「二次ビーム」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

電子ビーム照射面１３ａは、電子ビームＢの光軸方向である高さ方向の位置がその面内位置により異なり、また電子ビームＢを照射されることにより反射電子及び二次電子のうちの少なくとも一方を発生する。例文帳に追加

The electron beam irradiation surface 13a is different in a position in the height direction being an optical axis direction of the electron beam B depending on its in-plane direction, and generates at least either of reflection electrons and secondary electrons by being irradiated with the electron beam B. - 特許庁

電子銃１１から放出された電子線を複数の電子ビームに形成し、電子ビームで試料Ｓ上を走査して照射する光学系１０と、電子ビームの照射により試料から放出された二次電子を検出する複数の検出器２１とを備えている。例文帳に追加

This electron beam device is equipped with an optical system 10 forming an electron beam emitted from an electron gun 11 in a plurality of electron beams and scanning the electron beams on a sample S for irradiation; and a plurality of detectors 21 for detecting secondary electrons emitted from the sample by irradiation of the electron beams. - 特許庁

Ｘ線検出用導管５内には、Ｘ線入射用導管２ａを介して入射した一次Ｘ線ビームを受けて二次Ｘ線ビームを発生し、Ｘ線検出用導管５の先端部を経て試料に照射するための二次ターゲット３が備えられている。例文帳に追加

The inside of the conduit 5 for X-ray detection is provided with a secondary target 3 for receiving a primary X-ray beam incident via a conduit 2a for X-ray incidence, generating a secondary X-ray beam, and irradiating it to the sample via the tip part of the conduit 5 for X-ray detection. - 特許庁

（二）　マスク、半導体素子又は集積回路の製造をすることができるように設計した装置であって、電子ビーム、イオンビーム又はレーザー光を用いた装置のうち、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

2. Equipment designed to be capable of manufacturing masks, semiconductor devices or integrated circuits, among those using electron beams, ion beams or laser beams, those that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

試料断面領域近傍に集束イオンビーム１を走査照射してエッチング加工しながら、集束イオンビーム１を照射することにより発生する二次電子２を検出する。例文帳に追加

While executing etching work by scanning and irradiating the vicinity of a sample cross section region with a focused ion beam 1, secondary ions 2 generated by the irradiation of the focused ion beam 1 are detected. - 特許庁

イオン注入装置は、イオン注入用ビームに対して基板の二次元走査を行って、ビームが基板上に走査線のラスタを描くようにする。例文帳に追加

An ion implanter carries out two-dimensional scanning of a substrate relative to a beam for ion implantation so that the beam draws a raster of scan line on the substrate. - 特許庁

イオン源２、イオン源２から発生したイオンビームを被加工材料３上に細く集束するための集束レンズ４、及び、イオンビームにより被加工材料３上を二次元的に走査するための偏向器５等を備える。例文帳に追加

The focused ion beam device comprises the ion source 2, focusing lens 4 to finely focus the ion beam generated from the ion source 2 on the material 3 to be processed, a deflector 5 for secondary scanning on the sample by means of the ion beam and so forth. - 特許庁

ガード電極１１の開口は、電子ビーム９及び電子ビーム９の照射により試料７から発生する二次電子が通過するために十分な面積を確保する。例文帳に追加

The opening of the guard electrode 11 secures an area enough for the electron beams 9 and secondary electrons generated from the sample 7 by irradiation of the electron beams 9 to pass through. - 特許庁

主ミラー１３６は、受信したビーム１４２を二次的ミラー１３８に向け且つ光送信エネルギ１４８をテレスコープ１０２外から送信ビーム１４２で伝える。例文帳に追加

The main mirror 136 turns a received beam 142 to the secondary mirror 138 and transmits optical transmission energy 148 with the transmission beam 142 from outside the telescope 102. - 特許庁

さらに、電子ビーム源である強誘電体層２の表面に、二次電子放出能力の高いＭgＯ膜や窒化アルミニウム膜等を積層して、電子ビーム放出密度を高める。例文帳に追加

Furthermore, on the surface of the ferroelectric layer 2 of the electron beam source, MgO films or aluminum nitride films or the like are laminated which have high secondary electron discharge ability, and electron beam discharge density is enhanced. - 特許庁

はじめに、符号化されたデータストリームが二つの直交基準ビームに沿って送信されパワーロードされる２次元ビームフォーマを有する送信装置が述べられる。例文帳に追加

First, it states a transmission device that has a two-dimensional beamformer in which an encoded data stream is transmitted along two of orthogonal reference beams and is power-loaded. - 特許庁

マイクロスケールという特定の試料の二次電子信号の特長から、ビーム特性に対応する特長量としてのビーム半値幅を日々計測することにより、装置特性の経時変化をモニターする。例文帳に追加

A change of device characteristics with the passage of time is monitored everyday from the feature of a secondary electron signal of a specific specimen such as a micro-scale, by measuring a beam half breadth serving as the quantity of the feature corresponding to beam characteristics. - 特許庁

