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材料 nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 771



例文

A solid photovoltaic device comprises three inorganic solid materials which are a transparent n-type semiconductor compound 1, a transparent p-type semiconductor compound 3 and an absorber compound 2 arranged between the transparent n-type semiconductor compound and the transparent p-type semiconductor compound, and the absorber compound is the compound of antimony and tin comprising tin antimony sulfide.例文帳に追加

透明なn型半導体化合物1と、透明なp型半導体化合物3と、透明なn型半導体化合物と、透明なp型半導体化合物との間に配置された吸収体化合物2とをそれぞれ備える3つの無機固体材料を有する固体型光電池デバイスにおいて、前記吸収化合物は、硫化スズアンチモンからなるアンチモンとスズの化合物である固体型光電池デバイス。 - 特許庁

This compound photoelectric conversion element is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate; an n-type semiconductor layer formed on the first electrode, and oriented vertically to the substrate, in which nano carbon materials are included; a p-type organic semiconductor layer formed on the n-type semiconductor layer; and a second electrode formed on the p-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成された第1の電極と、この第1の電極上に形成され、前記基体に対し垂直に配向した、ナノカーボン材料を含むn型半導体層と、このn型半導体層上に形成されたp型有機半導体層と、このp型有機半導体層上に形成された第2の電極とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The invention relates to the material for forming mammalian artificial chromosome obtained by introducing a DNA construct comprising a mammalian telomere and centromere wherein the centromere is provided with a sequence having a plurality of CENP-B box sequences comprising following sequences: 5'-NTTCGNNNNANNCGGGN-3' (wherein N is either one of A, T, C and G), into mammalian cell.例文帳に追加

哺乳類テロメアと、セントロメアとを含むDNAコンストラクトであって、該セントロメアは、以下の配列;5’−NTTCGNNNNANNCGGGN−3’(ただし、Nは、A,T,C及びGのいずれかである)からなるCENP-B box配列を複数個有する配列を備えているDNAコンストラクトを、哺乳類細胞に導入することによって得られる、哺乳類人工染色体形成用材料。 - 特許庁

A stator connector CR includes an annular carrier structure 14 superposed on and fixed to an annular center part of a stator, the annular carrier structure 14 is manufactured from a substance over-molding an electrically insulating plastic material onto a group of N pieces of conductive members A, B and C, and the conductive members A, B and C are separated from each other and electrically insulated by the plastic material and have a generally arcuate shape.例文帳に追加

固定子コネクタCRは、固定子の環状中心部分に重畳され固定される環状キャリア構造体14を備え、この環状キャリア構造体14は、N個の導通部材A,B,Cのグループに電気絶縁プラスチック材料をオーバーモールドさせたもので製造され、それら導通部材A,B,Cは、そのプラスチック材料により互いに分離され電気的絶縁されると共に、一般的に弧状である。 - 特許庁

例文

In the color developer solution for a silver halide color photographic sensitive material comprising at least p-phenylenediamine type color developing agents, 2-35 wt.% of the p-phenylenediamine color developing agents is accounted for by a N-hydroxyalkyl-substituted p-phenylenediamine color developing agent, and the color developer solution further comprises a nitrogen-containing compound of a specific structure.例文帳に追加

少なくともp−フェニレンジアミン系発色現像主薬を含有するハロゲン化銀カラー写真感光材料用発色現像液において、該p−フェニレンジアミン系発色現像主薬の2〜35重量%がN−ヒドロキシアルキル置換−p−フェニレンジアミン系発色現像主薬であって、かつ特定構造の含窒素化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料用発色現像液である。 - 特許庁


例文

In this manufacturing method of the inkjet recording material having at least one ink accepting layer mainly containing inorganic particulates on a water-resistant substrate, a coating solution of the ink accepting layer is applied on the substrate, and in a drying process or after completion of drying thereof, a coating solution containing N-hydroxyalkylated chitosan is applied on the ink accepting layer and dried.例文帳に追加

耐水性支持体上に無機微粒子を主体に含有する少なくとも1層のインク受容層を有するインクジェット用記録材料の製造方法において、前記支持体上に、前記インク受容層の塗布液を塗布し、その乾燥過程もしくは乾燥終了後に、該インク受容層上にN−ヒドロキシアルキル化キトサンを含有する塗布液を塗布、乾燥することを特徴とするインクジェット用記録材料の製造方法。 - 特許庁

