「二次ビーム」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。例文帳に追加

The processing progress is monitored by running the electron beam, and detecting secondary electrons generated from the object by a secondary electron detector to acquire an electron microscope image. - 特許庁

画像取得装置は、レーザービームを二次元に走査する二次元走査手段として、回転プリズム９と、光軸方向に移動可能な平面ミラー１３とを有する。例文帳に追加

The image acquiring device includes a rotary prism 9 and a plane mirror 13 for being moved in the direction of an optical axis as a two-dimensional scanning means for scanning images by laser beams two-dimensionally. - 特許庁

このようなイオンビーム加工方法によれば、試料２を断面加工した際に発生する二次粒子は不活性ガスにより吹き飛ばされので、二次粒子が試料２の断面領域に付着することがない。例文帳に追加

In such a method of ion beam processing, the secondary particles generated at the time of cross-section processing of the sample 2 are blasted off by the inert gas, so that the secondary particles will not be adhered to the cross-section area of the sample 2. - 特許庁

本発明は、二次元ベクトル正規化装置、二次元ベクトル位相抽出装置およびビーム形成回路に関し、ハードウエアの規模の大幅な削減と、所望の応答性および精度の安定な確保とを目的とする。例文帳に追加

To remarkably reduce a scale of a hardware and to stably assure a desired responsivity and an accuracy. - 特許庁

二次元速度ベクトル演算部５２０は、各点の接線方向速度成分ｖφと超音波ビーム方向速度成分ｖ_k から各点の二次元速度ベクトル［ｖ］を求める。例文帳に追加

A two-dimensional velocity vector operation part 520 finds the two-dimensional velocity vector v of each point from the component of velocity vϕ in the tangential direction and the component of velocity v_k in the direction of ultrasonic beams of each point. - 特許庁

集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。例文帳に追加

To perform TEM observation and secondary particle image observation in an identical observing position by irradiating an observed surface formed by a focused ion beam with a charged particle beam to form an observed image and then thin-processing to make transparent while supporting the observed surface. - 特許庁

マルチビーム露光装置１０に、複数の画素を選択的にｏｎ／ｏｆｆする手段から照射された各光ビームの位置、形状及び光量を同時に、記録面上で測定する二次元的な光の検出手段１００を設ける。例文帳に追加

The multi-beam exposing apparatus 10 is provided with a two-dimensional light detecting means 100 for simultaneously measuring, on the recording surface, position, shape, and amount of light of each optical beam irradiated from the means for selectively turning ON/OFF a plurality of pixels. - 特許庁

ストライプ幅の大きな高出力ＬＤやマルチビームＬＤ、二次元配列ＬＤ、面発光レーザを適用した場合にも幾何光学的にビームスポットを一定の大きさ以下にすることができる光走査装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical scanner capable of controlling a beam spot in a geometrical optics way to be not larger than a fixed size even in the application of a high output LD of a large stripe width, a multi-beam LD, a two-dimensionally arrayed LD, or a surface emitting laser. - 特許庁

直線偏光ビームで試料表面を二次元走査して磁区検出を行う、カー効果やファラデー効果を利用した光学的磁区検出装置において、機械的可動部を用いずに高速で、信頼性が高く、繰り返し位置決め精度が良く、簡便に直線偏光ビームを走査すること。例文帳に追加

To easily scan a linear polarized beam at a high speed, high reliability, and high repeated positioning precision, without using a mechanical moving part, in an optical magnetic domain detector using a Kerr effect or a Faraday effect for scanning a sample surface two-dimensionally by the linear polarized beam to detect a magnetic domain. - 特許庁

特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。例文帳に追加

The reflected beams, reflected at the specified structure and secondary electron beams, which are discharged at the surface of the test piece when the incident energy escape from the surface of the test piece, are detected, and then the distance between the specified structure and the structure embedded at a different depth from that of the specified structure is determined. - 特許庁

二次元走査によるエネルギービームの照射によって大面積の半導体薄膜を結晶化する際、半導体薄膜の全面においてエネルギービームの照射回数のばらつきをより小さく抑えることが可能な結晶化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallizing method in which when a semiconductor thin film of a large area is crystallized by irradiation of energy beams by a two-dimensional scanning, variations of the number of times of irradiation of the energy beams can be suppressed small on the entire face of the semiconductor thin film. - 特許庁

