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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 薄膜接合に関連した英語例文

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薄膜接合の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 454



例文

シリコン系薄膜光電変換装置では光電変換が難しい1100nm以上の近赤外光の光電変換が可能であり、太陽光スペクトルを幅広く利用することが可能である点から、より高効率な多接合薄膜光電変換装置を提供することができる。例文帳に追加

A more efficient multi-junction thin-film photoelectric converter can be provided, because the photoelectric conversion of near-infrared light of 1,100 nm or longer can be made though it is difficult for the silicon-based thin film photoelectric converter to carry out such a conversion, and because sunlight spectrum can be used widely used. - 特許庁

真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成方法により、表面に金属薄膜を形成した金属板と金属箔とを、接着剤を用いずに接合し、所定の厚みを有する接着剤レスの多層金属積層板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayered metal laminated sheet having predetermined thickness and using no adhesive by bonding a metal sheet having a metal membrane formed thereon and a metal foil without using an adhesive by a membrane forming method such as vacuum vapor deposition, sputtering or the like, and a method for continuously manufacturing the multilayered metal laminated sheet by forming the membrane to the metal sheet and bonding the metal foil thereto. - 特許庁

または、基材上に、Si−O結合を主として、Siに疎水性置換基を直接接合された薄膜を塗布して焼成することで形成する薄膜形成工程と、前記照射工程と、前記塗布工程と、を有するように形成する。例文帳に追加

In other words, this method includes: the thin film forming step of forming, on a base member, a thin film mainly having Si-O bonds formed by applying and calcinating thin film directly joined to Si in hydrophobic substituent; the irradiation step; and the application step. - 特許庁

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりLDD領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region. - 特許庁

例文

アルミナ基板1と、液相析出法により前記アルミナ基板1に析出した酸化物イオン伝導体であるYSZ薄膜2と、前記YSZ薄膜2にそれぞれ接合された検知極4及び基準極3と、前記基準極3を被覆するガラス状材料5と、を有する。例文帳に追加

The reducible gas sensor has an alumina substrate 1, a YSZ thin film 2 being the oxide ion conductor precipitated on the alumina substrate 1 by a liquid phase precipitation method, the detection electrode 4 and reference electrode 3 respectively joined to the YSZ thin film and the glass like material 5 covering the reference electrode 3. - 特許庁


例文

熱伝導板204の下面に、セラミックの絶縁薄膜205が溶射またはスパッタにより直接的に接合され、絶縁薄膜205の下面に、熱電変換デバイス202の半導体素子112,114を電気接続するための電極116がプリントされる。例文帳に追加

A ceramic insulation thin film 205 is directly bonded onto the lower surface of the heat transmission plate 204 by spraying or spattering, and an electrode 116 for electrically connecting semiconductor elements 112, 114 of the thermoelectric transducer 202 is printed onto the lower surface of the insulation thin film 205. - 特許庁

薄膜デバイス140の形成後、水溶性、有機溶剤溶融性、あるいは加熱または紫外線照射により剥離作用を有する接着剤からなる第2分離層160を介して薄膜デバイス140を一次転写体180に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。例文帳に追加

After the thin-film device 140 is formed, the thin-film device 140 is joined to a primary transfer destination 180 via a second isolation layer 160 composed of water soluble adhesive, organic solvent soluble adhesive, or adhesive that has a stripping action through heating or ultraviolet irradiation, and then, a laser beam is projected from the back of the substrate. - 特許庁

樹脂製又は金属製のシート状の支持体層11と、この支持体層11の片面(もしくは両面)に形成された薄膜層12と、前記支持体層11の一方の主面に薄膜層12を介して形成された接合層13とを具備することを特徴とする複合シート10。例文帳に追加

The composite sheet 10 includes the resin or metal sheet-like support layer 11, the thin film layer 12 formed on one side (or both sides) of the support layer 11, and the joining layer 13 formed on one principal plane of the support layer 11 through the thin film layer 12. - 特許庁

気孔率45%以上の多孔質フッ素樹脂フィルム1の片面又は両面に、厚み20μm以下で且つガーレー秒300秒以上のフッ素樹脂薄膜(非多孔質フッ素樹脂薄膜)2が接合一体化されている複合フィルム10を圧電処理する。例文帳に追加

A composite film 10, composed of a porous fluororesin film 1 of 45% or more in porosity having a fluororesin thin film (nonporous fluororesin thin film) 2 in thickness of 20 μm or less and in Gurley seconds of 300 seconds or more joined to one face or both faces thereof as an integral body, is subjected to piezoelectric processing. - 特許庁