また、微粒子２に集束イオンビームを照射し、この集束イオンビームの照射により放出される二次イオンを検出して微粒子２の成分分析を行う。例文帳に追加

The fine particle 2 is irradiated with a converged ion beam, and secondary ions discharged by the irradiation of the converged ion beam are detected so as to perform the component analysis of the fine particle 2. - 特許庁

光走査光学系２０は、光ファイバー１０からの光ビームを一定方向に偏向する反射面２２と、反射面２２からの光ビームを二次元的に走査する走査ミラー２４を含んでいる。例文帳に追加

The system 20 includes a reflection surface 22 deflecting a light beam from the optical fiber 10 in a fixed direction, and a scanning mirror 24 scanning the light beam from the surface 22 two-dimensionally. - 特許庁

複数の検出器で二次電子群によるマルチビームの各ビームに対応する信号を検出し、試料面上のパターンの評価を行なう。例文帳に追加

Signals corresponding to the respective beams of the multiple beams by the secondary electron group are detected by a plurality of detectors, and the evaluation of the pattern on the test piece face is carried out. - 特許庁

それとともに、結像した光線の二次元的形状から得られるＸ方向ビーム径Ａ１またはＹ方向ビーム径Ａ２が最小値となるときの結像点３２を求める（ステップＳ２９０）。例文帳に追加

Along with this, an imaging point 32 when an X-direction beam diameter A1 or Y-direction beam diameter A2 obtained from a two-dimensional shape of the imaged light beam becomes a minimum value is obtained (step S290). - 特許庁

この様な観察において、観察領域の二次電子ビーム像を得る前に、少なくとも観察領域を含む領域に対して帯電が起こらない様に電子ビームでプリ照射する。例文帳に追加

In this kind of observation, before the secondary electron beam image in the observation region is obtained, it is pre-irradiated with the electron beam at least to the region including the observation region so that the electrostatic charge does not occur. - 特許庁

実書込み状態の書込みビーム像を実画像と同様の二次元画像データとして、取得することのできる光書込み系のビーム測定評価装置を提供する。例文帳に追加

To provide a beam measuring and evaluating device for an optical writing system which can obtain a write beam image in an actual writing state as two-dimensional image data similar to an actual image. - 特許庁

集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置内で二次電子検出に用いるシンチレーション検出器組立体で二次電子エネルギーの有効範囲の大部分について二次電子収集効率ほぼ１００パーセントを達成する。例文帳に追加

Secondary electron collection efficiency is achieved nearly 100% for majority part of the effective range of the secondary electron energy by a scintillation detector assembly that is used for detecting secondary electron in the focusing ion beam(FIB). - 特許庁

照射面の二次元情報を保持したまま高質量数の二次イオンをパルス化できるガスクラスターイオンビームを用いた飛行時間型二次イオン質量分析装置を提供する。例文帳に追加

To provide a time-of-flight secondary ion mass spectrometer using a gas cluster ion beam in which secondary ions with a high mass-number can be pulsed while holding the two-dimensional information of the irradiation surface. - 特許庁

ホ　液体ジェット加工をすることができる工作機械、電子ビーム加工機又はレーザー加工機であって、次の（一）及び（二）に該当するもの例文帳に追加

(e) Machine tools capable of liquid jet machining, electron beam machines or laser beam machines that fall under any of the following categories 1. or 2.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

二次粒子の再付着層が形成されても断面観察への影響がほとんどないイオンビーム装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion beam device with little influence on cross section observation even if a reattachment layer of secondary particles is formed. - 特許庁

ボクセルのスライス２３０中の各ビーム２３２を読込み、二次元のセクション境界に達するまで処理を行う。例文帳に追加

Each beam 232 of voxel slices 230 is continuously read up to a two-dimensional section boundary. - 特許庁

イオンビームを照射することによって生成された二次粒子が加工領域に再付着することを抑制する。例文帳に追加

To restrain secondary particles generated by irradiation of ion beams from adhering again to a processing area. - 特許庁

選択を特に後方散乱電子及び二次電子に従って容易に行なうことができる検出装置を有する電子ビーム装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electron beam device with a detecting device capable of easily making a selection especially based on the difference between backscattered electrons and secondary electrons. - 特許庁

耐熱性、耐放射線性及び二次電子放出特性に優れている量子ビームモニタ用電極を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrode for a quantum beam monitor superior in heat resistivity, radiation resistivity and secondary electron discharge characteristics. - 特許庁

フォーカストイオンビームが構成体へ付与される場合に発生される二次電子を検知することによって生の検知器信号を発生する。例文帳に追加

A raw detector signal is generated by detecting secondary electrons generated in case that the focused ion beam is given to the forming body 1720. - 特許庁

レーザ画素１１の二次元アレイは、基板１０に直交したレーザ光の画像ビーム１３を放出する。例文帳に追加

The two-dimensional array of the laser pixel 11 emits an image beam 13 of a laser beam vertical to the substrate 10. - 特許庁

次に、第二層膜１３０の表面にレジスト層１４０を形成し、レジスト層１４０の表面に電子ビームＡを照射し、露光する。例文帳に追加

Then, a resist layer 140 is formed on the surface of the second layer film 130 and the surface of the resist layer 140 is irradiated with an electron beam A for exposure. - 特許庁