レンズ１２の面１７ｂで反射したビームの第一焦点をカメライメージ面２８に位置決めし、次にレンズ１２とイメージ面２８の一方を調整移動してレンズ１２の面１７ａで反射したビームの第二焦点をカメライメージ面２８に位置決めする。例文帳に追加

A first focus of the beam reflected from the surface 17b of the lens 12 is positioned on the surface 28, one of the lens 12 and the surface 28 is regulated and moved to position a second focus of the beam reflected from the surface 17a of the lens 12 at the surface 18. - 特許庁

二次元走査によるエネルギービームの照射によって半導体薄膜を結晶化させる際、エネルギービームの走査は、照射領域の横方向および縦方向のそれぞれに隣接する当該照射領域に対して重なりを持つように当該照射領域を移動させることによって行われる。例文帳に追加

When the semiconductor thin film is crystallized by irradiation of the energy beams by the two-dimensional scanning, the scanning of the energy beams is performed by shifting a corresponding irradiation region so as to be overlapped on the irradiation region adjacent to each of a lateral direction and a vertical direction of the irradiation region. - 特許庁

検出装置は２つまたはそれ以上の長さのローを有する二次元アレイであることが好ましく、各種の厚さのビームはそれぞれその対応しているビームに実質的に検出領域がマッチして１つのローまたは複数のローの検出器要素の上に投影することができるようになっている。例文帳に追加

The output of each detector element of the detector array 24 is sent to a data collection system(DAS) 40, the DAS 40 is further connected to a processor 42, and the processor 42 provides a data value to a reconstruction computer 44. - 特許庁

本発明の基体検査方法は、半導体ウェハＷ上に電子ビームを照射することにより放出される二次電子線を単一の電子線検出器で検出するＳＥＭ装置を用い、半導体ウェハ上の欠陥Ｄが存在する部位に光軸Ｅ１で電子ビームを照射する。例文帳に追加

According to the substrate inspection method, electron beams are irradiated by an optical axis E1 to the part on a semiconductor wafer W, where the defect D is present with the use of an SEM apparatus which detects by a single electron beam detector, secondary electron beams emitted, when electron beams are applied onto the semiconductor wafer W. - 特許庁

液晶デバイス（２１０）及びワイヤーグリッド偏光ビームスプリッター（２４０）の間における光路に配置された補償器（２６０）並びにワイヤーグリッド偏光検光子（２７０）及びワイヤーグリッド偏光ビームスプリッター（２４０）の間に配置された二次補償器（２６５）を備える。例文帳に追加

The projection display device is provided with the compensator (260) arranged in an optical path between the liquid crystal device (210) and the wire grid polarization beam splitter (240), and the secondary compensator (265) arranged between the wire grid polarization analyzer (270) and the wire grid polarization beam splitter (240). - 特許庁

ビーム偏向制御回路の構成素子で発生する偏向回路雑音による電子ビーム照射位置のずれによる二次元画像化したときの画素ずれを低減して画質及び欠陥検出感度を向上させたＳＥＭ式検査装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an SEM type inspection device improved in image quality and defect detection sensitivity by reducing pixel displacement when a two-dimensional image is formed by displacement of an electron beam irradiation position by deflection circuit noise generated in a constituent element of a beam deflection control circuit. - 特許庁

撮像素子３５は、試料４に照明用ビームＢ１を照射して得られる二次ビームＢ２の光学像を各画素毎に電気信号に変換し、変換した電気信号をｘｙステージ４０の移動方向（光学像の移動方向）に積算した信号を出力する。例文帳に追加

A picture pickup element 35 converts an optical image of secondary beam B2 provided by irradiating beam B1 for lightening on the test 4 to an electric signal for each of picture elements and outputs a signal made by integrating the converted electric signal in the moving direction of the (xy) stage 40 (moving direction of the optical image). - 特許庁

レーザ射出方向に対してほぼ直交する平面上に二次元に配列されたレーザ出力点からそれぞれ断面強度分布および広がり角が略同一なレーザビームを略同一射出方向に出力するレーザダイオードモジュール装置において、レーザビームをほぼ平行なビーム群にして、細い線状あるいは微小な点状に集光する。例文帳に追加

