「外 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The plane pattern of each trench 3 is made to be a closed curve, a first n source region 12 surrounded by the trench 3 is made to be a straight-shaped island, a plurality of straight-shaped islands are formed, and a second n source region 14 is formed on the outside of these islands.例文帳に追加

トレンチ３の平面パターンを閉曲線とし、トレンチ３で囲まれる第１ｎソース領域１２を直線状の島にして、この島を複数個形成し、その外側に第２ｎソース領域１４を形成する。 - 特許庁

When the number of dummy data is other than a multiple of N with respect to clock signals before DEMUX processing in the data monitor system of this invention, the system adds/deletes the dummy data so that the number of dummy data is a multiple of N and outputs the result to the synchronization controller.例文帳に追加

データ監視装置において、ＤＥＭＵＸ処理前のクロックに対しダミーデータ数がＮの倍数以外の場合、Ｎの倍数となるようダミーデータを追加／削除し、同期制御装置に出力する。 - 特許庁

The sub board-side counter 5a counts the number of times of receiving the count value commands, is reset to "0" only at the time of the power application, counts from "0" to the numerical value X, and thereafter counts from the numerical value N other than "0" to the numerical value X.例文帳に追加

副基板側カウンタ５ａは、カウント値コマンドの受信回数をカウントし、電源投入時にのみ「０」にリセットされて「０」から数値Xまでカウントし、その後は、「０」以外の数値Nから数値Xまでカウントする。 - 特許庁

The permanent magnet 11 is rotated by the N-pole side magnetic flux and the S-pole side magnetic flux from an inner circumferential surface 21a of the storage recess 22 and the magnetic force between the S-pole band 12 and the N-pole band 13 on the outer circumferential surface 11b of the permanent magnet 11.例文帳に追加

収容凹部22の内周面21aからのＮ極側磁束およびＳ極側磁束と永久磁石11の外周面11bのＳ極帯12およびＮ極帯13との間の磁力で永久磁石11が回転する。 - 特許庁

The N-type source regions 7 are formed in a forms such that they do not exist on a center line L obtained by connecting the center of an N+-type drain region 6 and the center of the P-type base region 4.例文帳に追加

但し、このＮ^＋型ソース領域７は、Ｎ^＋型ドレイン領域６の中心とＰ型ベース領域４の中心とを結んだ中心線Ｌ上には存在しないような外形に形成されている。 - 特許庁

A first p type conductive are 4 and a hole-like conductive area 40 are formed in the first n type conductive area 2, and a second p type conductive area 30 is formed outside the first n type conductive area 2.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４と第１孔状導電領域４０を形成し、さらに第２Ｐ型導電領域３０を第１Ｎ型導電領域２の外側に形成する。 - 特許庁

In normal cases, learning of only the multipoint learning value AGdp (n) is permitted in the multipoint learning region n, and learning of only the basic learned value AG (i) is permitted in the other regions.例文帳に追加

通常時には多点学習領域ｎでは多点学習値ＡＧｄｐ（ｎ）の学習のみを許可し、それ以外の領域では基本学習値ＡＧ（ｉ）の学習のみを許可する。 - 特許庁

A drain of the first N-channel-type MOS transistor 30 is connected to a first external terminal 401, and its source is electrically connected to a source of the second N-channel-type MOS transistor 31 and the P-type well 9.例文帳に追加

第１Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ３０のドレインは第１外部端子４０１に接続され、ソースは第２Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ３１のソースとＰ型ウェル９とに電気的に接続される。 - 特許庁

After the passage of a prescribed time, while the supercritical carbon dioxide or the liquefied carbon dioxide in the pressure container 5 and the mixture n of the chamber 11 are replaced, the mixture n is discharged outside the pressure container 5.例文帳に追加

所定時間経過した後、圧力容器５内の超臨界二酸化炭素または液体二酸化炭素と室部１１の混合物ｎとを置換しながら、混合物ｎを圧力容器５の外部に排出する。 - 特許庁

Also, a measurement block selection part classifies all of the measurement blocks Tb into M (M<N) measurement object blocks Tb1 and L (L=N-M) measurement excluded blocks Tb2.例文帳に追加

また、計測ブロック選択部により、全ての計測ブロックＴｂを、Ｍ個（ただしＭ＜Ｎ）の計測対象ブロックＴｂ１およびＬ個（ただしＬ＝Ｎ−Ｍ）の計測除外ブロックＴｂ２に区分する。 - 特許庁

The ferrite stainless steel contains C: below 0.1 mass%, N: below 0.1 mass%, Si: below 1.5 mass%, Mn: below 1.5 mass%, P: below 0.10 mass%, and S: below 0.01 mass%, in addition to the Cr.例文帳に追加

