「材料 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

To provide a method of precisely etching a GaN material, wherein the modified and smooth surface of the GaN material can be provided, and a GaNHBT can be manufactured by selectively etching an n-p-n GaN material.例文帳に追加

ＧａＮ材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料を選択的にエッチングしてＧａＮＨＢＴを製造できる方法である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device which has an n-type layer, a p-type layer, and a light-emitting active layer arranged between the p-type layer and the n-type layer and having alternating regions of doped and undoped materials is manufactured.例文帳に追加

ｎ型層と、ｐ型層と、これらｐ型層とｎ型層との間に配置されドープ材料及び非ドープ材料が交互に起こる領域を有する発光活性層と、を有する半導体発光デバイスを製造する。 - 特許庁

Since the whole material passage 10r from the nozzle N of the injection molding machine to the mold 16 may not be made linear, the material can be supplied to a plurality of the molds 16 from one nozzle N.例文帳に追加

射出成形機のノズルＮから成形型１６までの全ての材料通路10r を直線にしなくてもよいので、一つのノズルＮから複数の成形型１６に材料を供給できる。 - 特許庁

The round skewer K pushed out by the skewering plate 18 is skewered to the center of each of the materials N put on the tray T after pushing each of the materials N put on the tray T by the pushing unit 3A of the pushing device 3.例文帳に追加

押え装置３の押えユニット３ＡによりトレーＴに載置された各材料Ｎ…を押えた後、串打ち板１８により打ち出される丸串ＫをトレーＴに載置された各材料Ｎ…の中心に串打ちする。 - 特許庁

In the formula, N is an integer, (n) is a refractive index of the photosensitive material, (h) is the thickness, λ is the wavelength, θ1' and θ2' are angles of incidence of the laser light within the photosensitive material entering with angles of incidence θ1 and θ2.例文帳に追加

また、所定本数の走査線毎にレーザ光の感光材料への入射角をθ１からθ２に次の式を満足するように切り替えて感光材料を露光する。 - 特許庁

The sintering method for the hard alloy, which sinters pressed bodies 1 of the hard alloy material mounted on a sintering tray 2, includes setting a material 3 containing (C_6H_10O_5)_n onto at least one part of the surface of the press body 1 before sintering it.例文帳に追加

硬質合金材料のプレス体1を焼結トレー2に載せて焼結する硬質合金の焼結方法であって、プレス体1の表面の少なくとも一部に(C_6H_10O_5)nを含む材料3を付着させて焼結する。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; a N-type pattern 3 formed on the surface of the substrate by using an N-type thermoelectric material; and a P-type pattern 4 formed on the surface of the substrate 10 by using a P-type thermoelectric material.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板の表面上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０の表面上に形成されたＰ型パターン４とを備える。 - 特許庁

In this method of detecting damaged material, the diameters (d), density N, and positions of defects in the material are grasped by making an ultrasonic wave incident to the material through a liquid and analyzing the wavelet of the backscattered wave of the reflected ultrasonic wave from the material.例文帳に追加

材料に超音波を液体を介して入射し、材料から反射する超音波の後方散乱波をウェーブレット解析することにより材料中の欠陥直径ｄと欠陥密度Ｎおよび位置を把握することを特徴とする材料損傷検出方法。 - 特許庁

A layer containing the negative electrode material: 10 wt.% polyvinylidene fluoride to the weight of the negative electrode material and 30 wt.% N-methylpyrrolidone to the weight of the negative electrode material are added to the negative electrode material for the lithium secondary battery and kneaded, and the kneaded material is coated, dried, and rolled at 1.0 Mpa to obtain the material.例文帳に追加

・負極材料を含む層 リチウム二次電池用負極材料に、ポリフッ化ビニリデンを負極材料重量の１０重量％、Ｎ−メチルピロリドンを負極材料重量の３０重量％加えて混練したものを塗布、乾燥し、１．０Ｍｐａで圧延して得る。 - 特許庁

The material for connecting circuits is 0.1 to 5 N/mm^2 in tensile breaking strength and 50 to 600% in tensile breaking elongation before curing, and 80 to 200°C in Tg (glass transition temperature) after curing; and contains conductive particles.例文帳に追加

