「材料 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The carbon fiber reinforced composite material member comprises a laminated plate 1, a bolt 2, and a fastener 3, where remaining torque is 4.0 N*m or lower after fastening the fastener of the member.例文帳に追加

積層板１とボルト２とファスナー３から構成される炭素繊維強化複合材料製部材であって、該部材のファスナー締め付け後の残存トルクが４．０Ｎ・ｍ以下であることを特徴とする炭素繊維強化複合材料製部材。 - 特許庁

The organic semiconductor material is, for example, (1) acene molecule material of naphthalene or the like, (2) pigment of phthalocyanine system compound or the like, (3) low molecule compound of hydrazone compound or the like, or (4) polymer compound of poly-N-vinyl calbazole or the like.例文帳に追加

前記有機半導体材料は、例えば、▲１▼ナフタレン等のアセン分子材料、▲２▼フタロシアニン系化合物等の顔料、▲３▼ヒドラゾン化合物等の低分子化合物、又は、▲４▼ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子化合物である。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

The carbon material is produced by coordinating metal ions to a high polymer material that bears atomic groups including donor atoms, for example, N, O, S or the like on the main chains and/or side chains of the polymer and the resultant metal ion-coordinated high polymer complex is fired and carbonized.例文帳に追加

本発明に係る炭素材料は、窒素、酸素、硫黄のようなドナー原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している高分子材料に金属イオンを配位させた高分子金属錯体を焼成して炭化したことを特徴とする。 - 特許庁

Since a hole injection layer 70 is configured to be formed on a pixel electrode 23 by the use of a hole injection layer forming material that contains an organic material, having hole injection property and indium sulfate (III) n hydrate, the hole injection layer 23 is formed, while it contains indium element.例文帳に追加

正孔注入性を有する有機材料と硫酸インジウム（III）ｎ水和物とを含んだ正孔注入層形成材料を用いて画素電極２３上に正孔注入層７０を形成することとしたので、正孔注入層２３がインジウム元素を含んだ状態で形成されることになる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁

In the method of producing an FeCr-Al material by gas atomization, in addition to containing iron (Fe), chromium (Cr) and aluminum (Al), the material also contains minor fractions of one or more of molybdenum (Mo), hafnium (Hf), zirconium (Zr), yttrium (Y), nitrogen (N), carbon (C) and oxygen (O).例文帳に追加

ガス噴霧化によるＦｅＣｒＡｌ材料の製造方法であって、その材料は、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）に加えて、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）の１つ以上を微量割合で含んでいる。 - 特許庁

An organic photoelectric conversion element has a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer in which a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed.例文帳に追加

陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

To provide a solar cell having superior photoelectric conversion efficiency equipped with a bulk-heterojunction type organic thin film, having a pn junction interface of nanometer order which can be easily formed, regardless of the combination of a p-type material and an n-type material.例文帳に追加

ｐ型材料とｎ型材料の組み合わせにかかわらず容易に形成することができる、ナノメートルオーダーのｐｎ接合界面を有するバルクヘテロ接合型の有機薄膜を備える光電変換効率に優れた太陽電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for purifying an N-alkyl-substituted imide group-containing alicyclic olefin monomer which is a raw material monomer for a polar group-containing cyclic olefinic polymer useful as a sealing material and an insulating material for various optical parts and electronic parts.例文帳に追加

各種光学部品及び電子部品の封止材料、絶縁材料として有用な極性基含有環状オレフィン系重合体の原料モノマーであるＮ−アルキル置換イミド基含有脂環式オレフィン単量体の精製方法の提供。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes a cathode, an anode, and a photoelectric conversion layer comprising a mixture of an electron-donating p-type conjugated polymer semiconductor material and an electron-accepting n-type semiconductor material, and the organic photoelectric conversion element contains a compound having a naphthalocyanine structure.例文帳に追加

陰極、陽極、及び電子供与性を有するｐ型共役高分子半導体材料と電子受容性を有するｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であってナフタロシアニン構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。 - 特許庁

The hardness of the cement based molding material before molding is adjusted so that the penetration depth of a penetration needle at the time of carrying out penetration of the penetration needle of a cross section of 78.5 mm^2 to the cement based molding material by the penetration force of 2.94 N may be in the range of 3-20 mm.例文帳に追加

