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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 材料 nに関連した英語例文

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材料 nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 771



例文

To provide a microoganism having productivity of poly-3-hydroxy-4- phenoxy-n-butyric acid which is useful for a device material, a medical material and the like, and a preparation method for poly-hydroxy-3-4-n-butyric acid using the microorganism.例文帳に追加

デバイス材料や医用材料等として有用なポリ−3−ヒドロキシ−4−フェノキシ−n−酪酸の高生産能を有する微生物及び該微生物を用いたポリ−3−ヒドロキシ−4−フェノキシ−n−酪酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

P型熱電半導体材料からなるP型エレメント3と、N型熱電半導体材料からなるN型エレメント4と、これらP型及びN型の異種エレメント3、4を一対ずつ接合してPN接合対を形成可能な金属電極5を有する基板2B、2Aを備えた熱電素子1である。 - 特許庁

In the heat developable sensitive material having at least one photosensitive layer and a protective layer on a support, the photosensitive layer contains a photosensitive silver halide and the protective layer contains a compound represented by the formula (I): R-O-(CH_2CH_2O)_n-H wherein R represents an 8-20C alkyl; and n represents an integer of 20-80.例文帳に追加

支持体上に少なくとも一層の感光層と、保護層とを有する熱現像感光材料において、前記感光層が感光性ハロゲン化銀を含有し、前記保護層が下記一般式(I): R-O-(CH_2CH_2O)_n-H ・・・ (I)(ただし一般式(I)中、Rは炭素数8〜20のアルキル基を表し、nは20〜80の整数を表す。)により表される化合物を含有する熱現像感光材料。 - 特許庁

Then, the specific surface area A_s is determined from the equation: A_s=k×r^-D×M^-1×N_A×πr^2, by using the surface fractal dimension D, the atomic weight M and the atomic radius r of the noble metal atom, the Avogadro's number N_A, and a coefficient k determined by a material of the measuring object.例文帳に追加

そして、表面フラクタル次元D、前記貴金属原子の原子量M及び原子半径r、アボガドロ数N_A、並びに前記測定対象物の材料により定まる係数kを用いて、比表面積A_sを式 A_s=k・r^-D・M^-1・N_A・πr^2により求める。 - 特許庁

例文

The hydrogen storage material is expressed by the formula (Li_1-x-yCu_xA_y)_mXH_n (A is one or more kinds selected from alkali metal elements except lithium, X is one or more kinds selected from B, N and Al, 0≤y≤0.5, 0<x<(1-y), 1≤m≤3, and 0<n≤6).例文帳に追加

水素貯蔵材料を、組成式(Li_1-x-yCu_xA_y)_mXH_n(Aはリチウムを除くアルカリ金属元素から選ばれる一種以上、XはB、N、Alから選ばれる一種以上、0≦y≦0.5、0<x<(1−y)、1≦m≦3、0<n≦6)で表されるものとする。 - 特許庁


例文

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層3と該第一固体材料層3とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層5とのp−n接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池1。 - 特許庁

This is an organism control method to control materials for proliferation, reduction, activation, or immobilization of cells, bacteria, viruses, fungi, etc., and selective adsorption of protein, etc., bone prosthetic and dental implant materials, cement materials, etc., on the N face or the P face of ceramic made by polarizing ceramic, and the material thereof.例文帳に追加

セラミックスを分極処理してなるセラミックス表面のN面側又はP面側において細胞、バクテリア、ウイルス、菌類等の生体を増殖、減退、活性化又は不活性化、タンパク等の選択吸着材料、骨補填用、歯科用等のインプラント材料、セメント材料等の制御をすることを特徴とする生体制御方法とその材料。 - 特許庁

The thermoelectric module comprises a P type spherical powdery thermoelectric material 10 and an N type spherical powdery thermoelectric material 20, a first heat exchanging board 30 and a second heat exchanging board 40, and a plurality of first and second electrodes 50, 60 formed, respectively, on the first and second heat exchanging boards and connecting adjacent P type and N type spherical powdery thermoelectric materials with each other.例文帳に追加

P型の球状粉末熱電材料10及びN型の球状粉末熱電材料20と、第1の熱交換基板30及び第2の熱交換基板40と、第1及び第2の熱交換基板上にそれぞれ形成され、隣接するP型及びN型の球状粉末熱電材料をそれぞれ接続する複数の第1の電極50及び第2の電極60とを具備する。 - 特許庁