例文

ナノメートルオーダーの極薄の超微粒子膜を形成することができ、また、材料微粒子の表面を新しい活性なものにして、強固な微粒子間接合の超微粒子薄膜を形成することができ、さらに、超微粒子薄膜の各種の層構成を採ることを可能にする例文帳に追加

To provide a method whereby a very thin ultrafine-particle film with a thickness of a nanometer order can be formed; a thin ultrafine-particle film wherein ultrafine particles are strongly bonded to each other can be formed by giving novel active surfaces to the particles; and thin ultrafine-particle films with various layer constructions are enabled. - 特許庁

例文

電解質膜にピンホール等の欠陥部があると、水素ガスが電解質膜の一方の面へ漏洩するから、該一方の面に調光薄膜接合しておけば、欠陥部の漏洩水素ガスで調光薄膜が水素化して反射率が局部的に変化する。例文帳に追加

Since the hydrogen gas leaks toward one of the faces of the electrolyte membrane if there is a defective part such as a pinhole in the electrolyte film, by jointing the light-dimming thin film to that face, the light-dimming thin film is hydrogenated with leaked hydrogen gas at the defective part to have a reflective factor locally changed. - 特許庁

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をi層として用いたpin接合を含む薄膜太陽電池における基板側のpまたはn型導電層とi層との界面における酸素原子濃度を5×10^20atoms/cm^3以下に抑制する。例文帳に追加

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be10^20 atoms/cm^3 or below. - 特許庁

そして、各スリーブ2の内部中央に、対向する一対の光ファイバ3間に介在する透明樹脂薄膜5を接着して一体化し、一対の光ファイバ3同士を接合する透明樹脂薄膜5のせん断弾性率を5×10^4〜1×10^7Paの範囲とする。例文帳に追加

A transparent resin thin film 5 intervening between the pair of facing optical fibers 3 is applied on the inner central part of each sleeve 2 so as to be integrated, in which the modulus of shearing elasticity of the transparent resin thin film 5 for joining the pair of optical fibers 3 each other is in the range of10^4-1×10^7 Pa. - 特許庁

LED等の半導体素子を構成する半導体薄膜10を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜2上に接合すると共に、半導体薄膜10の電極と導電性の基板1とをn側接続パッド24によって電気的に接続する構造にしている。例文帳に追加

A semiconductor thin film 10 forming the semiconductor element such as an LED is bonded directly on an insulating film 2 having high thermal conductivity characteristics, and an electrode of the semiconductor thin film 10 and a conductive substrate 1 are electrically connected to each other by an n-side connection pad 24. - 特許庁

少なくとも固体高分子電解質13と、触媒層16を有する燃料電池用膜電極接合体11であって、前記触媒層16は薄膜17とワイヤ状物質12からなる触媒を含む膜電極接合体。例文帳に追加

The membrane electrode assembly 11 has at least a solid polymer electrolyte 13 and a catalyst layer 16, and the catalyst layer 16 contains a thin film 17 and a catalyst comprising a wire-like substance 12. - 特許庁

バルクへテロ接合を有する有機光電変換素子において、バルクへテロ接合層と対極電極間での再結合,リーク電流を抑制し、光電変換効率を向上できる有機薄膜光電変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin-film photoelectric converting element having improved photoelectric conversion efficiency by suppressing recoupling between a bulk heterojunction layer and a counter electrode and a leakage current, as an organic photoelectric converting element having a bulk heterojunction. - 特許庁

その後段に、2つの台形プリズムの底面同士が接合され接合面に半透鏡特性の薄膜が施されてなる6角形プリズムを配置する。例文帳に追加

A hexagonal prism constituted by joining the bases of two trapezoidal prisms together and forming a thin film with a half-mirror characteristic on the joined surface is arranged behind the parabolic reflecting mirror. - 特許庁

接合面2a,3a上に形成された所定パターンのレジスト膜32にしたがって接合面2a,3aをトリミングして金属磁性薄膜5に切欠き凹部19を形成する。例文帳に追加

Joined surfaces 2a and 3a are trimmed corresponding to the resist film 32 of a prescribed pattern formed on the joined surfaces 2a and 3a and a notched recessed part 19 is formed on a metal magnetic thin film 5. - 特許庁

