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「側壁部」に関連した英語例文の一覧と使い方(226ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 側壁部に関連した英語例文

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側壁部の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11272



例文

そして、この内燃機関の制御装置10は、内燃機関の燃焼が均質燃焼領域か否かを判定する燃焼判定21と、均質燃焼領域であると判定された場合、筒内噴射弁から噴射される燃料が内燃機関のピストンに形成されるキャビティの側壁に衝突する期間においては、筒内噴射弁からの燃料噴射を禁止する噴射時期決定22とを含んで構成される。例文帳に追加

The internal combustion engine controller 10 comprises a combustion discrimination section 21 for discriminating if combustion of the internal combustion engine is performed in a homogeneous combustion region, and an injection timing determination section 22 for prohibiting fuel injection from the cylinder injection valve in such a period that fuel injected from the cylinder injection valve collides with the side wall of the cavity formed on the piston, in the case that the combustion region is taken as a homogeneous combustion region. - 特許庁

コネクタ40は、造営面の裏側に先行配線され、ノックアウト10aを通してボックス本体10の内側に導入される電線(電力線L1および情報線L2)を、少なくとも電線L1,L2が埋込ボックス1に取着されるゲート装置に接続されていない間、互いに絶縁された状態で仮保持するものであり、ボックス本体10の底壁に設けた保持突起10dとボックス本体10の下側壁との間にコネクタ本体40Aの後を嵌め込むことで、ボックス本体10に仮保持される。例文帳に追加

They are temporarily retained by the box main body 10 by fitting the rear of the connector main body 40A between the retaining projection 10d provided at the bottom wall of the box main box 10 and the under side wall of the box main body 10. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板1上にトレンチ5を形成する第1の工程を備え、そして、この第1の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ5の側壁の内面に形成された反応生成物20を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ5の底のコーナー5aを丸める第2の工程を備えたところに特徴を有する。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching. - 特許庁

半導体基板400上にハードマスク層410及びエッチング静止膜420を形成する段階と、前記エッチング静止膜上に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern. - 特許庁

例文

単結晶シリコン層101を、単結晶シリコン層101の上に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層102を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層101のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばCF系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層102の側壁部に保護膜103を形成する保護膜形成工程を行う。例文帳に追加

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101. - 特許庁


例文

層間絶縁膜26に対して高食刻選択比を有する物質からなるスペーサ20aをゲート電極16の側壁に形成し、ゲート電極16の上とソース及びドレイン領域が形成される基板の上を高融点金属シリサイド膜18a,22として形成することにより、ゲート電極16とゲート電極16との間を露出させるコンタクトホールを自己整合方式で形成可能とする。例文帳に追加

A spacer 20a comprising a substance having a high corrosion selection ratio for an interlayer insulation film 26 is formed on the side wall of a gate electrode 16, and the contact hole exposed between the gate electrodes 16 can be formed by a self matching method by forming the upper part of the gate electrode and the upper part of the substrate forming the source and drain areas in high melting point metal silicide films 18a, 22. - 特許庁

取付けリムのシートと接触するようになっている2つのビード(2)と、2つの側壁部(1)とを備えているタイヤはカーカス補強体(3)を構成する第1補強スレッド(4)を備えており、各ビードは30MPaに少なくとも等しい10%変形での弾性率を有する固定ゴム材(9)によってカーカス補強体(3)の隣接分と協働する少なくとも1つの周方向に配向された第2補強スレッド(7)で構成されたカーカス補強体用固定構造(20)を備えている。例文帳に追加

A tire comprises two beads (2) set to be in contact with seats of a mounting rim and two sidewalls (1), the tire comprising first reinforcing threads (4) forming a carcass reinforcement (3). - 特許庁

本発明は、内側環状壁(212)と、協働して燃焼領域を形成する環状空間を画定するように内側壁を取り囲む外側環状壁(214)と、円周状に交互するフルスロットル噴射機(220b)とパイロット噴射機(220a)とを含む複数の燃料噴射機システム(220)と、長手方向に燃焼領域の上流端中に開口する空気流入開口とを含むターボ機械の燃焼チャンバ(202)に関する。例文帳に追加

This combustion chamber 202 of the turbomachine includes: an inner annular wall 212; an outer annular wall 214 surrounding the inside wall to demarcate an annular space cooperatively forming a combustion region; a plurality of fuel injector systems 220 having circumferential alternation of a full-throttle injector 220b and a pilot injector 220a; and an air inflow opening part opened in an upstream end in the combustion region in the longitudinal direction. - 特許庁

第二百五条 事業者は、建設中のずい道等の内に軌道装置を設けるときは、通行中の労働者に運行する車両が接触する危険を防止するため、その片側において、当該車両と側壁又は障害物との間隔を〇・六メートル以上としなければならない。ただし、ずい道等の断面が狭小であること等により当該間隔を〇・六メートル以上とすることが困難な場合で、次のいずれかの措置を講じたときは、この限りでない。例文帳に追加

