「材料 n」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal material has a resistance value smaller than that of a metal material used for a gate electrode 27 for p-types, and is used for a gate electrode 25 for n-types and gate wiring 26.例文帳に追加

Ｐ型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をＮ型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。 - 特許庁

The ferrous material containing 8-11 at.% of N in its part or entirety and having a hard phase of Hv 700 or higher hardness is formed by nitriding a ferrous material constituted of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

Feおよび不可避的不純物からなる鉄形材料を窒化して、その一部または全体に、Ｎ：８at％以上11at％以下含有し、硬さがHv700以上の硬質相を有する鉄系材料とする。 - 特許庁

The n-type transistor has a second work function, and a second gate electrode formed of a second material layer 211-2 rich in a second metal material.例文帳に追加

前記Ｎ型のトランジスタは、第２の仕事関数値を有し、第２の金属材料に富んだ第２材料層２１１−２より成る第２ゲート電極を有する。 - 特許庁

For example, when a chiral material C1 is added to a nematic liquid crystal N, the chiral material C1 used is one containing a mixture of enantiomers S and R which have optically active sites and directions of optical rotation opposite to each other.例文帳に追加

例えば、ネマチック液晶Ｎにカイラル材料Ｃ１を添加するに際して、カイラル材料Ｃ１として、光学活性部位を有し旋光方向が互いに逆方向の鏡像異性体Ｓ、Ｒの混合物を含むものを用いる。 - 特許庁

The thermoelectric element is formed by electrically connecting a p-type semiconductor element block 10p formed of a first thermoelectric material 11p, and an n-type semiconductor element block 10n formed of a second thermoelectric material 11n.例文帳に追加

熱電素子は、第１の熱電材料１１ｐよりなるＰ型半導体素子ブロック１０ｐと、第２の熱電材料１１ｎよりなるＮ型半導体素子ブロック１０ｎとを電気的に接続したものである。 - 特許庁

This sealing agent layer 10 is constituted of a material with the main component, having a tensile strength of 0.02 N/mm^2 or higher at 5 mm or higher for the tensile strain, for example, polyamide resin with an amine value within a range of 50 to 200.例文帳に追加

このシール剤層１０は、引張り歪み５ｍｍにおける引張り強度が０．０２Ｎ／ｍｍ^２以上の材料、例えば、アミン価が５０〜２００の範囲にあるポリアミド樹脂を主成分とする材料からなる。 - 特許庁

The end faces 5a of the P-type thermoelectric materials 3 and the N-type thermoelectric materials 4 at the first substrate side are slipped closer to both the end sides of the first substrate 10a comparing to the end faces 5b at the second substrate side and the closer to both the ends, the larger in slippage.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料３およびＮ型熱電材料４の第１基板側端面５ａは第２基板側端面５ｂに比べ第１基板１０ａの両端部側にずれており、そのずれ量は両端部に近い程大きい。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 1 has a structure in which a thin film shaped n-type thermoelectric member 11 with a thickness of 5μm and a thin film shaped p-type thermoelectric member 12 with a thickness of 5μm are formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

熱電変換素子１は、基板１０の表面上に、厚さ５μｍの薄膜状のｎ型熱電材料部１１と厚さ５μｍの薄膜状のｐ型熱電材料部１２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

The thermoelectric cooling-type power lead comprises a thermoelectric cooling element which is composed of an N-type thermoelectric material connected to the positive pole of the power supply and a P-type thermoelectric material connected to the negative pole of the power supply.例文帳に追加

電源の正極に接続されたＮ型熱電材料と電源の負極に接続されたＰ型熱電材料とから成る熱電冷却素子を含む。 - 特許庁

To provide a cement-based material providing enormously high effect on reduction of CO_2 emission, and meeting strength applicable as the structural material of buildings, e.g. ≥18 N/mm^2 of 28 days compression strength.例文帳に追加

ＣＯ_2排出量削減効果が非常に高く、かつ、建築物の構造材料として適用可能な強度（例えば２８日圧縮強度が１８Ｎ／ｍｍ^2以上）を満たすことのできるセメント系材料を提供する。 - 特許庁

When the film thickness of the light-transmissive material layer is T (nm), the wavelength of incident light is λ (nm) and the refractive index of the light-transmissive material layer is (n), the film thickness T satisfies the relation T<λ/(2n).例文帳に追加

前記透光材料層の膜厚をＴ（nm）、入射する光の波長をλ（nm）、前記透光材料層の屈折率をｎとするとき、前記膜厚（Ｔ）が、Ｔ＜λ／(2ｎ)の関係式を満足する偏光子を提供する。 - 特許庁

The amorphous composite material having N pieces of different compositions, i.e., consisting of a laminar or columnar structure having different material characteristics is manufacture by using this apparatus.例文帳に追加

