「外 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A first dummy scanning electrode 11a is formed adjacent to the outer side of the first scanning electrode 11 in the N electrodes and parallel to the first scanning electrode 11.例文帳に追加

Ｎ本のうち１本目の走査電極１１の外側に隣接し且つ１本目の走査電極１１に並行して延びるように第１ダミー走査電極１１ａを設ける。 - 特許庁

The skin care external preparation comprises (1) a mixed ester of a (poly)glycerol long-chain fatty acid and a long-chain dibasic carboxylic acid and (2) an N-acylamino acid long-chain ester and/or a diglycerol tetraester.例文帳に追加

１）（ポリ）グリセリンの長鎖脂肪酸と長鎖二塩基カルボン酸との混合エステルと、２）Ｎ−アシルアミノ酸の長鎖エステル及び／又はジグリセリンのテトラエステルとを、皮膚外用剤に含有させる。 - 特許庁

On a substrate 11 of n-type GaAs, infrared semiconductor laser devices 1A and 2A isolated from each other by a separation channel 3 are monolithically formed.例文帳に追加

ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上には、分離溝３により互いに分離された赤外半導体レーザ素子１Ａ及び赤色半導体レーザ素子２Ａがモノリシックに形成されている。 - 特許庁

The hyaluronic acid production promoter and the composition of external preparation for skin comprise 3-methylcyclopentadecanone and N-methyl-L-serine or its salt.例文帳に追加

３-メチルシクロペンタデカノンと、Ｎ−メチル−Ｌ−セリンまたはその塩とを含有することを特徴とするヒアルロン酸産生促進剤及び皮膚外用剤組成物。 - 特許庁

In the nitride semiconductor element having a counter electrode structure, the surface showing n-polarity of a nitride semiconductor has a tilting surface excepting at least (000-1) surface and an electrode is formed.例文帳に追加

対向電極構造である窒化物半導体素子であって、窒化物半導体のｎ極性を示す面には、少なくとも（０００−１）面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成している。 - 特許庁

The liquid skin care preparation is produced by compounding (a) N-acetyl-L-hydroxyproline with (b) 2-amino-2-methyl-1-propanol and/or 2-amino-2-methyl-1,3-propanediol.例文帳に追加

次の成分（ａ）（ｂ）；（ａ）Ｎ−アセチル−Ｌ−ヒドロキシプロリン、（ｂ）２−アミノ−２−メチル−１−プロパノールおよび／または２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオール配合する液状皮膚外用剤。 - 特許庁

A connection layer 20 made of such a material that excludes a nitride semiconductor and contains silicon is formed between the GaN substrate 1 and the n electrode 10.例文帳に追加

ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。 - 特許庁

In the formula, XI is a halogen ion or a pseudo-halogen ion other than a cyanate ion; LI is an arbitrary ligand different from XI; n is an integer of 3-5; and m is an integer of -4 to +1.例文帳に追加

（Ｉ）［ＩｒＸ^I_nＬ^I_(6-n)］^m-（Ｘ^Iは、ハロゲンイオンまたはシアン酸イオン以外の擬ハロゲンイオンを表す。Ｌ^IはＸ^Iとは異なる任意の配位子を表す。ｎは３〜５の整数を表す。ｍは−４〜＋１の整数を表す。） - 特許庁

To efficiently emit electrons from a semiconductor to the outside (vacuum) without their losing energy by generating hot electrons, while generating avalanche breakdown phenomenon without a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合なしで雪崩降伏現象を起こして熱い電子を生じせしめてエネルギーを失うことなく半導体から外部（真空）への電子の放出を効率よく行う。 - 特許庁

A ridge structure of a mesa-stripe shape is formed using a dielectric mask by etching, and an n-GaAs current block layer 110 is formed as a clag layer outside the mesa stripe.例文帳に追加

誘電体マスクを用いてメサストライプ状のリッジ構造をエッチングによって形成し、メサストライプ外のクラッド層状にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１１０を形成する。 - 特許庁

The temperature-responsive hollow fiber membrane 1 has a pore diameter adjustment material 3 formed by the graft-polymerization of N-isopropyl acrylamide on the outer surface side of a hollow fiber membrane 2 consisting of a polymer material.例文帳に追加

温度応答性中空糸膜１は、高分子材料からなる中空糸膜２の外表面側にＮ−イソプロピルアクリルアミドのグラフト重合により形成された孔径調整材３を有している。 - 特許庁

