「低準位」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第１基準電位から第１基準電位よりも高い第２基準電位に設定する。例文帳に追加

The reference potential setting section sets potential of a low-potential-side terminal that the power storage element includes to be second reference potential higher than first reference potential from the first reference potential when the potential of the analog signal is higher than a threshold. - 特許庁

可燃性低準位放射性廃棄物用の押出し固形化装置例文帳に追加

EXTRUSION SOLIDIFYING APPARATUS FOR COMBUSTIBLE LOW LEVEL RADIOACTIVE WASTE - 特許庁

化合物半導体の積層構造体の表面準位をより低減する。例文帳に追加

To further reduce the surface level of laminated structure of a compound semiconductor. - 特許庁

準同期検波方式に見られる位相変動を効果的に低減する。例文帳に追加

To provide a demodulator capable of effectively reducing phase variations caused in the quasi-synchronization detection system. - 特許庁

低エネルギー準位変換蛍光体を有する付ガス放電灯例文帳に追加

GAS DISCHARGE LAMP WITH LOW-ENERGY LEVEL CONVERSION PHOSPHOR - 特許庁

低エネルギー準位変換蛍光体を有するガス放電灯例文帳に追加

GAS DISCHARGE LAMP WITH LOW-ENERGY LEVEL CONVERSION PHOSPHOR - 特許庁

簡便な方法によってＣｕ_2Ｏ薄膜の欠陥準位を低減する。例文帳に追加

To lower the defect level of a Cu_2O thin film, by a simple method. - 特許庁

本発明の導電性接着剤は、標準電極電位が銀の標準電極電位以上である第１の粒子と、標準電極電位が銀の標準電極電位よりも低い第２の粒子とを含む。例文帳に追加

The conductive adhesives contains the first particle of which a standard electrode potential is higher than the standard electrode potential of silver, and the second particle of which a standard electrode potential is lower than the standard electric potential of silver. - 特許庁

したがって、低電位基準回路部ＬＶと高電位基準回路部ＨＶの双方において変位電流を抑制することが可能となる。例文帳に追加

The displacement current is therefore suppressed at both the low-potential reference circuit unit LV and high-potential reference circuit unit HV. - 特許庁

まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。例文帳に追加

First, a GaN substrate 14 having a low-dislocation region 10 and a high-dislocation region 12, whose dislocation density is higher than that of the low-dislocation region 10, is prepared. - 特許庁

ジルコニウム等の標準電位はアルミニウムの標準電位に近いので、ジルコニウム等が耐食性の低下をもたらすことは少ない。例文帳に追加

As the standard potential of zirconium or the like is similar to that of aluminum, zirconium or the like hardly causes lowering of corrosion resistance. - 特許庁

このキャップ層１６により、当該キャップ層１６の表面準位にトラップされる電子若しくは表面準位密度を低減させる。例文帳に追加

This cap layer 16 reduces electrons trapped in a surface level or surface level density of the cap layer 16. - 特許庁

トレンチ４は，その内部が絶縁物にて充填されており，低電位基準回路領域１と高電位基準回路領域２とを絶縁している。例文帳に追加

The inside of the trench 4 is filled with an insulator to mutually insulate the low-potential reference circuit region 1 and the high-potential reference circuit region 2. - 特許庁

電圧発生器１１からは、可変高位基準電圧ＶＨＶおよび可変低位基準電圧ＶＬＶが出力される。例文帳に追加

A variable high-level reference voltage VHV and a variable low-level reference voltage VLV are outputted from a voltage generator 11. - 特許庁

シート材搬送面１９ｄよりも、右端基準面１９ａは高い位置に、また右端基準面１９ｂは低い位置に設ける。例文帳に追加

The right end reference surface 19a and right end reference surface 19b are provided at higher/lower positions than a sheet member feeding surface 19d, respectively. - 特許庁

低電圧電源の電位が低電圧の電位から基準電位に変化しても、貫通電流を遮断できる電圧レベルシフタを提供すること例文帳に追加

To provide a voltage level shifter capable of interrupting a through-current even when a level of a low voltage power supply changes from a low voltage level to a reference level. - 特許庁

低電位基準回路と高電位基準回路とを混載させた半導体装置であって，低電位基準回路と高電位基準回路との間でレベルシフトを行うことができ，コンパクトであるとともに耐圧に優れた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a low-potential reference circuit and a high-potential reference circuit are mixedly loaded and the level shift between the low-potential reference circuit and the high-potential reference circuit can be preformed, and which is compact and is superior in breakdown voltage. - 特許庁

