light-emitting space 12 of the approximately cylinder-shaped bulb 11 made of quartz glass, and the electrodeless lamp is discharged by microwaves irradiated from a magnetron. - 特許庁

ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering cathode, a magnetron sputtering apparatus, and a method of manufacturing a magnetic device, for generating a leakage magnetic field sufficiently large to form a magnetic tunnel necessary for discharge on the surface of a target even when the target is a magnetic body and thick and a ferromagnetic body is used as the target. - 特許庁

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。例文帳に追加

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method. - 特許庁

外部印加の高周波電場と定常磁場とが直交するマグネトロン型放電電極の直下に基板を設置すると共に、該基板上に担体に担持された金属触媒を固定し、該基板をヒーターで加熱しながら炭化水素ガスの共存下にマグネトロンプラズマを発生し、該基板の直流バイアス制御のもとに前記金属触媒上に単層カーボンナノチューブを生成する。例文帳に追加

A substrate is placed direct below a magnetron type discharge electrode where a high frequency electric field applied from the outside intersects a stationary magnetic field at a right angle, a metallic catalyst supported on a support is fixed on the substrate, magnetron plasma is produced under the coexistence of a hydrocarbon gas while heating the substrate by a heater and the single-wall carbon nanotube is formed on the metallic catalyst under the DC bias control of the substrate. - 特許庁

レーザ気体の励起を放電により行うレーザ装置であって、放電によってレーザ気体の励起が行われる１またはそれ以上の放電空間１３が、冷却板４の冷却面により挟まれて形成され、この放電空間１３の励起源としてマイクロ波を発生するマグネトロン８を用いている。例文帳に追加

In a laser where laser gas is pumped through discharge, one or more discharge spaces 13 for pumping laser gas through discharge are defined by the cooling faces of cooling plates 4, and a magnetron 8 generating microwave is employed as the pumping source of the discharge spaces 13. - 特許庁

長尺の放電管４０を備えたマイクロ波放電ランプにおいて、マイクロ波を発振する２つのマグネトロン１２Ａ、１２Ｂを放電管４０の両端部４０Ａ、４０Ｂと同軸結合させ、放電管４０を管軸方向に沿って囲むように導体管３０を配置する。例文帳に追加

In the microwave discharge lamp with a long discharge tube 40, two magnetrons 12A, 12B for oscillating microwaves are coaxially combined with both end sections 40A, 40B of the discharge tube 40, a conductive tube 30 is arranged so as to surround the discharge tube 40 along a tube-axis direction. - 特許庁

マグネトロン放電用の磁場を形成するための磁力線が、大径磁石３ａ及び小径磁石３ｂのいずれか一方からいずれか他方に向けて形成されている。例文帳に追加

Magnetic flux for forming the magnetic field for magnetron discharge is formed from either the large diameter magnet 3a or the small diameter magnet 3b toward the other direction. - 特許庁

マグネトロン１３１，１３２から発振されたマイクロ波を、アンテナ１６１，１６２から送信させ、導波管１５１，１５２の先端から放電媒体が封入された管状の無電極ランプ１２に伝達させる。例文帳に追加

The microwaves oscillated from magnetrons 131, 132 are transmitted from antennas 161, 162, and are conveyed to a tube-shaped electrodeless lamp 12 where a discharge medium is enclosed from the open ends of waveguides 151, 152. - 特許庁

筐体１１内に、マイクロ波を発生するマグネトロン１３１，１３２および導波管１５１，１５２を介してマイクロ波に基づき紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ１２が配置される。例文帳に追加

Magnetrons 131, 132 for generating microwaves and the electrodeless lamp 12, in which a discharge medium capable of emitting ultraviolet light on the basis of the microwaves through waveguides 151, 152 is enclosed, are arranged in a housing 11. - 特許庁

マグネトロン８から射出されたマイクロ波は、スタブチューナー１０とプランジヤ１１の間に定在波を形成し、電界強度が最も強くかつ最もガス圧の低い超音速ノズル３で放電を発生させる。例文帳に追加