The polyvalent cation material comprises the first water- insoluble substance containing an aldehyde group and the second substance pendantly having at least 10 of the first amino groups, the material comprising bonding the first substance and the second substance through an imino group (=C=N-) and/or the secondary amino group (=CH-NH-) formed from at least one of the first amino groups and the aldehyde group, thereby attaining the above purpose.例文帳に追加

アルデヒド基を含む非水溶性の第一の物質;及び少なくとも10個の一級アミノ基をペンダント状に有する第二の物質;を有してなる多価カチオン材料であって、第一の物質と第二の物質とは、一級アミノ基のうちの少なくとも1つとアルデヒド基とから形成されるイミノ(−C=N−)基及び/又は二級アミノ(−CH−NH−)基を介して結合される多価カチオン材料により、上記課題を解決する。 - 特許庁

After bringing the base material into contact with a solution containing organoalkoxysilane SiR' _n(OR)_4-n and calcium ions, the base material is brought into contact with an aqueous solution containing calcium ions and phosphoric acid ions to form a bioactive apatite coating layer on the base material.例文帳に追加

基材を、オルガノアルコキシシランSiR´_n(OR)_4−nとカルシウムイオンを含有する溶液と接触させた後、カルシウムイオンとリン酸イオンを含有する水溶液と接触させて該基材上に生体活性なアパタイト被覆層を形成することを特徴とする生体活性材料の製造方法。 - 特許庁

A polymerizable monomer is subjected to chemical oxidative polymerization in a polymerization medium in which poly-N-vinyl acetamide (PNVA) is present, to obtain an antistatic material which improves electric conductivity of a conductive composition obtained after evaporation of the polymer medium and has excellent adhesiveness because the PNVA acts as a binder.例文帳に追加

ポリ−N−ビニルアセトアミド(PNVA)が共存する重合媒体中で重合性モノマーを化学的酸化重合することにより、重合媒体を揮散させたあとに得られる導電性組成物の電気伝導度を向上させ、かつPNVAがバインダとして作用するために密着性に優れた帯電防止材料を得ることができる。 - 特許庁

例文

The second material is preferably derived from a monomer selected from the group consisting of methacrylic acid, acrylic acid, n-vinyl pyrrolidone, potassium sulfopropyl acrylate, potassium sulfopropyl methacrylate, acrylamide, dimethylacrylamide, 2-methacryloyloxyethyl phosphorylcholine, hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and a combination thereof.例文帳に追加

好ましくは、第2の材料が、メタクリル酸、アクリル酸、n−ビニルピロリドン、カリウムスルホプロピルアクリレート、カリウムスルホプロピルメタクリレート、アクリルアミド、ジメチルアクリルアミド、2−メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン、ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレートおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるモノマー由来である。 - 特許庁

例文

The metal impurities are removed from the alkaline aqueous solution by making the alkaline aqueous solution containing metal impurities contact with a material to which at least either one selected from a N-methyl-glucamine group reacting as a chelating material to a fiber base material and an iminodiethanol group reacting as a weakly anion exchanger and a chelating material is introduced.例文帳に追加

金属不純物を含むアルカリ水溶液を、繊維母材にキレート化材として作用するN−メチルグルカミン基及び、弱塩基性陰イオン交換体及びキレート化材として作用するイミノジエタノール基の少なくとも一方を導入した材料に接触させ、前記アルカリ水溶液から前記金属不純物を除去する。 - 特許庁

A p electrode 6 as one electrode in a pair of electrodes brought into contact with each of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the p-type nitride semiconductor layer 5 consists of a transparent electrode including a transparent metallic layer 61 formed of a metal material whose optical absorption coefficient to the ultraviolet light having the luminescent wavelength is ≤5×10^4 cm^-1.例文帳に追加

n形窒化物半導体層3およびp形窒化物半導体層5それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるp電極6が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が5×10^4cm^−1以下である金属材料により形成された透明金属層61を有する透明電極からなる。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

TaとNを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素(C)を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

The switching circuit 33a is provided with: an input side transmission line in which gates of n transistors (FET) M1, M2 to Mn using silicon carbide (SiC) as the semiconductor material are cascade-connected via a coil L1; and an output side transmission line in which drains of the respective transistors M1, M2 to Mn are cascade-connected via a coil L2.例文帳に追加