電子線描画のフォーカス合わせを、段差状パターン１１に描画電子ビームを当ててエッジ１５の二次電子像を観察しながら行う。例文帳に追加

An electron-beam exposure system is focused while the stepped pattern 11 is irradiated with a drawing electron beam and the secondary-electron image of the edge 15 is observed. - 特許庁

複数本の二次電子ビーム調整を、効率良く実施することのできる半導体検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor inspection device and a defect inspection method that efficiently adjusts a plurality of secondary electron beams. - 特許庁

ミラーピースの取付け作業及び交換作業が容易なビームダウン型太陽集光装置の二次ミラーを提供する。例文帳に追加

To provide a secondary mirror of a beam down-type solar light condenser, in which attaching work and exchanging work of a mirror piece is easy. - 特許庁

超音波ビームを二次元走査する場合において、音速制御素子を用いて送信チャンネル数及び受信チャンネル数を削減する。例文帳に追加

To reduce the number of transmitting channels and receiving channels using a sound velocity control element when two-dimensionally scanning an ultrasonic beam. - 特許庁

構成の簡素化と装置の小型化を図りながら、ビームを二次元方向に円滑に走査できる光走査装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical scanner for simplifying the constitution, reducing the size and smoothly scanning a beam in two-dimensional directions. - 特許庁

簡単な構成でありながら、二次元配列された光ビームの配列間隔を特定の方向にのみ着目して変換する。例文帳に追加

To transform the arraying intervals of two-dimensionally arrayed light beams in a specific direction in a simple composition. - 特許庁

セルラーの基地局への使用に好適な改良型二次元スマートアンテナアレイのビームフォーミング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a beam forming method for an improved two-dimensional smart antenna array suited for use in a cellular base station. - 特許庁

二次的ミラー１３８は、受信したビーム１４４を受信した光エネルギ１４６として共用経路１０８内に更に向ける。例文帳に追加

The secondary mirror 138 turns the received beam 144 to the common path 108 as received optical energy. - 特許庁

集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。例文帳に追加

This focused ion-beam device displays an enlarged image of an original image by enlarging it with a pixel-by-pixel interpolation, wherein the original image is generated by second particle signals sent from a detector. - 特許庁

の方法では、セルに対して光を照射した状態で、セルに荷電粒子ビームを照射して、セルから発生する二次粒子を測定する。例文帳に追加

In the method (2), the cells irradiated with light are irradiated with a charged particle beam and secondary particles generated from the cells are measured. - 特許庁

複数の電子ビームで試料上の複数の箇所を走査する一次光学系１０と、電子ビームの走査により試料Ｓから放出された二次電子を複数の二次電子に集束して、各々の検出器３１に導入する二次光学系２０と、導入された複数の二次電子をそれぞれ検出する検出系３０とを備えている。例文帳に追加

The electron beam device comprises a primary optical system 10 which scans a plurality of locations on the sample by a plurality of electron beams, a secondary optical system 20 which converges the secondary electrons emitted from the sample S by the scanning of electron beams into a plurality of secondary electrons and introduces into each detector 31, and a detection system 30 which detects respectively the plurality of introduced secondary electrons. - 特許庁

また、この方法は、第１の二次荷電粒子ビーム及び第２の二次荷電粒子ビームを、それに応答して信号を発生するように構成された検出器で受け取り、その信号に応答して第１領域及び第２領域の像を形成することも含む。例文帳に追加

The method also includes: receiving the first secondary charged particle beam and the second secondary charged particle beam at a detector configured to generate a signal in response to the beams; and forming an image of the first and the second regions in response to the signal. - 特許庁

変換電極６に入射するイオンビームの入射方向と、二次電子出射口６３の中心６４とシンチレータ７１の中心７３とを結ぶ線７５とが、鋭角をなすように、イオンビーム輸送部５，変換電極６および二次電子検出系７は設置されている。例文帳に追加

An ion beam transport part 5, a conversion electrode 6, and a secondary electron detecting system 7 are arranged so that the incident direction of ion beams incoming in the conversion electrode 6 and a line 75 connecting the center 64 of a secondary electron outgoing opening 63 and the center 73 of a scintillator 71 form an acute angle. - 特許庁

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。例文帳に追加

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8. - 特許庁

イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。例文帳に追加

During work of removing a damaged layer which arises from an ion beam, transmitted electrons are detected with a two-dimensional detector, the transmitted electrons arising by irradiating a sample with an electron beam formed by an electron beam optical system, and the timing of the completion of the work of removing the damaged layer is determined on the basis of the blur amount of a diffraction pattern obtained with the two-dimensional detector. - 特許庁

二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。例文帳に追加

In the semiconductor laser by the two-dimensional photonic crystal, a lattice constituting the two-dimensional photonic crystal is formed by orienting circular holes in a rectangular region, and a structure of an end part which forms an outer peripheral portion of the rectangular region is made different in forming this lattice, thereby forming the beam shape of the outgoing beam as the unimodal beam. - 特許庁