硬化前の回路接続材料の引張破壊強さが０．１〜５Ｎ／ｍｍ^２で、かつ、引張破壊伸びが５０〜６００％であり、硬化後の回路接続材料のＴｇ（ガラス転移温度）が８０〜２００℃であり、回路接続材料が導電性粒子を含む回路接続材料。 - 特許庁

First spacers are respectively inserted between wafers consisting of a p-type thermoelectric material and wafers consisting of an n-type thermoelectric material, which are alternately arranged, and joined with each other to form a thermoelectric material laminate and then thermoelectric material laminate is cut out in a direction rectangular to the lamination direction at prescribed intervals.例文帳に追加

交互に配置されたｐ型熱電材料のウエハ及びｎ型熱電材料のウエハの間に第１のスペーサを挿入して相互に接合して熱電材料積層体とした後、この熱電材料積層体を所定の間隔で積層方向に直交する方向に切断する。 - 特許庁

The zinc-based oxide obtainable by this manufacturing method is useful as an n-type semiconductor and a thermoelectric transformation material, for example, when this oxide including zinc is used as an n-type thermoelectric transformation material it can be a high efficiency thermoelectric transformation module.例文帳に追加

この製造方法で得られる亜鉛系酸化物は、ｎ型半導体材料や熱電変換材料として有用であり、例えば、ｎ型熱電変換材料としてこの亜鉛系酸化物を用いると、効率の高い熱電変換モジュールとなる。 - 特許庁

A first upper electrode 16 is formed on the n-type thermoelectric materials 15B on the first lower electrode 13 and the p-type thermoelectric materials 15A on the second lower electrode 13, and the second upper electrode 16 is formed on the n-type thermoelectric materials 15B on the second lower electrode 13.例文帳に追加

第１下部電極１３上のＮ型熱電材料１５Ｂ上、及び第２下部電極１３上のＰ型熱電材料１５Ａ上には第１上部電極１６が形成され、第２下部電極１３上のＮ型熱電材料１５Ｂ上には第２上部電極１６が形成されている。 - 特許庁

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

P-type and n-type thermoelectric materials of a specified thickness are cut into rods, and the rod members of n-type and p-type thermoelectric materials are bonded such that they are arranged alternately in parallel with each other with a spacer being inserted inbetween, thus forming a bonded body.例文帳に追加

所定の厚さのｐ型及びｎ型の熱電材料を夫々棒状に切断し、このｎ型熱電材料の棒材とｐ型熱電材料の棒材とをその間にスペーサ挿入して交互に平行に配置されるよう貼り合わせた接合体を形成する。 - 特許庁

N≥49650/R^2, 22.1≤V≤315.5, wherein N is the number of bead-like cell adsorption material filled in the container, R is the radius (mm) of the bead-like cell adsorption material, and V is the capacity (cm^3) of the container filled with the bead-like cell adsorption material.例文帳に追加

０．１≦２Ｒ＜２．０Ｎ≧４９６５０／Ｒ^２２２．１≦Ｖ≦３１５．５ここで、Ｎ：容器に充填されたビーズ状の細胞吸着材料の個数（個）、Ｒ：ビーズ状の細胞吸着材料の半径（ｍｍ）、Ｖ：ビーズ状の細胞吸着材料が充填される容器の容量（ｃｍ^３） - 特許庁

This optical material is characterized by combining at least N-vinylcarbazole and an additive, bis[9-methyl 2-(N-phenyl, N'-3-methoxyphenyl)amino]fluorene, and the optical element molded from the optical material is also provided.例文帳に追加

少なくともＮ−ビニルカルバゾールと、添加剤；ビス［９−メチル ２−（Ｎ−フェニル，Ｎ’−３−メトキシフェニル）アミノ］フルオレンを組み合わせてなることを特徴とする光学材料及び該光学材料によって成形されたことを特徴とする光学素子。 - 特許庁

A thermoelectric element is constituted of P-type elements 3 composed of a P-type thermoelectric material, N-type elements 4 composed of an N-type thermoelectric material, two substrates 2 having metallic electrodes 5 which can form P-N junction pairs by joining the elements 3 and 4 to each pair by pair, and so on.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; an N-type pattern 3 formed on the substrate 10 using an N-type thermoelectric material; a P-type pattern 4 formed on the substrate 10 using a P-type thermoelectric material; and a discharge electrode 6 connected between the N-type pattern 3 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０上に形成されたＰ型パターン４と、Ｎ型パターン３とＰ型パターン４の間に接続される放電電極６とを備えたものとする。 - 特許庁