スイッチング回路33aは、炭化珪素(SiC)を半導体材料とするn個のトランジスタ(FET)M1,M2,・・MnのゲートをコイルL1を介して縦続接続する入力側伝送線路と、各トランジスタM1,M2,・・MnのドレインをコイルL2を介して縦続接続する出力側伝送線路とを備える。 - 特許庁

To provide a new adsorbent comprising a unit derived from an N- alkenyl carboxylic acid amide and other monomers which can be widely used as a material for extracting a solid phase with no necessity of conditioning, liquid chromatography which does not generate hydrophobic degradation, etc., a molded body of the adsorbent and a tool for separating a compound using it.例文帳に追加

コンディショニング不要の固相抽出用、疎水性崩壊を起こさない液体クロマトグラフィー用等の材料として、広範囲に使用することができる、N−アルケニルカルボン酸アミドと他の単量体に由来するユニットを含む新規吸着剤と吸着成型体、それを用いた化合物分離用具の提供。 - 特許庁

The semiconductor device includes the switching element (TFT 12) which has a functional layer formed of an organic material and includes a source electrode 16 and a drain electrode 20, and a rectifying element (diode rectifying element 14) having a P type semiconductor portion 26 and an N type semiconductor portion 28 disposed between the source electrode 16 and drain electrode 20.例文帳に追加

半導体装置は、機能層が有機材料にて形成され、ソース電極16とドレイン電極20とを備えたスイッチング素子(TFT12)と、ソース電極16とドレイン電極20との間に配置されたP型半導体部26及びN型半導体部28を備えた整流素子(ダイオード整流素子14)と、を含む。 - 特許庁

To provide a promising bottom resist layer material as a bottom resist film for a multi-layer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process with a silicon-containing intermediate layer for instance, by having the optimum n-value, and k-value in exposure of short wavelength and having excellent etching resistance in a substrate etching condition.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なn値、k値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有2層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による3層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

According to the production method, the obtained crystal of N-tert-butylacrylamide has high purity, is not discolored in brown or in light yellow or bluish green and used in fields such as high-class cosmetics and printing materials demanding a fine hue and quality stability and low toxicity to human body.例文帳に追加

当該製造方法によれば、得られたN−tert−ブチルアクリルアミドの結晶は高純度であり、褐色や淡黄色あるいは青緑色に着色せず、高級化粧品や印刷材料など、微細な色相や品質安定性が要求され、かつ人体に対する毒性が少ないことが要求される分野に使用することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、N型トランジスタのゲート電極とP型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A master curve showing frequency characteristics and temperature characteristics of the loss tangent tanδ of the viscoelastic material is previously prepared, and the frequency of the wave form representing stress or distortion is calculated from first order to N-th order respectively using the running speed of specified unit belt body, the loss tangent tanδ corresponding to respective frequency is obtained from the master curve using the specified temperature.例文帳に追加

予め粘弾性材料の損失正接tanδの周波数特性および温度特性を示すマスターカーブを作成しておき、特定された単位ベルト体の走行速度に基づいて応力またはひずみを表す波形の周波数を1次からN次にわたってそれぞれ演算し、周波数のそれぞれに対応する損失正接tanδを、特定された温度に基づいてマスターカーブから求める。 - 特許庁

This rotary encoder is provided with a first member 10 having an NS magnetic pole part 20 alternately magnetized with N and S polarities in a ring shape inside a case body 11 made of a magnetism shielding material and a second member 50 inserted into the first member 10 and provided with the magnetoresistance effect element 70 arranged opposedly to the NS magnetic pole part 20.例文帳に追加

磁気シールド材料からなるケース11内にリング状に交互にN,S磁極を着磁してなるNS磁極部20を設けた第1の部材10と、第1の部材10内に挿入されてNS磁極部20に対向する位置に磁気抵抗効果素子70を設置してなる第2の部材50とを具備する。 - 特許庁

The liquid concentrated color developing composition for a silver halide color photographic sensitive material is diluted before use, contains an N-hydroxyalkyl substituted p-phenylenediamine color developing agent and also contains a compound represented by formula (I) and a compound represented by the formula: RSO_2M_1 or H_2N-R-AM_2.例文帳に追加