Microwaves radiating from a magnetron 8 form standing waves between a stub tuner 10 and a plunger 11, and an electric discharge occurs in the ultrasonic nozzle 3 where an electric field has the highest intensity and gas is the lowest in pressure. - 特許庁

変形マグネトロン高周波放電型のプラズマ処理装置において、真空容器の組み立てが容易で、シール構造を減らして高真空に減圧できるようにする。例文帳に追加

To assemble a vacuum vessel with ease and to reduce pressure until obtaining high vacuum by decreasing a seal structure in a deforming magnetron high frequency discharge type plasma treatment device. - 特許庁

センターリード、サイドリード、ステム、リード中継板及びステム管外用のリードをろう付けする際に生ずる余剰ろう材を原因とする管内放電を抑えることができるマグネトロンを得る。例文帳に追加

To provide a magnetron capable of restraining inner-tube discharge due to surplus wax materials produced on the way of brazing of a center lead, side lead, stem, lead-relay plate, and leads outside a stem tube. - 特許庁

ランプハウス１１内に、マグネトロン１３１，１３２が発生するマイクロ波に基づき紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ１２が配置される。例文帳に追加

An electrodeless lamp 12 filled with a discharge medium capable of emitting ultraviolet lights based on microwaves generated by magnetrons 131, 132 is arranged in a lamp house 11. - 特許庁

深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。例文帳に追加

An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method. - 特許庁

ターゲット間でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでの放電を防止して、低ダメージで低温成膜が可能な対向ターゲット式のデュアルマグネトロンスパッタ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a dual magnetron sputtering apparatus of an opposed target type in which a low-temperature film formation can be performed with low damage by improving the confinement of plasma between the targets, therby preventing electric discharge near a substrate. - 特許庁

従来のマグネトロンスパッタリング装置では、成膜する間、磁石組立体を連続して移動させていたので、ターゲット前方のプラズマが揺らぎ、異常放電が発生し易くなる。例文帳に追加

To solve the problem that it is liable to cause an abnormal discharge since a magnet assembly is continuously moved during film deposition to swing plasm in front of a target in the conventional magnetron sputtering system. - 特許庁

マグネトロン放電用磁気回路が設けられた矩形平板ターゲットを有するロータリ式スパッタリング装置において、基板の表面に均一な膜厚の薄膜が形成できるスパッタリング方法とその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering method capable of forming a thin film of uniform thickness on the surface of a substrate in a rotary type sputtering device having a rectangular planar target provided with a magnetic circuit for magnetron discharge and to provide the device. - 特許庁

カットオフ電圧である直流高電圧Ｅ２を陽極９ｂに印加する際、マグネトロン陽極９ｂに帯電した電荷を放電回路Ｃ６により吸収する。例文帳に追加

When applying the DC high-voltage E2 which is a cutoff voltage to the anode 9b, electric charges which are charged on the magnetron anode 9b, are absorbed by a discharging circuit C6. - 特許庁

排気管への放電を少なくして誤作動を防止でき、チョーク効果による基本波漏洩を防止できるマグネトロンおよびマイクロ波利用機器を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron and a microwave utilization apparatus in which malfunction can be prevented by reducing discharge to an exhaust pipe, and leakage of the fundamental wave due to choke effect can be prevented. - 特許庁

メタルハライドランプ１００はマグネトロンより放射されるマイクロ波により、放電媒体である鉄が３５０〜３８０ｎｍの紫外線を発光させる。例文帳に追加

The metal halide lamp 100 makes iron as a discharge medium emit ultraviolet rays of 350 to 380 nm with by microwaves radiated from a magnetron. - 特許庁

マグネトロンの構成の一部で形成されるロウ付け部及びメタライズ部において、真空封止された空間外部で発生する放電を防止すること。例文帳に追加

To prevent discharge generated at the outside of a space vacuum sealed at a brazed part and a metallized part which are formed by a part of a magnetron structure. - 特許庁

