「外 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

When light is made incident on the n-type SiC layer just below or at a periphery of the conductive oxide layer, the diode functions as an ultraviolet ray detection element.例文帳に追加

導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 - 特許庁

A speed extrapolation/computation section 127 computes the speed v^n of the moving object 800 in the inertial coordinate system, based on the increment Δv^n of the speed.例文帳に追加

速度外挿計算部１２７は、速度の増分Δｖ^ｎに基づいて、慣性座標系における移動体８００の速度ｖ^ｎを計算する。 - 特許庁

The N-character index modification part 123 may select N-character indexes other than a 1-character index not to be generated.例文帳に追加

また、Ｎ文字索引変更部１２３は１文字索引以外のＮ文字索引から生成非対象を選択する。 - 特許庁

The second n-side wiring layer has an n-side external terminal which is exposed from the first insulating layer and second insulting layer on the third surface.例文帳に追加

第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

A polling telegraphic message is created by a wireless communication method N (S1), and transmitted to an exterior by the wireless communication method N (S3).例文帳に追加

無線通信方法Ｎによるポーリング電文を作成し（Ｓ１）、無線通信方法Ｎにより外部に送出する（Ｓ３）。 - 特許庁

The CMOS sensor structure is equipped with a substrate, n- and n+ regions, a separation region, field injection region, and a silicon oxide external frame.例文帳に追加

ＣＭＯＳ検知構造は、基板、ｎ^−領域、ｎ^＋領域、分離領域、フィールド注入領域、そしてシリコン酸化物外枠を有する。 - 特許庁

Specified symbols are employed for N (x>n≥2) out of x types (x≥3) of symbols on the outer circumferential surface of each rotary reel 40.例文帳に追加

各回転リール40の外周面上の図柄、ｘ種類（ｘ≧３）のうちｎ種類（ｘ＞ｎ≧２）を特定図柄とする。 - 特許庁

The impeller is formed with n (n is an integer of 2 or more) impeller grooves on its outer peripheral edge.例文帳に追加

この燃料ポンプでは、インペラは、その外周縁にｎ個（ｎは２以上の整数）の羽根溝が形成されている。 - 特許庁

A resin molded part N of the outer member 20 is separated from the inner member 10, utilizing the molding shrinkage of the resin molded part N.例文帳に追加

外方部材２０の樹脂成形部Ｎと内方部材１０との剥離は、樹脂成形部Ｎの成形収縮を利用して行なう。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

A rice bran storing container 53 for storing the rice bran N is arranged in the rice bran hut 50 to which the rice bran N is transported from the outside.例文帳に追加

外部から輸送される糠Ｎを溜める糠小屋５０において、糠小屋５０の内部に、糠Ｎを溜める糠収容容器５３を配設した。 - 特許庁

When the salve device #n is in an outside-line speech communication state (S278: YES), the picto of the slave device #n is blinked in cycles of two seconds (S280).例文帳に追加

子機＃ｎが外線通話状態にあれば（Ｓ２７８：ＹＥＳ）、子機＃ｎのピクトを２秒周期で点滅させる（Ｓ２８０）。 - 特許庁

When the slave device #n is outside a communication zone (S286: YES), the picto of the slave device #n is blinked in cycles of 0.5 second (S288).例文帳に追加

子機＃ｎが通話圏外にあれば（Ｓ２８６：ＹＥＳ）、子機＃ｎのピクトを０．５秒周期で点滅させる（Ｓ２８８）。 - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 7 are formed like a frame so as to be continued with the N+ channel stop layers 6 outside the array of the P+ diffusion layers 3.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層３の配列の外側にＮ^^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

Permanent magnets 13 and 14, in which N and S poles are arranged alternately in its circumferential direction, are provided on the inside periphery of the rotor 11 and the outside periphery of the rotor 12.例文帳に追加

ロータ11の内周、およびロータ12の外周に、N,S極の円周方向交互配置になる永久磁石13,14を設ける。 - 特許庁

To provide a lipid dispersion composition that has improved dispersibility of ceramide, particularly N,N'-bis(2-hydroxyethyl)-N,N'- biscetylmalonamide and to provide an external preparation for skin that includes the composition of which the applicability to the skin preparation is improved.例文帳に追加

セラミド類似化合物、特にＮ,Ｎ'−ビス(２−ヒドロキシエチル)−Ｎ,Ｎ'−ビスセチルマロンアミドの分散性を向上させた脂質分散組成物、及び、皮膚外用剤への適用性を向上させた該組成物を含有する皮膚外用剤を提供する。 - 特許庁

An n-bit data signal in response to a high-speed clock of a frequency f to be input from the outside is made N times by a data signal conversion part 2, to convert it into an N×n-bit data signal, and also a clock of frequency f to be input from externally is divided 1/N times by a divider 3.例文帳に追加

外部より入力される周波数ｆの高速のクロックに対応したｎビットのデータ信号を、データ信号変換部２でＮ倍して、Ｎ×ｎビットのデータ信号に変換するとともに、外部より入力される周波数ｆのクロックを、分周器３で１／Ｎ倍に分周する。 - 特許庁