N−ヒドロキシアルキル置換されたp−フェニレンジアミン発色現像主薬を含有し、かつ下記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)または(III)で表される化合物とを含有し、希釈して使用することを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料の液体発色現像濃縮組成物。 - 特許庁

The resin part 20 includes an ethylene-α-olefin copolymer whose melt flow rate at 190°C under 21.18 N measured in accordance with JIS K6922-1 is 200 g per 10 minutes or more, and is composed of a material whose copolymerization ratio of α-olefin in the ethylene-α-olefin copolymer is 10 wt.% or more.例文帳に追加

樹脂部20は、JIS K6922−1に準拠して測定される190℃、21.18Nにおけるメルトフローレイトが200g/10min.以上のエチレン−αオレフィン共重合体を含有し、前記エチレン−αオレフィン共重合体におけるαオレフィンの共重合比率が10質量%以上である材料より形成する。 - 特許庁

The organic EL element is manufactured by using, as a material for a light-emitting layer, a compound as a basic skeleton having a condensed ring formed of an indole ring and a fluorene ring, where the compound has arbitrary hydrogen (preferably hydrogen at the 9-position of the fluorene structure) replaced by alkyl, aryl or the like and has an N atom substituted with aryl in the indole structure.例文帳に追加

インドール環とフルオレン環とで形成される縮合環を基本骨格として、この縮合環の任意の水素(好ましくはフルオレン構造の9位の水素)をアルキルやアリールなどで置換すると共に、インドール構造のNにアリールを置換させた化合物を発光層用の材料として用いて、有機EL素子を製造する。 - 特許庁

At least a part of the cyano group (-C≡N) of the polymeric material is converted to a molecular structure part having an imidamino structure by adding an amino compound to the polymeric material having the cyano group and, if necessary at least a part thereof is further converted to either one of an acid salt, a quaternary ammonium salt and a hydrolyzate structure part to yield a polymeric flocculant.例文帳に追加

シアノ基を有する高分子材料にアミノ化合物を付加することでシアノ基(−C≡N)の少なくとも一部をイミダミノ構造を有する分子構造部に変換し、さらに必要に応じて少なくともその一部を酸塩、四級アンモニウム塩、加水分解構造部のいずれかに変換することにより、高分子凝集剤とする。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material having an optimum n value and k value in exposure to short-wavelength light, excellent also in etching resistance under substrate etching conditions, and having promise as a resist underlayer film for a multilayer resist process such as a silicon-containing two-layer resist process or a three-layer resist process using a silicon-containing intermediate layer film.例文帳に追加

短波長の露光において、最適なn値、k値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有2層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層膜による3層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

This ceramic complex for transplantation includes an apatite substrate phase, a secondary phase positioning n the substrate phase and comprising a ceramic material as a reinforcement, and a barrier layer comprising a ceramic material coating on the secondary phase, positioning in between the substrate phase and the secondary phase and suppressing an interface reaction reacted between the substrate phase and the secondary phase.例文帳に追加

アパタイト素地相と、該素地相内に位置する、補強材としてのセラミック材料からなる2次相と、該2次相をコーティングして、前記素地相と前記2次相間に位置し、前記素地相と前記2次相間との間で生じる界面反応を抑制するセラミック材からなる障壁層とを含んでなることを特徴とする生体移植用セラミック複合体。 - 特許庁

The negative electrode active substance material includes a negative electrode active material body whose surface is coated with a polymer having a carbonate structure represented by chemical formula 1, where (n) represents an integer of 2 to 100, each R^1 independently represents a 1 to 10C alkyl group and each R^2 independently represents a 2 to 5C alkylene group.例文帳に追加

負極活物質材料は、負極活物質本体の表面の少なくとも一部が、下記化学式1で表されるカーボネート構造を有する重合体で被覆されてなる;式中、nは2〜100の整数を表し、R^1はそれぞれ独立して炭素原子数1〜10のアルキル基を表し、R^2はそれぞれ独立して炭素原子数2〜5のアルキレン基を表す。 - 特許庁

The inertial latch 6a that is a member constituting a latching mechanism is made of a plastic material prepared by blending a nonmagnetic metal powder filler using polyamido or polyurethane as a base containing both N-H and C=O in a polymer main chain to improve compatibility with additives to have a specific gravity of 3 to 6.例文帳に追加

