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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 薄膜接合に関連した英語例文

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薄膜接合の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 454



例文

接合される基板間に配された光学薄膜の劣化を防止し、基板表面に形成される光学薄膜の密度及び膜強度を安価に向上できるプリズム及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a prism such that an optical thin film arranged between joined substrates is prevented from deteriorating and the density and film strength of an optical thin film formed on a substrate surface can be improved at low cost and its manufacturing method. - 特許庁

使い捨ての体液吸収性着用物品1の透液性表面材2がプラスチック薄膜部6と、透液性開口31と、薄膜部6の下面に接合する第1繊維層13とを有する。例文帳に追加

The fluid permeable surface material 2 of the throw-away body fluid absorptive wearing article 1 has a plastic thin-film section 6, fluid permeable openings 31 and a first fiber layer 13 joined to the under surface of the thin-film section 6. - 特許庁

この金属層102の上に半導体薄膜304−308を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域410を形成することによって、半導体薄膜304−308と金属層102とを接合する。例文帳に追加

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102. - 特許庁

本発明は、支持体層と薄膜層は剥離可能に接着され、且つ薄膜層と接合層は完全に一体化した構成の複合シート、及びこの複合シートを用いた複合体を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a composite sheet in which a support layer and a thin film layer are releasably bonded, and the thin film layer and a joining layer are completely integrated, and a composite body using the composite sheet. - 特許庁

例文

そして、第1部材の金属薄膜形成面と第2部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。例文帳に追加

A sintered body of metallic particles is disposed as a joining member between a metallic thin film forming surface of the first member and a facing surface of a metallic thin film forming surface at the second member. - 特許庁


例文

次に、薄膜パターン基板とターゲット基板との接合、離間を繰り返すことにより、複数の薄膜パターン30、31をターゲット基板に積層、転写して光学素子3A,3Bを製造する。例文帳に追加

Subsequently, by repeating joint and separation between the thin-film pattern substrate and the target substrate, the plurality of thin-film patterns 30, 31 are stacked and transferred onto a target substrate and, thereby, optical elements 3A, 3B are manufactured. - 特許庁

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるp型半導体層またはn型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なi型半導体層、非晶質薄膜からなるn型半導体層またはp型半導体層で構成されるpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。例文帳に追加

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film. - 特許庁

有機金属化合物を安定して成膜することで、接合界面の密着力を増大させると共に、超薄膜化の実現が可能となる有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイス(有機エレクトロルミネッセンス装置・有機太陽電池・有機薄膜トランジスタ)及び電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film of an organometallic compound by stably forming the film of the organometallic compound to enhance adhesion of a bonding interface and to perform the formation of ultrathin film, and to provide organometallic thin films and organic electronic devices such as organic electroluminescence devices, organic solar cells, organic thin film transistors, and electronic equipment. - 特許庁

溶液成長方法等によって単独の薄膜として形成された厚さ100μm以下のGaN系結晶薄膜(特にGaN結晶薄膜)1を、基板2上に接合し、該薄膜の一方の面1bをGaN系結晶を成長させるための出発面として有する結晶成長用基材を得、その上にGaN系結晶を成長させる。例文帳に追加

A GaN crystal thin film (especially GaN crystal thin film) 1 of thickness 100 μm or less which is formed as an independent thin film by a solution growth method, or the like, is jointed onto a substrate 2, to provide a crystal growth base material comprising one surface 1b of the thin film as a start surface for growing GaN crystal, on which the GaN crystal is grown. - 特許庁

例文

梁状に加工したInAs薄膜1を備え、InAs薄膜1の弾性的な変形による半導体の物性変化を検出することにより、InAs薄膜1に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体検出素子において、InAs薄膜1が超伝導材料のニオブ電極2、3との接合部分を有する。例文帳に追加

In a mechanical semiconductor detecting element which is equipped with an InAs thin film 1 processed into a beam shape, and detects a minute force applied to the InAs film 1 with high sensitivity, by detecting the change in the physical properties of a semiconductor caused by elastic deformation of the InAs film 1, the InAs film 1 has jointing portions with niobium electrodes 2, 3 of superconducting materials. - 特許庁

例文

金属酸化物薄膜、コンデンサ、水素分離膜−電解質膜接合体および燃料電池の製造方法例文帳に追加

METAL OXIDE THIN FILM, CAPACITOR, HYDROGEN SEPARATION MEMBRANE-ELECTROLYTE MEMBRANE JOINED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING FUEL CELL - 特許庁

金属層5は、チタン/ニッケル/銅からなる薄膜電極層13と、はんだからなる導電性接合層15から構成されている。例文帳に追加

The metal layer 5 consists of a thin film electrode layer 13 made of titanium/nickel/copper, and a conductive bonding layer 15 made of solder. - 特許庁

