「外 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the components t(n) include components, other than the fundamental structure components that are eliminated by the filter 10, the components t(n) are filtering processed by a residual component processing filter 20 and only small amplitude random noise is removed.例文帳に追加

残差成分ｔ（ｎ）には、基本構造抽出フィルタ１０で取り除かれた基本構造成分以外の成分が含まれているので、これを残差成分処理フィルタ２０でフィルタリング処理して、小振幅ランダム雑音のみを除去する。 - 特許庁

An iterative data frame including a plurality of rows is generated, requesting is performed upon a space in a row N+1 between rows N, and the request is permitted through an out-of-band link, thereby determining a bandwidth in a communications switch.例文帳に追加

複数の行を有する繰り返しデータフレームを発生し、行Ｎの間に行Ｎ＋１におけるスペースに対して要求を行い、そして帯域外リンクを経て要求を許可することによって通信スイッチにおいて帯域巾を裁定する。 - 特許庁

When there is the ground 22 harder than this ground 12 above the ground 12 of the N value or 3 or less, after precedently excavating the guide hole of an inner diameter smaller than a minimum outer diameter of the recycled electric pole 10 in the harder ground 22, the recycled electric pole 10 is pressed in toward the ground 12 of the N value of 3 or less.例文帳に追加

Ｎ値が３以下の地盤１２の上方にこれより硬い地盤２２がある場合には、当該硬い地盤２２にリサイクル電柱１０の最小外径よりも小さな内径のガイド孔を先行掘削した後に、Ｎ値が３以下の地盤１２に向けてリサイクル電柱１０を圧入する。 - 特許庁

The stabilized ionomer resin composition comprises an ionomer resin, a compound represented by R_1-CO-NH-(CH_2)_n-HN-CO-R_1 (wherein, R_1 is a 5-21C alkyl group or a 5-21C alkenyl group; and n denotes 1-6), an ultraviolet light absorber and a hindered amine light stabilizer, respectively.例文帳に追加

Ｒ_１−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＨＮ−ＣＯ−Ｒ_１（式中、Ｒ１は炭素数５〜２１のアルキル基またはアルケニル基を表す。ｎは１〜６を表す）で表される化合物、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤をそれぞれ含有することを特徴とする、安定剤組成物。 - 特許庁

A movable body fixing part 4b, which is fixed on the movable body, is formed on the leaf spring 4, n (n is integer 2 or larger) engagement projected parts 4e are formed projecting to the inside of the radial direction of the movable body fixing part 4b for engaging with the lens holder 7, from the outside of the radial direction of the lens holder 7.例文帳に追加

板バネ４には、可動体に固定される可動体固定部４ｂが形成され、可動体固定部４ｂには、レンズホルダ７の径方向の外側からレンズホルダ７に係合するｎ個（ｎは２以上の整数）の係合突起４ｅが径方向の内側に突出するように形成されている。 - 特許庁

The characteristic of a sample is measured using a beam intensity monitor including a diffraction grating for diffracting an incident beam into a plurality of beams, for light-guiding a zero-order diffracted light thereof to the sample, and for light-guiding n-th order diffracted light (n is an integer other than zero) to a photo-detector for detecting reference light.例文帳に追加

入射される光束を複数の光束に回折し、このうち０次回折光を試料に導光し、ｎ次回折光（ｎは０以外の整数）を参照光検出用の光検出器に導光する回折格子を含むビーム強度モニタを用いて該試料の特性を測定すること。 - 特許庁

The manufacturing method is in which n (n=2, 3) of wire in an approximately round shape in a cross section that at least one oxide superconducting filament is covered with a metal are spirally twisted at a predetermined pith, then the twisted wire is machined to shrink its diameter to be a wire rod having an approximately round shape in a cross section.例文帳に追加

その製造方法は、酸化物超電導フィラメントの少なくとも１本を金属で被覆した横断面が略円形の素線ｎ本（ｎ＝２、３）を所定のピッチで螺旋状に撚り合わせ、次いで撚線を所定の外径を有する横断面が略円形の線材に縮径加工する方法である。 - 特許庁