本発明のトナー製造装置1は、液貯留部14と、液貯留部14に接合部材により接合されて複数のノズル11が形成された薄膜12を有する周期的液滴化手段を有する。例文帳に追加

This toner manufacturing device 1 includes a liquid reserving section 14, and a periodic dropping means having a thin film 12 that is joined to the liquid reserving section 14 with a joining member and has a plurality of nozzles 11. - 特許庁

また、上部基板の光導波路基板との接合面と相対する面、又は、光導波路基板の前記上部基板との接合面と相対する面に導電性薄膜を形成する。例文帳に追加

Also, the conductive thin film is formed on the surface facing the joint surface of the upper substrate with the optical waveguide or on the surface facing the joint surface of the optical waveguide with the upper substrate. - 特許庁

更に混合物からなる薄膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理することにより、膜と電極との接合界面が良好な膜−電極接合体(MEA)を作製できる。例文帳に追加

Further, the film-electrode junction (MEA) having a good junction interface can be manufactured by applying the heat treatment to the thin film composed of the mixture in the state of being held between the electrodes facing each other. - 特許庁

又、AlN基板又は放熱板と半導体との接合体は、前記メタライズ最上層のAu薄膜6の一部分に半田又はろう材により半導体素子9が接合されていることを特徴としている。例文帳に追加

In a jointed body of the AlN substrate or the heat sink with a semiconductor element, the semiconductor element 9 is bonded to one part of the metallized topmost Au thin film 6 with a solder or a brazing metal. - 特許庁

ガラスから成る第1基板1を、その表面に予め形成した薄膜シリコン層2を介して、シリコンから成る第2基板11に同種材料間の表面活性化接合により接合する。例文帳に追加

A first substrate 1 made of glass is bonded to a second substrate 11 made of silicon by surface activation bonding between materials of the same kind with a thin film silicon film 2, previously formed on a surface, interposed. - 特許庁

マスク基板とマスクフレームとを接合層を介して一体化してなるマスク構造体において、該マスク基板とマスクフレームとが厚み:0.5〜10μmの薄膜接合層により接着されているマスク構造体。例文帳に追加

In a mask structure which is constituted by uniting the mask substrate and the mask frame with a bonding layer between, the mask substrate and the mask frame are bonded with a thin film bonding layer whose thickness is 0.5-10 μm. - 特許庁

燃料容器と接合し得る、樹脂製且つ筒状の、接合部以外に膜厚0.05〜5μmの炭素薄膜を備える燃料容器連結用部材である。例文帳に追加

This fuel canister connection member can be joined to the fuel canister, is made out of resin, has the cylindrical shape and is provided with a carbon thin film of a thickness of 0.05-5 μm on a part excluding a joining part. - 特許庁

接続リード28aと電極パッド64aとを接合し、金属薄膜29と電極パッド64bとを接合して、電力供給源6aと電極基体32の電気的接続を得る。例文帳に追加

A connection lead 28a is jointed to an electrode pad 64, and a metal thin film 29 is jointed to an electrode pad 64b, and an electric connection between the power supply source 6a and the electrode base 32 is attained. - 特許庁

熱電変換モジュール(1)は、基板(12)と熱電薄膜(15,16)と接合部(21,22)とを有する熱電変換部(10)と、該基板(12)の両側に対向配置され、各接合部(21,22)に接触する伝熱板(41,42)とを備えている。例文帳に追加

A thermoelectric conversion module (1) has a thermoelectric conversion part (10) having a substrate (12), thermoelectric thin films (15, 16) and junctions (21, 22); and heat exchanger plates (41, 42) opposed to each other on both sides of the substrate (12) and contacting each of the junctions (21, 22). - 特許庁

弾性体2を介した加圧により接合面に塗布された接着剤は均一厚さの薄膜状に押し広げられて熱硬化するので、接合要素は密着した状態に一体化される。例文帳に追加

Since the adhesive applied to the joining surface is spread like a thin film of a uniform thickness by pressurization via the elastic body 2 and thermally cures, the joining constituents can be integrated into a tight contact state. - 特許庁

接着剤を用いて光路を形成する部材の端面に薄膜フィルタを確実に接合することができ、所期の光学特性を得ることができるフィルタ接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for joining a filter by which a thin film filter can be reliably joined to end faces of members forming an optical path with an adhesive and expected optical characteristics can be ensured. - 特許庁

