「外 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

An address generating device 102 is configured to generate an address value with the N/2-bit width in addition to an address value with an N-bit width.例文帳に追加

アドレス生成装置１０２は、Ｎビット幅のアドレス値以外にＮ／２ビット幅のアドレス値も生成可能に構成される。 - 特許庁

A number n of data storage circuits 10 store externally supplied k bits of data to write data into the memory cells.例文帳に追加

ｎ個のデータ記憶回路１０は、メモリセルにデータを書き込むため、外部より供給されたｋビットのデータを記憶する。 - 特許庁

Bonding pads B1-Bn ((n) is an even number, for example,) are provided along with a scribe line C in the outer periphery of a chip 21.例文帳に追加

チップ２１の外周部には、スクライブ線Ｃに沿ってボンディングパッドＢ１〜Ｂｎ（ｎ＝偶数を例とする）が設けられている。 - 特許庁

A cutting position N of the projecting part 13 is determined to an end part side of a base 3 with respect to the tile 4 positioned on an end part of the exterior material 2.例文帳に追加

前記突出部分１３の切断位置Ｎは、外装材２の端部に位置するタイル４より基板３の端部側に設定されている。 - 特許庁

This constitution prevents the rice bran N from being spilled to the outside of the rice bran hut 50 even when the door 55 installed in the rice bran hut 50 opens.例文帳に追加

この構成により、糠小屋５０に設けられている扉５５を開けても、糠Ｎが糠小屋５０の外部にこぼれることがない。 - 特許庁

To improve the working ratio n a plasma CVD system by suppressing the deposition of a film on the parts other than the surface of a substrate.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置において、基板表面以外への膜付着を抑制することにより、稼働率を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes more than one (N) external ports which each receive commands and an internal circuit which consecutively executes accesses at least N times during a minimum interval between the commands inputted in one of the external ports.例文帳に追加

半導体記憶装置は、各々がコマンドを受信する複数Ｎ個の外部ポートと、外部ポートの１つに入力される複数のコマンド間の最小間隔の間に少なくともＮ回のアクセス動作を逐次的に実行する内部回路を含む。 - 特許庁

A skin care preparation having excellent stability of the preparation system is produced by making an external preparation base comprise one or more substances selected from peptides containing α-N-(glutaminyl)-lysine or ε-N-(glutaminyl)-lysine as a partial structure or their salts.例文帳に追加

外用剤基材中に、α−Ｎ−（グルタミニル）−リシン、又はε−Ｎ−（グルタミニル）−リシンを部分構造として有するペプチド又はそれらの塩からなる群より選択される１種乃至は２種以上を含有させることにより、製剤系の安定性に優れた皮膚外用剤を提供することができた。 - 特許庁

The optical pickup reproduces the encoded data from the innermost circumferential area #1 of the optical disk at 0. 4 X speed for a fixed period of time, and subsequently reproduces the encoded data from the outermost circumferential area #n at 1. 0 X speed for a fixed period of time after making the optical pickup seek the outermost circumferential area #n.例文帳に追加

この光ディスクの最内周領域＃１から０.４倍速で一定期間光ピックアップにより符号化データを再生し、続いて光ピックアップを最外周領域＃ｎへシークした後、その最外周領域＃ｎから１.０倍速で一定期間符号化データを再生する。 - 特許庁

An external additive S transferred/depositing on the cleaning roll 82 from the photoreceptor drum by way of the charging roll 81 in a cleaning nip N aggregates to produce an aggregated external additive GS on the cleaning roll 82, and then again returned to the charging roll 81 in the cleaning nip N.例文帳に追加

クリーニングニップ部Ｎにおいて、感光体ドラムから帯電ロール８１を介してクリーニングロール８２に転移・付着した外添剤Ｓは、クリーニングロール８２上で凝集して凝集外添剤ＧＳを形成し、その後再びクリーニングニップ部Ｎにおいて帯電ロール８１上へと戻される。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

It is possible to use the first outside I/O control mode (CS mode) that enables the output of N of selection signals from a prescribed mode designation signal (CS/ECS signal) and the second outside I/O control mode (ECS mode) that enables the output of N+X of selection signals by being switched from one to the other.例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

