「薄膜接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、結晶性の良いa軸（又はb軸）配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。例文帳に追加

To manufacture a well-crystallized a-axis (or b-axis) oriented Bi-based oxide superconductor thin film for obtaining a high performance layered Josephson junction using a Bi-based oxide superconductor. - 特許庁

レンズ部１２２を有する第１誘電体１２の接合面１２１Ａに電気伝導性薄膜１６をスパッタリング法または真空蒸着法により形成する。例文帳に追加

An electric conductive thin film 16 is formed by sputtering or vacuum vapor deposition method on the joint face 121A of a first dielectric body 12 having a lens part 122. - 特許庁

剥離工程（Ｓ１５）は、マイクロキャビティに応力を作用させて、犠牲層突出部２に接合する圧電基板１の領域から圧電薄膜４を剥離する。例文帳に追加

The peeling process (S15) peels a piezoelectric thin layer 4 off an area of the piezoelectric substrate 1 jointing to the sacrifice layer projection part 2 by acting stress on the micro cavities. - 特許庁

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造する方法及びその製造方法により得られる有機電界発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide the element manufactured by the method. - 特許庁

良好な薄膜塗工性と基材からの軽はく離性が両立でき、さらに半導体素子と支持部材もしくは半導体素子同士を接合する際には高温接着性に優れる半導体用接着フィルムを提供すること。例文帳に追加

To provide an adhesive film for a semiconductor that simultaneously achieves good thin film coating properties and light releasability from a substrate and also exhibits excellent adhesiveness at high temperatures when bonding a semiconductor element to a support member or bonding semiconductor elements together. - 特許庁

金属部材１５０は、例えば金バンプで、加熱圧接により配線基板１３０の電極１３４とミラー基板１１０の導電性薄膜１１８とを電気的かつ機械的に接合する。例文帳に追加

The metal member 150 is a gold bump, for instance, and electrically and mechanically bonds the electrode 134 of the wiring substrate 130 and the conductive thin film 118 of the mirror substrate 110 by heating pressure welding. - 特許庁

厚み１０μｍから１ｍｍのフレキシブルシート基板１０は、フレキシブルなフィルム、例えばポリイミド層１１上に電極あるいはコイル用の金属薄膜、例えば銅層１２が接合されて形成される。例文帳に追加

A flexible sheet substrate 10 having a thickness of 10 μm to 1 mm is formed by jointing a metal thin film for an electrode or a coil, for instance, a copper layer 12 to a flexible film, for instance, a polyimide layer 11. - 特許庁

かくして作製された、接合箇所を含めた根本部分又は根本部分を含めた全表面がカーボン薄膜で覆われたＣＮＴを成長させてなる基板。例文帳に追加

The substrate is obtained by growing carbon nanotubes (CNT) which are thus produced and whose bottom parts including joints or whose entire surfaces including the bottom parts are covered with a carbon thin film. - 特許庁

下方電極層２３及び上方電極層２１の間に圧電体薄膜層２２を挟み込むように積層し、更に下方電極層２３に密着電極層２４を接合してなる挟み込み構造体を有する。例文帳に追加

The thin film acoustic resonator has a sandwich structure formed by laminating layers so that a piezoelectric thin film layer 22 is sandwiched between a lower electrode layer 23 and an upper electrode layer 21 and further joining a contact electrode layer 24 to the lower electrode layer 23. - 特許庁

光フィルタ８は、フェルール接合材の端部に、光ファイバ８の端面を覆うように、複数枚のフィルタ薄膜８ａを積層することによって形成した。例文帳に追加

The optical filter 8 is formed by laminating a plurality of filter thin membranes 8a at the end parts of the ferrule joining materials while covering the end surface of the optical fiber 4. - 特許庁

静電容量型トランスデューサの製造方法は、基板101と、薄膜状のメンブレン部を備えるメンブレン部材108とを接合し、基板とメンブレン部との間に封止されたキャビティ104を形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the capacitive transducer, a substrate 101 is joined to a membrane member 108 having a thin film shape membrane part, and a cavity 104 is formed which is sealed between the substrate and the membrane part. - 特許庁

イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。例文帳に追加

The piezoelectric single-crystal substrate 1 wherein the ion-implanted layer 100 is formed is joined to a support substrate 30B (S102→S103), and heated to form a piezoelectric thin film 10 by detachment using the ion-implanted layer 100 as a detaching surface. - 特許庁

つまり、使用する封止材層に５ついて、その弾性率の値を金薄膜の値に合わせて低くし且つ線膨張率を低くすることで温度差により接合部に加わる応力を緩和することが可能となる。例文帳に追加

That is, for the sealing material layer 5 for me, by lowering the value of the elastic modulus matched with the value of the gold thin film and also lowering the linear expansion coefficient, stress applied to the joining part by a temperature difference is alleviated. - 特許庁

絶縁性の基板上に金属薄膜の電極が形成された電極付き基板を低温で加圧加熱して基板に電極を低温拡散接合する。例文帳に追加

The low-temperature diffused junction of the electrode to the substrate is carried out by pressure heating at low temperature the substrate with the electrode in which the electrode of the metal thin film is formed in the insulative substrate. - 特許庁

上面内に穴が形成されている基板の上面に薄膜を真空中で接合することにより、湾曲形状部分を有するプロファイル転写基板表面を生成する。例文帳に追加

A membrane is connected in a vacuum to the top face of a substrate with a hole formed in the top face so as to form a profile transfer substrate surface with a curved shape portion. - 特許庁

さらに、半田接合又は実装に必要な金属露出面３ｂの外周部からその近傍にかけて、導電性材料を含むインクを連続的に印刷して導電薄膜層２０を形成する。例文帳に追加

Further, an ink containing a conductive material is continuously applied by printing to the external peripheral part of the metal exposing surface 3b necessary for solder bonding or mounting to its vicinity, thereby forming a conductive thin film layer 20. - 特許庁

錫を被転写側であるセラミックス薄膜素子の上電極として成膜し、第二の基板上には、この基板との密着力ならびに錫との接合力が確保できる材料を成膜する。例文帳に追加

Tin is deposited as an upper electrode of a ceramic thin film element to be transferred, and a material ensuring an adhesion to a second substrate and a bonding force to tin are formed as a film on the second substrate. - 特許庁

高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法およびｐｎ接合型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a p-type Ga_2O_3 film and a manufacturing method of a pn junction Ga_2O_3 film capable of forming a thin film comprising high quality Ga_2O_3-based compound semiconductor. - 特許庁

第１のピッチで支持された複数の半導体薄膜片を、基板上の、上記第１のピッチとは異なる第２のピッチで配設された所定の領域に接合することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can bond a plurality of semiconductor thin-film pieces supported with a first pitch to predetermined areas which are arranged on a substrate with a second pitch different from the first pitch. - 特許庁

本発明は、透明導電層と光電変換層間の界面の接合性が改善された性能の高い薄膜太陽電池を提供する事を目的とする。例文帳に追加

To provide a high-performance thin-film solar cell where bonding property of an interface between a transparent conductive layer and a photoelectric conversion layer is improved. - 特許庁

光学薄膜の表面粗さを従来よりも低減して、散乱やフレアー等の光学性能劣化現象を防止した樹脂接合型光学素子とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To prevent optical performance deterioration phenomenon such as scattering, flare or the like by reducing the surface roughness of an optical thin film more than before in the conventional element. - 特許庁

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。例文帳に追加

To increase operation speed of reading out data in a magnetic storage device storing data using a memory cell having a magnetic tunnel junction section (MTJ). - 特許庁

次いで、前記一対の電極間に所定の電圧を印加することにより、前記多孔質基材上に前記第１の反応溶液の構成元素と前記第２の反応溶液の構成元素とを含んでなる薄膜を直接合成する。例文帳に追加

