「合成抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

低抵抗ｎ型ダイヤモンドの合成法例文帳に追加

SYNTHESIZING METHOD OF LOW RESISTANCE n-TYPE DIAMOND - 特許庁

合成された電流は、差動電流として抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１２に流れる。例文帳に追加

The composed current flows to the resistor R11 and a resistor R12 as the differential current. - 特許庁

低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法例文帳に追加

METHOD FOR SYNTHESIZING LOW RESISTANCE N-TYPE AND LOW RESISTANCE P-TYPE SINGLE CRYSTAL AlN THIN FILMS - 特許庁

分圧電圧Ｖ_Xは、可変抵抗器ＶＲ_1の抵抗値と、可変抵抗器ＶＲ_2及び正温度係数抵抗器Ｒ_Xの合成抵抗値との比で電源電圧Ｖ_CCを分圧したものである。例文帳に追加

The divided voltage V_x is obtained by dividing a supply voltage V_cc by the ratio of the resistance value of the variable resistor VR_1 to the combined resistance value of the variable resistor VR_2 and the positive temperature coefficient resistor R_x. - 特許庁

第１終端抵抗１０１と第２終端抵抗１０３と第２伝送線路１０６の合成抵抗値と、第１伝送線路１０１のインピーダンスとが整合するように、第１終端抵抗値と第２終端抵抗値とを調節する。例文帳に追加

The values of the first and second terminators are adjusted so that the combined resistance value of the first and second terminators 101 and 103 and the second transmission line 106 matches with the impedance of the first transmission line 101. - 特許庁

これらトランジスタを大きくしてオン抵抗を低減せずとも、該オン抵抗及び抵抗（２Ｒ−α）の合成抵抗の抵抗値が２Ｒになるようにすることができる。例文帳に追加

The value of the combined resistance of the on-resistance and the resistance of each resistor (2R-α) is set to 2R without the need for increasing the size of the TRs to reduce their on-resistance. - 特許庁

第１の薄膜抵抗３と第２の薄膜抵抗５、６との並列合成抵抗は、その入力経路の特性インピーダンスに等しい。例文帳に追加

The parallel combined resistance of the first thin film resistor 3 with the second thin film resistors 5 and 6 is equal to the characteristic impedance of the input path. - 特許庁

合成抵抗を用いることなく、複数の抵抗値を得ることが可能な抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with a resistive element capable of obtaining a plurality of resistance values without using a composite resistance. - 特許庁

温度の上昇に伴ってサーミスタの抵抗値が低下し、それに応じて抵抗とサーミスタの合成抵抗値も低下する。例文帳に追加

The thermistor's resistance value is lowered accompanied by a temperature rise and accordingly the resultant resistance values of the resistor and the thermistor are also lowered. - 特許庁

したがって、ランプ１１の温度が低い場合、固定抵抗２１とサーミスタ２２の合成抵抗は、高い抵抗値を有することになる。例文帳に追加

Accordingly, in the case the temperature of the lamp 11 is low, a combined resistance of the fixed resistance 21 and the thermistor 22 has a high resistance value. - 特許庁

これにより、全体抵抗の値（合成抵抗の値）は、接触抵抗値ｒのばらつきの影響をほとんど受けることがない。例文帳に追加

The overall resistance value (a value of combined resistance) is thereby hardly affected by variations in the contact resistance value (r). - 特許庁

監視側の制御部５は、基板側ポストコネクタ、中継コネクタ、コネクタソケットの各抵抗の抵抗値を合成した合成抵抗値を抵抗値測定器７により測定する。例文帳に追加

Through the use of a resistance value measuring instrument 7, a monitoring-side controller 5 measures a resultant resistance value which combines the resistance values of the individual resistors of the board-side post connector, the relay connector, and the connector socket. - 特許庁

また、分配合成回路を多段に構成して、下段の分配合成回路の吸収抵抗の抵抗値を、無線通信端末同士のアイソレーションをとるための抵抗値とは異なる抵抗値とする。例文帳に追加

Furthermore, the divider/combiner circuit is configured to be multi-stages, and the resistance of the absorbing resistor of the lower stage divider/combiner circuit is different from the resistance required for isolating among mutual wireless communication terminals. - 特許庁

単位抵抗ＳＢｎでは、ヒューズ切断前のヒューズＲＬｎ、設定抵抗素子ＲＴｎ及び誤差補正抵抗素子Ｒｌｄｎの合成抵抗と、誤差補正抵抗素子Ｒｌｄｎ単独の抵抗値が等しくなるように設定されている。例文帳に追加

The unit resistances SBn is provided so that a composite resistance composed of the fuses RLn before cutoff, the setting resistance element RTn, and the error-correcting resistance element Rldn as well as the resistance value of the only error-correcting resistance element Rldn are equalized. - 特許庁