In an organic photoelectric conversion element having a transparent electrode, a counter electrode, and a bulk heterojunction layer where a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material are mixed, the n-type organic semiconductor material of the bulk heterojunction layer is a composition where a crystalline fullerene derivative and an amorphous fullerene derivative are mixed at a ratio of 1:99 to 99:1.例文帳に追加

透明電極、対電極、及びp型半導体材料とn型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のn型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、1:99〜99:1の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁

例文

The plastic optical fiber uses fluoridated plastic containing a rare earth component as its core material and also uses fluoridated plastic which is coupled principally by a -[CF_2]_n- monomer containing no rare earth component and consists principally of a polymer chain having a lower refractive index than the core material as its clad material.例文帳に追加

プラスチック光ファイバはコア材料として希土類成分を含有したフッ素化プラスチックを使用し、クラッド材料としては希土類成分を含有しない-[CF_2]_n-単量体を主成分として連結されてコア材料の屈折率より低い屈折率を有するポリマー鎖を主成分として構成されるフッ素化プラスチックを使用する。 - 特許庁

例文

The ability to quantify chemical information at a near-atomic scale (including light elements such as C, O and N) makes EFTEM an important tool for materials characterization. 例文帳に追加

原子に近いスケールで化学的情報を定量化する能力(C、O、Nなどの軽い元素を含む)は、EFTEMを材料評価のための重要な道具(手法)にする。 - 科学技術論文動詞集

The porous body is obtained by firing a gel like solid obtained by hydrolyzing an amide bond-containing polymer using N,N-dimethylacryl amide as a raw material and tetramethoxy silane.例文帳に追加

この多孔質体は、N,N−ジメチルアクリルアミドを原材料とするアミド結合含有ポリマーとテトラメトキシシランとを加水分解させて得られたゲル状固体を焼成することにより得られる。 - 特許庁

The material for the organic electroluminescent element consists of a 9,10-N,N'-aryl-dicarbazolyl anthracene compound and 2,7-N,N'-aryl dicarbazolyl fluorene, or a spirofluorene compound.例文帳に追加

9,10−N、N’−アリール−ジカルバゾリルアントラセン化合物と2,7−N,N’−アリールジカルバゾリルフルオレンまたはスピロフルオレン化合物とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 - 特許庁

To provide a new N,N'-bistricyclic amine-substituted polyphenylene diamine derivative excellent as an element component for organic EL, especially as a hole transport material.例文帳に追加

有機EL用素子成分、特に正孔輸送材料として優れた新規なN,N′−ビス三環性アミン置換−ポリフェニレンジアミン誘導体を提供すること。 - 特許庁

Moderate amounts of manganese (Mn) and nitrogen (N) are substituted for costly nickel to produce the new chromium-manganese-nitrogen (Cr-Mn-N) steel, whereby reducing the cost of materials while maintaining the original physical and mechanical properties.例文帳に追加

高価なニッケルの代わりに、適量のマンガン(Mn)と、窒素(N)とを使用し、クロム−マンガン−窒素(Cr−Mn−N)新鋼種を製造し、材料コストを下げ、本来の物理的性能および機械力学的性能を維持する。 - 特許庁

A resist removal composition having N-(cyanoalkyl)-N'-(2-hydroxyalkyl)ethylene diamine shows high ability of removing a resist, does not decompose an organic solvent and gives no damage to semiconductors and flat panel display materials.例文帳に追加

N−(シアノアルキル)−N’−(2−ヒドロキシアルキル)エチレンジアミンを含んでなるレジスト除去用組成物では、レジスト除去能が高く、なおかつ有機溶媒を分解せず、半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージがない。 - 特許庁

A gel material for the medical appliance used under the contact environment with the blood vessel is synthesized from N,N'-dimethylacrylamide by a crosslinking agent having at least two ethylenic unsaturated bonds.例文帳に追加

N,N’−ジメチルアクリルアミドと、二つ以上のエチレン性不飽和結合を有する架橋剤により合成される、血液と接触する環境下で使用される医療用具用ゲル材料。 - 特許庁

Additionally, by setting the ratio of the N-vinyl carobazole and polyvinyl carbazole to N-vinylcarbazole/polyvinyl carbazole = 90/10-70/30, the optical material suited for replica molding further at a room temperature is obtained.例文帳に追加

また、N−ビニルカルバゾールとポリビニルカルバゾールの割合を、N−ビニルカルバゾール/ポリビニルカルバゾール=90/10〜70/30とする事により、更に室温でのレプリカ成形に適した光学材料とする事ができる。 - 特許庁