To prevent the malfunction of a system device on which a semiconductor memory is mounted by transmitting the reception of invalid address signal to the outside, in a semiconductor memory in which address space is larger than n-th power of 2 and smaller than (n+1)-th power of 2.例文帳に追加

本発明は、アドレス空間が２のｎ乗より大きく２の（ｎ＋１）乗より小さい半導体記憶装置に関し、無効なアドレス信号を受けたことを外部に伝達することで、半導体記憶装置を搭載するシステム装置の誤動作を未然に防止することを目的とする。 - 特許庁

Also, the n-type clad layer 2 has refractivity equal to effective refractivity corresponding to the wavelength of lights incident from the outside, and the n-type clad layer 2 and the p-type clad layer 9 have refractivity smaller than the effective refractivity corresponding to the lights of the outgoing wavelength.例文帳に追加

また、外部から入射する光の波長に対してはｎ型クラッド層２の屈折率が実効屈折率と等しい値を有し、出射波長の光に対してはｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層９が実効屈折率よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁

A dummy trench 12 is formed so as to surround the outer periphery of a trench 2 in which a power MOSFET is formed, and an n-type drift region 3, a p-type base region 4, and an n^+-type source region 5 are also formed in the dummy trench 12.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴが構成されるトレンチ２の外周を囲むようにダミートレンチ１２を形成し、このダミートレンチ１２にもｎ型ドリフト領域３、ｐ型ベース領域４およびｎ^+型ソース領域５が形成されるようにする。 - 特許庁

A cellulosic raw material is oxidized with an oxidant in water in the presence of (1) an N-oxyl compound and (2) a bromide, an iodide, or a mixture thereof to prepare an oxidized cellulosic raw material, and the oxidized material is subjected to a treatment with ultraviolet light and then to a fibrillation/dispersion treatment.例文帳に追加

（１）N−オキシル化合物、及び（２）臭化物、ヨウ化物若しくはこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用い水中にてセルロース系原料を酸化して酸化されたセルロース系原料を調製し、紫外線照射処理した後に解繊・分散処理する。 - 特許庁

The tensile stress nitride film 15 is configured so that the N-H peak area ratio to the Si-H peak area falls in a range of 2.5 to 2.7 when the Si-H peak area and the N-H peak area are obtained by FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy).例文帳に追加

この引張応力窒化膜１５は、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）法により、Ｓｉ-Ｈピーク面積およびＮ-Ｈピーク面積を求めたときに、Ｓｉ-Ｈピーク面積に対するＮ-Ｈピーク面積の比が２．５〜２．７の範囲内となる構造を有している。 - 特許庁

An edge is discriminated from a processing object image, color interpolation processing according to the bi-cubic method is applied to the edge, and color interpolation processing by uniform averaging means is applied to portions other than the edge depending on a pixel range of n×m (n, m are positive integers) set around a target pixel.例文帳に追加

処理対象画像からエッジを判定し、そのエッジ部分についてはバイキュービック法による色補間処理を行い、エッジ以外の部分については注目画素の周囲に設定されたｎ×ｍ（ｎ，ｍは正の整数）の画素範囲による一様平均による色補間処理を行うようにする。 - 特許庁

This external preparation composition comprises a silicone derivative that bears, in its molecule, amido groups (-NHCO-) or ureido groups (-NHCONH-) and polysiloxy groups -[Si(CH_3)_2O]_n-Si(CH_3)_3 (wherein (n) is a number of 0-900) as well as silicone oil.例文帳に追加

分子内にアミド基（−ＮＨＣＯ−）又はウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ−）と、−[Ｓｉ(ＣＨ_３)_２Ｏ]ｎ−Ｓｉ(ＣＨ_３)_３（ただし、ｎは０〜９００の数）で示されるポリシロキシ基とを有するシリコーン誘導体と、シリコーン油とを含有することを特徴とする外用剤組成物。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a timing control part includes a logic circuit for correcting n-bit original image data inputted from the outside to m-bit first correction data and a multi-level data making part for converting the m-bit first correction data to second correction data of n or less bits.例文帳に追加