To obtain a laser diode module outputting laser beams having substantially identical cross-sectional intensity distribution and sprees angle in substantially identical directions from laser output points arranged two-dimensionally on a plane substantially orthogonal to the direction of laser emission in which a group of substantially parallel laser beans is produced and condensed into a thin line or a microdot. - 特許庁

ガラス４１上に絶縁性下地層４２ａと酸化亜鉛層４２ｂが順次積層された透明電極層に対し、Ｎｄ−ＹＶＯ4（ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー）レーザーから出力される第二高調波（波長５３２ｎｍ）であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝４３を形成する。例文帳に追加

An isolation groove 43 is formed in a transparent electrode layer in which an insulating ground layer 42a and a zinc oxide layer 42b are sequentially laminated on a glass 41 by a laser beam which is a second harmonic (with a wavelength of 532 nm) outputted from a Nd-YVO4 (neodymium-YVO4) laser, and whose cross sectional output intensity distribution is equalized and whose fore-end is flat. - 特許庁

二次元に配列されたレーザ出力点からそれぞれ出力されるレーザビーム群の列方向（または行方向）の広がりを補正する第１のレンズと、行方向（または列方向）の広がりを補正する第２のレンズとを備え、各レーザ出力点から出力される広がり角をもったレーザビームをほぼ平行なレーザビーム群にする。例文帳に追加

The laser diode module comprises a first lens for correcting spread in the column direction (or row direction) of a group of laser beams outputted, respectively, from laser output points arranged two-dimensionally, and a second lens for correcting spread in the row direction (or column direction) where laser beams emitted from respective laser output points while having a spread angle produce a group of substantially parallel laser beans. - 特許庁

仰角方向に対して測角ビームとしての複数の受信ビームを同時に形成し、これら受信ビームのそれぞれで取得した目標に対する測角データの中から有効測角範囲のデータを用いて目標の高度情報を算出するとともに、二次レーダからの同一目標に対する高度情報を受けとってこの算出結果と比較する。例文帳に追加

A plurality of receiving beams as angle measuring beams are simultaneously formed with respect to an elevation direction, altitude information of a target is calculated by using data in an effective angle measuring range from among angle measurement data with respect to the target acquired respectively by the receiving beams, and altitude information with respect to the same target is received from a secondary radar, to compare the information with this calculation result. - 特許庁

本発明の絶縁物の二次イオン質量分析方法は、絶縁物である試料の表面に導電性の連続膜であるＰｔ−Ｐｄ合金薄膜を成膜し、このＰｔ−Ｐｄ合金薄膜付き試料に一次イオンビーム及び電子ビームを照射し、この試料から発生する二次イオンを引き出し、質量分析する。例文帳に追加

In the of secondary ion for mass analysis method insulating material, a Pt-Pd alloy thin film that is a conductive continuous film is formed on the surface of a sample that is the insulating material, the sample with the Pt-Pd alloy thin film is irradiated with a primary ion beam and an electron beam, and the secondary ions generated from the sample are extracted and are subjected to mass analysis. - 特許庁

レーザレーダ装置２は、レーザビームを用いて車両後方又は車両前方を二次元スキャンしてその二次元スキャン画像を取得し、前記二次元スキャン画像の画素平均値を算出し、前記二次元スキャン画像から前記画素平均値を減算し、減算後の二次元画像に真の目標物が含まれているか否かを判定する。例文帳に追加

This laser radar device 2 acquires a two-dimensional scan image by using a laser beam to two-dimensionally scan the backside of a vehicle or the front side thereof, calculates a pixel average value on the scan image, subtracts the average value from the scan image, and determines whether or not a two-dimensional image includes a true target object after the subtraction. - 特許庁

二次イオンおよび後からイオン化された中性の二次粒子を分析するための質量分析器において、試料を照射することで二次粒子を発生させるための一次イオンビームを作り出すイオン源と、二次粒子の質量分析のための分析ユニットとを設け、一次イオンを構成する原子１個あたりの運動エネルギーを20eV以下の領域で制御できる機能を装備させる。例文帳に追加

The mass spectroscope for analyzing secondary ions and neutral secondary particles ionized afterward to be analyzed is provided with an ion source for making primary ion beams for generating secondary particles by irradiating the sample, and an analyzing unit for mass spectrometry of the secondary particles, and is also provided with a function capable of controlling kinetic energy per atom structuring a primary ion in a range of 20 eV or less. - 特許庁