ラッチ機構を構成する部材である慣性ラッチ6aを、ポリマー主鎖に添加物との相溶性を良好にするN−H基及びC=O基双方を有する、ポリアミドもしくはポリウレタンをベースに非磁性金属系粉末状充填材を配合して比重を3〜6としたプラスチック材料によって成形してなることとする。 - 特許庁

The dental material comprises at least one polymerizable calix[n]arene of the formula(I), an initiator, at least one additional monomer polymerizable under cationic polymerization conditions and/or radical-polymerization conditions and/or by ring opening, a (meth)acrylate or polyfunctional (meth)acrylate polymerizable by ring opening, a filler and an additive.例文帳に追加

次の成分:式(I)による少なくとも1つの重合可能なカリックス[n]アレーン、開始剤、カチオン重合条件下および/またはラジカル重合条件下でおよび/または開環によって重合しうる少なくとも1つの付加的なモノマー、開環によって重合しうる(メタ)アクリレートまたは多官能価(メタ)アクリレート、充填剤および添加剤から構成されている歯科材料によって達成される。 - 特許庁

The invented sheet metal working system is equipped with a robot 3 which separates the blanks A, B and C one by one from the sheet material S comprising the blanks A, B and C connected by the microjoints J and carried, and feeds each blank to the bending machine 2, according to a bending program PRG incorporating the nesting information N and material information Z.例文帳に追加

ネスティング情報N及び材料情報Zを組み込んだ曲げ加工プログラムPRGに従って、ブランク材A、B、CがミクロジョイントJで連結されたまま搬入されたシート材Sから各ブランク材A、B、Cを1枚ずつ分離して曲げ加工機2側へ供給するロボット3を有する。 - 特許庁

In manufacturing the oil-resisting paper, an oil resistance treating agent comprising a composition (I) comprising a cationic fluorine-containing copolymer (A) having a polymer unit (a') based on a monomer (a) having a 1-6C perfluoroalkyl group and a composition (II) comprising a polymer (B) containing a polymer unit based on N-vinylformamide is added to materials constituting paper.例文帳に追加

耐油紙を製造する際、炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を有する単量体(a)に基づく重合単位(a’)を有するカチオン性含フッ素共重合体(A)を含有する組成物(I)と、N−ビニルホルムアミドに基づく重合単位を含む重合体(B)を含有する組成物(II)とからなる耐油処理剤を、紙の構成材料に添加する。 - 特許庁

A barrier laminated film is obtained by successively laminating a gas barrier film layer 3, which is based on an alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals including lithium and n is a molar ratio of 2-10), and an overcoat layer 4 on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材1の片面もしくは両面に、M_2 O・nSiO_2 (Mはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、nはモル比で2〜10の範囲内)で表されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層3、オーバーコート層4を順次積層したバリア性積層フィルム。 - 特許庁

This health care instrument optimally exerts the effects of the magnetic line and infrared rays by using characteristics of Sm-Fe-N rare-earth magnet powder having high corrosion and oxidation resistance, and using glass bond exerting a large infrared transmission property and having a large rigidity compared with that of a resin for binding mixture powder between the magnet powder and infrared radiation material powder.例文帳に追加

耐食性・耐酸化性の大きいSm—Fe−N希土類磁石粉末の特性を利用し、赤外線放射材料粉末との混合粉末の結合に赤外線透過能が大きく、樹脂に比べて硬度の大きいガラスボンドを利用して、磁力線及び赤外線の効果を最大限発揮させるようにした。 - 特許庁

There are provided a semiconductor light-emitting element 10 for emitting light; a phosphor for absorbing at least a part of the light emitted from the semiconductor light-emitting element to convert the wavelengths thereof; and a sealing material 5 formed of an inorganic material for at least partially forming an Si-N bond to hold the phosphor and seal the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

光を放射する半導体発光素子10と、半導体発光素子から放射された光の少なくとも一部を吸収したのち波長変換された光を出射する蛍光体と、光透過性を有し、珪素−窒素結合を少なくとも一部に有する無機材料からなり、蛍光体を保持し、半導体発光素子を封止する封止材5と、を有する。 - 特許庁

An optical recording medium 10 is capable of absorbing a laser beam with a wavelength of 350 to 530 nm, and comprises a recording layer 2 which is formed by using, as an optical recording material, a pigment a containing a metal complex compound containing at least a pyrazine N-oxide compound represented by the general formula [I] as a diazo component.例文帳に追加