フェライト系ステンレス鋼は、Cr以外にC：0.1質量％以下，N：0.1質量％以下，Si：1.5質量％以下，Mn：1.5質量％以下，P：0.10質量％以下，S：0.01質量％以下を含んでいる。 - 特許庁

According to the present invention, a signal delayed for a 1/2N (N is a positive integer) term in advance is input from the outside, so that delay of a delay circuit is not varied by variation of semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

本発明では外部よりあらかじめ1/2N（Nは正の整数）周期遅延させた信号を入力することで、半導体製造プロセスのバラツキによる遅延回路の遅延変動は発生しない。 - 特許庁

A signal selection section (31) selects video information (L) from the outside in a color mode with a video signal (M) from a light emission shield section (35) in the monochromatic mode, as a video signal (N) to a driving section (2).例文帳に追加

信号選択部(31)はカラーモードでは外部からの映像情報(L)を、モノクロモードでは発光遮断部(35)からの映像信号(M)を、駆動部(2)への映像信号(N)として選択する。 - 特許庁

The image compensation part produces an n-th frame compensation image signal by using the image signals of the n-th and (n-1)-th frame image signals respectively outputted from the line memory part and the frame memory part based on the external horizontal synchronizing signal.例文帳に追加

画像補償部は、ライン保存部及びフレーム保存部から外部水平同期信号に基づいてそれぞれ出力されたｎ番目及びｎ−１番目フレーム画像信号を利用してｎ番目フレーム補償画像信号を生成する。 - 特許庁

An n++ buffer layer 20 of which at least a part is located on the part opposed to the circumferential face P1oof the second main face, and has an impurity concentration higher than that of the n+ layer 15.例文帳に追加

ｎ＋＋バッファ層２０は、第２主面の外周面Ｐ１ｏに対向する部分の上に少なくとも一部が位置し、ｎ＋層１５よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

Thus, outer diffusion in the part which is brought into contact with the source electrode 10 can be reduced in the n+-type source regions 4 and the contact resistance of the n+-type source regions 4 can be prevented from becoming high.例文帳に追加

これにより、ｎ^+ 型ソース領域４のうち、ソース電極１０と接触する部分における外部拡散を少なくでき、ｎ^+ 型ソース領域４のコンタクト抵抗が高くならないようにできる。 - 特許庁

Print data received from the outside are interpreted and developed and stored as primary data, and printing is executed on a displaced position n times (n≥2) based on the same primary data.例文帳に追加

外部より受信した印刷データを解釈・展開して１次データとして記憶しておき、同一の１次データに基づいて印刷位置をずらしてｎ回（ｎ≧２）印刷する。 - 特許庁

The first body region 36, the second body region 37, and a first source region 38 are formed around an outer circumference of the trench 31, and an N-type protection semiconductor region 40 is also formed around an outer circumference of the trench 31.例文帳に追加

トレンチ３１の外周にも第１のボデイ領域３６と第２のボデイ領域３７と第１のソース領域３８とが設けられ、且つN型の保護半導体領域４０が設けられている。 - 特許庁

The antenna has a connection conductor (6) which electrically connects points dividing an outer periphery of the ring-like conductor into (n), and the reflector, and (n) is "3" or "4".例文帳に追加

また、前記リング状導体の外周をｎ等分した点と、前記反射板とを電気的に接続する接続導体（６）を有し、前記ｎは、３または４である。 - 特許庁

Additionally, a first P-type conductive region 4 and a first hole-shaped conductive region 40 are formed in the first N-type conductive region 2, and further, a breakover voltage-determining conductive region 30 is formed outside the first N-type conducive region.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４と第１孔状導電領域４０を形成し、さらにブレークオーバー電圧決定導電領域３０を第１Ｎ型導電領域２の外側に形成する。 - 特許庁

Under the second sidewall 26 in a p-type well region 12, n-type lightly-doped layer 22 is formed, outside of which a n-type heavily-doped layer 27 is formed.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１２における第２のサイドウォール２６の下側にはｎ型低濃度不純物層２２が形成されていると共に、該ｎ型低濃度不純物層２２の外側にはｎ型高濃度不純物層２７が形成されている。 - 特許庁

In a light-emitting diode 1000 where light is extracted from the side of an n-type layer 11, an outer wiring trace portion 130f and an inner wiring trace portion 130g of an n-contact electrode impede light emission from a light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｎ型層１１側から光取り出しを行う発光ダイオード１０００において、ｎコンタクト電極の外周線路部１３０ｆと内側線路部１３０ｇは、発光層１５からの発光の遮蔽物となる。 - 特許庁