Ｅ×Ｂ分離器は、光軸の回りに複数個の電子線を照射、走査することにより試料から放出される二次電子を一次ビームから分離する。例文帳に追加

The E×B separator separates the secondary electrons that are emitted from the sample from the primary beam by irradiating and scanning a plurality of electron beams around the optical axis. - 特許庁

試料２への電子ビームの照射によって発生した２次電子等の二次発生電子１４は、レンズ磁場により拘束されて螺旋状に上方に向かう。例文帳に追加

Secondarily generated electrons 14, such as secondary electrons generated by the irradiation of the electron beam on the sample 2, are bound by a lens magnetic field and advances upward in spiral form. - 特許庁

コーンビームスキャナーから集められたデータは、再構成シリンダに再構成される多数の二次元又は三次元傾斜表面４４を画定することによって立体画像表示に再構成される。例文帳に追加

Data collected from a cone beam scanner are reconstructed into a stereoscopic image display by lotting a plenty of 2- or 3-dimensionally slanting surfaces 44 reconstructed on a reconstructing cylinder. - 特許庁

電子線描画装置では、一次パターンを通常のパターン形成時のビーム条件で描画し、二次パターンを所定量デフォーカスさせて描画する。例文帳に追加

In an electron beam lithographic device, the primary pattern is drawn on beam conditions under which a normal pattern is formed, and the secondary pattern is drawn by defocusing the beam to a prescribed amount. - 特許庁

電子銃により発生させた一次電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を写像投影光学系により検出器に結像させる電子線装置。例文帳に追加

The electron beam device irradiates primary electron beams generated by an electron gun on a test piece and forms the secondary electrons emitted from the test piece on a detector by a map projection optical system. - 特許庁

レーザビームを走査機構を用いることなく、ガラス等の透明材料内部に照射して、複雑な二次元形状をした、または三次元形状をした異質相を形成する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for forming a heterogeneous phase having a complex two- or three-dimensional shape within a transparent material such as glass by irradiating the interior of the material with a laser beam without using a scanning mechanism. - 特許庁

本発明の検査装置は、試料表面に設けられた複数のパターンを電子ビームを利用して検査する検査装置であって、一次コラム、二次コラム、および検出器を備える。例文帳に追加

The inspection apparatus is to inspect a plurality of patterns placed on the surface of a testpiece by using an electron beam and is provided with a primary column, a secondary column and a detector. - 特許庁

金属元素の深さ方向分析方法及び二次イオン質量分析装置に関し、分析に用いる一次イオンとしての酸素イオンビーム照射に誘起される金属元素の拡散現象を抑制する。例文帳に追加

To suppress a diffusion phenomenon of a metal element induced by oxygen ion beam irradiation as primary ion used for analysis, concerning a depth direction analysis method of the metal element and a secondary ion mass spectrometer. - 特許庁

三次元超音波診断装置において、２Ｄアレイ振動子を用いて超音波ビームを二次元走査する場合に、サイドローブを低減すると共に、構成及び制御を簡易化する。例文帳に追加

To reduce a side lobe and simplify constitution and control when two-dimensionally scanning ultrasonic beams using a two-dimensional array transducer in a three-dimensional ultrasonograph. - 特許庁

試料表面に対して前記電子ビームを照射する一次光学系１０と、前記試料表面から放出される二次電子を検出して試料表面の画像を形成する二次光学系３０とを備えた電子線装置１を使用する。例文帳に追加

The electron beam device 1 is used equipped with a primary optical system 10 irradiating electron beams on the surface of the sample, and a secondary optical system 30 forming images of the sample surface by detecting secondary electron beams emitted from the sample surface. - 特許庁

本発明が解決しようとする問題点は、互いに異なる電荷を有する二次イオンと二次電子を検出するための引き込み電界が相手に及ぼす影響をバランスさせ、両方の検出器において必要な検出信号が得られる複合型荷電粒子ビーム装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a complex type charged particle beam device capable of obtaining necessary detection signals in both detection units, by balancing the influence that retracting electric fields for detecting secondary ions and secondary electrons with different charges have upon each other. - 特許庁

本発明に係る基板検査方法では、電子ビームを照射することにより検査対象領域Ｓ内の所定材料から出射される二次電子の収率が１より大きくなる第１の加速電圧と、二次電子の収率が１より小さくなる第２の加速電圧とを用いる。例文帳に追加