For the FPGA 1 and FPGA 2, the respective configuration data includes information about "external pin K='0', external pin L='0', external pin M='0', external pin N='0'", "external pin K='0', external pin L='0', external pin M='0', external pin N='1'", as FPGA identification information.例文帳に追加

ＦＰＧＡ１及びＦＰＧＡ２に対し、それぞれのコンフィグデータはＦＰＧＡ特定情報として「外部ピンＫ＝“０”、外部ピンＬ＝“０”、外部ピンＭ＝“０”、外部ピンＮ＝“０”」、「外部ピンＫ＝“０”、外部ピンＬ＝“０”、外部ピンＭ＝“０”、外部ピンＮ＝“１”」の情報を含んでいる。 - 特許庁

In this case, the infrared rays are radiated only during the time according to the distributed pulse from the infrared radiating elements 37 of the number of N, so that the power consumption becomes one n-ths or smaller, as compared with a case in which the infrared rays, according to the voice high-frequency signal is generated from the infrared radiating elements 37 of the number of n.例文帳に追加

Ｎ個の赤外線放射素子３７からは分配されたパルスに応じた時間だけ赤外線が放射されるから、音声高周波信号に応じた赤外線をＮ個の赤外線放射素子３７から放射する場合に比して１／Ｎ以下の消費電力とすることができる。 - 特許庁

The controller 1 discriminates a test output signal Dn (n=10) converted from the test input signal An (n=10) from other output signals Dn (n=1 to 9).例文帳に追加

制御器１は試験入力信号Ａｎ（ｎ＝１０）から変換された試験出力信号Ｄｎ（ｎ＝１０）をそれ以外の出力信号Ｄｎ（ｎ＝１〜９）と判別する。 - 特許庁

The number N is determined in a range of 0<R.cos (180°/N)≤23 in the relation with a radius R (mm) of a virtual circle circumscribing the regular N-sided polygon.例文帳に追加

その角数Ｎは、当該正Ｎ角形に外接する仮想円の半径Ｒ（ｍｍ）との関係において０＜Ｒ・ｃｏｓ（１８０°／Ｎ）≦２３となる範囲で決定される。 - 特許庁

In the cross flow fan 10, number N of the fan blades 21, chord length L, the outer diameter D, and number M of impellers 12 satisfy relations 0.6≤L/(πD/N)≤2.8, 0.15≤πD/(N×M)≤3.77.例文帳に追加

貫流ファン１０は、ファンブレード２１の枚数Ｎ、翼弦長Ｌおよび外径Ｄならびに羽根車１２の個数Ｍについて、０．６≦Ｌ／（πＤ／Ｎ）≦２．８、０．１５≦πＤ／（Ｎ×Ｍ）≦３．７７の関係を満たす。 - 特許庁

A terminal M of external terminals P, M, N, U of a conventional module is formed into two terminals and the terminal array is formed in one linear shape in the order of M1, P, N, M2, or M1, N, P, M2, U.例文帳に追加

従来のモジュールの外部端子Ｐ，Ｍ，Ｎ，ＵのＭ端子を２端子とし、端子配列をＭ１、Ｐ，Ｎ、Ｍ２、Ｕの順序、又はＭ１、Ｎ，Ｐ、Ｍ２、Ｕの順序で、１直線状に配置する。 - 特許庁

When an n-type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, the n-type epitaxial layer 2 is formed outside first and second grooves 4a, 4b, while the n-type epitaxial layer 2 is not formed on a projecting part 5 located between them.例文帳に追加

半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。 - 特許庁

For N trimming circuits, it is sufficient that N+1 external terminals (pads) for providing data signal to each N trimming circuit and a control signal to a common line be provided.例文帳に追加

Ｎ個のトリミング回路を備えた場合、それぞれに供給するデータ信号と共通に供給する制御信号のためにＮ＋１個の外部端子（パッド）を設ければよい。 - 特許庁

The n^+ source area 22 includes a first n^+ source region 221, arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222, which is arranged extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21.例文帳に追加

そして、ｎ^＋ソース領域２２は、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在するように配置される第２ｎ^＋ソース領域２２２とを含んでいる。 - 特許庁

After a large number of nuts N are loaded into a crate 2 and immersed in a solution of a loosening prevention agent A, the loosening prevention agent A is wiped off from the outer faces of the nuts N to form a coating film of the loosening prevention agent A on the inner faces of the nuts N.例文帳に追加

多数のナットＮをざる２に投入して弛み止め剤Ａの溶液中に浸漬した後、ナットＮの外面から弛み止め剤Ａを拭き取り、ナットＮの内面に弛み止め剤Ａの塗膜を形成したのである。 - 特許庁

Moreover, an n-type impurity concentration at the lower side of the electrode in the light receiving surface side includes a high concentration n-type layer which is higher than the n-type impurity concentration of the lower side of the light receiving surface other than the electrode in the light receiving surface side.例文帳に追加