This electron emitting element material is a needle shape structural body 15 having C=N bond obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material on the surface of which colloidal golds 14, 14, 14 are adhered by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、表面に金コロイド１４，１４，１４を付着させた有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、Ｃ＝Ｎ結合の針状構造体１５であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

To provide a thermoelectric cooler excellent in durability and reliability in which cracking of an N type thermoelectric material, a P type thermoelectric material or an electrode constituting a thermoelectric conversion element is suppressed while preventing the N type thermoelectric material or the P type thermoelectric material from being stripped from the electrode by employing a flexible thin film as a thermal conductor.例文帳に追加

熱伝導体２０、２０として、可撓性を有する薄膜を使用し、熱電変換素子１０を構成するＮ型熱電材料やＰ型熱電材料あるいは電極１２の亀裂、Ｎ型熱電材料またはＰ型熱電材料と電極１２との剥離が生じにくく、耐久性および信頼性に優れた熱電冷却装置を提供することを課題としている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material contains a thermoelectric conversion material having a composition represented by Fe_xAl_yV_100-x-y, and a thermoelectric conversion element has a structure in which a p-type thermoelectric element containing the thermoelectric conversion material and an n-type thermoelectric element containing an n-type thermoelectric conversion material are alternately connected in series.例文帳に追加

Ｆｅ_ｘＡｌ_ｙＶ_１００−ｘ−ｙで表される組成を有する熱電変換材料を含有することを特徴とする熱電変換材料、および前記熱電変換材料を含むｐ型の熱電素子と、ｎ型の熱電変換材料を含むｎ型の熱電素子と、を交互に直列に接続したことを特徴とする熱電変換素子。 - 特許庁

The heat-resistant flexible laminated sheet is manufactured by arranging a protective material between the pressure surface of a laminator and a material to be laminated to perform thermal lamination at 200°C or higher so that the adhesion strength of the interface of the protective material and the material to be laminated becomes 0.1-3 N/cm and peeling the protective material from the formed laminated sheet after cooling.例文帳に追加

ラミネート装置の加圧面と被積層材料との間に保護材料を配置し２００℃以上の熱ラミネートを行い、保護材料と被積層材料との界面の密着強度が０．１から３Ｎ／ｃｍの範囲で密着させ、冷却後に該保護材料を積層板から剥離することを特徴とする耐熱性フレキシブル積層板の製造方法により達成される。 - 特許庁

The functional surface modifying molecule is represented by the formula: [moiety having affinity for the biodegradable material]-[hydrophilic spacer moiety]_n-[linker moiety]-[hydrophilic functional moiety] (wherein n is 1 or 0).例文帳に追加

機能性表面修飾分子は、一般式： ［生分解性材料と親和性のある部分］−［親水性のスペーサ部分］_n−［リンカー部分］−［親水性の機能性部分］（但し、ｎは１または０）で表される。 - 特許庁

The detector includes a plurality of diodes made of a semiconductor material, n-contacts (1) and p-contacts (4), and the n-contacts are provided by dividing an n-layer into individual segments.例文帳に追加

上記検出器は半導体材料でできている複数のダイオードとｎ−接点（１）とｐ−接点（４）を有し、上記ｎ−接点はｎ−層を個々のセグメントに細分化することにより得られる。 - 特許庁

To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.例文帳に追加

本発明は、Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むＰ—Ｎ接合素子及びその製造方法、該Ｐ−Ｎ接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁

Disclosed is a conductive corrosion-resistant material 3 containing titanium (Ti), boron (B) and nitrogen (N) in an atomic ratio satisfying 0.05≤[Ti]≤0.40, 0.20≤[B]≤0.40, 0.35≤[N]≤0.55 (provided that [Ti]+[B]+[N]=1).例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）、硼素（Ｂ）、及び窒素（Ｎ）を、それぞれ０．０５≦［Ｔｉ］≦０．４０、０．２０≦［Ｂ］≦０．４０、０．３５≦［Ｎ］≦０．５５という原子比（ただし［Ｔｉ］＋［Ｂ］＋［Ｎ］＝１）で含有する導電性耐食材料３である。 - 特許庁