By using a transfer function corresponding to the model of the nominal plant 14, the disturbance estimation part 11 generates and outputs a disturbance estimation value dm based on a deviation (y_N-y) between output y of the control target 5 and output y_N of the nominal plant 14.例文帳に追加

外乱推定部１１は、このノミナルプラント１４のモデルに応じた伝達関数を用いて、制御対象５の出力ｙとノミナルプラント１４の出力ｙ_Ｎとの偏差（ｙ_Ｎ−ｙ）に基づいて外乱推定値ｄｍを生成・出力する。 - 特許庁

A cubic lattices 3D-LUT 250 of power-of-two grid and a cubic lattice external portion LUT251 are obtained by separating a cubic lattice storing lattice data of (2^n+1) pieces (grid) for each axis into lattice data storing lattice point data of 2^n pieces (grid) for each axis and others.例文帳に追加

２のべき乗グリッド立方格子３Ｄ−ＬＵＴ２５０、及び、立方格子外郭部ＬＵＴ２５１は、各軸２のべき乗＋１個（グリッド）の格子点データを格納した立方格子を各軸２のべき乗個（グリッド）の格子点データを格納した立方格子とそれ以外に分離したものである。 - 特許庁

An external additive S transferred/depositing on the cleaning roll 82 from the electrifying roll 81 aggregates on the cleaning roll 82 to form an aggregated external additive GS in a cleaning nip N, and is again returned to the electrifying roll 81 in the cleaning nip N.例文帳に追加

クリーニングニップ部Ｎにおいて、帯電ロール８１からクリーニングロール８２に転移・付着した外添剤Ｓは、クリーニングロール８２上で凝集して凝集外添剤ＧＳを形成し、その後再びクリーニングニップ部Ｎにおいて帯電ロール８１上へと戻される。 - 特許庁

This stacked pipe passage contains a metallic or resin pipe body, and a pressure resistant coating layer formed on an outer surface side of the pipe body by winding a sheet having 3,430 N/mm^2 or more tensile strength and 210,000 N/mm^2 or more modulus of tensile elasticity around an outer periphery of the pipe body.例文帳に追加

金属製または樹脂製の管体と、引張強度が３４３０Ｎ／ｍｍ^2以上、引張弾性率が２１００００Ｎ／ｍｍ^2以上のシートを前記管体の外周に巻き付けることにより前記管体の外面側に形成される耐圧被覆層とを有することを特徴とする積層管路である。 - 特許庁

The enclosure 12 of the electronic equipment 1 is provided with a metallic outer side section 40 and an inner side section 50 arranged inside the outer side section 40, and the inner side section 50 has a tapping section 60 which is used for fixing a screw N by tapping the screw N when it is screwed in.例文帳に追加

電子機器１の筐体１２において、金属製の外側部４０と、外側部４０の内側に配置される内側部５０とを備え、内側部５０は、ネジＮをねじ込む際にタッピングすることでネジＮを固定するためのタッピング部６０を有する。 - 特許庁

In the steel cord, the tensile strength of the outermost layer of a sheath filament 11 constituting the core strand 1 is ≤3,100 N/mm^2 and the tensile strength of all filaments excluding the outermost layer of the sheath filament 11 is ≥3,150 N/mm^2.例文帳に追加

コアストランド１を構成する最外層シースフィラメント１１の抗張力が３１００Ｎ／ｍｍ^２以下であり、かつ、コードを構成するフィラメントのうち、最外層シースフィラメント１１を除く全フィラメントの抗張力が、３１５０Ｎ／ｍｍ^２以上である。 - 特許庁

The order of harmonics to be superimposed is an odd number N of five or more, a mechanical angle C corresponding to the Nth-order harmonics is set to θ/N, and a radial distance from the axis of the core is shortened as it goes outward in its circumferential direction from the position of the mechanical angle C on the peripheral plane of the arm part.例文帳に追加

重乗する高調波次数を５以上の奇数Ｎとして、Ｎ次高調波に対応する機械角Ｃは、θ／Ｎに設定して、アーム部の外周面上の機械角Ｃの位置から周方向外方に向かうにつれて、コア軸心からの径方向距離を短くした。 - 特許庁