また、紫外線の照射によって表面に接着剤が印刷される薄膜と改質したキーパッド弾性体(シリコンゴム)とを硬化接合させる。例文帳に追加

A film with the adhesive printed on its surface through ultraviolet irradiation and a modified keypad elastic body (silicone rubber) and cured and bonded. - 特許庁

電解質膜の一方の面に調光薄膜接合し、水素ガスを電解質膜の他方の面側から供給する。例文帳に追加

A light-dimming thin film is jointed to one of the faces of the electrolyte membrane, and hydrogen gas is supplied from the other face of the electrolyte membrane. - 特許庁

金属ケイ化物‐ケイ素複合体の薄膜は、金属ケイ化物の結晶粒がケイ素を介して互いに接合された内部構造を有する。例文帳に追加

The thin film of metal silicide - silicon complex has an internal structure in which crystal grains of metal silicide are interconnected through silicon. - 特許庁

形成された導電体層は薄膜基材との間における原子の拡散により強固に接合されている。例文帳に追加

The formed conductor layer is firmly joined with diffusion of atoms between the conductor layer and the thin film base material. - 特許庁

(1)薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のpn接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたTMR素子とを備えている。例文帳に追加

(1) The thin-film magnetic sensor includes a diode substrate including a Zener diode type p-n junction, and a TMR element formed on its surface. - 特許庁

複数の半導体薄膜のそれぞれの導通層との接合面とは反対側の面には、電極が接続されている。例文帳に追加

Electrodes are connected to surfaces on the reverse side to joint surfaces with each conductive layer of a plurality of the semiconductor thin-films. - 特許庁

プリント基板5の反搭載面5b上の熱伝導薄膜層15eに、はんだ35により金属製のナット37が接合されている。例文帳に追加

A nut 37 made of a metal is connected by a solder 35 to a heat transfer film layer 153 on an opposite mounting surface 5b of a circuit substrate 5. - 特許庁

下部セルのpn接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tandem type thin film solar cell without breakage of a pn junction of a lower cell. - 特許庁

結晶シリコン系薄膜太陽電池のpin接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。例文帳に追加

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery. - 特許庁

より短波長の光電変換を行うIII−V族窒化物薄膜太陽電池素子を、多接合型太陽電池素子の前段に設置する。例文帳に追加

A group III-V nitride thin-film solar cell element performing photoelectric conversion of light with further short wavelengths is installed at a pre-stage of a multi-junction solar cell element. - 特許庁

したがって、完全に接合すると、金属薄膜32の材料がバンプ電極21a,21b中に熱拡散し、開口窓30は金色に見える。例文帳に追加

Consequently, the aperture window 30 appears gold in color after complete bonding, because the material of the metal thin film 32 thermally diffuses into the bump electrodes 21a, 21b. - 特許庁

光学的性質の良好な複数の光学薄膜を有する接合型光学素子を、容易かつ安価に製造する。例文帳に追加

To easily and inexpensively manufacture a junction type optical element having a plurality of optical thin films having good optical properties. - 特許庁

2枚の基板10a,10bの接合面Fに薄膜樹脂層13が形成された領域に、選択的に活性化溶液L2を噴射する。例文帳に追加

An activation solution L2 is injected selectively to regions where a thin resin layer 13 is formed on joint surfaces F of two substrates 10a and 10b. - 特許庁

回路パターンが形成される金属薄膜と樹脂材料との間の接合を向上させた印刷回路基板を提供する。例文帳に追加

To provide a printed circuit board whose joinability between a metal film with a circuit pattern formed and a resin material is improved. - 特許庁

導電接着剤による接合、あるいはプリント回路基盤を基底として、薄膜層をプリント回路基盤上にプリントする。例文帳に追加

Jointing is performed with a conductive adhesive, or a thin film is printed on a printed circuit board as a substrate. - 特許庁

抵抗性メモリセル(170,175)は、磁気トンネル接合薄膜ダイオード(260)を含むことができる。例文帳に追加

The resistance memory cells (170 and 175) may include a magnetic tunnel joint and a thin film diode (260). - 特許庁

シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にpn接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。例文帳に追加

To provide a method for easily forming a pn junction between a silicon substrate and a zinc oxide thin film at a low cost. - 特許庁

薄膜化した半導体チップの反り量を小さくして、絶縁基板に半導体チップをボイドなしに半田接合した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a thin-film semiconductor chip is soldered to an insulating substrate without voids by reducing the warpage of the semiconductor chip. - 特許庁

振動板10と電極基板3のギャップスペーサ部13とをシリコンを含有した金属薄膜20で接合した。例文帳に追加

The diaphragm 10 and a gap spacer section 13 of the electrode substrate 3 are bonded with each other by means of a metallic thin film 20 including silicon. - 特許庁