Preferably the crosslinking agent is methylenebisacrylamide, and the ratio of the crosslinking agent to N,N'-dimethylacrylamide at the time of synthesis of the gel material is preferably 1-10 mol%.例文帳に追加

前記架橋剤は、メチレンビスアクリルアミドが好ましく、前記ゲル材料を合成する際の、N,N’−ジメチルアクリルアミドに対する前記架橋剤の比が、1〜10モル%が好ましい。 - 特許庁

The optical material consists of resin, containing a sulfur atom and showing less than 5% increase in weight when the material is immersed in N,N-dimethyl formamide for one day at 60°C and 90% humidity.例文帳に追加

温度60℃、湿度90%、1日でのN,N−ジメチルホルムアミド中に1日浸漬した際の重量増加率が5%未満である硫黄原子含有樹脂からなる光学材料。 - 特許庁

In this way, B using the boron compound as a source and N using the nitriding gas as a source respectively diffuse into the raw material steel to obtain a steel material containing B and N.例文帳に追加

これにより、ホウ素化合物を源とするBと窒化ガスを源とするNとが原料鋼にそれぞれ拡散してBおよびNを含有する鋼材料が得られるに至る。 - 特許庁

To provide a new N, N'-bistricyclic amine-substituted-polyphenylenediamine derivative excellent as a component of an organic EL element, particularly as a hole transporting material.例文帳に追加

有機EL用素子成分、特に正孔輸送材料として優れた新規なN,N′−ビス三環性アミン置換−ポリフェニレンジアミン誘導体を提供する。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

p形BP系半導体層及びn形III族窒化物半導体層に設けるp形及びn形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

Material gas containing Al, Ga, As is supplied to an n-GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus forming a light reflection layer 21 on the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、AlとGaとAsとを含む材料ガスをn−GaAs基板11に供給することにより、光反射層21をn−GaAs基板11上に形成する。 - 特許庁

An insulating film is not formed on the wall surface of the trench 120 touching an n^+-type buffer layer 30 and the conductive material 10 is conducting with the n^+-type buffer layer 30.例文帳に追加

トレンチ120のn^+型のバッファ層30と接する壁面には絶縁膜が形成されておらず、導電性材料10はn^+型のバッファ層30と導通している。 - 特許庁

Also, a withstand voltage holding region 12 configured of semiconductor materials whose breakdown voltage is higher than that of the N^- drift region 5 is formed so as to be put through an N^- drift region 5 in the terminal region 2.例文帳に追加

また,終端領域2内には,N^- ドリフト領域5を貫通し,N^- ドリフト領域5よりも絶縁破壊電圧が高い半導体材料からなる耐圧保持領域12が形成されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring the modulus of elasticity which can increase the S/N ratio and improve the measurement accuracy when measuring the modulus of elasticity of various materials using the resonance method.例文帳に追加

共振法を用いて各種材料の弾性率を測定する際に、S/N比を大きくし、測定精度を向上させることのできる弾性率測定装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The objective is a single lens, and the numerical aperture of the objective is ≥0.82 and the refractive index (n) of the material of the objective in the wavelength of the light source is set to the range of 1.8<n.例文帳に追加

対物レンズを単レンズとし、前記対物レンズの開口数は0.82以上として、前記対物レンズの材料の前記光源の波長における屈折率nを1.8<nの範囲に設定する。 - 特許庁

The n-type current blocking layers 114 and 124 consist of an identical material which is transparent with respect to respective oscillation wavelengths, that is n-type Al_0.5In_0.5P.例文帳に追加

n型電流ブロック層114と、n型電流ブロック層124とが、共に各々の発振波長に対して透明な同一材料系すなわちn型Al_0.5In_0.5Pから構成されている。 - 特許庁

The solar cell includes a first electrode and a second electrode, and in between these electrodes, the organic thin film in which p-type or n-type mesoporous organic silica and an n-type or p-type material are subjected to bulk-heterojunction.例文帳に追加

第1の電極および第2の電極と、該電極間に、p型またはn型のメソポーラス有機シリカとn型またはp型の材料とがバルクヘテロ接合している有機薄膜とを備えることを特徴とする太陽電池。 - 特許庁

A material forming the unit optical shapes satisfies the relations: 1.53≤n_d<1.6 and 30<νd, where n_d represents the refractive index for a Fraunhofer d-line and νd represents the Abbe number.例文帳に追加

単位光学形状161を形成する材料は、フラウンホーファー線のd線の屈折率をn_d、アッベ数をν_dとすると、1.53≦n_d<1.6、30<ν_dという関係を満たすようにする。 - 特許庁