The arithmetic processing device can be used with the mode switched to a first outside input/output control mode (a CS mode) in which the N number of selection signals can be output based on a prescribed mode specifying signal (a CS/ECS signal) or to a second outside input/output control mode (an ECS mode) in which the N + X number of selection signals can be output.例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

This arithmetic processing unit can use by changing over between a first external I/O control mode (CS (Chip Selection) mode) capable of outputting N selection signals, and a second external I/O control mode (ECS (Expanded CS) mode) capable of outputting N+X selection signals based on a predetermined mode specification signal (CS/ECS signal).例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

The main semiconductor integrated circuit device 105 incorporates a D/A conversion means 110 for converting digital data of n bits (n: an integer of 2 or more) accessing to designate any of outside devices 110-140 into analog data to be output to the outside.例文帳に追加

主半導体集積回路装置１０５は、外部デバイス１１０〜１４０の何れかを指定してアクセスをするためのｎビット（ｎは２以上の整数）のデジタルデータをアナログデータに変換して外部へ出力するＤ／Ａ変換手段１０１を内蔵している。 - 特許庁

An ultraviolet light 5 generated by rebinding electrons injected from the n-type transparent electrode layer 1 and holes injected from the p-type electrode layer 3 at the light emitting layer 2 is taken out from the optical device to the outside without being absorbed by the n-type transparent electrode layer 1.例文帳に追加

ｎ型透明電極層１から注入された電子とｐ型電極層３から注入された正孔が発光層２で再結合して生成された紫外光５がｎ型透明電極層１で吸収されることなく、光デバイスの外部に取り出すことができる。 - 特許庁

External data of (n) bits inputted from the outside is expanded by simultaneous write-in circuit 12, it is made to (m) bits (m>n) and supplied to a semiconductor memory 2, a coincidence discriminated result of data is outputted in read-out from the semiconductor memory 2.例文帳に追加

外部から入力されたｎビットの外部データを同時書込回路１２で拡張してｍ（＞ｎ）ビットとして半導体メモリ２に供給し、半導体メモリ２からの読出しにおいてはデータの一致判定結果を出力するようにしたものである。 - 特許庁

This arithmetic processing unit can be selected for use to a first external I/0 control mode (CS mode) capable of outputting N selection signals or a second external I/0 control mode (ECS mode) capable of outputting (N+X) selection signals based on the prescribed mode specification signal (CS /ECS signal).例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

A silicon oxide film 19 is formed on the upper surface of an N type diffusion layer 12 (outside of the V shaped diffusion layer 12) between a P type diffusion layer 13 and an N type drain diffusion layer 17 on the N type diffusion layer 12, and the outer periphery of the silicon oxide film has tilted angles not smaller than 3 degrees and not larger than 30 degrees.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１２の表面におけるＰ型拡散層１３とＮ型ドレイン拡散層１７との間に形成されるシリコン酸化膜１９を、Ｎ型拡散層１２の表面に対して上側(Ｖ型拡散層１２の外側)に形成し、然も外周部における傾斜面の傾斜角を３°よりも大きく且つ３０°よりも小さく形成している。 - 特許庁

In this method for transmitting/receiving data through an external package pin between a microprocessor and an external memory module, n bits being the value of data to be simultaneously processed are divided with a fixed value m being the factor of (n) then the data are transmitted/received by m bits per a time over n/m times by using both of parallel and serial systems.例文帳に追加

マイクロプロセッサーと外部メモリモジュール間に外部パッケージピンを通じてデータを送受信する方法において、一時に処理するデータ大きさのｎビットをｎの因数である一定な大きさの値（ｍ）で割り算して一回にｍビットずつｎ／ｍ回にわたって並列方式及び直列方式を共に使用して送受信するマイクロプロセッサーのデータ送受信方法とする。 - 特許庁

The infrared ray communication unit 10 consists of a public phone 12 provided with a n infrared ray transmission/reception section and of a mobile small-sized personal computer 14 provided with an infrared ray transmission/reception section.例文帳に追加

本赤外線通信装置１０は、赤外線送受光部を備えた公衆電話機１２と、赤外線送受光部を備えた携行型の小型パソコン１４とで構成される。 - 特許庁

The outward surface 11 is recessed outwardly in the tire axial direction from the line N connecting the tread end 2 to an end part 7e of the tread reinforcing layer 7, and an outwardly swollen part 13 is formed on the tread rubber Tg.例文帳に追加