A transmitter 11 outputs signals, including channels λ'1,..., λ'N in a wavelength band outside the bandwidth of an intermediate optical element being a light amplifier 13.例文帳に追加

送信機１１は、中間の光学要素、光増幅器１３の帯域幅λの外側の波長帯域λ’内のチャネルλ'_1...λ'_Nを含む信号を発射する。 - 特許庁

A shifter 110 selects the continuous data of (n) bytes out of the data of totally 2n-1 bytes stored in the registers 112 and 114 corresponding to a shift signal shf and outputs them to the outside as read data.例文帳に追加

シフタ１１０は、レジスタ１１２、１１４に格納された合計２ｎ−１バイトのデータからｎバイトの連続したデータをシフト信号ｓｈｆに応じて選択し、リードデータとして外部に出力する。 - 特許庁

The semiconductor layer or insulation layer 12 is doped as an n-type, and has a thickness within several nanometers (nm) and excellent stability against collision from an external atom or particle (normally anion).例文帳に追加

この半導体層又は絶縁体層１２は、ｎ型にドープされ、数ナノメートル（ｎｍ）以内の厚さで、外部原子又は粒子（通常、陽イオン）からの衝突に対して良好な安定性を有する。 - 特許庁

A part as wide as prescribed from the periphery of the trench groove GRV is cut off by dicing so that the p-n junction formed in the inside of the trench groove GRV is not damaged mechanically.例文帳に追加

また、トレンチ溝ＧＲＶから所定幅外周をダイシングによりカットするので、トレンチ溝ＧＲＶの内面に形成されたｐｎ接合部に機械的損傷を与えることがない。 - 特許庁

The semiconductor apparatus has an anode electrode 3 making Schottky connection with an n-type drift layer 2 formed on an SiC substrate 1, and a JTE region 6 formed on the periphery thereof.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣ基板１に形成されたｎ型のドリフト層２にショットキ接続するアノード電極３とその外周部に形成されたＪＴＥ領域６を有する。 - 特許庁

Etching is performed untile the n-GaN contact layer 7 is exposed leaving a stripe region and regions of 20 μm outside from the respective edges of a stripe.例文帳に追加

ストライプ領域とストライプのそれぞれの端から２０μｍ外側の領域を残して、ｎ−ＧａＮコンタクト層７が露出するまでエッチングを行う。 - 特許庁

When the hose H is removed from the cylinder B and this hose H is hung down, this buffer member 1 prevents the nut N from directly abutting on the cylinder B, thereby preventing generation of noise.例文帳に追加

ホースＨをボンベＢから取り外してこのホースＨが垂れ下がった際に、この緩衝部材１が、ナットＮとボンベＢが直接当接するのを防ぐことで、騒音の発生を防止する。 - 特許庁

The silicon oxide external frame can prevent surface leakage by increasing distance from the n- region to the field injection region so that end junction leakage decreases, and further performing etching.例文帳に追加

シリコン酸化物外枠は、端接合漏れが減少するようにｎ^−領域からからフィールド注入領域への距離を長くしさらにエッチングすることによって発生する表面漏れを防止可能である。 - 特許庁

To provide a structure of a novel p-n junction type nitride semiconductor light emitting element wherein a metal except metals forming good ohmic contact with a p-type nitride semiconductor is used as a p-side electrode.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体と良好なオーミック接触を形成する金属以外の金属をｐ側電極として用いる、新規なｐｎ接合型の窒化物半導体発光素子の構造を提供する。 - 特許庁

By placing the lenses 20 to be conveyed from the top side of the lens conveying container 1 into the lens holding parts 9(n) with the inner diameters corresponding to their outer diameters, the lenses 20 can be conveyed without lateral shift.例文帳に追加

搬送対象のレンズ２０を、レンズ搬送容器１の上側から、その外径に対応する内径のレンズ保持部９(ｎ)に入れることにより、横ズレすることなく当該レンズ２０を搬送できる。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

By performing surface oxidization processing by ultraviolet-ray irradiation or the like to the entire upper surface of an ohmic contact layer 16 composed of n-type amorphous silicon, an oxidized film 17 is formed thin.例文帳に追加

ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６の上面全体に、紫外線照射等による表面酸化処理を行うことにより、酸化膜１７を薄く形成する。 - 特許庁