When removing the body N to be locked from the lock body M, the body N to be locked is turned in a direction, in which a lower part of an engagement hole 11 is raised and a tip 2 side of an insert lock piece 1 is lowered, in relation to the lock body M.例文帳に追加

係止体Ｍから被係止体Ｎを取り外すときは、被係止体Ｎを係止体Ｍに対して、係合穴１１の下方が上がり挿入係止片１の挿入先端２側が下がる方向に回動させる。 - 特許庁

This skin care preparation is obtained by including one or more kinds of an extract and an extract fractionated substance from Puerariae Radix or 4',7-dihydroxyisoflavone and one or more kinds selected from N- acylamino acids and salts thereof used in combination.例文帳に追加

カッコン（Puerariae Radix）の抽出物及び抽出分画物の１種又は２種以上、もしくは4',7-ジヒドロキシイソフラボンと、N-アシルアミノ酸及びその塩より選択した１種又は２種以上とを併用して皮膚外用剤に含有させる。 - 特許庁

The m pieces of outside vane parts 56 and outside vane grooves 58 are formed in the outer circumferential part of the impeller and n pieces of inside vane parts 52 and inside vane grooves 54 are formed towards the centripetal part of the outside vane parts.例文帳に追加

インペラ外周部にｍ個の外側羽根部５６及び外側羽根溝５８を形成し、該外側羽根部よりも求心寄りにｎ個の内側羽根部５２及び内側羽根溝５４を形成した。 - 特許庁

In an integrated circuit, as external pins for FPGA identification, four external pins are selected, that is, external pin K to external pin N of each FPGA of the same kind with the same device ID.例文帳に追加

ＦＰＧＡ特定用外部ピンとして同一品種でデバイスＩＤが同一の各ＦＰＧＡの外部ピンＫ〜外部ピンＮの４本の外部ピンが選択されている。 - 特許庁

The electrooptical apparatus comprises N pieces of image signal lines to which N pieces of serial-parallel converted image signals are supplied via external circuit connecting terminals, and two or more branch wiring which include junction wiring formed in the direction of crossing N pieces of the image signal lines and are connected to the respective corresponding lines of N pieces of the image signal lines.例文帳に追加

電気光学装置は、Ｎ個のシリアル−パラレル変換された画像信号が外部回路接続端子を介して供給されるＮ本の画像信号線と、Ｎ本の画像信号線の配線方向に交差して形成される中継用配線を含む、Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線とを備える。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, an N-type region for receiving signals from an external connection terminal via a P-type region in contact with the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is formed near the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の近傍に、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域と接したＰ型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

In the outer circumferential area of a semiconductor substrate 5, a trench 13 is formed to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2 and to separate the n^+-type and the p^+-type layers around a cell, and an n^--type layer 14 is formed on the inner wall surface of the trench 13.例文帳に追加

半導体基板５のうちの外周部領域には、Ｎ^＋型層４およびＰ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達し、かつ、セル部を囲むようにＮ^＋型層４およびＰ^＋型層３を分断するトレンチ１３が形成され、トレンチ１３の内壁面には、Ｎ^−型層１４が形成されるようにする。 - 特許庁

This transgenic mammalian animal other than human has a transducing gene consisting of a regulator gene functioning at cells of a local position generating a hyperacute rejection and a gene of a human N-acetyl glucosamine-transferase III, or a transducing gene consisting of the above regulating gene, the gene of the human N-glucosamine-transferase III and a gene of a human complement-regulating factor.例文帳に追加

本発明は、超急性拒絶の生じる局所の細胞で機能している調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子からなる導入遺伝子、または当該調節遺伝子とヒトのN-アセチルグルコサミン転移酵素IIIの遺伝子とヒト補体制御因子の遺伝子からなる導入遺伝子を有するヒト以外のトランスジェニック哺乳動物である。 - 特許庁

A control device makes the second control current duty Dt(n) to be outputted to the solenoid valve as 25% when the calculated first control current duty Dtd(n) is lower than real compressor four-drive starting duty 25%, and makes the first control current duty Dtd(n) as the second control current duty Dt(n) as it is in the case except the above case.例文帳に追加

、制御装置は、算出した第１制御電流デューティＤｔｄ（ｎ）が真のコンプレッサ４駆動開始デューティ２５％よりも低い場合には、電磁バルブに出力する第２制御電流デューティＤｔ（ｎ）を２５％とし、それ以外の場合には、第１制御電流デューティＤｔｄ（ｎ）をそのまま第２制御電流デューティＤｔ（ｎ）とする。 - 特許庁

The hydrophobic porous oxide particles are hydrophobic oxide particles having a great number of pores formed therein having open ends on at least the surfaces, in which a ratio (N_RO-/N_-OH) of the number of organic substituents (N_RO-) to the number of hydroxy groups (N_-OH) on the outer surfaces and inner wall surfaces of pores of the oxide particles is not less than 1.例文帳に追加