この外向き面１１をトレッド端２ｅとトレッド補強層７の端部７ｅとを結ぶ直線Ｎよりもタイヤ軸方向外側に凹ませ、前記トレッドゴムＴｇに外膨らみ部１３を形成する。 - 特許庁

The measuring part N2 includes a first measuring part 31 having a fixed outer diameter d1 in a transfer direction A1 of the jet needle N and a first straight part 33 having an outer diameter smaller than the outer diameter of the first measuring part 31.例文帳に追加

計量部Ｎ２は、ジェットニードルＮの移動方向Ａ１において一定の外径ｄ１を有する第１計量部３１と、第１計量部３１の外径よりも小径の外径を有する第１ストレート部３３とを有する。 - 特許庁

To provide an imaging device, imaging device control method and program, in which an S/N of an image can be improved in a night mode of irradiating a subject with infrared rays by removing an infrared cut filter from an optical path.例文帳に追加

赤外線カットフィルタを光路上から外し、赤外線を被写体に照射するナイトモードにおいて、画像のＳ／Ｎ比を向上させることが可能な撮像装置、撮像装置の制御方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

Switches are respectively mounted between A and B terminals, and C and D terminals as outdoor-side electric components, and the outdoor electric components are not operated unless a commercial power source is connected with L and N terminals to which it is properly connected.例文帳に追加

室外側電気品としてＡ、Ｂ端子間およびＣ、Ｄ端子間におのおのに開閉器を設け、商用電源が本来接続されるべきＬ、Ｎ端子以外に接続された場合には、室外電気品が動作しないようにする。 - 特許庁

An element circumscribing area calculation part 12 calculates a circumscribing area circumscribing a three-dimensional shape element assembly, comprising N pieces of three-dimensional shape elements, based on the three-dimensional shape elements.例文帳に追加

要素外接領域計算部１２は、３次元形状要素に基づき、Ｎ個の３次元形状要素からなる３次元形状要素集合に外接する外接領域を算出する。 - 特許庁

In the laminated rubber hose having an inner layer of a fluororubber and an outer layer of an acrylic rubber, the inner layer and the outer layer are adhered by a co-vulcanization and the releasing strength of the inner layer and the outer layer is 10 N/cm or more.例文帳に追加

フッ素ゴムの内層とアクリルゴムの外層からなる積層ゴムホースであって、内層と外層とが共加硫接着され、かつ、内層と外層との剥離強度が１０Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする積層ゴムホース。 - 特許庁

An electronic component removing mechanism 300 is inserted in the interior from the outside of the N-purging box 100 and removes the electronic components 20 and the board 10, after melting solder for securing the electronic components 20 to the board 10.例文帳に追加

電子部品取り外し機構３００は、窒素パージボックス１００の外部から内部に挿入され、電子部品と基板とを固着するはんだの溶解後、電子部品を基板から取り外す。 - 特許庁

An input from outside is detected by an external input detection part 31, and the number n of interpolation frames between a start key frame and an end key frame is decided by a part 101 for deciding the number of interpolation frames in accordance with the external input.例文帳に追加

外部からの入力を外部入力検出部３１にて検出し、その外部入力に応じて開始キーフレームと終了キーフレーム間の補間フレーム数ｎを補間フレーム数決定部１０１にて決定する。 - 特許庁

Nominal inertia force acting in an operational space is calculated from a nominal value Λ_n of an operational space inertia matrix and an acceleration target value of physical quantity x, and meanwhile, a disturbance observer estimates action force other than the nominal inertia force as disturbance f_d and calculates force f acting to the physical quantity on the basis of the nominal inertia force and the estimated disturbance f_d.例文帳に追加

操作空間慣性行列のノミナル値Λ_nと物理量ｘの加速度目標値から、操作空間に作用するノミナルな慣性力を求める一方、ノミナルな慣性力以外の作用力を外乱ｆ_dとして外乱オブザーバにより推定して、ノミナルな慣性力と、推定された外乱ｆ_dに基づいて、物理量に作用する力ｆを求める。 - 特許庁

The device is provided with an infrared intensity detection means 10 for detecting infrared intensity of infrared rays radiated from a heated object N and a temperature detecting means 15 for detecting the temperature of the heated object based on the infrared intensity detected by the infrared intensity detection means 10.例文帳に追加