The finishing liquid for the silver halide photographic sensitive material contains a compound represented by general formula R-(OCH_2CH_2)_n-OH (wherein R denotes a 8-20C alkyl group and n denotes an integer of 10-50).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ） Ｒ−（ＯＣＨ_2ＣＨ_2）_n−ＯＨ （Ｉ） （式中、Ｒは炭素数８〜２０のアルキル基を示し、ｎは１０〜５０の数を示す）で表される化合物を含有するハロゲン化銀写真感光材料の仕上げ液。 - 特許庁

Most of the B and N are allowed to enter into solid solution in the metallic structure constituting the steel material and exist in the form of Fe(B, N)-type solid solution or Fe(C, B, N)-type solid solution.例文帳に追加

ＢおよびＮの大部分は、鋼材料を構成する金属組織中に固溶されてＦｅ（Ｂ，Ｎ）系固溶体またはＦｅ（Ｃ，Ｂ，Ｎ）系固溶体の状態で存在する。 - 特許庁

The base film 70 is made of a material composed of main elements Si, N, and O; and has a greater N/O ratio A near the underside than the N/O ratio B near the upside.例文帳に追加

下地膜７０は、Ｓｉ、ＮおよびＯを主たる構成元素とする材料で構成され、下面近傍におけるＮ／Ｏ比Ａが、上面近傍におけるＮ／Ｏ比Ｂより大きい膜である。 - 特許庁

In the formula (1), X(n) represents a content ratio of the charge transport material having the n-th highest ionization potential, X(n-1) represents a content ratio of the charge transport material having the (n-1)th highest ionization potential, and n represents an integer equal to or more than two and lower than the number of kinds of the charge transport materials in the surface layer.例文帳に追加

Ｘ（ｎ）≧Ｘ（ｎ−１） （１）Ｘ（Ｌ）＞Ｘ（Ｈ） （２）〔Ｘ（ｎ）はｎ番目にイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比、Ｘ（ｎ−１）はｎ−１番目にイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比、ｎは２以上且つ表面層の電荷輸送材料の種類の数以下の整数、Ｘ（Ｌ）は最もイオン化ポテンシャルが低い電荷輸送材料の含有比、Ｘ（Ｈ）は最もイオン化ポテンシャルが高い電荷輸送材料の含有比を表す。 - 特許庁

In a pressing roller 2, a resin material-made release layer 2c is arranged, via a rubber material-made elastic layer 2b, on the outer side of a core bar 2a which is an example of a metal rotating body member, and the pressing roller 2 contacts a fixing roller 1 to form the heating nip (N) for a recording material P.例文帳に追加

加圧ローラ２は、金属材料の回転体部材の一例である芯金２ａの外側にゴム材料の弾性層２ｂを介して樹脂材料の離型層２ｃが配置され、定着ローラ１に当接して記録材Ｐの加熱ニップ（Ｎ）を形成する。 - 特許庁

and Δd 0.92/n in the case of a film thickness of 7.55/n≤d≤20 (wherein n is a refractive index in the coating layer of the coating material).例文帳に追加

Δｄ≦０．２２／ｎ…（１） （０．１１／ｎ≦ｄ＜７．５５／ｎの膜厚の場合） Δｄ≦０．９２／ｎ…（２） （７．５５／ｎ≦ｄ≦２０の膜厚の場合） ｄ：被覆材料の被覆層の任意の位置における膜厚（μｍ） Δｄ：被覆材料の被覆層のその位置における１ｃｍ当たりの膜厚差（μｍ／ｃｍ） ｎ：被覆材料の被覆層における屈折率 - 特許庁

The method for producing the diamond material to the surface of which a thioalkylthiol group is bonded is characterized by bonding the thioalkylthiol to the surface of the diamond material by reacting a cyclic disulfide expressed by general formula (1) (wherein, n is an integer of 1-8) with the diamond material under UV-ray irradiation.例文帳に追加