光学記録媒体10は、波長350〜530nmのレーザ光を吸収し得るものであって、一般式[I]に示すピリジンN−オキシド化合物をジアゾ成分として少なくとも含んでいることを特徴とする金属錯体化合物からなる色素aを光記録材料とすることにより記録層2を構成したものである。 - 特許庁

A P type semiconductor and an N type semiconductor are formed in a sheet form by mixing metals by a prescribed component ratio, the sheets are cut by a prescribed thermoelectric element specification, sheets 101 of the same material which are made of the metals mixed by the prescribed component ratio and then cut are laminated, the laminated sheets are crimped to generate a final thermoelectric element 100.例文帳に追加

金属を予め決められた成分比で混合してP型半導体またはN型半導体をシート形態で形成し、該シートを予め決められた熱電素子スペックによってカットし、予め決められた成分比で混合されてカットされた同一材料のシート101を積層し、該積層されたシートを圧着して最終熱電素子100を生成する。 - 特許庁

To provide a polymer material capable of giving a polymer electrolyte which exhibits not only excellent processability, durable stability, heat resistance, solvent resistance and mechanical characteristics but also excellent ionic conductivity by introducing sulfonic acid groups or phosphonic acid groups exchibiting specific ionic conductivity into a polyimidazole-based polymer having excellent heat resistance, mechanical characteristics or the like to induce solubility in N-methyl-2-pyrrolidone.例文帳に追加

耐熱性、機械特性など優れた性質を持つポリイミダゾール系ポリマーにN−メチル−2−ピロリドンへの溶解性を引き出す形で特定のイオン伝導性を示すスルホン酸基またはホスホン酸基を導入することにより、加工性、耐久安定性、耐熱性、耐溶剤性、機械特性だけでなくイオン伝導性、加工性、にも優れた高分子電解質となりうる高分子材料を得る。 - 特許庁

A gas barrier film is obtained by laminating a gas barrier film based on alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals containing lithium and n is a molar ratio of 1-20) and a water soluble polymer or/and a nitrogen compd. on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の片面もしくは両面に、M_2O・nSiO_2(Mはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、nはモル比で1〜20の範囲内)で表されるアルカリ金属ポリシリケートと、水溶性高分子または/および窒素化合物を主成分とするガスバリア性被膜を積層することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

The liquid crystal element material is characterized in that nano-particles 12 protected with a polymer compound 14 are dispersed into a liquid crystal matrix 11, wherein the polymer compound 14 has a molecular weight of 5,000 or more and has functional groups including any of nitrogen atom (N), oxygen atom (O), phosphorus atom (P) and sulfur atom (S).例文帳に追加

液晶母体11に高分子化合物14で保護したナノ粒子12を分散させたことを特徴とする液晶素子材料であり、また、高分子化合物14は、分子量が5,000以上であって、窒素原子(N),酸素原子(O),リン原子(P),イオウ原子(S)のいずれかを含む官能基を有するものである。 - 特許庁

The crosslinkable diphenylsulfone compound is represented by general formula (1) (wherein, n is an integer of 1-10), and the thermal recording material is provided by forming on a support, a thermally color-developing layer containing a thermal recording developer comprising the crosslinkable diphenylsulfone compound, and a colorless or light color leuco dye.例文帳に追加

一般式(1)(式中、nは、1〜10の整数を表す。)で表されるジフェニルスルホン架橋型化合物、及びこのジフェニルスルホン架橋型化合物からなる感熱記録用顕色物質と、無色又は淡色のロイコ染料からなる発色物質とを含有する感熱発色層を支持体上に設けてなる感熱記録材料である。 - 特許庁

A film 6 is formed on a substrate 5 by applying a coating liquid containing photosensitive layer forming materials and a solvent in which a solvent whose relative evaporation rate represented by following expression (1) is <1.7 is contained in an amount of30 wt.%; expression (1): (relative evaporation rate)=(time in which n-butyl acetate evaporates)/(time in which solvent evaporates).例文帳に追加