ホールブロック材料とは異なる材料として、最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値が、発光層の最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値よりも大きい材料を用いる。例文帳に追加

For the material different from the hole-blocking material, a material having a value of an energy gap between the highest occupied molecular orbit level and the lowest unoccupied molecular orbit level larger than that of the luminescent layer is used. - 特許庁

さらに、高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間および低電位基準回路部ＬＶと支持基板２との間の双方、もしくは、少なくとも高電位基準回路部ＨＶと支持基板２との間を同電位にする。例文帳に追加

Furthermore, both the high-potential reference circuit HV and support substrate 2 and the low-potential reference circuit LV and the support substrate 2, or at least the high-potential reference circuit HV and the support substrate 2 are held at the same potential. - 特許庁

第１支持部は単位マスクが固定される第１基準面２２１と、第１基準面から単位マスクの厚さ方向に沿って第１基準面と高低差を有する第２基準面２２２とを含む。例文帳に追加

Each first supporting part includes: a first reference face 221 to which the unit masks are fixed; and a second reference face 222 having a difference in height from the first reference face along the thickness direction of each unit mask. - 特許庁

電源電位ＶＣＣが所望の直流電圧ＯＵＴよりも低いと、基準電位調整部５０のノードＮ３の電位は基準電位ＲＥＦよりも低くなる。例文帳に追加

When a power source potential VCC is lower than a desired DC voltage OUT, the potential of a node N3 of a reference potential adjusting part 50 is made lower than a reference potential REF. - 特許庁

基準信号位相に出力信号位相を同期化する位相同期発振回路に関し、位相同期引込みを高速化し、且つジッタを低減する。例文帳に追加

To provide a phase synchronized oscillator circuit whose output signal phase is synchronized with the phase of a reference signal and which attains fast pulling in of phase synchronization and reduced jitter. - 特許庁

基準電位Ｖ３に対するロジック電源電圧Ｖｄｄは、基準電位Ｖ３と同じだけ低下していくので、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄは固定される。例文帳に追加

Since a logic supply voltage Vdd relative to the reference potential V3 lowers the same as the reference potential V3, the logic supply voltage Vdd is fixed from a viewpoint of the reference potential V3. - 特許庁

閾値補正処理を行っている途中で駆動トランジスタのゲート電極に書き込む基準電位を第１基準電位Ｖｏｆｓ１からそれよりも低い第２基準電位Ｖｏｆｓ２に切り替えるようにする。例文帳に追加

In the course of the threshold correction processing, reference potential written to a gate electrode of a driving transistor is switched from a first reference potential Vofs1 to a second reference potential Vofs2 lower than the first one. - 特許庁

実装構造体において、金属３の標準単極電位は、電子部品の電極の標準単極電位および基板の電極の標準単極電位の少なくとも一方よりも低くするとよい。例文帳に追加

In the mounted structure, it is preferable that the standard single electrode potential of the metal 3 is lower than at least one of the standard single electrode potential of the electrode of the electronic part and the standard single electrode potential of the electrode of the substrate. - 特許庁

半導体装置１００は，低電位基準回路領域１と高電位基準回路領域２とを備え，高電位基準回路領域２が高耐圧分離領域３に取り囲まれる構造を構成している。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises a low-potential reference circuit region 1 and a high-potential reference circuit region 2, and has a structure in which the high-potential reference circuit region 2 is surrounded by a high-withstand-voltage isolation region 3. - 特許庁

次いで、差動対制御論理ドライバの出力は、転送ノード、又は標準低電位線を調整して、疑似低電位電力線に結合される。例文帳に追加

Then, the output of a differential pair control logical driver is connected to the pseudo low potential power line by adjusting a standard low potential line or the transfer node. - 特許庁

ＲＴＡにより不純物プロファイルに影響を与えることなく結晶欠陥を修復し、かつ界面準位低減処理による界面準位の低減とあいまって、素子分離絶縁膜におけるリーク電流を低減する。例文帳に追加

Crystal defects are repaired by RTA without affecting an impurity profile, and a reduction is made in interface level through an interface level reduction treatment, whereby a leakage current occurs less in an element isolation insulating film. - 特許庁

基板のフェルミ準位の影響を低減することができる半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element for reducing influence of Fermi level of a substrate. - 特許庁

窒化物半導体の表面準位の数が低減された半導体装置を製造する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device wherein the number of surface levels of a nitride semiconductor is reduced. - 特許庁

