「材料 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a novel bis(diarylamino)N-substituted pyrrole having enhanced stability as a material.例文帳に追加

材料としての安定性が向上された新規なビス（ジアリールアミノ）Ｎ−置換ピロール類を提供する。 - 特許庁

The vibration-damping material desirably further contains a damping performance-imparting agent such as N-cyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide (CBS).例文帳に追加

制振材料には、さらにＮ−シクロヘキシルベンゾチアジル−２−スルフェンアミド（ＣＢＳ）等の減衰性付与剤を含有することが望ましい。 - 特許庁

To reduce 1/f noise of a resistance change material in a bolometer type infrared ray sensor and to improve S/N of the infrared ray sensor.例文帳に追加

ボロメータ型の赤外線センサにおいて抵抗変化材料の１／ｆノイズを低減し、赤外線センサのＳ／Ｎを向上する。 - 特許庁

A nanostructure includes arrays of two kinds of nanowires comprising n-type and p-type semiconductor materials.例文帳に追加

ナノ構造体は、それぞれｎ型及びｐ型の半導体材料からなる２つのナノワイヤのアレイを備える。 - 特許庁

The dental material contains at least a polymerizable N,O-functionalized acrylic acid hydroxyamide represented by general formula (I).例文帳に追加

本発明は、少なくとも一般式（Ｉ）の重合可能なＮ，Ｏ−官能化アクリル酸ヒドロキシアミドを含むことに特徴がある歯科材料を提供する。 - 特許庁

N-BRANCHED ALKYL SUBSTITUTED CARBAMOYLHYDRAZINE COLOR DEVELOPING AGENT, SILVER HALIDE PHOTOGRAPHIC SENSITIVE MATERIAL USING THE SAME AND IMAGE FORMING METHOD例文帳に追加

Ｎ−分岐アルキル置換カルバモイルヒドラジン系発色現像主薬、これを用いたハロゲン化銀写真感光材料および画像形成法 - 特許庁

The organic electroluminescence element material is a transition metal complex having N-phenylpyrazole as a bidentate ligand, and the transition metal in the complex belongs to the 8-10 group in the element periodic table.例文帳に追加

２座配位子としてＮ−フェニルピラゾールを有する元素周期表の８〜１０族の遷移金属錯体である有機ＥＬ素子材料。 - 特許庁

To provide p-type and n-type clathrate compounds and a thermoelectric conversion element by only adjusting compositions in the same material system.例文帳に追加

同じの材料系で成分の調整のみによって、ｐ型およびｎ型のクラスレート化合物および熱電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a material that has a high S-N ratio and can obtain high sensitivity when used as an electrode of a sensor.例文帳に追加

センサの電極として使用した際に、Ｓ／Ｎ比が高く、高い感度が得られる材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

The cover 116 is composed of a dielectric material having a dielectric constant n, having an outer and an inner plane P3, P4 inclined at inclination angles α between both.例文帳に追加

誘電体カバー１１６は、外側の平面Ｐ３と内側の平面Ｐ４が傾斜角αをなし、屈折率ｎの誘電体材料で構成される。 - 特許庁

An insulator 103 made of a resin material is formed to the side face of a bipolar semiconductor 210 comprising a p-type semiconductor 205 and an n-type semiconductor 206.例文帳に追加

Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面に樹脂材料で絶縁部１０３を形成する。 - 特許庁

In some embodiments, the porous region is an n-type semiconductor material, such as GaN or GaP.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、多孔質領域は、ＧａＮ又はＧａＰのようなｎ型半導体材料である。 - 特許庁

When providing the floating gate by the material whose work function is higher than the semiconductor film, n-type impurity elements are introduced to the channel forming region.例文帳に追加

浮遊ゲートとして半導体膜より仕事関数が高い材料で設ける場合には、チャネル形成領域にｎ型の不純物元素を導入する。 - 特許庁

To improve the lipid stain resistance of a water-containing material mainly composed of an N-vinyllactam-based monomer, while sufficiently securing its water-containing properties.例文帳に追加

Ｎ−ビニルラクタム系モノマーを主成分とする含水性材料において、その含水性を充分に確保しつつ、脂質汚染性を改善すること。 - 特許庁

Inexpensive thermoelectric conversion material which has high output covering a wide operation temperature of 50-600°C, and shows an n-type conductivity stably.例文帳に追加

５０〜６００°Ｃの広い動作温度域に亘って高い出力を有し、安定してＮ導電型を呈する安価な熱電変換材料が得られる。 - 特許庁

The transfer film comprises a film forming material layer, of which the tack strength on its surface is 0.05 to 2.0 N.例文帳に追加

表面のタック強度が０．０５〜２．０Ｎである膜形成材料層を有することを特徴とする、転写フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a phenylenevinylene compound useful for an organic semiconductor material, and an n-type transistor containing the same.例文帳に追加