成形前の前記セメント系成形材料の硬さを、このセメント系成形材料に断面積７８．５ｍｍ^２の貫入針を２．９４Ｎの貫入力で貫入した場合の貫入針の貫入深さが３〜２０ｍｍの範囲となるように調整する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module for generating power by providing a temperature difference for a pn junction pair obtained by joining a p-type oxide thermoelectric conversion material and an n-type oxide thermoelectric conversion material, at least one of a pair of surfaces 20a and 20b to be provided with a temperature difference is covered with insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

ｐ型酸化物熱電変換材料とｎ型酸化物熱電変換材料とを接合させたｐｎ接合対に温度差を与えて電力を発生させる熱電変換モジュールにおいて、温度差を与えるべき一対の面２０ａ，２０ｂのうち、少なくとも一方の面を絶縁膜２１ａ，２１ｂで被覆する。 - 特許庁

The anode layer 2A is therefore formed of material what is called a high refractive index material with a refractive index n of almost 1.5 or more and simultaneously the material (such as ITO) allowing hole injection into the organic EL layer 3, and further has a sufficient thickness to function as an electrode.例文帳に追加

そのため、陽極層２Ａは、屈折率ｎがほぼ１．５以上のいわゆる高屈折率材料であり、同時に、正孔を有機ＥＬ層３に注入することができる材料（例えばＩＴＯ）で構成され、電極として機能するに十分な厚みとされる。 - 特許庁

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。 - 特許庁

The end faces 5a of the P-type thermoelectric materials 3 and the N-type thermoelectric materials 4 at the first substrate side are connected to the first substrate 10a through the metal electrodes 8a, and the end faces 5b at the second substrate side are connected to the second substrate 10b through the metal electrodes 8b.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料３およびＮ型熱電材料４の第１基板側端面５ａは金属電極８ａを介して第１基板１０ａに接合され、第２基板側端面５ｂは金属電極８ｂを介して第２基板１０ｂに接合される。 - 特許庁

To provide thermoelectric converting materials constituted of n-type substances capable of developing excellent thermal electric characteristics in high temperature air, and to provide new materials constituted of elements with little toxicity and large abundance with excellent thermal resistivity and chemical durability or the like.例文帳に追加

高温の空気中において優れた熱電特性を発揮できるｎ型物質からなる熱電変換材料であって、毒性が少なく存在量の多い元素により構成され、耐熱性、化学的耐久性等に優れた新規な材料を提供する。 - 特許庁

The image recording material comprises a support including a paper sheet and polymer coating layers on both surfaces of the paper and at least an image recording layer on the support, wherein the image recording material exhibits an MD compressive strength of 3.5 to 5.5 N/m according to ISO 9895.例文帳に追加

紙と該紙の両面にポリマー被覆層とを有する支持体と、該支持体上に少なくとも画像記録層とを有してなり、画像記録材料におけるＩＳＯ ９８９５に基づくＭＤ方向の圧縮強度が、３．５〜５．５Ｎ／ｍである画像記録材料である。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element includes: a negative electrode; a positive electrode; a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed; and includes, between the bulk heterojunction layer and the negative electrode, at least a layer of a compound represented by the following general formula (1).例文帳に追加

陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記バルクヘテロジャンクション層と前記陰極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物層を有する。 - 特許庁

Subsequently, in a block forming step, the honeycomb structure 10 in which the n-type thermoelectric material 21 and the p-type thermoelectric material 22 are alternately arranged is cut in a penetration direction and a vertical direction of the cell 11 to form plural blocks 10a in which the surface of the honeycomb structure 10 is smoothened.例文帳に追加

続いてブロック形成工程では、ｎ型熱電材料２１とｐ型熱電材料２２が交互に配置されたハニカム構造体１０をセル１１の貫通方向と垂直方向に切断してハニカム構造体１０の表面を平滑にしたブロック１０ａを複数個形成する。 - 特許庁

The optical recording material contains a cyanine compound expressed by general formula (I) of a molecular structure having a specified group at an N place, and the optical recording medium is constituted by forming on a base an optical recording layer consisting of the optical recording material.例文帳に追加

Ｎ位に特定の基を有する分子構造の下記の一般式（I）で表されるシアニン化合物を含有してなることを特徴とする光学記録材料及び基体上に該光学記録材料からなる光学記録層を形成した光学記録媒体。 - 特許庁

The n-type semiconductor element block 10n can be obtained by integrally sintering a second thermoelectric material 11n having thermal conductivity κ2 and electric conductivity σ2, and a second additive material 12n in which thermal conductivity κb and electric conductivity σb satisfy (κb < κ2) and (κb/κ2) < (σb/σ2).例文帳に追加