This substrate inspection method uses a first acceleration voltage in which the yield of secondary electrons emitted from the specified material inside an inspection object region S by irradiating electron beams is larger than 1, and a second acceleration voltage in which the yield of the secondary electrons is smaller than 1. - 特許庁

担持体上に形成されたトナー像におけるビームの反射像に対応する二次元反射光像を検出し、検出された二次元反射光像から代表位置を特定し、特定された代表位置からトナー像の高さを決定する。例文帳に追加

An information processing apparatus detects a two-dimensional reflected light image corresponding to a reflected light image of a beam in a toner image formed on an image carrier, specifies a representative position from the detected two-dimensional reflected light image, and determines the height of the toner image from the specified representative position. - 特許庁

二次イオン光学系の経路を通して試料表面にレーザを照射することにより、表面の光学的な反射率が低いため、イオンビームを照射して形成された穴が判別しにくい試料であっても分析位置を特定することができる二次イオン質量分析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for analyzing secondary ion masses, capable of specifying an analyzing position, even with respect to a sample, where the hole formed by the irradiation with ion beam is difficult to be discriminated, because the optical surface reflectivity is low, by irradiating the surface of the sample with a laser beam through the route of a secondary ion optical system. - 特許庁

主制御系３４は、試料４の観察を行う際に記憶装置４３に記憶された電圧マップを読み出し、二次光学系２０に印加する電圧又は試料４に印加する電圧を制御して二次ビームＢ２の焦点位置を補正する。例文帳に追加

The main control system 34 reads out the voltage map stored in the memory device 43 when observing the sample 4, and controls the voltage to be applied to a secondary optical system 20 or the voltage to be applied to the sample 4 so as to correct the focal point position of the secondary beam B2. - 特許庁

主制御手段８は、二次元アレイプローブ２の各超音波振動子１に接続する送信手段４と受信ビームフォーマ５とに対し二次元走査面の生成位置を指示し、同時に画像処理手段９に走査モードに対応した画像処理を実行するように指示するよう構成される。例文帳に追加

The main control means instructs the generation position of a two-dimensional scanning surface to a transmission means 4 and a reception beam former 5 connected to each ultrasonic vibrator 1 of a two-dimensional array probe 2, and instructs an image processing means 9 to carry out image processing corresponding to a scanning mode. - 特許庁

二次ターゲット３はＸ線検出用導管５の内側、かつその導管５内の内部通路４の外周にリング状に備えられており、先端部が傾斜面となっているため、二次Ｘ線ビームを効率よく試料方向に照射することができる。例文帳に追加

Since the secondary target 3 is formed in a ring shape and provided for the inside of the conduit 5 for X-ray detection and in an outer circumference of the internal passage 4 in the conduit 5 and has an inclined plane in its tip part, it is possible to efficiently irradiate the secondary X-ray beam in the direction of the sample. - 特許庁

更に、投影ビームからの放射線を受け取るように位置し、波長λ_1の入射放射線を二次放射線に変換する放射線感受性材料からなる放射線センサと、前記材料の層から出てくる二次放射線を検出可能な感知手段とを含む。例文帳に追加

The apparatus further comprises a radiation sensor, located so as to be able to receive radiation out of the projection beam and composed of a radiation-sensitive material which converts incident radiation of wavelength λ_1 into a secondary radiation, and a sensing means capable of detecting the secondary radiation emerging from the layer of the radiation-sensitive material. - 特許庁

テストパターン３４Ａの単色パターン３６は、光ビーム走査方向全域を覆う長さとなっており、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）、イエロー（Ｙ）とシアン（Ｃ）の二次色（重ねあわせ）による二次色パターン３６ＹＣを含んでいる。例文帳に追加

The monochrome pattern 36 of the test pattern 34A has length covering all over the area in a light beam scanning direction and includes yellow(Y), magenta(M), cyan(C), black(K) and a secondary color pattern 36YC by the secondary color (superimposition) of yellow(Y) and cyan(C). - 特許庁

電子銃１１から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料Ｓに照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出する。例文帳に追加

A rectangular electron beam formed from an electron beam emitted from an electron gun 11 is made to irradiate a sample S, and a secondary electron, a reflecting electron or a transmitting electron from the sample is detected. - 特許庁