被加熱物Ｎから放射された赤外線の赤外線強度を検出する赤外線強度検出手段１０を備え、赤外線強度検出手段１０により検出された赤外線強度に基づいて、被加熱物Ｎの温度を検出する温度検出手段１５を備えた。 - 特許庁

In the semiconductor device having an N-type MOS transistor for ESD protection with a shallow trench structure for element separation, an N-type region having sides and bottom surrounded by a P-type region contacting a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection, and receiving a signal from an external connection terminal, is formed.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域に接したＰ型の領域に側面および底面を囲まれた前記外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

The diode includes a semiconductor substrate 11 constituted of an N^+ semiconductor layer 1 and an N^- semiconductor layer 2, a P- type anode region 15 formed by selectively diffusing an impurity into an outer surface of the N^- semiconductor layer 2, and an anode electrode 17 conducting with the anode region 15 via a contact region 17c in the anode region 15.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体層１及びＮ^−半導体層２からなる半導体基板１１と、Ｎ^−半導体層２の外面に対する選択的な不純物拡散により形成されたＰ型のアノード領域１５と、アノード領域１５内のコンタクト領域１７ｃを介してアノード領域１５と導通するアノード電極１７とを備える。 - 特許庁

The time AD converter includes: an RDL 101 with n (n is natural number of 2 or more) delay units (not shown); a digital signal generation unit 102 for generating digital signals corresponding to analog signals by using an output of the RDL 101; and an RDL controller 110 for controlling current input in the n delay units (not shown) according to an external environment signal.例文帳に追加

時間ＡＤ変換器が、ｎ個（ｎは２以上の自然数）の遅延ユニット（不図示）を有するＲＤＬ１０１と、ＲＤＬ１０１の出力を利用してアナログ信号に対応するデジタル信号を生成するデジタル信号生成部１０２と、外部環境信号に応じてｎ個の遅延ユニット（不図示）に入力される電流を制御するＲＤＬ制御部１１０と、を備える。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

Then, the internal parameter A and the external parameters [R, t] are optimized so that the total difference in all pixel values between a projection gray scale image PG_n aligned to the direction of a reference viewpoint and a gray scale image G_0 in the reference viewpoint may be minimized by the rotary vector RV_n and the translation vector tv_n.例文帳に追加

そして、回転ベクトルＲＶ_ｎと並進ベクトルｔｖ_ｎとを用いて基準視点に向きを合わせた射影グレースケール画像ＰＧ_ｎと基準視点におけるグレースケール画像Ｇ_０との総ての画素値の差の総和が最小となるように内部パラメータＡと外部パラメータ［Ｒ，ｔ］とを最適化する。 - 特許庁

A CD publisher 1 partitions the label surface 2a of a medium 2B into concentric ring zones 21(n) and uses a label printer 5 to print label print information P(n) and perform additional printing in each data writing in the order from the outer peripheral ring zone 21(1) to a ring area 21(n) on the center side.例文帳に追加

ＣＤパブリッシャ１では、メディア２Ｂのレーベル面２ａを同心状の輪帯領域２１（ｎ）に区画し、その外周側の輪帯領域２１（１）から中心側の輪帯領域２１（ｎ）に向かう順所で、データ書き込み毎に、レーベルプリンタ５によってレーベル印刷情報Ｐ（ｎ）の印刷および追記印刷を行う。 - 特許庁

The second circuit 30 outputs a voltage generated from the first circuit 20 while multiplying by N (M>N, N is an integer) between the first power supply line VL-1 and the output power supply line VLO by charge pump operation employing a capacitor C being connected externally between first and second terminals T1 and T2, and a switch element connected with the second terminal T2.例文帳に追加

第２の回路３０は、外部で第１及び第２の端子Ｔ１、Ｔ２の間に接続されるキャパシタＣ、第２の端子Ｔ２に接続されたスイッチ素子とを用いたチャージポンプ動作により、第１の電源線ＶＬ−１と出力電源線ＶＬＯとの間に、第１の回路２０で生成された電圧をＮ（Ｍ＞Ｎ、Ｎは整数）倍に昇圧した電圧を出力する。 - 特許庁