これにより、ゲート絶縁膜４と半導体基板１との界面での界面準位密度が低下する。例文帳に追加

Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls. - 特許庁

最低励起三重項準位が高く、安定なアモルファス膜を形成する新規な化合物の提供。例文帳に追加

To provide a novel compound which has a high lowest excited triplet level and forms a stable amorphous film. - 特許庁

バンドギャップ中の浅いエネルギー準位を低減させた絶縁膜を得ることを可能にする。例文帳に追加

To obtain an insulating film for reducing a shallow energy level in a band gap. - 特許庁

上下方向の変動による基準マークの位置検出誤差を、スループットを低下させずに補正する。例文帳に追加

To correct a position detection error of a reference mark due to variance in a vertical direction, without reducing throughput. - 特許庁

化合物半導体デバイスにおいて、表面準位密度の低減・表面安定化を実現する。例文帳に追加

To realize a reduction in the surface level density and an improvement in a surface stability in a compound semiconductor device. - 特許庁

低電源電圧で使用可能なＣＭＯＳ集積回路用の基準電位発生回路を提供する。例文帳に追加

To provide a reference potential generation circuit for a CMOS integrated circuit usable in a low power supply voltage. - 特許庁

基準クロックと帰還クロックの位相オフセットを低減したＰＬＬ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a PLL circuit in which the phase offset of a reference clock and a feedback clock is reduced. - 特許庁

回路規模の小さな、画像低下のより少ない標準／高品位テレビジヨン受信装置を提供する。例文帳に追加

To provide a standard/high-definition television reception device which has a small circuit scale and reduced image deterioration. - 特許庁

負帰還増幅器において、出力電圧が基準電圧まで低下しても位相補償する。例文帳に追加

To compensate a phase even if an output voltage is reduced to a reference voltage in a negative feedback amplifier. - 特許庁

世帯単位でみても、全体の所得水準が低下するとともに、所得格差が拡大している。例文帳に追加

The overall income level, on the basis of a household unit, has declined and income discrepancies have grown. - 厚生労働省

どちらのセンサに接続された場合も、比較器４は特定点Ａの電位を基準電位と比較して、特定点Ａの電位が基準電位よりも高いときに第１のレベルの信号を、特定点Ａの電位が基準電位よりも低いときに第２のレベルの信号を出力する。例文帳に追加

Even in cases connected to either of the sensors, a comparator 4 compares the electric potential of the specific point A with the reference electric potential and will output the first level signal, when the electric potential of the specific point A is higher than the reference electric potential, and the second level signal is output, when the electric potential of the specific point A is lower than the reference electric potential. - 特許庁

低透過率位相シフター及び高透過率位相シフターは露光光を互いに同位相で透過させる一方、開口部は、低透過率位相シフター及び高透過率位相シフターを基準として露光光を反対位相で透過させる。例文帳に追加

The low-transmittance phase shifter and the high-transmittance phase shifter transmit exposure light with the same phase, and the aperture part transmits exposure light with an opposite phase with the high-transmittance phase shifter as the reference. - 特許庁

ユニフォミティー測定装置４は、前記タイヤ基準状態Ｊにてタイヤを受け取り、かつ前記タイヤの回転基準位置Ｐをユニフォミティー測定基準位置として低速ユニフォミティーを測定する。例文帳に追加

The uniformity measuring device 4 receives the tire in the tire reference state J, and measures the low-speed uniformity by using the rotation reference position P of the tire as a uniformity measuring reference position. - 特許庁

そして、中間基準電位が固定基準電位ＧＮＤとデータ側電源電位ＶＥＥとのいずれに設定されるかに応じて走査側変動基準電位ＦＧＮＤを、正極性駆動用の第一電位（固定基準電位ＧＮＤ）と、それよりもデータ側電源電位ＶＥＥだけ低い負極性駆動用の第二電位ＶＥＥとの間で切り替える。例文帳に追加

The scan side fluctuation reference terminal FGND is switched between a first potential (fixed reference potential GND) for positive polarity driving and a second potential VEE for negative driving lower than the first potential by the data side power source potential VEE depending on whether the intermediate reference potential is set to the fixed reference potential GND or to the data side power source potential VEE. - 特許庁

「ぬるめスイッチ」が操作された際、浴槽内の現在水位と基準水位とを比較し、現在水位が基準水位よりも高いか低いかによって「ぬるめスイッチ」が操作された目的を判断する。例文帳に追加

When a "tepid water switch" is operated, a current water level within a bathtub is compared with a reference water level (S2), and a purpose of the operation of the "tepid water switch" is determined depending on whether the current water level is higher or lower than the reference water level. - 特許庁