凹部15aおよびスルホ−ル用貫通孔15b〜15eを有する表側親封止基板15と薄膜親素子基板11aとを陽極接合する。例文帳に追加

A front- side parent sealing substrate 15 comprising a recessed part 15a and through holes 15b-15e is anode-jointed to the thin-film parent element substrate 11a. - 特許庁

その薄膜素子を接着層(160)を介して転写体(180)に接合し、基板(100)を離脱させる。例文帳に追加

In addition, the element (140) is bonded to a transfer body (180) through an adhesive layer (160) and the substrate (100) is separated from the element (140). - 特許庁

導通層には、基板の表面に沿った方向に互いに分離され、それぞれが結晶構造を有する複数の半導体薄膜接合されている。例文帳に追加

A plurality of the semiconductor thin-films being mutually isolated in the direction along the surface of the substrate and having crystal structures respectively are joined with the conductive layers. - 特許庁

複数の薄膜素子層の相互間の良好な接合状態を確保し、かつ各層の相互間の電気的接続を容易にすること。例文帳に追加

To ensure good bonding state among a plurality of thin film element layers and to facilitate electrical connection between respective layers. - 特許庁

バンプを用いずにリードをレーザ溶接で良好に接合可能な薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin film thermistor sensor that permits satisfactory joining of leads by laser-welding without using a bump, and a manufacturing method for the same. - 特許庁

ポリシリコン膜におけるpn接合の形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、および画像表示装置例文帳に追加

FORMATION METHOD FOR FORMING pn-JUNCTION IN POLYSILICON FILM, SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR, AND IMAGE DISPLAY - 特許庁

エミッタ領域は、エミッタ−ベース間PN接合がベースカバー部50Bの絶縁薄膜40cの下面に終端するように形成する。例文帳に追加

The emitter region is formed such that an emitter/base pn junction terminates at the undersurface of the thin dielectric 40c of the base cover 50B. - 特許庁

異層や変化層を介さずに導電層と接合して、一定の配向を有する強誘電体薄膜が得られる。例文帳に追加

The ferroelectric thin film having the fixed orientation can be obtained by joining with the conductive layer without forming a different layer or a change layer between these thin films. - 特許庁

従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。例文帳に追加

To improve junction between a transparent electrode and collector electrode more than that of a conventional thin film solar cell consisting of single crystal or polycrystal. - 特許庁

第1金属薄膜層を有するLEDチップを基板に接合するのに適したダイボンド方法を提供する。例文帳に追加

To provide a die-bonding method which is suitable for die-bonding a LED chip having a first metal thin-film layer to a substrate. - 特許庁

反射率が高く、層システムの接合が良好な薄膜太陽電池およびその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a thin-film solar cell high in reflectivity and excelling in junction of a layer system, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ストッパ20は、センサ本体1の厚み方向の表面側に接合薄膜層22を介して固着されている。例文帳に追加

The stopper 20 is stuck firmly to the front side of the body 1 in the thickness direction via a thin film layer 22 for joining. - 特許庁

連続的に送られる薄膜上の第1パターン4に第2パターン5、60を正しく積層できる位置に接合ローラ10を待機させる。例文帳に追加

A joining roller 10 is made to stand by at the position where second patterns 5, 60 can be laminated correctly on a first pattern 4 on the continuously sent film. - 特許庁

微細な円形凹部4を規則的に複数形成した薄膜体3を、モールド本体2の成形面側の表面2aに接合させてなる。例文帳に追加

The mold comprises a thin film 3 with a plurality of fine and circular concavities 4 regularly formed and joined to the surface 2a of a molding surface side of the mold main body 2. - 特許庁

光吸収層と第1電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin-film solar cell, capable of improving bonding strength between a light-absorbing layer and a first electrode layer. - 特許庁

複合ゴムシート13は、ゴム材料からなる基材21の表面に、金属薄膜22を接合して形成されている。例文帳に追加

The composite rubber sheet 13 is obtained by bonding a thin metal film 22 to the surface of a base material 21 comprising the rubber material. - 特許庁

さらに、湾曲した薄膜Si層5の下を空洞4にすることでpn接合に起因する寄生容量が低減される。例文帳に追加

Parasitic capacitance caused by pn junction is reduced by hollowing 4 a section under the curved Si layer 5. - 特許庁

外部端子の支持基板への接合強度を向上できる薄膜電子部品および基板を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film electronic component and a substrate which can improve the joining strength of an external terminal to a base substrate. - 特許庁

例文

この金の薄膜層とシリコン材で形成されたキャビティプレート10とを共晶反応させて強固に接合する。例文帳に追加

The thin gold layer is bonded firmly to a cavity plate 10 made of a silicon material through eutectic reaction. - 特許庁

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