「薄膜接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

難燃加工を施した透孔布帛７の片面に、金属薄膜３或いは金属薄膜３の片面又は両面に有色薄膜４，５を積層した積層膜２を接着剤６で接合することを特徴とする薄膜模様層を有する難燃性透孔布帛１０の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the flame resistant lace stitch cloth 10 with a thin film pattern layer comprises the joint of a laminated layer 2 comprising a metallic thin film 3 or a colored thin film 4, 5 overlying one side or both sides of a metallic thin film 3 by using an adhesive 6 to one side of the lace stitch cloth 7 with a flame proofing finish. - 特許庁

半導体素子１２と基板１１とが接合層１３によって接合された半導体装置１０であって、基板にはその外表面に薄膜１５が形成され、薄膜のうち、半導体素子１２と非接合な部分の薄膜には亀裂１７が形成され、基板上の薄膜は亀裂によって断続的に配置されている。例文帳に追加

The semiconductor device 10 has a semiconductor element 12 and the substrate 11 joined together with the junction layer 13, wherein the thin film 15 is formed on the external surface of the substrate, and a crack 17 is formed in the thin film at a part not joined to the semiconductor element 12, so the thin film on the substrate is arranged discontinuously by the crack. - 特許庁

一方のシリコン部材の接合面に膜厚２０ｎｍ以下のＡｕ薄膜を形成するＡｕ薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Ａｕ薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とする。例文帳に追加

This method comprises an Au thin film formation step for forming an Au thin film of 20 nm or less in thickness on a bonding surface of one silicon member and a heating step for making a bonding surface of the other silicon member and the Au thin film come in contact with each other and heating at a prescribed temperature. - 特許庁

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。例文帳に追加

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co. - 特許庁

或いは、上部基板に形成された絶縁性薄膜の光導波路基板との接合面に相対する界面、又は、光導波路基板に形成された絶縁性薄膜の上部基板との接合面に相対する界面に導電性薄膜を形成する。例文帳に追加

Or the conductive thin film is formed on a boundary facing the joint surface of the insulative thin film form on the upper substrate with the optical waveguide substrate or the boundary facing the joint surface of the insulative thin film formed on the optical waveguide substrate with the upper substrate. - 特許庁

一面に金属薄膜が形成された第１のガラス基板と、金属薄膜によって陽極接合された第２のガラス基板と、を備える接合基板である。例文帳に追加

The bonding substrate is provided with a first glass substrate that is formed with a metal thin film on its one surface and with a second glass substrate that is anode bonded by the metal thin film. - 特許庁

上側電極４の上面には上側熱良導性電気絶縁薄膜６が接合され、下側電極３の下面には下側熱良導性電気絶縁薄膜５が接合されている。例文帳に追加

The thermoelectric element is constituted in such a way that an upper electrical insulating thin film 6 having good thermal conductivity is joined to the upper surface of an upper electrode 4, and a lower electrical insulating thin film 5 having good thermal conductivity is joined to the lower surface of a lower electrode 3. - 特許庁

熱電変換モジュール（1）は、熱電薄膜（15,16）と接合部（21,22）とを有する熱電変換部（10）と、該熱電薄膜（15,16）の両側の面に対向配置され、各接合部（21,22）に接触する伝熱板（41,42）とを備えている。例文帳に追加

A thermoelectric conversion module (1) comprises a thermoelectric conversion part (10) having thermoelectric thin films (15, 16) and junctions (21, 22), and heat exchanger plates (41, 42) opposed to each other on both faces of the thermoelectric thin films (15, 16) and contacting each of the junctions (21, 22). - 特許庁

強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive element in which a ferromagnetic conductor thin film and a tunnel barrier thin film can be bonded with sufficient alignment, thereby preventing the characteristics from deteriorating due to poor bonding. - 特許庁

接合基材３００はシロキサン結合と脱離基とを含む薄膜に活性化処理を施した接合膜３２０を有している。例文帳に追加

A joining base material 300 has a joining film 320 made by applying an activation treatment to a thin film including a siloxane bond and an elimination group. - 特許庁

その結果、薄膜電極１４の側縁部１４ａと導線１６とが接合し、前記球状導体が冷却固化して接合部が形成される。例文帳に追加

As a result, the side edge part 14a of the thin film electrode 14 is bonded to the conductive wire 16, and the spherical conductor is cooled and solidified to form a bonded part. - 特許庁