この装置を用いて、Ｎ個の、異なる組成、すなわち、異なる材料特性を持つ、層あるいはコラム構造からなる、アモルファス複合材料を作製することができた。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion element capable of reducing contact resistance following junction between a p-type thermoelectric conversion material and an n-type thermoelectric conversion material, and to provide a thermoelectric conversion module and a method of manufacturing the thermoelectric conversion element.例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料とｎ型熱電変換材料との接合に伴う接触抵抗を低減できる熱電変換素子、熱電変換モジュール、および熱電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a subsequent electrode forming step, electrodes 33 are formed so that the n-type thermoelectric material 21 and the p-type thermoelectric material 22 exposed to the both surfaces of the blocks 10a are alternately electrically connected to each other in series.例文帳に追加

続いて電極形成工程では、ブロック１０ａの両面に露出するｎ型熱電材料２１とｐ型熱電材料２２とが交互に電気的に直列に接続されるように、電極３３を形成する。 - 特許庁

To provide a novel material exhibiting favorable thermoelectric conversion performance in a medium temperature region, excellent in durability and useful as an n-type thermoelectric conversion material.例文帳に追加

中温域において良好な熱電変換性能を示し、且つ耐久性に優れた、ｎ型熱電変換材料として有用な新規な材料を提供する。 - 特許庁

By making use of this device, an amorphous composite material with a circular section having N pieces of different compositions, or different material characteristics in the radial direction can be prepared.例文帳に追加

この装置を用いて、半径方向にＮ個の、異なる組成、すなわち、異なる材料特性を持つ、円形断面のアモルファス複合材料を作製することができた。 - 特許庁

To provide a manufacturing method employing a liquid quenching method which can acquire an N-type Bi_2Te_3-based thermoelectric material having an excellent performance index.例文帳に追加

液体急冷法を用いた熱電材料の製造方法において、性能指数に優れたＮ型のＢｉ_2Ｔｅ_3系熱電材料が得られる製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a 1st gate electrode material for the n-MIS and a 2nd gate electrode material for the p-MIS can be mutually exchanged, so that processes can be simplified.例文帳に追加

ここで、ｎＭＩＳ向けの第１ゲート電極材料とｐＭＩＳ向け第２ゲート電極材料とは相互に変換することが可能であり、プロセスを単純化することが可能である。 - 特許庁

To provide technology of producing a material reduced in the contents of impurities, particularlly those of C, N and O in response to a request of reducing impurities for a high purity metallic material used for forming a metallic thin film.例文帳に追加

金属薄膜を形成するために使用する高純度金属材料に対する、不純物を減らすという要求に応え、不純物とりわけＣ，ＮおよびＯの含有量を低減した材料を製造する技術を提供する。 - 特許庁

According to the N-H bond, this hydrogen storage nitride material can store a large quantity of hydrogen safely.例文帳に追加

本水素貯蔵窒化物材料は、Ｎ−Ｈ結合により、安全に大量の水素を貯蔵することができる。 - 特許庁

This polyacetal composite material comprises (a) a polyacetal resin, (b) an inorganic filler, and (c) an N-vinyl carboxylic acid amide-based resin.例文帳に追加

（ａ）ポリアセタール樹脂、（ｂ）無機充填剤および（ｃ）Ｎ−ビニルカルボン酸アミド系樹脂からなるポリアセタール複合材料である。 - 特許庁

N-phenyl carbazole derivative polymer having a specific repeating unit is used as the organic light emitting material.例文帳に追加

特定の繰り返し単位を有するＮ−フェニルカルバゾール誘導体ポリマーを有機発光材料として使用する。 - 特許庁

The excitation seeds of the nitrogen gas so reacts on the excitation seeds for silicon and carbon as to deposit the Si-C-N material on a substrate.例文帳に追加

窒素ガスの励起種は基板上にＳｉ−Ｃ−Ｎ材料を蒸着するようシリコン及び炭素の励起種と反応する。 - 特許庁

CATALYST FOR FUEL CELL CONTAINING RuTe2 AND N ELEMENT, AND ELECTRODE MATERIAL FOR FUEL CELL USING THIS CATALYST FOR FUEL CELL, AND FUEL CELL例文帳に追加

ＲｕＴｅ２及びＮ元素を含む燃料電池用触媒と、この燃料電池用触媒を用いた燃料電池用電極材料及び燃料電池 - 特許庁

CARBON, NITROGEN DOPED RARE EARTH MULTI-BORIDE BASED HIGH TEMPERATURE ACID RESISTANT n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物系高温耐酸性ｎ型熱電材料とその製造方法 - 特許庁

A joining member 20 formed of a conductive material connects the p-electrode and the n-electrodes with positive and negative electrodes, respectively.例文帳に追加