The photosensitive composition comprises a polymer material having a group having a structure expressed by general formula (1), wherein n represents an integer of ≥1, and a photoacid generating agent which generates an acid by UV rays or ionization radiation.例文帳に追加

本発明の感光性組成物は、下記一般式（１）で表される構造を有する基を具備する高分子材料と、紫外線または電離放射線により酸を発生する光酸発生剤とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then, a side wall spacer 6 is formed on each side of the gate electrode 3, and regions located outside of the wall spacers 6 are furthermore doped with n-type impurities through an ion implantation method.例文帳に追加

次に、ゲート電極３の両側面にサイドウォールスペーサ６を形成して、その外側となる領域に、ｎ型の不純物をさらにイオン注入法でドーピングする。 - 特許庁

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P.例文帳に追加

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。 - 特許庁

The splitter is shifted from the neutral position N to the other positions H, L for a time for each specified interval time, and lubrication is intermittently performed.例文帳に追加

スプリッタを所定のインターバル時間毎に一定時間、ニュートラルポジションＮからそれ以外のポジションＨ，Ｌに変速操作し、潤滑を間欠的に行うようにする。 - 特許庁

As a result, a silicon region exposed which is capable of generating a current in a region adjacent to the node circuit becomes a minimum, and the guard ring 164 captures the photocurrent generated outside of the node circuit 154.例文帳に追加

その結果、記憶ノード回路に隣接する領域に電流を生成させ得る露出されたシリコン領域が最小限になり、nウェルガードリング164は、記憶ノード回路154の外部で生成された光電流を捕捉する。 - 特許庁

If it is not in the photographing inhibition area (in a photographing permitted area), N branching is performed, the device stops camera control as trailing processing, and returns to S404 and continues motion detection processing.例文帳に追加

もし撮影禁止領域外（撮影許可領域内）でなければＮ分岐して追尾処理としてのカメラ制御を中止し、Ｓ４０４に戻って動き検知処理を継続する。 - 特許庁

In the attachable health pad, an n-type germanium semiconductor chip coated with a precious metal being partially exposed is fixed on the adhesive surface of an adhesive sheet with the exposed part outward.例文帳に追加

一部を露出させて貴金属で被覆されたｎ‐型ゲルマニウム半導体チップを、露出部分を外側にして粘着シートの粘着面に固定した貼着可能な健康パッドとする。 - 特許庁

The facsimile machine 1 is connected to an IP (Internet Protocol) network N through the network card 10 and configured to perform Internet facsimile communication with external equipment A.例文帳に追加

ファクシミリ装置１は、ネットワークカード１０を介してＩＰ（Internet Protocol）網Ｎに接続されており、外部機器Ａとインターネットファクシミリ通信可能に構成されている。 - 特許庁

The two or more pieces of difference information include difference information representing difference between the snapshot of the first point of time and any snapshot other than the snapshot of the first point of time among N snapshots.例文帳に追加

二以上の差分情報には、第一の時点のスナップショットと、Ｎ個のスナップショットのうちの第一の時点のスナップショット以外のいずれかのスナップショットとの間の差分を表す差分情報が含まれている。 - 特許庁

The velocity is estimated by using the determined quadratic function and the time in the radar data other than the newest radar data or preferably in the radar data roughly in the middle of the period from the time k to the time k-n+1.例文帳に追加

また、求めた二次関数と、最新のレーダーデータ以外のレーダーデータ、好ましくは、時間ｋから時間ｋ−ｎ＋１までのほぼ中間のレーダーデータの時間を用いて速度を推定する。 - 特許庁

It has been discovered that a stable and nonsticky skin care preparation is obtainable even if a viscous substance is formulated, by formulating an N-monolong-chain acyl basic amino acid and polysaccharides obtained from genus Alcaligenes bacteria.例文帳に追加

Ｎ−モノ長鎖アシル塩基性アミノ酸と、アルカリゲネス属菌より得られる多糖類を配合することによって粘ちょう物質を配合しても安定したそしてベタツキのない皮膚外用剤が得られることがわかった。 - 特許庁

The second semiconductor regions pw1 are surrounded by n-type fourth semiconductor regions nw3 located in a peripheral portion of the first semiconductor region nw1.例文帳に追加