ＡＣＦ等の薄膜の接合材料を用いることなく、高速かつ高精細な実装を可能とする接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a joining method which is capable of carrying out a mounting operation quickly with high accuracy without using a joining material of thin film, such as ACF etc. - 特許庁

薄膜型能動ポンプは、キャビティ板の下部に接合され、キャビティ板に接合面を介して運動を起す。例文帳に追加

The thin film type active pump is connected to the lower part of the cavity plate and moves the cavity plate through the connecting surface. - 特許庁

光起電力素子として、ｎ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とｐ型不純物半導体であるシリコン系薄膜とが真性半導体であるシリコン系薄膜を介して接合され、且つこれらシリコン系薄膜の少なくとも１つが例えば０．００５原子％〜５原子％の濃度の塩素原子を含有するシリコン系薄膜である積層体を構成要素とする光起電力素子を使用する。例文帳に追加

As a photovoltaic element used is a photovoltaic element including as a component a laminate wherein an n-type impurity semiconductor silicon thin film and a p-type impurity semiconductor silicon thin film are bonded via an intrinsic semiconductor silicon thin film, and at least one of those silicon thin films is a silicon thin film containing chlorine atoms at a concentration of, for example, 0.005 to 5 atom.%. - 特許庁

強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。例文帳に追加

Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film. - 特許庁

アルミニウム又はアルミニウム合金よりなるコア材の片面若しくは両面に、アルミニウム箔からなる薄膜が接合されており、前記コア材と薄膜とは金属的接合と機械的接合とのミックス状態で接合されていることを特徴とする。例文帳に追加

The sound-absorbing material is such that a thin film made of aluminum foil is jointed to one surface or both surfaces of a core material made of aluminum or aluminum alloy, and the core material and thin film are joined mixedly by metallic jointing and mechanical jointing. - 特許庁

この端末構造は、超電導薄膜に対向される接合面を有する一端側と、常電導導体部703に接続される他端側とを有する常電導接続部材709と、超電導線材1の端部における超電導薄膜15と接合面とを接合する導電接合材3とを備える。例文帳に追加

The terminal structure includes a normal conductive connecting member 709 having one end side with a bonding face opposed to the super-conductive thin film and the other end side bonded to the normal conductive part 703, and a conductive bonding material 3 bonding the super-conductive thin film 15 to the bonding face at the end of the super-conductive wire 1. - 特許庁

この接合体は、金属薄膜をセラミックス基材上に形成させて接合体を製造するに際し、セラミックス基材に薄膜金属と合金化し得る金属またはその化合物の均一溶液を塗布、乾燥および焼成して基材上に薄膜金属と合金化し得る金属を含有する中間層を形成させた後、該中間層上に金属薄膜を形成させることにより製造される。例文帳に追加

The joined body is produced by applying a uniform solution of a metal capable of alloying with a thin film metal or a compound thereof on a ceramic base material, and performing drying and firing to form an intermediate layer containing the metal capable of alloying with the thin film metal on the base material, and thereafter depositing a metallic thin film on the intermediate layer. - 特許庁

第１基板１２０が予め設定された設定反り形状となるように、設定反り形状と予め対応付けられた雰囲気圧力にて、薄膜を第１基板１２０の接合面に形成する薄膜形成工程と、薄膜が形成された第１基板１２０と、第２基板１１０と、を接着材１１３，１２２を介し、挟圧して接合する接合工程と、により接合体１４０を製造するようにした。例文帳に追加

The junction structure 140 is manufactured by the steps of: forming a thin film on a junction surface of a first substrate 120 by an ambient pressure associated beforehand with a preset warp shape so that the first substrate 120 has the preset warp shape; and joining the first substrate 120 where the thin film is formed and a second substrate 110 by compression by means of adhesive materials 113 and 122. - 特許庁

燃料電池の組立構造は基材と薄膜を具え、基材は薄膜との接合表面に設置された複数の接合標示を包含するか、基材は該接合表面上に設置された少なくとも一対以上のアライメント標示を具えている。例文帳に追加

The assembly structure for the fuel cell has a substrate and a thin membrane, where the substrate has a plurality of bonding labels arranged on a bonding surface to which the thin membrane is bonded, or the substrate has at least a pair or more of alignment labels on the bonding surface. - 特許庁

両メタルセパレータ１１，１２を接合するためのろう材としてろう薄膜１３を採用して、ろう薄膜１３を両メタルセパレータプレート１１，１２間に介在された状態で溶融して、両メタルセパレータ１１，１２を互いの接合面１１ｃ，１２ｃで強固に接合する。例文帳に追加