Ｎ型半導体素子ブロック１０ｎは、熱伝導率κ２、電気伝導率σ２である第２の熱電材料１１ｎと、熱伝導率κｂ及び電気伝導率σｂが（κｂ＜κ２）、かつ、（κｂ／κ２）＜（σｂ／σ２）を満たす第２の添加材料１２ｎとを一体的に焼結したものである。 - 特許庁

This method for manufacturing the functional carbon material comprises a process that heats a polymer having structure represented by general formula (1) (wherein R is a hydrocarbon group and may include a heteroatom, and n is 2-10,000) at a low temperature (100-300°C) and forms a microcrystal carbon material having a polynuclear aromatic hydrocarbon.例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有するポリマーに対して、低温加熱処理（１００〜３００℃）を施し、多環芳香族炭化水素を有する微細結晶炭素材料を形成する工程を有する、機能性炭素材料の製造方法。 - 特許庁

The method of evaluating the iron base material in the present invention exhibits an effect as a technique for evaluating the optimum component composition, in particular, as a tool steel, when the iron base material contains, for example, 0-18.0 mass% of Cr and 0.1-3.0 mass% of C and/or N as total.例文帳に追加

本発明の鉄基材料の評価方法は、例えばその鉄基材料が、質量％で、Ｃｒ：０〜１８．０％、Ｃおよび／またはＮを合計で０．１〜３．０％含有するものであれば、特に工具鋼としての最適な成分組成を評価する手法として効果を発揮する。 - 特許庁

First, a liquid material 2a for forming the inner layer 2 is sprayed from the spray nozzle N provided to the leading end part of the extrusion head H of an extruder almost simultaneously with the extrusion of a hose substrate 1 from the extrusion head H to be applied to the inner peripheral surface of the extruded hose substrate 1.例文帳に追加

まず、押出機の押出ヘッドＨからホース基体１を押し出すと略同時に、上記押出ヘッドＨの先端部の噴霧ノズルＮから内層２形成用の液状材料２ａを噴霧し、押し出されたホース基体１の内周面にその液状材料２ａを塗布する。 - 特許庁

That is, the bump-land 10A is constructed by film thickness larger than those of an insulating component and wiring component which are interposed between a MISFET (n- channel-type MISFETQn and p-channel-type MISFETQp) and the bump-land 10A.例文帳に追加

すなわち、バンプ・ランド１０Ａは、メモリセルを構成するＭＩＳＦＥＴ（ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ）とバンプ・ランド１０Ａとの間に介在する絶縁材料および配線材料のいずれよりも厚い膜厚で構成されている。 - 特許庁

To obtain an eddy current flaw detection method capable of expanding a phase difference between a flaw signal and a vibration noise even in the case of application to a non-magnetic material or a magnetic material heated to a temperature above its Curie point, to enhance the improving effect of an S/N ratio by phase detection.例文帳に追加

非磁性材料あるいはキュリー点以上の温度に加熱された磁性材料に対して適用した場合であっても、傷信号と振動ノイズとの位相差を拡大させることができ、これによって位相検波によるＳ／Ｎ比の改善効果を向上させることが可能な渦流探傷方法を提供すること。 - 特許庁

Besides, the n-type semiconductor device block is constituted by integrally sintering a second electro-thermal material having heat conductivity κ2 and electric conductivity σ2, with a second additive material having thermal conductivity κb and electric conductivity σb which satisfies (κb<κ2) and (κb/κ2)<(σb/σ2).例文帳に追加

また、ｎ型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ２、電気伝導率σ２である第２の熱電材料と、熱伝導率κｂ及び電気伝導率σｂが（κｂ＜κ２）、かつ、（κｂ／κ２）＜（σｂ／σ２）を満たす第２の添加材料とを一体的に焼結してなる。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

As a negative electrode 13, 22 of a lithium secondary battery, a lithium secondary battery negative electrode or the like is used, in which a negative electrode material using a material that can alloy with lithium is applied on the negative electrode current collector 13a having a proportionality limit of 2.0 N/mm or more.例文帳に追加

リチウム二次電池の負極１３，２２として、比例限度が２．０Ｎ／ｍｍ以上の負極集電体１３ａに、リチウムと合金化する材料を用いた負極材料が付与されたリチウム二次電池用負極等を用いた。 - 特許庁