また、複数の第２半導体領域ｐｗ１は、第１半導体領域ｎｗ１の外周部に位置するｎ型の第４半導体領域ｎｗ３に囲まれている。 - 特許庁

Although a field electrode 120 is formed on the N type drift region 104 in the outer circumferential region, the field electrode 120 is not formed on the P type column region 106.例文帳に追加

外周領域において、Ｎ型ドリフト領域１０４上にはフィールド電極１２０が形成されるが、フィールド電極１２０は、Ｐ型コラム領域１０６上には形成されていない。 - 特許庁

A counter side substrate 10 has a first dummy scanning electrode 11a arranged so as to be adjacent to the outside of the first line of scanning electrodes 11 out of N lines of the scanning electrodes 11 and to be extended in parallel to the first line of scanning electrodes 11.例文帳に追加

対向側基板１０は、Ｎ本の走査電極１１のうち１本目の走査電極１１の外側に隣接し且つ１本目の走査電極１１に並行して延びるように設けられた第１ダミー走査電極５ａを有する。 - 特許庁

To provide a communication purpose semiconductor integrated circuit incorporating a ΣΔ type A/D converter capable of being externally controlled to obtain an optimum S/N characteristic in response to a modulation mode.例文帳に追加

変調モードに応じて最適なＳ／Ｎ特性となるように外部から制御することが可能なΣΔ型Ａ／Ｄ変換器を内蔵した通信用半導体集積回路をを提供する。 - 特許庁

If the number of peaks is n (one peak oscillation); the center wavelength is decided based on the inner diameter (Di) and outer diameter (Do) of the fringe on the line sensor, and a center wavelength control mechanism 13b controls the center wavelength.例文帳に追加

ピーク数がｎの場合（１ピーク発振の場合）は、ラインセンサ上のフリンジの内径（Ｄｉ）と外径（Ｄｏ）より中心波長を決定し、中心波長制御機構１３ｂにより中央波長を制御する。 - 特許庁

A coating film having inorganic material having the function of an N-type semiconductor is formed on the surface of base material such as aluminum material or magnesium material to be fitted to the inside or the outside of the optical device.例文帳に追加

光学装置の装置内部または装置外部に取り付けられるアルミニウム材またはマグネシウム材等の基材の表面にＮ型半導体の機能を有する無機材料を有する被膜を形成することとした。 - 特許庁

To provide a new N-dihydroferuloylamino acid useful in fields of pharmaceuticals, quasi-drugs, cosmetics, foods, etc., to provide an antioxidant containing the same, and to provide a tyrosinase activity inhibitor.例文帳に追加

医薬品、医薬部外品、化粧品及び食品等の分野で有用な新規Ｎ−ジヒドロフェルロイルアミノ酸を提供するとともに、それらを含む抗酸化剤あるいはチロシナーゼ活性阻害剤を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel amplifier obtained by parallelly arranging amplifiers of numbers other than 2N in which N for performing interconnection by a hybrid and making channels, i.e., performing channelization is an integer.例文帳に追加

ハイブリッドにより相互接続してチャネル化、即ちチャネライゼーションを行うＮが整数である２^Ｎ以外の数の増幅器を並列に配列した並列増幅器を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a cylindrical shaft 12 constituting a surface of a stator 10, a plurality of permanent magnets 13 are stored so that S-poles and N-poles of the adjacent permanent magnets 13 confront each other across magnetic spacers 18.例文帳に追加

固定子１０の外殻を構成する円筒状のシャフト１２内には、多数の永久磁石１３が、隣接する永久磁石１３のＳ極どうし、Ｎ極どうしが磁性体スペーサ１８を挟んで対向するように収納されている。 - 特許庁

More preferably, the element having the atomic radius smaller than the atoms exclusive of the oxygen is Ne, N or He and the oxide film is SiO_2, Al_2O_3, TiO_2 or Ta_2O_5.例文帳に追加

好ましくは、酸素以外の原子よりも原子半径の小さい元素が、Ｎｅ、ＮまたはＨｅであり、酸化物膜が、ＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、ＴｉＯ_2またはＴａ_2Ｏ_5である。 - 特許庁

By sliding the slide table 16 along the rail 13, the belt introduction part 10 can be extended/contracted in the radially inward/outward direction N of the crank pulley 2.例文帳に追加

そして、レール１３に沿ってスライド台１６を摺動させることにより、ベルト導入部１０をクランクプーリ２の径内外方向Ｎに伸縮させることができる。 - 特許庁