A wax thin film 13 is adopted as a wax material to joint the both metal separators 11, 12, and the wax thin film 13 is melted in a state to be interposed between the both metal separators 11, 12, and both the metal separators 11, 12 are firmly jointed at mutual jointing faces 11c, 12c. - 特許庁

本発明の半導体素子は、シリコン系薄膜からなる半導体接合を有する半導体素子において、前記シリコン系薄膜の少なくともひとつが微結晶を含んでおり、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が、無配向性であることを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor device having a semiconductor junction made of the silicon-based thin film, at least one of the silicon-based thin films contains a microcrystal, and the microcrystal at least at one interface region of the silicon-based thin film containing the microcrystal is not orientated. - 特許庁

天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。例文帳に追加

The thin-film electrode is manufactured by forming a conductive thin film on a (100) orientation plane in a single crystal state having cleavage properties as in the cleavage surface of natural mica, bonding the conductive thin film to the substrate via a polymer adhesive layer, and separating the (100) orientation plane. - 特許庁

さらに電解質膜の他方の面に空気極を接合し、調光薄膜と空気極の間に電気回路を接続し、電解質膜を加熱すると、酸素イオンが電解質膜を透過して調光薄膜を脱水素化して、調光薄膜の反射率が変化する。例文帳に追加

An air electrode is joined to the other surface of the electrolyte membrane, an electric circuit is connected between the light modulation thin film and the air electrode, and when the electrolyte membrane is heated, an oxygen ion is transmitted through the electrolyte membrane, the light modulation thin film is dehydrogenated, and the reflectance of the light modulation film changes. - 特許庁

この微小構造体５は、薄膜３０に沿う応力の総和が所定の値以下となるように、薄膜３０に沿う方向の単位膜厚当たりの応力が５００ＭＰａ以下の複数の薄膜３０（３１，３２，３３）を接合して積層されたものである。例文帳に追加

This micro structural body 5 is manufactured by bonding and laminating plural thin films 30 (31, 32, 33) having the stress per unit film thickness in the direction along the thin film 30, of 500 MPa or less, while controlling the total sum of the stress along the thin film 30 to be less than a predetermined value. - 特許庁

基板の片面に基板側電極、有機ＥＬ層、対向電極を順次積層してなる有機ＥＬ素子を形成した有機ＥＬ素子基板と基板の片面に薄膜回路素子を形成した薄膜回路素子基板とを対向させて、有機ＥＬ素子と薄膜回路素子とを電気的に接合する。例文帳に追加

An organic EL element and a thin film circuit element are electrically joined by facing an organic EL element substrate forming the organic EL element constituted by successively laminating a substrate side electrode, an organic EL layer and a counter electrode on one surface of a substrate to a thin film circuit element substrate forming a thin film circuit element on the other surface of the substrate. - 特許庁

可逆熱変色層２上に、ポリマーからなる１０層以上の薄膜層を接合した、接触して隣接する薄膜層は異なる屈折率を有して光干渉現象を示し、且つ、前記薄膜層が透光性染料を含む透明状真珠光沢層３を積層した光輝性熱変色性積層体１。例文帳に追加

A transparent pearl gloss layer 3, which is formed by bonding 10 or more membrane layers comprising a polymer and having different refractive indexes in adjacent contact membrane layers to show a light interference phenomenon and containing a light pervious dye, is laminated on the reversibly thermal-discoloring layer. - 特許庁

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。例文帳に追加

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film. - 特許庁

本発明では、アセン系又はアセン系置換化合物３とＣ６０フラーレン４とのＰＮ接合を備えた有機薄膜太陽電池とすることにより、高開放電圧を有する有機薄膜太陽電池が可能となった。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell comprises a pn junction between acene system or acene system substituent compound 3 and C60 fullerene 4, and a pn junction between rubrene and C60 fullerene. - 特許庁

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。例文帳に追加

The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102. - 特許庁

電解質膜の一方の面に調光薄膜を接合し、調光薄膜を水素化した後、酸素ガスを電解質膜の他方の面側から供給する。例文帳に追加

A light modulation thin film is joined to one surface of an electrolyte membrane, the light modulation thin film is hydrogenated, and then oxygen gas is supplied from the other surface of the electrolyte membrane. - 特許庁

半導体装置は、基板１を有し、この基板１の上に設けたＤＬＣ膜２上に、分極性が高い有機薄膜３を形成して半導体薄膜１０を接合するようにしている。例文帳に追加

The semiconductor device has a substrate 1, and an organic thin film 3 having a high polarization property is formed on a DLC film 2 provided on the substrate 1 to bond the semiconductor thin film 10. - 特許庁