抵抗層３０、４０を抵抗温度係数の異なる厚膜抵抗材料によって複数面形成するとともに、各抵抗層３０、４０の抵抗値の割合をトリミングによって調整して、チップ抵抗器Ａ全体の合成ＴＣＲを所望の値となるように調整する。例文帳に追加

A plurality of resistance layers 30, 40 are formed with a thick- film resistance material whose temperature coefficient of resistance is different, and the ratio of the resistance of each resistance layer 30, 40 is adjusted by trimming so that the synthetic TCR(temperature coefficient of resistance) of the whole chip resistor A may become a desired value. - 特許庁

調整抵抗Ｒｓは、当該反転入力端子と基準電位との間に接続されており、入力抵抗Ｒ１の抵抗値を変化させたときに、入力抵抗Ｒ１との並列接続における合成抵抗値が該変化に対して一定の値を維持するように抵抗値が制御される。例文帳に追加

An adjusting resistor Rs is connected between the inverting input terminal and the reference potential; and when a resistance value of the input resistor R1 is changed, the resistance value is controlled so as to maintain a fixed value with respect to the change in the composite resistance value of the parallel connection of the adjusting resistor Rs and the input resistor R1. - 特許庁

従って、歪みゲージ１４、１５ではなく、歪みゲージ１４と出力調整用抵抗１８１の直列合成抵抗と、歪みゲージ１５と出力調整用抵抗１８２の直列合成抵抗とが新たにこのブリッジ回路を構成する抵抗とされる。例文帳に追加

Accordingly, resistors newly making up this bridge circuit are not the strain gages 14, 15 but a series combined resistor of the strain gage 14 and the output adjusting resistor 181, and a series combined resistor of the strain gage 15 and the output adjusting resistor 182. - 特許庁

そのため電流源回路１４の出力抵抗は、並列接続された負性抵抗−Ｒｎｅと電流源ブロック１１の抵抗Ｒｃｕとの合成抵抗（Ｒｃｕ／／−Ｒｎｅ）で与えられる。例文帳に追加

Accordingly, the output resistance of the current source circuit 14 is imparted by composite resistance (Rcu//-Rne) of the negative resistance -Rne and resistance Rcu of the current source block 11 connected in parallel. - 特許庁

また、反転入力端とＶｏ出力端子との間に、抵抗Ｒ１，Ｒ２の比と同じ抵抗比を有する抵抗ｋ・Ｒ１，ｋ・Ｒ２を直列に接続してなる合成抵抗ｋ・Ｒ２１を接続する。例文帳に追加

Also, a combined resistances k.R21 constituted by serially connecting resistances k.R1 and k.R2 having the same resistance ratio as the ratio of the resistances R1 and R2 is connected between the inversion input terminal and a Vo output terminal. - 特許庁

この構成を、放電抵抗器６２を無くし、複数の抵抗器Ｒ１１〜Ｒ１４の合成抵抗値を平滑コンデンサ６０の蓄積電荷を所定時間で放電するに必要な抵抗値とする。例文帳に追加

The discharge resistor 62 eliminates this constitution, and combined resistance values of the plurality of resistors R11-R14 are brought into resistance values required for discharging the accumulated charge of the smoothing capacitor 60 at a prescribed time. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ１１２ｃのオン抵抗は、ＭＯＳＦＥＴ１２２ｂのオン抵抗とゲート抵抗１２１との合成抵抗の２倍以上となるように設定されている。例文帳に追加

On-resistance of the MOSFET 112c is set to two times or more of a combined resistance of on-resistance of the MOSFET 122b and resistance of a gate resistor 121. - 特許庁

電子機器に実装される複数の回路基板にそれぞれ抵抗値が異なる抵抗素子を設け、それらの抵抗素子の合成抵抗値を測定した結果に基づき回路基板が正しく組み合わされているか否かについて検査する。例文帳に追加

Resistances having different resistance values are provided to a plurality of circuit board respectively which are mounted to an electronic apparatus, and the measurement result of a composite resistance value of the resistances is used to judge whether or not the combination of the circuit boards is correct. - 特許庁

磁気的に軟らかい合成フェリ磁性体基準層を含む磁気抵抗素子例文帳に追加

MAGNETO-RESISTIVE DEVICE INCLUDING MAGNETICALLY SOFT SYNTHETIC FERRIMAGNET REFERENCE LAYER - 特許庁

合成自由層を有するスピンバルブとして磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

The magnetoresistive element is supplied as a spin valve having a synthetic free layer. - 特許庁