さらに、受光面側電極下部のｎ型不純物濃度が受光面側電極以外の受光面下部のｎ型不純物濃度より高い高濃度ｎ型層を有する太陽電池。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 of a data output side, internal data of (m) bits is divided into (n) pieces, a data selecting circuit 2 selects data m/n pieces by m/n pieces, and outputs them to an external data bus 10.例文帳に追加

データ出力側の半導体装置１では、ｍビットの内部データをｎ分割し、データ選択回路２がｍ／ｎ個ずつデータを選択してデータ出力部３よりＬ（＝ｍ／ｎ）ビット幅の外部データバス１０に出力する。 - 特許庁

In the case of transferring the object from the layer N to the layer M, the layer N intrinsic part 6 is detached from the layer N object 4 and the common part 31 is transferred as the object for the transfer.例文帳に追加

層Ｎから層Ｍにオブジェクトが転送される場合、層Ｎオブジェクト４から層Ｎ固有部６が取り外され、共通部３１が転送用オブジェクトとして転送される。 - 特許庁

An orientation flat OF is formed in a notch forming section for a notch n by grinding the outer periphery of a wafer 10 for active layer except the notch forming section.例文帳に追加

ノッチｎの形成部以外の活性層用ウェーハ１０の外周部を外周研削し、ノッチ形成部にオリフラＯＦを形成する。 - 特許庁

The joint part S is not protruded to the outer side of an outer peripheral face No of a non-joint part N which is a portion of the inner liner 10 other than the joint part S.例文帳に追加

接合部Ｓは、接合部Ｓ以外のインナライナ10の部分である非接合部Ｎの外周面Ｎｏよりも外側に突出していない。 - 特許庁

Within the outer surrounding part, 1st to n-th speakers 13a-13e are located so that their sonic wave radiation planes are directed to 1st to n-th directions toward the outside of the outer surrounding part.例文帳に追加

外囲部内には、それぞれの音波放射面が、外囲部の外部へ向かう第１乃至第ｎ方向を向くように第１乃至第ｎスピーカ１３ａ〜１３ｅが配設される。 - 特許庁

A spiral S pole band 14 and a spiral N pole band 15 of the outer peripheral surface 11a of the inside magnetic vehicle 11 and a spiral S pole band 14 and a spiral N pole band 15 of the outer peripheral surface 21a of the outside magnetic vehicle 21 are reversely formed to have equal spiral pitches.例文帳に追加

内側磁気車11の外周面11aの螺旋状のＳ極帯14およびＮ極帯15と外側磁気車21の外周面21aの螺旋状のＳ極帯14およびＮ極帯15とを正反対にするとともに等しい螺旋ピッチにする。 - 特許庁

The output reference terminal VNO is connected between a portion P1 wherein low voltage side terminals of low voltage side switching element S1-S3 are connected in an external terminal N of the power semiconductor device 11a, and a portion P2 exposed outside the external terminal N.例文帳に追加

出力基準端子ＶＮ０は、その外部端子Ｎにおいて低圧側スイッチング素子Ｓ１〜Ｓ３の低圧側端子が接続される部分Ｐ１と、外部端子Ｎの外部に露出した部分Ｐ２との間に接続される。 - 特許庁

A leading 0x or 0X denotes hexadecimal. 例文帳に追加

先頭が 0x または 0X ならば 16 進数として解釈されます。 それ以外の場合には、数値は[base#]n の形式で表します。 - JM

The skin care preparation comprises ε-N-(α-glutamyl)lysine and/or its salt.例文帳に追加

ε−Ｎ−（α−グルタミル）リジン及び／又はその塩を皮膚外用剤に含有させる。 - 特許庁

N-PHENYL-3-CYCLOPROPYLPYRAZOLE-4-CARBONITRILE AS EXTERNAL PARASITICIDE例文帳に追加

外部寄生虫駆除剤としてのＮ−フェニル−３−シクロプロピルピラゾール−４−カルボニトリル - 特許庁

The skin care composition contains: the N-acetylglucosamine; and the alpha-GPC.例文帳に追加

Ｎ‐アセチルグルコサミンと、アルファ−ＧＰＣとを含む皮膚外用剤組成物。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 to be recognized is continuously photographed by the analog infrared camera 10 n-times.例文帳に追加

認識対象物の半導体ウエハ１をアナログ赤外線カメラ１０でｎ回連続的に撮像する。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

Regarding elements other than C, N and H, an RBS analysis is performed (S5), and their average composition is calculated (S6).例文帳に追加

Ｃ，Ｎ，Ｈ以外の元素については、ＲＢＳ分析を行って（Ｓ５）、平均組成を算出する（Ｓ６）。 - 特許庁

Chaff N mixed into hulled rice S is discharged to the outside through a chaff discharge trough 42.例文帳に追加

また、籾摺米Ｓに混入する籾殻Ｎは、籾殻排出樋４２を介して外部に排出される。 - 特許庁