紫外線照射下、ダイヤモンド材料と一般式（１）で表される環状ジスルフィドを反応させチオアルキルチオールをダイヤモンド材料の表面に結合させることを特徴とするチオアルキルチオール基が表面に結合したダイヤモンド材料の製造方法。 - 特許庁

To provide model material being able to simulate a deformation process of a workpiece with small stress such as one-several thousandth or less in plastic working of a metal, wherein a work-hardening factor (n value), a deformation characteristic value, of metallic materials can be adjusted over a wide range.例文帳に追加

金属の塑性加工において、被加工物の変形過程を数千分の一以下の小さい応力で再現できるモデル材料で、金属材料の変形特性値である加工硬化指数（ｎ値）を広い範囲で調整が可能なモデル材料を提供する。 - 特許庁

In charging, lithium is first emitted from the nV-class positive-electrode material, and when nV is almost reached or when the last stage of charging comes, the emission of lithium from the (n+1)V-class positive- electrode material becomes paramount to the emission of lithium from the nV-class positive-electrode material.例文帳に追加

充電時には、まず、ｎＶ級の正極材料からリチウムが放出され、ｎＶ近辺即ち充電末期になると、（ｎ＋１）Ｖ級の正極材料からのリチウムの放出がｎＶ級の正極材料からのリチウムの放出より優先される。 - 特許庁

According to the method, a circumferential ejector device 8 absorbs and samples surface soil 4 containing the fallen seeds (a) on the periphery of the area where the method for planting takes place, as a vegetative material 5, and directly and continuously sprays the vegetative material on the area where the planting takes place (slope surface) N.例文帳に追加

緑化工の施工域周辺の落下種子ａを含む表層土壌４を植生材料５として、この植生材料５を円周エジェクタ装置８によって吸引採取し、かつ、この植生材料を直接的に且つ連続的に緑化施工域（法面）Ｎに吹き付ける。 - 特許庁

The organic semiconductor part 5 comprises a p-type organic semiconductor material layer 7 and an n-type organic semiconductor material layer 6 having a pn-junction zone 12 in an approximate intermediate part 11 of the interelectrode region 10, and an organic light emitting material layer 8 arranged in the pn-junction zone 12.例文帳に追加

有機半導体部５は、電極間領域１０のほぼ中間部１１にＰＮ接合域１２を有するＰ型有機半導体材料層７およびＮ型有機半導体材料層６と、ＰＮ接合域１２に配置された有機発光材料層８とを備えている。 - 特許庁

In a filling step, a honeycomb structure 10 formed of an insulator is prepared, and composition-adjusted thermoelectric material melt is filled in a cell 11 and solidified so that n-type thermoelectric material 21 and p-type thermoelectric material 22 are alternately arranged.例文帳に追加

充填工程では、絶縁体からなるハニカム構造体１０を用意し、ｎ型熱電材料２１とｐ型熱電材料２２とが交互に配置されるように、セル１１中に組成が調整された熱電材料融液を充填し、凝固させる。 - 特許庁

The electrode material is a B-C-N composite material obtained by heat-treating boric acid-containing melamine resin prepared by reaction of melamine, formaldehyde and boric acid.例文帳に追加

本発明の電極材料は、メラミン、ホルムアルデヒド及びホウ酸の反応により調製したホウ酸含有メラミン樹脂の熱処理により得たものであることを特徴とするＢ−Ｃ−Ｎコンポジット材料である。 - 特許庁

The coating material (N) is preferably a material which is difficult to decompose (N2), and the polypeptide (P) is preferably a cell-adhering synthetic polypeptide (P2).例文帳に追加

また、被覆材料（Ｎ）が難生分解性材料（Ｎ２）であること、また、細胞接着性ポリペプチド（Ｐ）が細胞接着性人工ポリペプチド（Ｐ２）であることが好ましい。 - 特許庁

Thus, an electrode material constituting the base wiring electrode 12a, namely, Ni as an ohmic material to an n-type semiconductor can be prevented from diffusing in the BPSG insulating film 10a.例文帳に追加

これにより、下地配線電極１２ａを構成する電極材料、つまりｎ型半導体に対するオーミック材料であるＮｉがＢＰＳＧ絶縁膜１０ａに拡散することを防止することが可能となる。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P.例文帳に追加

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。 - 特許庁