有機半導体材料に有用であるフェニレンビニレン化合物、およびそれを含有しているｎ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an organic n-type semiconductor material having improved solubility in an organic solvent and great linking ability to a p-type semiconductor.例文帳に追加

有機溶媒への溶解性が改善され、かつｐ型半導体への高い接合性を有する有機ｎ型半導体材料の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-alkylmaleimide-based polymer which is suitable for an optical material having excellent transparency.例文帳に追加

本発明は、優れた透明性を有する光学材料に好適なＮ−アルキルマレイミド系重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel photoelectric conversion apparatus which includes a photoelectric conversion material layer with high sensitivity and S/N ratio.例文帳に追加

高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact having good electrical conduction and high thermal electromotive power, an n-type thermoelectric conversion material, and a thermoelectric conversion element using the same.例文帳に追加

良電気伝導性で、高熱起電力を持つ酸化物焼結体、ｎ型熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子を提供する。 - 特許庁

This thermal storage material has, as its main component, potassium dititanate represented by general formula: K_2Ti_2O_5-xnH_2O (0≤x≤1, 0≤n≤2.7).例文帳に追加

一般式Ｋ_2 Ｔｉ_2 Ｏ_5-x ・ｎＨ_2 Ｏ（０≦ｘ≦1 、０≦ｎ≦２．７）で表記される二チタン酸カリウムを蓄熱材料の主成分とする。 - 特許庁

The different materials are impurity diffusion layers of p-type conductivity and n-type conductivity which are formed contiguously to each other or separately from each other.例文帳に追加

また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 - 特許庁

As a consequence, although the n+-type part 23b and the electrode are made of different materials, the resistance of this area can be made small since the contact area is wide.例文帳に追加

よって、ｎ^+型部分２３ｂと電極とは、異なる材料であるが、接触面積が広いので、この部分の抵抗を下げることができる。 - 特許庁

Silicon or the like volatilized from a mask material is introduced, thereby forming the N-type inversion region.例文帳に追加

このｎ型反転領域は、マスク材料から揮発したシリコン等が導入されることにより形成される。 - 特許庁

Also at least the outermost peripheral surface of the roller 10 is constituted of a material, whose surface tension is smaller than that of the ink 6 by 1.5×10-2 N/m.例文帳に追加

また、少なくともローラ１０外周最表面を、インク６より表面張力が１．５×１０^-2Ｎ／ｍ以上小さな材料で構成する。 - 特許庁

When x in the empirical formula (1) is not less than 1 and not more than 4, it shows a nature as an n-type thermoelectric conversion material.例文帳に追加

Ｂａ_8Ｐｄ_xＧｅ_46-x （１ ≦ ｘ ≦ ５） （１） 組成式（１）のｘが１以上４未満であれば、ｎ型熱電変換材料としての性質を示す。 - 特許庁

To provide an n type thermoelectric converting material which does not contain any element of strong toxicity and has a high thermoelectric conversion characteristic especially at a low temperature.例文帳に追加

毒性の強い元素を含まず、特に低温において高い熱電特性を有するｎ型熱電変換材料を提供すること。 - 特許庁

NEW N-SULFONYLOXYDICARBOXYIMIDE COMPOUND, PHOTO ACID GENERATOR, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

新規Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

As thermal noise is reduced to improve the S/N, a deposition amount of a film forming material with a small vapor emission amount can be accurately measured.例文帳に追加

熱雑音が低減され、Ｓ／Ｎが向上する為蒸気放出量が少ない成膜材料の付着量も正確に測定することができる。 - 特許庁

When a hologram photosensitive material is exposed, two light beams made incident on an intersection point N of the hologram photosensitive material 3a and the optical axis are defined as exposure light beams S1, S2.例文帳に追加

露光時に、ホログラム感光材料３ａと光軸との交点Ｎに入射する２つの光線をそれぞれ露光光線Ｓ１・Ｓ２とする。 - 特許庁

The n-type thermoelectric conversion material 2 is manufactured from this oxide sintered compact, and used in the thermoelectric conversion element 1.例文帳に追加

この酸化物焼結体からｎ型熱電変換材料２を製造し、熱電変換素子１に使用できる。 - 特許庁

To provide an improved method for depositing an Si-C-N material functioning as an etching stopping layer on a substrate by using a PECVD.例文帳に追加

エッチストップ層として機能するＳｉ−Ｃ−Ｎ材料をＰＥＣＶＤを使って基板上に蒸着するための改良された方法を与える。 - 特許庁

At first, p/n junction is formed in a semiconductor material and then separation is operated so that a main body 10 and a separated piece 9 can be obtained.例文帳に追加

半導体材料内にｐ−ｎ接合を形成させた後に主ボディと切離し片とが得られるように分離する。 - 特許庁

Then, the extrusion-molded p-type and n-type thermoelectric material bodies are put into a container together with a receiving jig, the container is filled with a resin, and the resin is solidified.例文帳に追加