The thin film formed by containing a structural element of the 1st reaction solution and a structural element of the 2nd reaction solution is directly synthesized on the porous base material by impressing a prescribed voltage between a pair of the electrodes. - 特許庁

ガラス基板からなるボディ１の一表面側に、ボディ１に設けられた収納孔１６を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体１７とアーマチュアブロック３を構成するフレーム部３１とが陽極接合される。例文帳に追加

A lid body 17 made of a silicon thin film blocking a housing hole 16 fitted to a body 1 and a frame part 31 constituting an armature block 3 are anodically bonded on one surface side of the body 1 consisting of a glass substrate. - 特許庁

安定性が高く、欠陥の少ない、十分な密着性を有するｐ−ｎ接合型の積層薄膜素子および該素子の製造方法を提供することをその目的とする。例文帳に追加

To provide a laminated thin film element of p-n junction type having a high stability, less defects, and sufficient tight attachment, and a method of manufacturing the element. - 特許庁

そして、マスターモデル６のレジスト膜７に金属薄膜７を蒸着した後、電極板８と電気接合し、反転パターンを備えた成型用の上金型１１を得る。例文帳に追加

Then a metal thin film 7 is vapor deposited on the resist film 5 of the master model 6, electrically joined to an electrode plate 8 to obtain an upper mold 11 for molding having the reverse pattern. - 特許庁

そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。例文帳に追加

After bonding the insulating film containing nitrogen atoms and a glass substrate to each other, the semiconductor substrate is split, whereby an SOI substrate in which the insulating film containing nitrogen atoms, the oxide film, a thin semiconductor film are stacked in this order is formed. - 特許庁

積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制すること。例文帳に追加

To prevent degradation of joint strength between a terminal forming surface and a thin film of electrode material, and wraparound of the electrode material in forming a terminal electrode on electrode forming surfaces on both ends of a multilayer electronic component. - 特許庁

第１の電極および第２の電極と、該電極間に、ｐ型またはｎ型のメソポーラス有機シリカとｎ型またはｐ型の材料とがバルクヘテロ接合している有機薄膜とを備えることを特徴とする太陽電池。例文帳に追加

The solar cell includes a first electrode and a second electrode, and in between these electrodes, the organic thin film in which p-type or n-type mesoporous organic silica and an n-type or p-type material are subjected to bulk-heterojunction. - 特許庁

剥離工程（Ｓ１５）は、圧電基板１の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部２に接合する圧電基板１から圧電薄膜４を剥離する。例文帳に追加

In the separation process (S15), a micro cavity is grown up inside a fixed distance from the flat surface of the piezoelectric substrate 1, and a piezoelectric thin film 4 is separated from the piezoelectric substrate 1 bonded to the support part 2. - 特許庁

他の基板に接合され、かつ薄膜化された基体層に形成されたＰＭＯＳトランジスタのサブスレッシュホールド特性を向上することができる半導体装置、その製造方法及び表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device joined to another substrate to improve subthreshold characteristics of a PMOS transistor formed on a thinned substrate layer, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device, and a display device. - 特許庁

融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出電極が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することが可能な薄膜太陽電池モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film solar cell module that can suppress an extraction electrode from readily peeling off, even when the extraction electrode and extraction wiring are jointed with a fusion portion, thereby preventing the reliability from degrading. - 特許庁

半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tape carrier for a semiconductor device, and a method for manufacturing the tape carrier, maintaining excellent joining property to a connection pad or the like of a semiconductor chip and thinning the film of a gold plated layer. - 特許庁

融着部により取出電極と取出配線とを接合する場合にも、取出配線が剥離し易くなることを抑制することにより信頼性が低下してしまうことを抑制することが可能な薄膜太陽電池モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film solar cell module capable of suppressing reliability deterioration by preventing an extraction wiring from becoming easily detachable, even when an extraction electrode and the extraction wiring are joined by a fusion unit. - 特許庁