An n-type semiconductor block 12 is formed by an n-type thermoelectric conversion material and has a pillar 12a and a connection 12b which is protruded form the pillar 12a in a lateral direction.例文帳に追加

また、n型半導体ブロック12はn型熱電変換材料により形成され、柱部12aと該柱部12から横方向に突出する接続部12bとを有する。 - 特許庁

An STI 50a which is in contact with the n-type well in a direction directing a source 22 to a drain 24 of the p-type channel MOSFET 20 is made of an insulating material exerting a compression stress on an n-type well region 26.例文帳に追加

p型チャネルMOSFET20のソース22からドレイン24に向かう方向においてn型ウェルに接するSTI50aは、n型ウェル領域26に圧縮応力を作用させる絶縁材料により形成される。 - 特許庁

When the numerical aperture of the objective lens 6 is 0.75 or larger, refractive index of the glass at least at one of use wavelengths is (n) and the Abbe number at (d) ray is (v), the objective lens 6 comprises material satisfying the relation: 1.75<n and 35<v.例文帳に追加

対物レンズ6の開口数は0.75以上であり、使用波長の少なくとも1つにおける上記ガラスの屈折率をnとし、d線におけるアッベ数をvとすると、1.75<n、かつ、35<vを満足する材料からなる。 - 特許庁

This phosphor comprises a compound represented by mMO.nAl2 O3(M is one more metal elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba; and the ration of m/n is 0.5≤m/n≤1) as a matrix material.例文帳に追加

mMO・nAl_2O_3(MはMg,Ca,Sr,Baからなる群から選ばれる一つ以上の金属元素)で表され、mとnの比が0.5≦m/n≦1である化合物を母体材料とする。 - 特許庁

This radially anisotropic magnet has a structure where either an N pole or an S pole is formed on the outer circumferential part 22 of an annular magnetic body 24 formed of crystal magnetically anisotropic material, and either an S pole or an N pole is formed on the inner circumferential part 23.例文帳に追加

結晶磁気異方性材料から成る環状磁性体24の外周部22にN極およびS極のうちいずれか一方の磁極を形成し、内周部23にN極およびS極のうちいずれか他方の磁極を形成する。 - 特許庁

The transportation of the photosensitive materials 92 is so controlled that the exposure of the (N+1)th frame is started at the timing at which the exposure intervals elapse after the completion of the exposure based on the image information of the N-th frame.例文帳に追加

そして、Nフレーム目の画像情報に基づく露光完了から、露光インターバルが経過したタイミングで(N+1)フレーム目の露光が開始されるように感光材料92の搬送が制御される。 - 特許庁

This adhesive material is characterized by having a storage elastic modulus of ≥1.0×108 N/m^2 and ≤1.0×104 N/m^2 at 80°C and 200°C, respectively.例文帳に追加

80℃における貯蔵弾性率が1.0×10^8N/m^2以上であり、且つ200℃における貯蔵弾性率が1.0×10^4N/m^2以下である、接着材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた(Al、Ga、In)N材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立(Al、Ga、In)N物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The preparation step is the step for preparing a raw material comprising R-Fe-M-based alloy including rare-earth element (hereinafter, represented by R), Fe and one kind selected from B,C and N (hereinafter, represented by M) as an additional element.例文帳に追加

準備工程は、添加元素に希土類元素(以下、Rで示す)と、Feと、B、C及びNから選択される1種(以下、Mで示す)とを含有するR-Fe-M系合金からなる原材料を準備する工程である。 - 特許庁

To provide an amorphous composite material having N pieces of different components (where N is an integer not less than 2), i.e., having a laminar structure or a columnar structure and each component is ecellent in mechanical, magnetic, electric, chemical, thermal, electronic or quantum characteristic.例文帳に追加

N個の(Nは2以上の整数)異なる組成、すなわち、機械的、磁気的、電気的、化学的、熱的、電子的、および、量子的に特性の異なる層構造あるいはコラム構造を有する、アモルファス複合材料を作製すること。 - 特許庁

The organic electroluminescence element material contains a compound having N and P, N and Si, P and Si, or P and P, Si and Si on 1,4-positions of one ring of a condensed polycyclic system (at least pentacyclic system) as ring-constituting atoms thereof.例文帳に追加

縮合多環系(少なくとも五環系)の一つの環の環構成原子としてNとP、NとSi、PとSi、あるいはPとP、SiとSiを1,4位に有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