これにより、電子が、対応するエネルギーで探針１０２から放出されて、金属薄膜１０４に送られ、金属薄膜と半導体基板との界面（接合部）に対して注入される。例文帳に追加

Electrons having energy corresponding to the applied voltage are discharged from the probe 102 to the metal thin film 104 and injected into the boundary (joined part) between the metal thin film and the semiconductor substrate. - 特許庁

反応装置１０は、一方の面に金属薄膜３５が形成された中央ガラス基板３０と、金属薄膜３５によって陽極接合された上部ガラス基板３６と、を備える。例文帳に追加

The reactor 10 has a central glass substrate 30 on whose one surface a metal thin film 35 is formed and an upper glass substrate 20 anodically joined by the metal thin film 35. - 特許庁

セラミック基板の表面に金属銅の薄膜を形成した後、前記金属銅の薄膜の上に酸化銅を介して銅板を載置して加熱することにより、銅板とセラミックス基板を充分な結合強度で接合する。例文帳に追加

After a thin metallic copper film is formed on the surface of the ceramic substrate, the copper plate is bonded to the ceramic substrate via copper oxide, and a sufficient coupling strength between the copper plate and the ceramic substrate is obtained by heating the copper plate. - 特許庁

薄膜は膜電極アセンブル（Ｍｅｍｂｒａｎｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ａｓｓｅｍｂｌｅ）を包含し、且つ薄膜の形状サイズは接合標示の形状サイズに符合する。例文帳に追加

The thin membrane contains a membrane electrode assembly (Membrane-Electrolyte Assemble), and the shape and the size of the thin membrane coincides with the shape and the size of the bonding label. - 特許庁

第１の基板１０１上に下電極１０２、セラミックス薄膜１０３、及び上電極１０４によるセラミックス薄膜素子を形成し、また第２の基板１０６上に被接合部材１０５を形成する。例文帳に追加

A lower electrode 102, a ceramic thin film 103 and a ceramic thin-film element consisting of an upper electrode 104 are formed on a first substrate 101, and a member 105 to be bonded is formed on a second substrate 106. - 特許庁

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層／金属層／透明酸化物層の順に積層することによる。例文帳に追加

The multi-junction silicon thin film photoelectric conversion device is a thin-film photoelectric conversion device series-connected via the middle layer, wherein the middle layer has a transparent oxide layer/a metal layer/a transparent oxide layer stacked in this order. - 特許庁

パターンＡの薄膜１２０ａとパターンＢの薄膜１２０ｂを交互に積層して接合することにより、結晶構造の変化により屈折率が変化する３次元屈折率周期構造を有する光学素子が得られる。例文帳に追加

The thin film 120a of the pattern A and the thin film 120b of the pattern B are laminated and adhered alternately to obtain the optical element having a three-dimensional refractive index periodic structure with refractive index varying according to a change in the crystal structure. - 特許庁

加熱により、薄膜金属導体１４の一部とパッド１２、およびチップ部品１５の端子と薄膜金属導体１４の小孔１９近辺がはんだ接合される。例文帳に追加

By heating, a part of the thin film metal conductor 14 and the pad 12 are soldered together, and the terminal of the chip 15 and a part around a small hole 19 of the thin film metal conductor 14 are soldered together. - 特許庁

ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin-film solar cell which further improves the energy conversion efficiency, by improving an exiton deactivation preventing layer to make a p-n junction type organic thin-film solar cell practical. - 特許庁

半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。例文帳に追加

To provide a junction form between semiconductor thin films and different types of substrates, capable of obtaining stable bonding characteristics utilizing intermolecular force between the semiconductor thin films and metal. - 特許庁

平坦状シート１２、１３の少なくとも一方に、凹凸状シート１１との接合面の反対側の表面にアルミニウム薄膜を設け、このアルミニウム薄膜を少なくとも袋体の内側表面に設ける。例文帳に追加

A thin aluminum membrane is applied on at least one side of flat sheets 12, 13 on the opposite surface of the surface to which the corrugated sheet 11 is bonded and the aluminum membrane is provided on at least the inner surface of the bag body. - 特許庁

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。例文帳に追加

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed. - 特許庁

半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。例文帳に追加

To provide a jointing form between a semiconductor thin film and a different kind substrate whereby a stable bonding characteristic utilizing an intermolecular force between the semiconductor thin film and a metal can be obtained. - 特許庁