各ターゲット３０の背後にはマグネトロン放電のための磁石機構５が設けられ、磁石機構５は主回転機構によりターゲット３０とともに公転し、副回転機構によりターゲット３０の中心軸の回りに自転する。例文帳に追加

A magnet mechanism 5 for magnetron discharge is arranged behind each target 30, and revolves together with the target 30 by the action of the main rotation mechanism, while rotating around the center axis of the target 30 by the action of a secondary rotation mechanism. - 特許庁

被処理基板１に対向して配置されるターゲット２と、ターゲット２の背面側に配置され、マグネトロン放電用の磁場をターゲット２の前方に形成するための磁場形成手段３と、を備える。例文帳に追加

This system is provided with a target 2 arranged oppositely to the substrate 1 to be treated and a magnetic field forming means 3 arranged on the back side of the target 2 and forming the magnetic field for magnetron discharge in front of the target 2. - 特許庁

直流駆動のマグネトロンで点灯する無電極放電ランプの点灯開始直後の異常状態を持続させないとともに、安定状態期間の異常状態からもすみやかに安定動作を回復させる。例文帳に追加

To achieve that an abnormal state in an electrodeless discharge lamp immediately after lighting that is lighted by a magnetron driven by a direct current is not continued, and an operational stability is rapidly recovered also from an abnormal state during a stabilized state period. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering system where the outer circumferential edge part of a target can be uniformly eroded, the utilizing efficiency of the target is high, further, abnormal discharge is hard to be generated, and satisfactory thin film deposition can be performed. - 特許庁

ターゲット表面が全面エロージョンとなる状態で放電が得られ、パーティクルの発生がなくターゲットライフの長い強磁性体のマグネトロンスパッタ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering device for a ferromagnetic substance capable of obtaining discharge in a state in which the surface of a target is made into erosion in the whole face, free from the generation of particles and having a long target life. - 特許庁

【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。例文帳に追加

An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation. - 特許庁

ランプハウス１１内に、マイクロ波を発生するマグネトロン１３２および導波管１５２、それにマイクロ波による励起に基づき紫外線を発光することが可能な放電媒体が封入された無電極ランプ１２を配置する。例文帳に追加

A magnetron 132 for producing a microwave, a waveguide 152, and an electrodeless lamp 12 in which a discharge medium, that is excited by the microwave to emit ultraviolet light, is enclosed, are arranged in a lamp house 11. - 特許庁

その後、それぞれの突起１１に電界研磨法あるいは放電加工法を用いて研磨を行い、突起１１の先端部分の曲率半径が１マイクロメートル以内に形成された陰極体１０を備えたマグネトロン。例文帳に追加

Each projection 11 is subjected to polishing by an electric field polishing method or discharge machining method, wherein the radius of curvature at the tip of each projection 11 is formed within 1 μm, and with this cathode body 10 produced, the intended magnetron is accomplished. - 特許庁

ダイヤフラムやベローズなどの高価な部品を用いることなく、安価な構造で発振周波数調整を行うことができ、しかも放電などを起し難く、安定な発振をすることができる構造のマグネトロンを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron having a construction which can regulate oscillation frequency with a low cost structure without usage of expensive components such as a diaphragm, a bellows and so on, and hardly causes electric discharge or the like and stably oscillates. - 特許庁

各放電用電極１３の上部に永久磁石３１を設け、各永久磁石の磁力線がつながるような極性で配置し、永久磁石３１の間隔と磁界強度を変えることで、マグネトロン放電を制御できるようにする。例文帳に追加

Permanent magnets 31 are provided over the respective electrodes 13 for discharge, arrangement is made by polarity where lines of magnetic force of respective permanent magnets are connected, and magnetron discharge can be controlled by changing the interval and magnetic field strength of the permanent magnet 31. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±１０％以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。例文帳に追加

In a magnetron sputtering system, the transition sputtering is performed by supplying an inert gas and a reactive gas in respective desired flow rates into a vacuum chamber while adjusting the variation with time of discharge electric power or discharge admittance to be within ±10% and controlling the voltage of a sputter electric source. - 特許庁