更に加熱して、変質層（変質領域）１９を破壊し、厚膜部１０ｒが分離され、支持基板であるセラミック基板２０とその上に接合した厚さ薄膜部１０ｆの構成の、ウエハ（テンプレート基板）１００が得られた。例文帳に追加

A wafer (a template substrate) 100 constituted of the ceramic substrate 20 as the support substrate and the thin-film part 10f bonded on it is obtained by further heating to destroy the altered layer (the altered region) 19 to separate the thick-film part 10r. - 特許庁

ヘイズ率が高く、各光電変換層で得られる短絡電流値が均等化された、高効率の３接合型薄膜光電変換装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a three-junction type thin-film photoelectric conversion device with high efficiency which has a high haze rate and in which short-circuit current values obtained by respective photoelectric conversion layers are equalized. - 特許庁

磁気トンネル接合部（ＭＴＪ）を有するメモリセルを用いてデータ記憶を行なう薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。例文帳に追加

To achieve high-speed data read operation in a magnetic thin-film memory device which stores data using a memory cell comprising a magnetic tunnel junction unit (MTJ). - 特許庁

プリント基板１１のたわみによる応力は、薄膜金属導体１４で吸収され、チップ部品端子接合部及びチップ部品１５自体に伝わらない。例文帳に追加

Stress caused by the deflection of the printed board 11 is absorbed by the thin film metal conductor 14 and restrained from being conducted to a chip terminal joint and the chip 15 itself. - 特許庁

２枚のプレート１３、１４の接合面の外周縁での気密を確保するにあたっては、めっきで形成した金属薄膜５を用い、その部分の封止にロー付けを採用しない。例文帳に追加

In order to ensure airtightness at an outer peripheral edge of a joining surface between the two plates 13, 14, a metallic thin film 5 formed by plating is used, and brazing is not adopted for sealing that part. - 特許庁

装置に形成された薄膜トランジスタにおいて欠陥接合リーク電流を低減させることができる半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing faulty joint leakage current in a thin film transistor formed on the device, the semiconductor device, the manufacturing method of an electro-optical device, the electro-optical device and electronic equipment. - 特許庁

基板上にはんだ薄膜パターン１０４-1〜１０４-8を形成し、これらを集積回路チップ２０３の電極パッド２０４上に常温接合により積層して積層構造体からなるはんだバンプ１０５を形成する。例文帳に追加

On a substrate, solder thin-film patterns 104-1 to 104-8 are formed, and then these patterns are laminated by cold bonding on an electrode pad 204 of an integrated circuit chip 203 to form a solder bump 105 consisting of a laminated structure. - 特許庁

被接合部材である錫を第三の基板上に成膜し、これをハロゲン化処理した後、第一の基板上に形成されたセラミックス薄膜素子上に転写する。例文帳に追加

Tin, which is a jointed member, is formed on a third substrate, which is halogenated and then transferred onto a ceramics thin film element formed on a first substrate. - 特許庁

基材上に薄膜の金属層が形成されており、その上にセラミックスを含む導電性構造物が接着層を介することなく直接接合して導電性の複合構造物を構成する。例文帳に追加

In a conductive compound structure, a thin film metal layer is deposited on a substrate, and the conductive structure containing ceramics is directly bonded thereon without via an adhesive layer. - 特許庁

さらに、基板１１は、加工により線膨張係数が小さくされた難変形部位である非晶質膜１７を備えており、薄膜共振体１２は、非晶質膜１７において基板１１に接合されている。例文帳に追加

Further, the substrate 11 includes an amorphous film 17 being a hardly deformable part whose linear expansion coefficient is decreased by means of processing, and the thin film resonator 12 is joined with the substrate 11 at the amorphous film 17. - 特許庁

接合ローラ１０の回転と、薄膜送り手段であるチャックローラ８０の回転と、ロータリーカッター１００の回転とを同期して行う。例文帳に追加

The rotation of the joining roller 10, the rotation of a zipper roller 80 which is a thin-film sending means, and the rotation of the rotary cutter 100 are carried out synchronously. - 特許庁