In the substrate for organic EL display having an insulating layer, discharge of a substance originating in this insulating layer material by heating at the decomposition temperature -20°C or less of the insulating layer material is detected of S/N ratio smaller than 3/1 in the mass spectrometry detection.例文帳に追加

絶縁層を有する有機ＥＬディスプレイ用基板において、前記絶縁層材料の分解温度−２０℃以下の加熱による該絶縁層材料に由来する物質の放出が、質量分析検出にてＳ／Ｎ比が３／１より小さく検出される有機ＥＬディスプレイ用基板。 - 特許庁

The temperature modulation layers 2, 4 and 6 are constituted by including materials in which refractive index n and/or attenuation coefficient k as optical constants are reversely changed due to the temperature change, and transmittance of a wavelength of a laser beam is reduced according to a temperature rise, and reflectance is raised.例文帳に追加

温度変調層２、４、６は、温度の変化により、光学定数である屈折率ｎ及び／又は消衰係数ｋが可逆的に変化する材料であり、温度上昇に応じてレーザ光の波長における透過率が低下し、反射率が上昇する材料を含んで構成される。 - 特許庁

The electronic device 100 includes a lower layer 108 made of a crystalline material, an upper layer 110 made of a crystalline material, and an n-graphene layer 102 positioned between the lower layer 108 and upper layer 110, the lower layer 108 and/or upper layer 110 being made of a high-relative-permittivity material having a high relative permittivity of ≥4.例文帳に追加

電子デバイス１００は、結晶性材料からなる下層１０８と、結晶性材料からなる上層１１０と、下層１０８と上層１１０との間に位置するｎ−グラフェン層１０２とを含み、下層１０８及び／又は上層１１０が４以上の比誘電率を有する高比誘電率材料からなる電子デバイスである。 - 特許庁

This toner resin composition is made from a thermoplastic resin and a colorant and a charge controller by using a screw conveyer and in addition to these toner materials, further, an alkoxysiloxane represented by the formula in which each of R1-R4 is, independently, an optionally substituted 1-10 C alkyl group is used and (n) is an integer of 1-20.例文帳に追加

トナー用材料としての熱可塑性樹脂と着色剤及び帯電制御剤から、螺旋状回転部材を備えた材料移動装置を用いてトナー用樹脂組成物を製造するにおいて、トナー用材料として、更に、下記一般式で表されるアルコキシシロキサンを用いるトナー用樹脂組成物の製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁

A high-density sintered compact of 70 to 98 %TD is pressed by the sintering of a molybdenum oxide material without using binders by using a high-purity molybdenum oxide material as a powdery material, and the high-purity molybdenum sintered compact is irradiated in a reactor to produce the high-density (n, γ) ^99Mo.例文帳に追加

粉末状の材料として高純度の酸化モリブデン材料を用いて、バインダーを用いることなく、酸化モリブデン材料を焼結して７０〜９８％ＴＤの高純度の焼結体を成形し、該高純度のモリブデン焼結体を原子炉内で照射して高密度（ｎ，γ）^９９Ｍｏを製造する。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element comprising a first transparent electrode, a photoelectric conversion layer containing a p-type organic semiconductor material and an n-type organic semiconductor material, and a second electrode in this order on a transparent substrate is characterized in that the photoelectric conversion layer contains a compound having a partial structure represented by the following general formula 1, as the p-type organic semiconductor material.例文帳に追加

透明な基板上に、透明な第一の電極、ｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料とを含有する光電変換層、および第二の電極をこの順に有する有機光電変換素子であって、該光電変換層が、該ｐ型有機半導体材料として下記一般式１で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

To provide novel compounds which have a sufficiently low oxidation potential for forming an electron transportation material for organic light-emitting diodes without adversely affecting a matrix material, effectively increases the number of charge carriers in the matrix material, is comparatively easy to handle, and can be used as n-dopants, injection layers or block layers.例文帳に追加

マトリックス材料に悪影響を及ぼすことなく有機発光ダイオードのための電子輸送材料を形成するための十分に低い酸化電位を有するとともに、マトリックス材料中の電荷担体の数を効果的に増加させるためのものであり、取扱いも比較的容易である、ｎ−ドーパント、注入層、又は、ブロック層として用いることができる新規な化合物の提供。 - 特許庁