導電性材料からなる接合部材20は、発光素子のｐ，ｎ電極および支持基板の正，負電極をそれぞれ接続する。 - 特許庁

Mixing of the positive electrode material with N-methyl pyrrolidone solution forms a slurry which serves as a positive electrode mixture.例文帳に追加

この正極材料をＮ−メチルピロリドン溶液に混合することにより正極合剤としてのスラリーを作製する。 - 特許庁

The optical material comprises at least N-vinylcarbazole, vinyl benzoate and a photopolymerization initiator.例文帳に追加

少なくとも、Ｎ−ビニルカルバゾールと、安息香酸ビニル、及び光重合開始剤からなることを特徴とする光学材料。 - 特許庁

This organic electric field light-emitting element contains a diamine compound having an N-phenyl carbazole substituent as host material in a light-emitting layer.例文帳に追加

発光層に、Ｎ−フェニルカルバゾール置換基を有するジアミン化合物をホスト材料として含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

Further, a liquid crystal mixture in which a liquid crystal material is 4'-n-pentyl-4-cyanobiphenyl (5CB) of formula 1.例文帳に追加

また液晶材料が式１の４′−ｎ−ペンチル−４−シアノビフェニル（５ＣＢ）である液晶混合物。 - 特許庁

The anode 22 contains a carbon material, and also a lithium-content compound (Li_3-a M_a N) as an anode active substance.例文帳に追加

負極２２は、負極活物質として炭素材料と共にリチウム含有化合物（Ｌｉ_3-ａ Ｍ_ａ Ｎ）を含んでいる。 - 特許庁

To provide a bis(N-arylpyrrole) compound having fluorescence in visible region, and usable as a luminescent material.例文帳に追加

発光材料として利用できる可視部に蛍光を有するビス（Ｎ−アリールピロール）化合物の提供を目的とする。 - 特許庁

The temperature response polymer is a polymeric material for changing a structure in response to the temperature, and poly(N-isopropyl acrylamide) is used.例文帳に追加

温度応答性ポリマーは、温度に応答して構造を変化させる高分子材料であり、ポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）が用いられる。 - 特許庁

The polymer material is formed into a triangle, as shown in structure 120, in the repetition unit n=3, where symbol E represents the trans-type imine.例文帳に追加

一方繰り返し単位ｎ＝３の場合、高分子材料は構造１２０に示されるように三角形をなし、記号Ｅは、トランス型のイミンを示す。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The detector is produced by diffusing ions on one side of the semiconductor material in order to produce an n-layer.例文帳に追加

上記検出器は半導体材料の一面にイオンを分散してｎ−層を作ることによって作られる。 - 特許庁

B-C-N COMPOSITE MATERIAL FOR ELECTRODE OF ELECTRIC ENERGY STORAGE DEVICE AND ELECTRODE USING THE SAME例文帳に追加

電気エネルギー貯蔵デバイスの電極用Ｂ−Ｃ−Ｎコンポジット材料及びそれを用いた電極 - 特許庁

A material ingot is pulverized, and it is solidified and molded to make solid and molded p-type and n-type thermoelectric element materials.例文帳に追加

原料インゴットを粉末化した後、固化成形してｐ型及びｎ型熱電材料の固化成形体とする。 - 特許庁

An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁

The scalar product of feature vectors and coefficient vectors in N-dimensional spaces are employed as the evaluation index to execute the evaluation of material automatically with a higher accuracy.例文帳に追加

Ｎ次元空間の特徴量ベクトルと係数ベクトルとの内積を評価指数として寄り高精度に自動的に材料評価を実行する。 - 特許庁

In this magnetic rubber encoder 1, magnetic poles N, S are alternately in the circumferential direction on an annular magnetism generation member 2 comprising rubber containing a magnet material.例文帳に追加

磁石材料を含むゴムからなる環状の磁気発生部材２に、円周方向に交互に磁極Ｎ，Ｓを着磁した磁気ゴムエンコーダ１とする。 - 特許庁

A method is provided for manufacturing an n-type organic semiconductor material by introducing an electron-affinity boron complex into an organic pi-electron system.例文帳に追加

本発明では、電子親和性のホウ素錯体を有機パイ電子系に導入してｎ型有機半導体材料を製造する方法を開発した。 - 特許庁

NEW N-SULFONYLOXYDICARBOXIMIDE COMPOUND, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

新規Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

Next, N-methyl-2-pyrolidone is added to the negative electrode material, and they are kneaded to prepare negative mix slurry.例文帳に追加

次いで、この負極材料にＮ−メチル−２−ピロリドンを添加し、これを混練することにより負極合剤としてのスラリーを作製する。 - 特許庁

The polymer material is formed into a square, as shown in structure 110, in a repetition unit n=2, where symbol Z represents cis-type imine.例文帳に追加

繰り返し単位ｎ＝２の場合、高分子材料は構造１１０に示されるように正方形をなし、記号Ｚはシス型のイミンを表す。 - 特許庁