ポリシリコン抵抗素子１の抵抗値の製造ばらつきの変動は、前記Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２の抵抗値の可変調整によって吸収され、ポリシリコン抵抗素子１とＰ型ＭＯＳトランジスタ２との合成抵抗は前記伝送路の特性インピーダンスに高精度に調整される。例文帳に追加

The fluctuations in production variations of the resistance value of the polysilicon resistive element 1 is cancelled by the variable adjustment of the resistance value of the P-type MOS transistor 2, and the combined resistance of the polysilicon resistive element 1 and the P-type MOS transistor 2 is adjusted to the characteristic impedance of the transmission line with high accuracy. - 特許庁

前段の最終段トランジスタのオン抵抗Ｒｏｕｔ、配線抵抗Ｒｗ、パスゲートトランジスタのオン抵抗及びプルアップトランジスタのオン抵抗の合成抵抗Ｒｉｎに基づいて、前記セルの入力信号の電圧をネット毎で推定する。例文帳に追加

On the basis of ON resistance Rout of a final transistor on the processing stage, wiring resistance Rw and resistance Rin synthesizing the ON resistance of a pass gate transistor and the ON resistance of a pull-up transistor, the voltage of an input signal to the cell is estimated for each cell. - 特許庁

ビット線の配線抵抗が、その並列合成抵抗により大幅に低減することができ、ビット線書込電流を大きくすることができる。例文帳に追加

The wiring resistance of the bit line is greatly reduced by its parallel combined resistance, and a bit line writing current is increased. - 特許庁

上記複数の電気抵抗体１０の合成抵抗Ｒを検知することで、保護板３の損傷の度合を判定する。例文帳に追加

The damage degree of the protective plate 3 is determined by detecting the combined resistance R of the plurality of electric resistors 10. - 特許庁

すなわち、電圧供給開始時点では限流抵抗部７の合成抵抗Ｒｌが大きいため、過電流の発生が抑制される。例文帳に追加

Namely, the composite resistance R1 of the current limiting portion 7 is large at the start of supply of the voltage, so generation of an excess current is suppressed. - 特許庁

抵抗部８は、この制御データＳ３を受けて、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを開閉し、合成抵抗を生成する。例文帳に追加

The resistor section 8 receives the control data S3 to turn on/off switches SW1-SWn to generate a combined resistance. - 特許庁

また、第１合成抵抗１３１の第３抵抗値ｒ３と、第２合成抵抗２１２の第４抵抗値ｒ４とに基づいて、素子圧力Ｐｓに応じた圧力信号Ｓｐｐを生成し出力する圧力信号生成出力手段２０５，２０７，２０９を備える。例文帳に追加

The glow plug further includes pressure signal generation output means 205, 207, 209 generating and outputting a pressure signal Spp in response to an element pressure Ps on the basis of a third resistance value r3 of a first synthetic resistor 131 and a fourth resistance value r4 of a second synthetic resistor 212. - 特許庁

第１スイッチ回路（１５−１）は、入力されたディジタル信号に応じて上記第１抵抗群（１４−１）の合成抵抗値を切り換え、第２スイッチ回路（１５−２）は、入力されたディジタル信号に応じて上記第２抵抗群（１４−２）の合成抵抗値を切り換える。例文帳に追加

A first switch circuit 15-1 switches the resultant resistance of a first resistor group 14-1 according to an inputted digital signal, and a second switch circuit 15-2 switches the resultant resistance of a second resistor group 14-2 according to the inputted digital signal. - 特許庁

各枠領域に１つに設定されたスルーホールの位置を基準として、第１配線層、第２配線層における枠図形に対応する配線抵抗を分割した抵抗値ＲＬ１１〜１４、ＲＬ２１〜２２と、各枠領域内で１つに設定されたスルーホールの抵抗値ＲＣＴ１〜３とを用いて、抵抗回路網を作成し、抵抗回路網を１つの抵抗ＲＳに合成する。例文帳に追加

A resistance circuit network is created by using resistance values RL11 to 14 and RL21 to 22 obtained by dividing the wiring resistance corresponding to the frame graphic in the first wiring layer and the second wiring layer and resistance values RCT1 to 3 respectively set in each frame area by using the positions of the through-holes respectively set in each frame area as a reference, and the resistance circuit network is synthesized with one resistance RS. - 特許庁

コンタクトの摺動によって抵抗体の表面が摩耗しても合成抵抗値を安定化させることができ、しかも製造効率を向上させることができる摺動抵抗体及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a sliding resistor with a resultant resistance value stabilized even when the resistor surface is worn away by the sliding contact and with enhanced producibility, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