The overmolded MCM IC package is provided with a substrate, a plurality of N-piece semiconductor IC devices attached on the substrate, a plurality of N-piece heat sinks attached on the IC device, a polymer-based overmold for forming an upper surface, a plurality of N-piece semiconductor plugs of a first polymer material selectively applied, and a lid attached by a second polymer material.例文帳に追加

基板と、前記基板に取り付けられた、複数のN個の半導体ICデバイスと、ICデバイスに取り付けられた複数のN個のヒート・シンクと、上部表面を形成するポリマー性のオーバーモールドと、選択的に付された第1のポリマー材料の複数のN個のプラグと、第2のポリマー材料によって取り付けられた蓋と、を具備するオーバーモールドされたMCM ICパッケージ。 - 特許庁

The harmonic wave generating element which makes coherent light incident on a non-linear optical material and converts the incident light into nth harmonic wave having less than a half wavelength has a waveguide structure formed in the non-linear optical material to provide a mechanism for generating n-th harmonic wave in a waveguide and a lens-like focusing mechanism for facilitating the optical coupling of light at an end surface of incidence.例文帳に追加

非線形光学材料に、コヒーレント光を入射させ、該入射光を半分以下の波長を有するn次高調波に変換する様な高調波発生素子において、非線形光学材料に導波路構造があり、この導波路内部でn次の高調波が発生するような機構を設け、光の入射端面での光結合を容易にする為のレンズ状の収束機構を設ける。 - 特許庁

An ink composition for an ink jet contains: a π-electron conjugated functional organic material; and an organic solvent containing an ether-based solvent represented by the following general formula (1), where m is an integer satisfying 0≤m≤3, n is an integer satisfying 1≤n≤8, and 4≤m+n≤8.例文帳に追加

π電子共役系の機能性有機材料と、下記一般式(1)(mは0〜3の整数を示し、nは1〜8の整数を示す。但し、mとnの合計は4〜8である)で表されるエーテル系溶媒を含有する有機溶媒と、を含むインクジェット用インク組成物である。 - 特許庁

The green laminate is such a laminate as to be a piezoelectric device after baking, in which n (n is integer of three or larger) pieces of plate-like piezoelectric sheets of piezoelectric materials, (n-1) pieces of plate-like internal electrodes, and n pieces of plate-like adhesive layers are stacked in a stacking direction.例文帳に追加

グリーン積層体は、n枚(nは3以上の整数)の圧電材料からなる平板状の圧電シートと、(n−1)枚の平板状の内部電極と、n枚の平板状の接着層と、が積層方向に積層された、焼成後に圧電デバイスとなる積層体である。 - 特許庁

An electrode material for an electrochemical capacitor contains composite oxide the general formula of which is M_mWO_n (m is either 1 or 2, n is either 4 or 6, and M is at least one kind of material selected from among Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg, Ca, Sr, and Bi).例文帳に追加

電気化学キャパシタ用電極材料は、一般式がM_mWO_n(mは1及び2のいずれかであり、nは4及び6のいずれかであり、MはMn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Mg,Ca,Sr及びBiから選ばれた少なくとも一種)である複合酸化物を含んでいる。 - 特許庁

An anti-reflective coating (ARC) is used to coat the PBG crystal, wherein the ARC material has a refractive index of n=(n_air×n_high-index material)^1/2 and thickness around λ_c/8 where λ_c is center wavelength.例文帳に追加

反射防止膜(ARC)は、PBG結晶を被覆するために用いられ、ARCの材料は、n=(n_air×n_high−index material)^1/2の屈折率を有し、λ_cを中心波長とした場合に、λ_c/8程度の厚さを有する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device, which is a lamination of a plurality of unit elements having p-n or p-i-n structures made of a silicon-based non-single crystal semiconductor material, with its photovoltaic efficiency enhanced by stabilizing the p/n interface structures for improvement on interfacial characteristics and in film adhesion.例文帳に追加

シリコン系非単結晶半導体材料からなるpn又はpin構造を有する複数の単位素子を積層した光起電力素子において、p/n界面の構造を安定させ、界面特性および膜密着性を向上させることにより、光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。 - 特許庁

例文

In the inkjet recording material having at least one ink accepting layer including a hydrophilic binder on a support, the ink accepting layer includes an N-hydroxy alkylaled chitosan.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも1層の親水性バインダーを含有するインク受容層を有するインクジェット記録材料において、該インク受容層がN−ヒドロキシアルキル化キトサンを含有することを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

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