金属ガラス薄膜を用いて、接合面の凹凸、微粒子汚染、基板の反り等を許容して基板同士の接合ができる電子部品のパッケージ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a package for an electronic component which allows for irregularity of a connection surface, particulate contamination, substrate warp, and the like by using a metallic glass thin film, thus permitting connection between substrates, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

該ボンディングパッド13,13は薄膜コイル14の各端部と電気的に接合されており、溝部17の内壁斜面あるいは底面においてリード線16,16と接合されている。例文帳に追加

The bonding pads 13, 13 are electrically joined to respective ends of the thin film coil 14 and are joined to lead wires 16, 16 on the inner wall slope or bottom surface of the groove part 17. - 特許庁

主磁極層は、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有している。例文帳に追加

The main magnetic pole layer has an end face joint structure where respective end faces of the magnetic pole end part and a yoke magnetic pole part having a size greater than that of the magnetic pole end part are joined to each other, and a surface with a flat structure on a side closer to the thin-film coil. - 特許庁

接合容量(Cgd)を減少し、フィードスルー効果、又は接合容量(Cgd)が大き過ぎることで生じる問題を改善できる薄膜トランジスタ構造を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor structure for improving the problem generated by feed-through effect or by the coupling capacity(Cgd) being too large, by reducing the conjunction capacity(Dgd). - 特許庁

その結果、回転塗布により貼り合わせ面1aに形成される接合用の高分子材料の薄膜7は厚みが薄いので、第2部材2の貼り合わせ面2aの微細な形状が接合で損なわれる心配はない。例文帳に追加

As a result, since the thin film 7 of the polymeric material for bonding formed on the laminating surface 1a by rotary coating is thin, there is no fear such that the fine shape of the laminating surface 2a of the second member 2 is damaged by bonding. - 特許庁

流路基板1とノズル板3とを接着層75を介して接合し、ノズル板3の接合面側には偏肉があり、流体抵抗部7の形成部位ほど薄膜にした。例文帳に追加

A channel substrate 1 and a nozzle plate 3 are bonded through an adhesive layer 75, a partial thickness is provided on the bonding face side of the nozzle plate 3 and a part for forming a fluid resistance part 7 is made thin. - 特許庁

p−n接合やp−i−n接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。例文帳に追加

To form a thin film having no grain boundary in a region wherein a pn junction or a pin junction or a channel is formed on a low cost substrate by a simple method. - 特許庁

複数の圧電バイモルフ素子22を使用し、この複数のバイモルフ素子22を固定部材25により接合する際に、接合部材24以外の各圧電バイモルフ素子間に低摩擦係数を有する薄膜部材23を介して積層し接合する。例文帳に追加

A plurality of bimorph elements 22 are used and when bonding the plurality of bimorph elements 22 by means of a fixing member 25, the piezoelectric bimorph elements other than a bonding member 24, are laminated and bonded by interposing a membrane member 23 having a low friction coefficient therebetween. - 特許庁

第1の電極端子及び第1の非導通端子のそれぞれと、第2の電極端子及び第2の非導通端子のそれぞれの下側露出部とを接合することにより、第1及び第2の薄膜素子層の相互間の電気的接合及び物理的接合が図られる。例文帳に追加

The first and second thin film element layers are bonded electrically and physically by bonding the lower exposed portions of the first electrode terminal and the first nonconduction terminal, and the lower exposed portions of the second electrode terminal and the second nonconduction terminal, respectively. - 特許庁

これにより、接合の際に、突起物12の凸形状が複数あると凸形状間で空隙ができてしまうことを回避し、また、頭頂部12aを形成する角度を浅くして、接合時の変形量を減少、接合時の加重を低く、デバイスの他の薄膜層へのダメージを低減する。例文帳に追加

Thus, a situation causing gaps among the projected shapes because of a plurality of projecting projections 12 is avoided, and an angle forming the top part 12a is made small to reduce a quantity of deformation are reduced at bonding, a weighting load during bonding, and damage to the other thin-film layers of a device. - 特許庁

この上部に直接接合技術で、シリコン単結晶ウェハを接合面29にて接合後、所望の厚さの光電変換層32を得るために薄膜化し、この光電変換層32の上に透明電極33が形成されている。例文帳に追加

After a silicon single crystal wafer is bonded thereon at the bonding surface 29 with a direct bonding technique; this wafer is reduced in the thickness to obtain a photoelectric converting layer 32 of the desired thickness, and a transparent electrode 33 is formed on this photoelectric converting layer 32. - 特許庁