The selection method of a material for soft polyurethane foam is characterized in selection of a material for soft polyurethane foam composed of a water containing a polyol component and an isocyanate component as a foaming agent to give a storage modulus of 10-25 N/mm^2 at a frequency of 4.0 Hz in a non-foamed molded product.例文帳に追加

発泡剤として水を含むポリオール成分とイソシアネート成分とからなる軟質ポリウレタンフォーム用材料の選択方法において、無発泡のポリウレタン成型体とした場合における周波数４．０Ｈｚにおける貯蔵弾性率が１０〜２５Ｎ／ｍｍ^２の範囲となるように前記軟質ポリウレタンフォーム用材料を選択することを特徴とする軟質ポリウレタンフォーム用材料の選択方法。 - 特許庁

Related to a thermal converter comprising a p-doped or an n-doped semiconductor material, the semiconductor material is at least one kind of ternary material formed by combining at least two kinds of compounds among material substance classes, while selected among them; silicide, boride, germanide, telluride, sulfide, selenide, antimonide, lead compound, and semiconductor oxide.例文帳に追加

ｐ−ドープまたはｎ−ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組：ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の１組から選択され、物質の組の少なくとも２種の化合物を結合することで形成される、少なくとも１種の三元材料であることを特徴とする。 - 特許庁

This is an electric insulating material indispensably including fluorine containing maleimide type copolymer having a maleimide monomer structure and other monomer structure, and the maleimide monomer structure is N-fluoroaryl maleimide monomer structure and/or N-fluoroalkylaryl maleimide monomer structure.例文帳に追加

マレイミド単量体構造とその他の単量体構造とを有するフッ素含有マレイミド系共重合体を必須とする電気絶縁材料であって、該マレイミド単量体構造は、Ｎ−フルオロアリールマレイミド単量体構造及び／又はＮ−フルオロアルキルアリールマレイミド単量体構造である電気絶縁材料。 - 特許庁

This dental material polymerizable by ring-opening metathesis polymerization comprises (i) at least one kind of ruthenium complex having at least one N-heterocyclic carbene ligand or a precursor to generate in situ at least the one kind of ruthenium complex having the N-heterocyclic carbene ligand, and (ii) at least one kind of metathesizable cycloolefin.例文帳に追加

開環メタセシス重合により重合可能な歯科用材料であって、（ｉ）少なくとも１つのＮ−複素環式カルベンリガンドを有する少なくとも１種のルテニウム錯体または少なくとも１種のＮ−複素環式カルベンリガンドを有するルテニウム錯体をインサイチュで生成する前駆体；および（ｉｉ）メタセシス可能な少なくとも１種の環式オレフィン、を含む、歯科用材料。 - 特許庁

When a resist layer is patterned in a prescribed shape by selective exposure with vacuum UV, a polymeric material having at least one saturated alicyclic n-membered ring (the number (n) of carbon atoms constituting the ring being an even number) and containing fluorine substituents introduced to two or more carbon atoms, constituting the ring and arranged with every other position being used as a polymeric material constituting the resist layer.例文帳に追加

真空紫外線でレジスト層を選択的に露光して所定の形状にパターニングするに際し、レジスト層を構成する高分子材料として、飽和ｎ員環（但し、環を構成する炭素原子数ｎは偶数である。）である脂環を少なくとも１つ有し、当該脂環を構成し且つひとつ置きに配置される少なくとも２以上の炭素原子にフッ素置換基が導入された高分子材料を用いる。 - 特許庁

The attachment of the many kinds of the labels as required to the fine substance is enabled by using labeling materials prepared according to the composition conditions of contained atoms at least corresponding to numerical informations of n digits by a binary system by utilizing the number (n) of the kinds of previously selected two or more atoms, the presence or absence of the content of each of the selected atoms or levels of the contents.例文帳に追加

微小な物体に対しても、それを構成する材料の一部として、予め選択される複数種の原子の種類数（ｎ）と、前記選択された原子個々の含有量の有無、あるいは、含有量の水準とを利用して、少なくとも二進法ｎ桁の数値情報に相当する、含有原子の組成条件に従って調製される標識用材料を用いることで、必要に応じて多数種の標識を付すが可能となる。 - 特許庁

The solar cell has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer of a first compound semiconductor material and at least one quantum well layer of a second compound semiconductor material having a plurality of protrusions between the p- and n-type semiconductor layers, and one or any of a plurality of quantum well layers has protrusions different in size.例文帳に追加

太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも１層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。 - 特許庁