液晶表示装置で、タイミング制御部は外部から入力されるｎビットの原始画像データをｍビットの第１補正データに補正する論理回路と、ｍビットの第１補正データをｎビットまたはｎビットより小さいビットの第２補正データに変換する多階調化部を含む。 - 特許庁

Thus, holes formed in the end of an n-type first drain layer 4 are rapidly absorbed by the layer 12 formed on the surface of a body layer 3 adjacent to the layer 7 and an n+-type source layer, and radiated out of the high breakdown transistor through a source electrode 16.例文帳に追加

このため、Ｎ型の第１ドレイン層４の端部で生成された正孔は、このＰ＋型の埋め込み層７及びＮ＋型のソース層に隣接するボディ層３の表面に形成されたＰ＋型層１２によってすみやかに吸収され、ソース電極１６を通って高耐圧トランジスタの外部に放出される。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

Each S/N ratio residual covariance matrix computing means 4 computes a sampling time, an amount of the detection data, and a residual covariance matrix depending on the number of tracks, while a fine gate inside/outside determining means 5 computes a fine gate to determine the detection data and the S/N ratio within the fine gate.例文帳に追加

各Ｓ／Ｎ比残差共分散行列算出手段４は、サンプリング時刻、探知データ数、航跡数に依存する残差共分散行列を算出し、精ゲート内外判定手段５は、精ゲートを算出して、精ゲート内に入っている探知データとＳ／Ｎ比を判定する。 - 特許庁

An insulating film 7 and an N-type polycrystal silicon film 8 are laminated on not only an external base layer 10 adjacent to an internal base layer 5 (P-type SiGe layer) on an N-type epitaxial layer 3 but also the internal base layer 5 (P-type SiGe layer).例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３上の内部ベース層（Ｐ型ＳｉＧｅ層）５と接する外部ベース層１０、及び内部ベース層（Ｐ型ＳｉＧｅ層）５上には、絶縁膜７及びＮ型多結晶シリコン膜８が積層形成される。 - 特許庁

(B) six faces (2) with strong magnetic force (50 gauss to 200 gauss) of N poles of permanent magnets and six faces (3) with weak magnetic force of (5 gauss to 10 gauss) N poles of the permanent magnetics are alternately arranged in the outside face of the rings (1) adhered to the blades the power generation at six points.例文帳に追加

（ロ） 風力発電の羽根に接着したリング（１）の外側面に永久磁石のＮ極の磁力の強い（５０ガウス〜２００ガウス）面（２）と永久磁石のＮ極の磁力の弱い（５ガウス〜１０ガウス）面（３）を交互に６ヶ所ずつ設ける。 - 特許庁

A thermoelectric element 10 is constructed by sandwiching a copper plate as a superior heat conductor between an N-type semiconductor 11 and a P-type semiconductor 12, adhering an aluminum plate 14 on the outer surface of the semiconductor 12, and mounting electrodes (not shown) on the plates 13 and 14.例文帳に追加

本発明の第１実施形態に係る熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12の間に良導体としての銅板13を挟み、P型半導体12の外側面にアルミ板14を接着し、銅板13とアルミ板14に電極（図示省略）を取り付けたものである。 - 特許庁

The fixing device 130 includes: the heating roller 131 rotating in the direction for bringing the sheet 90 to be conveyed into pressure-contact with a side part N of an outer peripheral face 131a and conveying the sheet 90 upward from below; and a heat insulating cover 160 for covering portions other than the side part N of the outer peripheral face 131a of the heating roller 131.例文帳に追加

この発明の定着装置１３０は、搬送されるシート９０が外周面１３１ａのうちの側部Ｎに圧接され、シート９０を下方から上方へ搬送する向きに回転する加熱ローラ１３１と、加熱ローラ１３１の外周面１３１ａのうち側部Ｎ以外の部分を覆う断熱カバー１６０とを備える。 - 特許庁

Then, a frequency of a modulation signal is set to a value resulting from averaging S/N of error signals obtained from respective external resonators, thereby stable locking of each external resonator is achieved.例文帳に追加