そして、ｐ型及びｎ型熱電材料の押出成形体を受け治具ごと容器に入れ、容器に樹脂を充填した後樹脂を固化させる。 - 特許庁

MATERIAL FOR FORMING ORGANIC THIN FILM, ORGANIC THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM, ORGANIC THIN FILM ELEMENT, AND N-TYPE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

有機薄膜形成材料、有機薄膜、該薄膜の製造方法、有機薄膜素子およびｎ型の有機薄膜トランジスタ - 特許庁

On a sapphire substrate 1, material sources Zn and O for composing the ZnO-based oxide, such as a ZnO, are grown without supplying the material of an n-type dopant, and the ZnO-based oxide semiconductor layer is grown by supplying the N of the p-type dopant (a).例文帳に追加

サファイア基板１上に、ｎ形ドーパントの材料を供給しないでＺｎＯ系酸化物、たとえばＺｎＯを構成する材料源ＺｎとＯ、およびｐ形ドーパントのＮを供給することによりＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する（ａ）。 - 特許庁

In the treatment method for diminishing sensitizing dye stains of a silver halide photographic sensitive material, an exposed silver halide photographic sensitive material is brought into contact with a reducer in the presence of a radical generator other than N-oxyazinium compounds.例文帳に追加

露光されたハロゲン化銀写真感光材料にN-オキシアジニウム化合物以外のラジカル発生剤の存在下で還元剤と接触させることを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料の増感色素ステイン低減する処理方法。 - 特許庁

This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

The p-type thermoelectric material 34 and the n-type thermoelectric material 35 forming a pair are electrically connected in series to each other through a p-n connection conductor 41 to form a thermoelectric conversion element pair 40, and a plurality of the thermoelectric conversion element pairs 40 are serially connected through, for instance, series wiring conductors 42.例文帳に追加

対をなすｐ型熱電材料３４とｎ型熱電材料３５とは、ｐｎ間接続導体４１によって互いに直列に電気的接続されて熱電変換素子対４０を構成し、複数の熱電変換素子対４０は、たとえば、直列配線導体４２によって直列に接続される。 - 特許庁

A thermoelectric element comprises P type elements 3 made of a P type thermoelectric material, N type elements 4 made of an N type thermoelectric material, and two substrates 2 having metal electrodes 5 which can form pairs of PN junction by bonding these different kinds of element 3, 4 in pair.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a silicon carbide semiconductor substrate 100 as a first semiconductor material, and an n-type multi-crystal silicon layer 3A constituted of n-type multi-crystal silicon as second semiconductor materials whose band gap is different from that of silicon carbide on the first main face side of the silicon carbide semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第一の半導体材料としての炭化珪素半導体基体１００と、この炭化珪素半導体基体１００上の第一主面側に、炭化珪素とはバンドギャップの異なる第二の半導体材料として、Ｎ−型の多結晶シリコンからなるＮ−型多結晶シリコン層３Ａが形成される。 - 特許庁

To a blank giving information of the rolling direction in a specific lot material, the bending is performed and true material constants composed of n-th power work-hardening exponent n, plastic factor F and Young's modulus E, in respective bending lines BL1, BL2, BL3 different to the inclining angles to the above rolling direction, are calculated.例文帳に追加

特定のロット材料におけるロール目方向の情報を与えられたブランク材に対して曲げ加工を行い、前記ロール目方向に対して傾斜度合が異なる各曲げ線ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３ごとにｎ乗硬化指数ｎ、塑性係数Ｆ、ヤング率Ｅからなる真の材料定数が算出される。 - 特許庁

To provide a thermoelectric module using an N-type thermoelectric element which has superior characteristic when the ambient temperature is in a medium high temperature range about 500°C, and improve the conversion efficiency of a thermoelectric module by combining superior P-type thermoelectric material and superior N-type thermoelectric material.例文帳に追加

大気中において温度が５００℃周辺の中高温域になっても優れた特性を有するＮ型の熱電素子を用いた熱電モジュールを提供し、さらに、優れたＰ型の熱電材料と優れたＮ型の熱電材料とを組み合わせることにより、熱電モジュールの変換効率を改善する。 - 特許庁

The gradient index lens having a concentric ring structure is made of a high-refractive index material 10 [for example, TiO_2 (n=2.43)] and a low-refractive-index material 11 [for example, air (n=1.0)], and the radius difference 12 between outer peripheries of adjacent circular light transmission films is 200 nm.例文帳に追加

同心円構造を有する分布屈折率レンズは、高屈折率材料１０［例えば、ＴiＯ_2（ｎ＝２．４３）］と低屈折率材料１１［例えば、空気（ｎ＝１．０）］で構成されており、隣り合う円型光透過膜の外周の半径差１２は２００ｎｍである。 - 特許庁