感光層形成材料と、下記式(1)で示す相対蒸発速度が1.7未満の溶剤が30重量%以上含まれる溶媒とを含む塗布液を塗布した塗膜6を、たとえば乾燥装置1を用いて、誘導加熱手段2によって基体5の温度を60℃以上150℃以下に加熱し、その後遠赤外線加熱手段3によって加熱し乾燥させることによって塗膜形成基体を製造する。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有2層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、248nm、193nm、157nmの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A large number of holes are bored in the light receiving surface of silicon having P-type and N-type, a substance which is transparent to sunlight and a material for converting the wavelength of sunlight not contributive to photoelectric conversion of silicon into a wavelength contributive to photoelectric conversion are fitted simultaneously in the bores to project on its virtual plane, and then printed, thus obtaining a solar cell that condenses incident sunlight efficiently.例文帳に追加

P型及びN型を有するシリコンの受光表面に、多数の穿孔を施し、その仮想平面上に突出する様に、太陽光に対して透明物質及びシリコンの光電変換に寄与しない太陽光波長を寄与する波長に変換する材料を同時に当該穿孔に嵌め、刷り込む事によって、効率良く太陽光を集光出来る太陽電池。 - 特許庁

Accordingly, even when high n-ratio is accomplished by selecting the first to the fourth high refractive index films 3, 5, 7 and 9, and the materials of the second low refractive index layers 4 and 8, the second and the fourth high refractive index films 5 and 9 do not warp, thus the Fabry-Perot interferometer equipped with an optical multilayer mirror having a broad high reflection band is provided.例文帳に追加

したがって、第1〜第4高屈折率膜3、5、7、9や第1、第2低屈折率層4、8の材料の選択により、高n比を達成した場合にも、第2、第4高屈折率膜5、9が反る等の問題が発生しないため、高反射帯域が広い光学多層膜ミラーを備えたファブリペロー干渉計とすることが可能となる。 - 特許庁

On one face or both faces of a base material consisting of a plastic material, a gas barrier coating film layer in which an alkali metal polysilicate expressed by M_2O.nSiO_2 (wherein M is Lithium or a plurality of alkali metals containing Lithium and n is molar ratio and within 1-20) is a main ingredient and a deposited layer consisting of an inorganic oxide are at least successively laminated.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の片面もしくは両面に、M_2O・nSiO_2(Mはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、nはモル比で1〜20の範囲内)で示されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層と無機酸化物からなる蒸着層が少なくとも順次積層させる。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子1では、n型単結晶シリコン基板2を含む半導体各層(2〜4、9および10)と、半導体各層(2〜4、9および10)上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔7aを有する透光性材料からなるZnO層7とを備えている。 - 特許庁

To obtain the subject new compound capable of increasing a nematic- isotropic phase transition temperature (N-I point) of a liquid crystal composition and lowering a threshold voltage VTh by mixing to the liquid crystal composition.例文帳に追加

種々の液晶化合物との充分な相互溶解性が得られ、液晶組成物の構成物質として多くの液晶材料と組み合わせて使用することができ、液晶組成物N−I点を高くし、液晶組成物のVthを低くし、また複屈折を小さくすることができる、液晶組成物の特性改良に有用な新規なエステル化合物の提供。 - 特許庁

To provide a silane-terminated polyether derivative imparting a preparation using the silane-terminated polyether as a base which manifests ≥1 N/mm^2 of tear strength and 25-80 of Shore A hardness after processing for 60-240 sec, and having an excellent mixing property of each component and a low viscosity as possible and the cured material has a high elongation at break.例文帳に追加

シラン末端のポリエーテル誘導体をベースとして、60〜240sの加工時間で硬化後に1N/mm^2を上回る引裂抵抗及び25〜80のショアA硬度を有し、かつ個々の成分の容易な混合性もしくはできる限り低い粘度並びに硬化した材料の高い破断点伸びを特徴とする調製物を得ることができるシラン末端のポリエーテル誘導体を提供すること - 特許庁

例文

In a junction FET using silicon carbide as a substrate material, impurities are doped to a vicinity of a p-n junction between a gate region GR and a channel-formed region, the impurities having a conductive type which is reverse to that of impurities doped in the gate region GR and same as that of impurities doped in the channel-formed region.例文帳に追加

炭化シリコンを基板材料として使用した接合FETにおいて、ゲート領域GRとチャネル形成領域との間のpn接合近傍に、ゲート領域GRに導入されている不純物とは逆導電型であり、チャネル形成領域に導入されている不純物と同じ導電型の不純物を導入する。 - 特許庁

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