このとき、変調信号の周波数を、各外部共振器から得られる誤差信号のＳ／Ｎ比が平均化される値に設定することにより、各外部共振器の安定したロッキングを実現する。 - 特許庁

The circumferential length of the magnets fixed to the inner rotor and the outer rotor is set, corresponding to the rotational speed ratio N(=ω2/ω1) between the inner rotor and the outer rotor.例文帳に追加

内側回転子と外側回転子の回転速度比Ｎ（＝ω２／ω１）に対応して、内側回転子と外側回転子に固着された磁石の周方向の長さが設定される。 - 特許庁

When the present speed ratio becomes less than the maximum value by a predetermined value α, the synchronization pull-out from N range is quickly detected and a gear shift time can be shortened.例文帳に追加

そして、現在の速度比が上記最大値より所定値αだけ低い値以下になった時、Ｎレンジからの同期外れを検出することで、速やかに同期外れを検出し、変速時間を短縮する。 - 特許庁

In the assigned result transmitting circuit 14, the connection assigned result received from the M×N scheduler circuit 13 and the cumulative assigned result received from the outside are ORed and transmitted to the outside.例文帳に追加

割当結果送信回路１４はＭ×Ｎスケジューラ回路１３から受信した接続割当結果と外部から受信した累積割当結果との論理和をとって外部へ送信する。 - 特許庁

The fixing belt 33 is cooled by the heat radiation regulator 37 before cooled in the open air to an extent not abruptly shrinking when passing through the contact area N with the paper sheet sticking to the surface.例文帳に追加

定着ベルト３３は、その外周面に用紙を付着させたまま接触部Ｎを通過すると、外気に触れて冷却される前に放熱抑制部材３７によって急激な収縮が起きない程度の熱量が吸収される。 - 特許庁

In each iron core material plate 1 disposed along an outer peripheral surface of the cylindrical member 3, an inside part of the iron core material plate 1 becomes an S-pole and an outside part becomes an N-pole to operate a repulsion force.例文帳に追加

円筒部材３の外周面に沿って配置される各鉄心素板１においては、鉄心素板１の内側部分がＳ極となり外側部分がＮ極となって斥力が作用することになる。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

When unwinding the winding group 5, only the separator 1 wound on the outer-most peripheral is unwound by one lap in a direction of an arrow B in advance to expose the negative electrode N on the outer-most peripheral.例文帳に追加

捲回群５を捲き解くときは、最外周に捲回されているセパレータ１のみを矢印Ｂ方向に予め１周分捲き解き、最外周に負極Ｎを露出させる。 - 特許庁

The ultraviolet semiconductor light emitting element having a luminescent wavelength in an ultraviolet region of 200 to 300 nm includes a light emitting layer 4 between an n-type nitride semiconductor layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer 5.例文帳に追加

２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外域に発光波長を有する紫外半導体発光素子であって、ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有する。 - 特許庁

To provide a micro optical sensor that uses light efficiently at a maximum and has a high S/N ratio, and is suitable to convert infrared rays in the infrared range into a voltage signal.例文帳に追加

光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサを提供すること。 - 特許庁

To provide an optical sensor which utilizes light at maximum efficiency, has a high S/N ratio, is extremely reduced in size, and suitable for the conversion of infrared rays in a middle infrared range into electric signals.例文帳に追加

光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、中赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。 - 特許庁

To provide an infrared gas detector capable of achieving a balance between reductions in the driving power of an infrared light source and improvements in an S/N ratio of detection output.例文帳に追加

赤外光源の駆動電力の低減、検知出力のＳ／Ｎ比の向上を両立させることを可能とした赤外線式ガス検知器を提供する。 - 特許庁

To provide an optical sensor which efficiently utilizes light for maximum, has a high S/N ratio, is ultra small, and is suitable for converting infrared rays in an infrared region into an electric signal.例文帳に追加

光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device capable of eliminating shading by canceling effects of FD leakage, FD external light and PD external light, and obtaining an image signal of a high S/N, in which a noise component is reduced.例文帳に追加