少なくとも固体高分子電解質と、ワイヤ状物質からなる触媒並びに前記ワイヤ状物質の上部に導電性を有する薄膜を含む触媒層を有する燃料電池用膜電極接合体の製造方法であって、前記薄膜を気相成長法若しくは液相成長法で作製する工程を含む膜電極接合体の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the membrane electrode assembly for the fuel cell containing at least the solid polymer electrolyte and the catalyst layer containing the catalyst comprising the wire-like substance and the thin film arranged on the top of the wire-like substance and having conductivity contains a process forming the the thin film by a gas phase growth method or a liquid phase growth method. - 特許庁

本発明の所定の光学機能を有する光学薄膜を1つ以上内部に有する光学素子の製造方法は、複数枚の平行平板状光学部品を、それぞれの間に前記光学薄膜と接着剤とが介在するように積層して積層接合体を形成する積層接合体形成工程を備える。例文帳に追加

The method for manufacturing an optical element having at least one optical thin film having a predetermined optical function inside the element includes a laminate joined body-forming step of laminating a plurality of sheets of parallel planar optical components so that the optical thin film and an adhesive are interposed between the components to form a laminate joined body. - 特許庁

溶体化処理後の各部品12,14の切断面の酸化膜を除去し、低融点金属薄膜30を挟んで組付け、時効接合処理装置34において、所定の時効処理条件の下で時効処理と、低融点金属薄膜30のアルミニウム合金内への溶融拡散による接合処理とを行う。例文帳に追加

An oxide film in the cut face of each parts 12, 14 after the solution treatment is removed, they are assembled with a low melting point metal thin film 30 interposed, and, in an age joining treatment apparatus 34, aging treatment under prescribed age treatment conditions and joining treatment by melting diffusion of the low melting point metal thin film 30 into an aluminum alloy are performed. - 特許庁

無機接合層の具体例としては、無機系接着剤や、ホットクラッドを行う際にマグネシウム合金片に形成される金属薄膜が挙げられる。例文帳に追加

As a specific example of the inorganic tie layer, an inorganic adhesive or a thin metal film formed in the magnesium alloy piece when hot cladding is carried out is mentioned. - 特許庁

薄膜ガスセンサ10のガス感知層5は、詳しくは、接合層5a,感知電極層5b,感知層5c,第一ガス選択燃焼層5dを備える。例文帳に追加

The gas sensing layer 5 of the thin film gas sensor 10 includes a joint layer 5a, a sensing electrode layer 5b, a sensing layer 5c and the first gas selective combustion layer 5d in detail. - 特許庁

固体高分子電解質膜の破損を抑制しつつ固体高分子電解質膜を薄膜化することができる膜−電極接合体およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a membrane-electrode assembly and its manufacturing method capable of reducing a thickness of a solid polymer electrolyte membrane while suppressing breakage of the solid polymer electrolyte membrane. - 特許庁

水素分離膜と電解質膜との接触面積を大きくすることができかつ電解質膜を薄膜化することができる水素分離膜−電解質膜接合体の製造方法および燃料電池の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a hydrogen separation film-electrolyte membrane assembly and a manufacturing method of a fuel cell capable of enlarging a contact area of a hydrogen separation film and an electrolyte membrane, and thinning the electrolyte membrane. - 特許庁

それぞれの接合膜120,130,140は、アルキル基を含むポリオルガノシロキサンを主材料とする薄膜にエネルギー線の一例としてのUVを照射することによる活性化処理が行われることによって形成される。例文帳に追加

Each bonding film 120, 130, 140 is formed by subjecting each thin film essentially comprising polyorganosiloxane containing an alkyl group to activation processing by irradiation with UV rays as an embodiment of energy rays. - 特許庁

信号伝送回路を構成する例えばCPW5とシリコン基板2との間に、当該シリコン基板と陽極接合され、イオン移動した薄膜のパイレックス(登録商標)ガラス3を設けた。例文帳に追加

A thin film of ion-migrated Pyrex (R) glass 3 anodic-bonded to a silicon substrate 2 is provided between, e.g., a CPW 5 constituting a signal transmission circuit and the silicon substrate 2. - 特許庁

例文

薄膜を二酸化珪素の保護膜で被覆しているので、オーミック接合を得るためのアニーリング工程でも金のボールアップが起こらず、高い光透過率が得られる。例文帳に追加

The silicon dioxide thin protective film covering the gold thin film prevents gold from balling up even in an annealing process for obtaining an Ohmic junction, thereby obtaining a high light transmission. - 特許庁

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