Article 205 The employer shall, when installing railway equipment inside a tunnel, etc., under construction, provide a clearance of 0.6 m or more between a vehicle and the sidewall or obstacle on either side of the track in order to prevent the dangers of workers who are passing through being hit by vehicles in operation. However, this shall not apply to the case where providing the said clearance is difficult due to the small sectional area of the tunnel, etc., and any of the following measures has been taken:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

用水路周辺に生息する水生昆虫や両性類などの小動物の生態系を保護する略U字型のコンクリートフリューム10であって、底面11から略垂直に立設されている対向する側壁12のうちいずれか一方若しくは両方における長手方向20所定中間位置に、底面11から上方へいくにしたがって外側へ傾斜した所定幅を有する斜面13が形成されている構成となっている。例文帳に追加

In the approximately U-shaped concrete flume 10 for protecting the ecosystem for the small animals such as the water bugs and the amphibians living on the periphery of an irrigation channel, a slope portion 13 with a predetermined width, which is inclined to the outside upward from a bottom surface 11, is formed in a predetermined intermediate position in a longitudinal direction 20 on either or both of opposed sidewalls 12 almost vertically erected from the bottom surface 11. - 特許庁

例文

差動装置は、(a) 両側壁に開口を有するケーシング1,2と、(b) ケーシング1,2内に回転自在に収容され、対向面に蛇行連続溝31,41が形成されている一対のディスクプレート3,4と、(c) 蛇行連続溝31,41内を転動する複数のボール6と、(d) 一対のディスクプレート3,4の間においてケーシング1,2に係止され、ボール6を1つづつ保持する半径方向に細長いガイド穴を有するボールホルダ5とを具備する。例文帳に追加

A snaking continuous groove 31 of a disk plate 3 is formed by connecting a first guide zone 31a for guiding a ball 6 and extended inside from the outside in the radial direction of the disk plate 3 and a second guide zone 31b for guiding the ball 6 and extended outside from the inside in the radial direction of the disk plate 3 in the circumferential direction. - 特許庁

紫外線照射装置1は、紫外線ランプ4と、紫外線ランプ4が挿填され、かつ、被処理液が通液される処理筒10と、紫外線ランプ4の照度を検知するために処理筒10の側壁に設けられた第1照度センサー2a及び第2照度センサー2bとを備え、第1照度センサー2a及び第2照度センサー2bは、紫外線ランプ4からの距離が互いに異なり、かつ、紫外線ランプ4の長手方向の位置が、紫外線ランプ4の両端からそれぞれ等距離となるように配置されている。例文帳に追加

The ultraviolet irradiation device 1 includes an ultraviolet lamp 4, a treatment cylinder 10 into which the ultraviolet lamp 4 is inserted and through which a liquid to be treated passes, and a first illuminance sensor 2a and a second illuminance sensor 2b which are provided on the side wall of the treatment cylinder 10 for detecting the illuminance of the ultraviolet lamp 4. - 特許庁

本発明の請求項1に係る半導体装置の製造方法は、一導電型の半導体基板1に第一のトレンチ4を形成する工程と、第一のトレンチ4の側壁に沿って第一の絶縁膜からなるサイドウォールスペーサ5を形成する工程と、第一のトレンチ4の底面に第二のトレンチ6を形成する工程と、第一及び第二のトレンチ4,6の内に第二の絶縁膜7を充填する工程とを含んでいることを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method comprises forming first trenches into a one conductivity type semiconductor substrate 1, forming side wall spacers 5 of a first insulation layer along the side walls of the first trenches, forming second trenches 6 into the bottom faces of the first trenches, and filling a second insulation film into the first and second trenches 6. - 特許庁

エンジン15のクランクシャフト47の一端側のジャーナル170と、カムシャフトを回転させるカムシャフト駆動用スプロケット147との間にウォータポンプ駆動用スプロケット159を設け、シリンダブロック43の右側壁43aにウォータポンプ55を配置し、ウォータポンプ55の回転シャフト157とウォータポンプ駆動用スプロケット159との間にポンプ駆動用チェーン148を巻き回した。例文帳に追加

In this engine 15, a water pump driving sprocket 159 is installed between a journal part 170 at one end of a crankshaft 47 and a camshaft driving sprocket 147 rotating the camshaft, a water pump 55 is disposed on the right side wall 43a of a cylinder block 43, and a pump driving chain 148 is wrapped around between the rotating shaft 157 of the water pump 55 and the water pump driving sprocket 159. - 特許庁

軸筒の側壁にノック駒が配置され、そのノック駒を押圧することによって、前記軸筒の内に配置された芯繰り出し手段を作動せしめるサイドノック式シャープペンシルであって、前記芯繰り出し手段をチャック体とそのチャック体を開閉するチャックリングから少なくとも構成すると共に、前記ノック駒の軸筒からの突出量を、チャックリングによるチャック体の閉鎖時からチャックリングがチャック体の閉鎖動作を解放する迄の距離よりも少なくしたサイドノック式シャープペンシル。例文帳に追加

The lead feeding means is constituted of at least a chuck and a chucking ring for opening/closing the chuck and the amount of ejection of the pushing piece from the barrel is set to be less than the distance between a point where the chuck is closed by the chucking ring and a point where the action to close the chuck is set free by the chucking ring. - 特許庁