後者の７５Ωの場合には、ＦＥＴ2bのドレイン−ソース間の抵抗値を最小にし、同最小の抵抗値とRsの並列合成抵抗で終端する。例文帳に追加

When the output impedance is 75Ω, the resistance value between the drain and the source of the FET 26 is minimized to terminate the synchronizing signal by the parallel resultant resistance between the minimum resistance value and the Rs. - 特許庁

その際、各合成抵抗Ｒ１２，ｋ・Ｒ２１において、２つの抵抗の位置を代えたり、各抵抗の比を変えることにより、オペアンプＯＰ１１の２次歪を、一定範囲内で自由に制御することが可能な構成となっている。例文帳に追加

At that time, the positions of the two resistances are changed or the ratio of each resistance is changed in each combined resistance R12 and k.R21 so that the secondary distortion of the operational amplifier OP11 can be freely controlled within a fixed range. - 特許庁

そのため、第１の抵抗４７及び第２の抵抗４２の合成抵抗値と制御電圧端子４６ｅの電圧とにより、光源２８に流れる電流の値が決定される。例文帳に追加

Thus, by the combined resistance value of a first resistor 47 and the second resistor 42 and the voltage of a control voltage terminal 46e, the value of a current flowing to a light source 28 is determined. - 特許庁

架空配電線路の接地極の接地抵抗値が精度良く測定でき、共同接地系の合成接地抵抗も求めることができる接地抵抗測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for measuring ground resistance, capable of accurately measuring the ground resistance of a ground electrode of an overhead power distribution line and also capable of obtaining the combined ground resistance of a common grounding system. - 特許庁

制御信号ＬＶが「Ｌ」レベルである場合、抵抗素子Ｒ１＃と抵抗素子Ｒ２との並列接続に従う合成抵抗値に基づいてノードＮＣの電位レベルは、Ｖｃの電位レベルまで充電される。例文帳に追加

When the control signal LV is in "L" level, the potential level of a node NC is charged to a potential level Vc based on a composition resistance value according to the parallel connection of a resistive element R1# and a resistive element R2. - 特許庁

電源投入時（ステップＳ２１）に、該合成抵抗値（シリーズ抵抗値）をADコンバータ（AD値）もしくはコンパレータ出力により参照し（ステップＳ２２）、機種設定抵抗値と比較する（ステップＳ２３）。例文帳に追加

When a power source is turned on (step S21), the composite resistance value (series resistance value) is referenced by an A/D converter (A/D value) or comparator output (step S22) and compared with a machine type setting resistance value (step S23). - 特許庁

従来の抵抗測定器１に、チョークコイル３を挿入し、通信ライン７を断線することなく、合成抵抗を測定可能として酸化皮膜断線区間の特定ができる、ハイインピーダンス抵抗測定器。例文帳に追加

By inserting a choke coil 3 in a conventional resistance measuring device 1, it is possible to measure a synthetic resistance without the need for breaking the wire of a communication line 7 and specify a section of oxide film wire breakage in this high-impedance measuring device. - 特許庁

そこで、この電極抵抗値Ｒｅと、電源線電極１３から画素開口部１５を通る電流経路における合成抵抗値Ｒｘとの抵抗比率Ｒｘ／Ｒｅを１０^5 以上となるように構成する。例文帳に追加

Here, it is constructed so that Rx/Re, which is a synthetic resistance Rx at the current passage passing from the power source line electrode 13 to the pixel opening part 15 against the electrode resistance Re, becomes not lower than 10^5. - 特許庁

障害検出時に地気出力54が入力されると、地気電位G1と伝送装置の給電電位-48Vとの電位差は、抵抗18および30の並列合成抵抗と抵抗32とによって分圧される。例文帳に追加

Upon the receipt of the grounding output 54 when a fault is detected, a voltage between the ground level G1 and the power supply voltage -48 V of the transmitter is divided by the resistor 32 and a parallel combined resistor consisting of the resistors 18, 30. - 特許庁

そして、各スイッチがオンとなる毎に、抵抗回路の合成抵抗値が段階的の減少し、この抵抗値変化を検出して各ペダル板３〜４に割り当てられた操作量を変化させる。例文帳に追加

Every time the respective switches turn on, a combined resistance value of a resistance circuit decreases stepwise and the manipulated variable allocated to each pedal plate is changed by detecting this resistance value change. - 特許庁

計算回路５では、電流ｉ１、ｉ２のときに、内部抵抗７、８を合成した抵抗値がそれぞれ算出され、算出された抵抗値ｒ１、ｒ２は、制御回路６へ供給される。例文帳に追加

The calculating circuit 5 calculates resistance value when the internal resistors 7 and 8 are compounded to each other when there flow currents i1 and i2, and the calculated resistance values r1 and r2 are supplied to a control circuit 6. - 特許庁