本発明の疎水性多孔質酸化物粒子は、少なくとも表面に開口端を有する多数の空孔が形成された疎水性の酸化物粒子であり、この酸化物粒子の外表面及び空孔の内壁の表面における水酸基の数（Ｎ_−ＯＨ）に対する有機置換基の数（Ｎ_ＲＯ−）の比（Ｎ_ＲＯ−／Ｎ_−ＯＨ）は、１以上である。 - 特許庁

This antifungal skin care medicine composition is characterized by comprising (1) terbinafine and/or its salt and (2) one or more compounds selected from vinylpyrrolidone-N,N'-dimethylaminoethyl methacrylate copolymer diethyl sulfate, N-methacryloyloxyethyl-N,N'-dimethylammonium-α,N- methylcarboxybetaine-alkyl methacrylate copolymer, urea, propylene glycol and sodium pyrrolidonecarboxylate.例文帳に追加

１）テルビナフィン及び／又はその塩と２）ビニルピロリドン−Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノエチルメタクリル酸共重合体ジエチル硫酸塩、Ｎ−メタクリロイルオキシエチル−Ｎ，Ｎ’−ジメチルアンモニウム−α、Ｎ−メチルカルボキシベタイン・メタクリル酸アルキルエステル共重合体、尿素、プロピレングリコール及びピロリドンカルボン酸ナトリウムから選ばれる１種乃至は２種以上とを抗真菌皮膚外用医薬組成物に含有させる。 - 特許庁

maximal-length LFSR 例文帳に追加

最大長 LFSR 《n ビットであれば 2ｎ−1 ステップの周期をもつ LFSR; 0 以外のすべてのビットパターンが 1 回ずつ現われ, 乱数に使われる》 - 研究社 英和コンピューター用語辞典

Otherwise, the last-pointer-grab time is set to the specified time (CurrentTime is replaced by the current X server time).例文帳に追加

これ以外の場合には、最終ポインタグラブ時刻には指定した時間がセットされるn ( CurrentTimeは X サーバの現在時刻に置き換えられる)。 - XFree86

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

Furthermore, remaining fingers are assigned with paths exceeding finger thresholds except the upper N assigned paths preferentially from those having larger correlation values.例文帳に追加

さらに、割り当てた上位Ｎ個のパス以外でフィンガ閾値を越えたパスを、相関値の大きいものから優先的に残りのフィンガに割り当てる。 - 特許庁

An n-electrode 33 is formed on the upper face of an infrared semiconductor laser element 3, and a p-electrode 32 is formed on a lower face.例文帳に追加

赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 includes a laminate 4 containing a ZnO layer 2 as an n-type semiconductor and a (Ni, Zn)O layer 3 as a p-type semiconductor.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。 - 特許庁

The value of n is variable based on a refresh mode designation signal RM supplied from the outside in synchronization with the refresh command REF.例文帳に追加

ｎの値はリフレッシュコマンドＲＥＦに同期して外部から供給されるリフレッシュモード指定信号ＲＭに基づいて可変である。 - 特許庁

A general unit power consumption database 101-2 stores the total power consumption of general units G-N other than the specific units.例文帳に追加

一般ユニット消費電力データベース101-2は、特定ユニット以外の一般ユニットＧ〜Ｎによる合計の消費電力を記憶する。 - 特許庁

To make a response wavelength longer without lowering characteristics such as sensitivity and S/N in a quantum dot type infrared detector.例文帳に追加

量子ドット型赤外線検知器において、感度やＳ／Ｎなどの特性を低下させることなく、応答波長を長波長化できるようにする。 - 特許庁

This composition does not desirably include an anionic surface active agent except for the higher fatty acid N-methyl taurine salt.例文帳に追加

この組成物は、上記高級脂肪酸Ｎ−メチルタウリン塩以外のアニオン性界面活性剤を含まないことが好ましい。 - 特許庁

NEW N-GLYCERYL DERIVATIVE OF AMINO ACID, AND SKIN PREPARATION FOR EXTERNAL USE AND HAIR COSMETIC CONTAINING THE SAME例文帳に追加

新規なアミノ酸のＮ−グリセリル誘導体およびこれを含有する皮膚外用剤および毛髪化粧料 - 特許庁

The magnet chip C has the N pole directed to outside the magnet room 10 and the S pole directed to inside the magnet room 10.例文帳に追加

磁石チップＣは、Ｎ極をマグネットルーム１０の外側に向け、Ｓ極をマグネットルーム１０の内側に向ける。 - 特許庁