流量計はねじ山が設けられていない円筒形側壁によって形成されたキャビティ38を備えたフロートストツプソケット37を含む本体20と、フロートストツプソケット37のキャビティ38に挿入されるように構成されたフロートストッパ40であって、全体に円筒形でねじ山が設けられておらず、環状溝を有するフロートストッパ40と、前記本体20の通路内に摺動自在に配置された保持クリップ材48とを有する。例文帳に追加

The flowmeter comprises a body 20 including a float stop socket 37 having a cavity 38 defined by a cylindrical side wall without threads, a float stopper 40 having an annular groove and shaped in a threadless cylindrical form on the whole so as to be inserted in the cavity 38 of the float stop socket 37, and a hold clip 48 slidably disposed in a passage of the body 20. - 特許庁

4サイクル内燃エンジンは、コネクティングロッドを包囲してクランク室と油溜室とを区切る仕切壁と、該仕切壁の下方を取り囲むようにして配置され、且つ、その上端が仕切壁と連結されて、クランク室の下方に油溜室を画成する外側壁とを有し、仕切壁のコンネクティングロッドの下方に、コネクティングロッドの大端に設けられたオイルディッパーが油溜室内に出没するのを許容するスリットが形成されており、コネクティングロッドの揺動運動に伴ってオイルディッパーによって油溜室のオイルをかき上げて潤滑するようになっている。例文帳に追加

Oil in an oil reservoir chamber 26 is scraped up by an oil dipper 38 in accompany with the oscillating motion of a connecting rod 24 for lubricating in a four-cycle engine 6 used in a hand-held machine, such as a brush cutter. - 特許庁

長尺母材の長手方向に複数並ぶガラス微粒子合成バーナー13で合成したガラス微粒子を、回転している母材1の側壁面に吹き付けながら、長手方向に複数ガラス微粒子合成バーナーが並ぶ間隔程度の距離を往復移動する多孔質ガラス母材の製造方法において、ガラス微粒子合成バーナー13の列の両端に並べられた酸水素炎バーナー14をともに前記往復移動させつつ、酸水素炎バーナー14によりガラス微粒子が堆積しつつある長尺母材の両端を加熱する。例文帳に追加

The method of producing a porous glass preform comprises moving reciprocally a plurality of glass burners 13 for synthesizing glass particulates that are lined up in the longitudinal direction of a long-sized preform, approximately the same distance as the glass burners 13 are lined up, while blowing to a side wall surface of a rotating preform 1 the glass particulates synthesized in the plurality of the glass burners 13 for synthesizing the glass particulates. - 特許庁

食刻対象層12の上にフォトレジストパターン14を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン14の側壁に食刻対象層12の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask. - 特許庁

圧電セラミックプレート16に形成された溝17の側壁に設けられた電極19に駆動電圧を印加することにより、当該溝17内の容積を変化させてその内に充填されたインクをノズル開口から吐出するヘッドチップにおいて、前記圧電セラミックプレート16の前記溝17に設けられた前記電極19上は絶縁材料で形成され且つ溝加工により切り分けられた絶縁層20より覆う。例文帳に追加

In the head chip in which the volume in the groove 17 is varied for ejecting ink filled therein from nozzle openings by applying drive voltage to the electrode 19 provided at the side wall of the groove 17 formed in the piezoelectric ceramic plate 16, the electrode 19 provided in the groove 17 of the piezoelectric ceramic plate 16 is covered with the insulating layer 20 made of an insulating material and cut and divided by groove processing. - 特許庁

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(特にMOSトランジスタ)を同一基板上に形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板1上の全面に絶縁膜16を形成する工程と、MOSトランジスタ分の絶縁膜16に開口を設け、開口底にゲート絶縁膜22を形成する工程と、少なくともMOSトランジスタを被覆するレジスト23を形成する工程と、バイポーラトランジスタ分の絶縁膜16にRIEを行い、開口側壁に高分子膜を堆積させながら開口を設ける工程と、前記高分子膜を除去する工程と、バイポーラトランジスタおよびMOSトランジスタの開口内に導電体層24を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

A bipolar transistor and a field effect transistor (especially a MOS transistor) are formed on the same substrate. - 特許庁

例文

レール材31は固定レール31aと、移動レール31bと、固定レール31aと移動レール31bとの間に備えられた中間走行レール31cと、中間走行レール31cと固定レール31aおよび移動レール31bとの係合を支持する回転支持材である複数のベアリング31dとからなり、固定レール31aと移動レール31bと中間走行レール31cとベアリング31dとを予め組み込んだ状態で固定レール31aを内箱20の両側壁面に固定し、移動レール31bをそれぞれの貯蔵室ドアに固定したので滑らかに移動レール31bが移動でき、引出しの操作力を低減することができる。例文帳に追加

A rail member 31 is composed of a fixed rail 31a, a moving rail 31b, an intermediate traveling rail 31c mounted between the fixed rail 31a and the moving rail 31b, and a plurality of bearings 31 as rotation supporting members for supporting engagements of the intermediate traveling rail 31c, and the fixed rail 31a and the moving rail 31b. - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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