ＦＤリーク、ＦＤ外光、ＰＤ外光の影響をキャンセルしシェーディングを無くすとともに、ノイズ（雑音）成分を低減したＳ／Ｎの高い画像信号を得ることができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A production pipe 112 for producing an AlCl_3 gas has a cylindrical inner wall 114A, inside which a passage N for a reaction gas is formed, and an outer wall 114B installed so as to cover the outer periphery of this inner wall 114A.例文帳に追加

ＡｌＣｌ_３ガスを生成する生成管１１２は、内側に反応ガスの流路Ｎが形成された円筒状の内壁１１４Ａと、この内壁１１４Ａの外周を覆うように設けられた外壁１１４Ｂとを有する。 - 特許庁

A plurality of p-type wells 103 are provided at the outside of the p-type annular well 181, and an n-type well 101 is provided so as to surround respective outside surfaces of the p-type wells 103.例文帳に追加

Ｐ型環状ウェル１８１外側には、Ｐ型ウェル１０３が複数設けられており、Ｐ型ウェル１０３の各々の外部の側面を囲むようにＮ型ウェル１０１が設けられている。 - 特許庁

The main component members are a near-ultraviolet ray luminance p-n junction ZnO semiconductor element, a liquid crystal spatial modulation element, and a phosphor substrate, with near-ultraviolet ray stimulated three primary color luminous excitation spatially modulated by a liquid crystal cell.例文帳に追加

近紫外線発光ｐ−ｎ接合ＺｎＯ半導体素子、液晶空間変調素子、蛍光体基板を主要構成部材とし、近紫外線励起３原色発光励起を液晶セルにより空間変調することを特徴とする。 - 特許庁

Each heat source fluid and cooling fluid is allowed to flow through either the inside part or outside part of the conductive tubular base materials 11 and 21, so that a temperature difference can be generated on the inner and outer faces of the N-type semiconductor and the P-type semiconductor.例文帳に追加

熱源流体及び冷却流体の各々を導電性管状基材１１、２１の内部又は外部のいずれか一方に流通することにより、Ｎ型半導体及びＰ型半導体の内外面に温度差を設ける。 - 特許庁

An S-pole of an external permanent magnet 10 absorbs an N-pole of a circular permanent magnet 22 of a device 6 which extracts a latch bolt permeating through a thick aluminum plate stuck to the outdoor side of the entrance door.例文帳に追加

外部永久磁石１０のＳ極は玄関扉の室外に貼ってある厚いアルミニュム板を透過してラッチボルトを抽出する装置６の円形永久磁石２２のＮ極を吸引する。 - 特許庁

The information-processing means assumes a circumscription rectangle S that is circumscribed about the particle based on the image information and calculates the dimension ratio of a short side M to a long side N that are the two adjacent sides of the rectangle.例文帳に追加

情報処理手段は、映像情報に基づき粉粒体粒子に外接する外接四角形Ｓを想定し、この四角形の相隣る二辺である短辺Ｍと長辺Ｎの寸法比を算出する。 - 特許庁

N-2 pieces of coils out of n pieces of coils are outer-inner coils 32c which form the outer peripheral layer of one hand out of, for example, a pair of slots 22a and 30a and form the inner peripheral layer of the other hand.例文帳に追加

ｎ個のコイルのうちｎ−２個のコイルは、例えば、一対のスロット２２ａ、３０ａのうち一方の外周層を形成しかつ他方の内周層を形成する外−内コイル３２ｃである。 - 特許庁

To provide a tilt control device capable of damping the revolution speed n of a motor or the vibration of external force F in a short time as far as possible as shown in Figure 7 even if the external force vibrates.例文帳に追加

本発明はこのように外力に振動が生じても、図７に示すごとく、でき得る限りモータの回転数ｎ又は外力Ｆの振動を短時間で減衰させることのできる傾転制御装置を提供する。 - 特許庁

The terminal C at the forwarding destination responds and a channel is closed between the device M and the terminal C via a public telephone line network N.例文帳に追加

そして、転送先の宅外通話端末Ｃが応答してインターホン転送装置Ｍと宅外通話端末Ｃとの間で公衆電話回線網Ｎを介して回線が閉結される。 - 特許庁