「薄膜接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

さらに、両ケーブルの超電導導体層の間に介在される架設用超電導接続部材5と、超電導薄膜26A,26Bと架設用超電導接続部材5の双方の内周面に対面する接合用超電導接続部材6A,6Bを備える。例文帳に追加

Further, the structure is provided with a superconducting connection member for installation 5 intercalated between the both superconducting conductor layers of the both cables, and superconducting connection members for jointing 6A, 6B facing inner periphery faces of both the superconducting thin films 26A, 26B and the superconducting connection member for installation 5. - 特許庁

優れた光学的特性を示す中間層の製造技術を開発することにより、各シリコン系薄膜光電変換ユニットで発生する電流を高い値でバランスさせた、変換効率の高い多接合型シリコン系光電変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-junction silicon photoelectric conversion device having a high conversion efficiency, which balances the current generated in each silicon thin-film photoelectric conversion unit at a high value by developing a technique for producing a middle layer demonstrating excellent optical properties. - 特許庁

磁石１４０とヨーク１２０との接合面の接着剤１３０の端部１３１には、これを覆うようにヨーク１２０の上部端面１２２と磁石１４０の上部端面１４２とを連結するアルミ薄膜（補強部）１５０が形成される。例文帳に追加

At the end section 131 of the adhesive 130 on the joint surface between the magnet 140 and yoke 120, a thin aluminum film (reinforcing section) 150 which connects the upper end face 122 of the yoke 120 to the upper end face 142 of the magnet 140 is formed so as to cover the end section 131. - 特許庁

半導体素子を収納するパッケージ本体１ａの表面に露出する金属露出面のうち、半田接合又は実装に不必要な金属露出面３ａ、４ａの少なくとも外周部に、絶縁性材料を含むインクを印刷して絶縁薄膜層１０を形成する。例文帳に追加

An ink containing an insulating material is applied by printing to at least the external peripheral part of metal exposing surfaces 3a, 4a unnecessary for solder bonding or mounting out of a metal exposing surface exposed on the surface of a package body 1a for housing a semiconductor element, thereby forming an insulating thin film layer 10. - 特許庁

本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。例文帳に追加

To manufacture a Bi-based oxide superconductor thin film whose c-axis is oriented parallel to the substrate surface and whose a-axis (or b-axis) is oriented perpendicular to the substrate surface in order to obtain a high performance layered Josephson junction using a Bi-based oxide superconductor. - 特許庁

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。例文帳に追加

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction. - 特許庁

電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。例文帳に追加

A mask to which a metal thin film not transmitting electron beams is attached is used, and a defective region is locally formed only at a guard ring region and a pn junction formed by a substrate, thus reducing the reverse recovery time Trr without increasing the leakage current in the opposite direction. - 特許庁

さらに、レーザ光は微少部分に照射可能であると共に、試料の厚みが薄い場合にも対応可能であり、例えば、めっき、基板上はんだ接合部など薄膜、微少な特定領域であっても高精度に検査可能である。例文帳に追加

A laser beam can be irradiated to a very small part and adapt even in the case that the thickness of the sample is thin to highly accurately inspect, for example, even a plating, a thin film such as a solder junction part on a substrate, and a very small and specific region. - 特許庁

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module. - 特許庁

半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。例文帳に追加

The semiconductor film, which is formed through the manufacturing method of the semiconductor film, is utilized, thus forming the p-type thin-film transistor having excellent characteristics on metal foil, such as glass, Si, and SUS, and a plastic substrate, and embodying a photoelectric element, such as an LED utilizing a pn junction. - 特許庁

パターニングによって基板上に微細なはんだ薄膜パターン１０４-1〜１０４-8を形成することができるので、これらを接合して積層することにより、形状精度に優れた微小な金属バンプが得られ、接続不良や短絡を招くことなく、より高密度な接続が可能となる。例文帳に追加

Since the fine solder thin-film patterns 104-1 to 104-8 can be formed on the substrate by patterning, a minute solder bump having an excellent profile precision can be obtained by bonding and laminating them, resulting in enabling high-density connection without causing defective connections and short-circuits. - 特許庁

ガラス基板の反り量を低減し、後工程において薄膜が形成されたもう一枚のガラス基板とを貼り合わせる（陽極接合など）際の加工精度向上を可能にするガラス封止型パッケージの製造方法およびそのガラス封止型パッケージに用いられるガラス基板の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a glass-sealed package, and a glass substrate used for the glass-sealed package, whereby an amount of warp in a glass substrate is reduced to improve processing accuracy in a subsequent step in which the glass is combined (such as by anodic bonding) with another glass substrate provided with a thin film. - 特許庁

電解質膜が薄膜でありながら機械強度に優れ、触媒層と電解質膜との密着性が向上し、無加湿状態で高いプロトン伝導性を有する触媒層−電解質膜積層体、及びそれを用いた膜電極接合体と燃料電池、並びにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst layer-electrolyte membrane stack which is excellent in mechanical strength despite a thin electrolyte membrane, in which adhesion between catalyst layer and electrolyte membrane is improved, and has high proton conductivity under a non-humidified state, and a membrane-electrode junction body and a fuel cell using the stack, and a manufacturing method of the stack. - 特許庁

有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、均一性及び良好な接合界面を有する有機電界発光素子を製造できる有機電界発光素子用転写材料、及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法並びにその有機電界発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer material for an organic electroluminescent element for manufacturing an organic electroluminescent element having uniformity and a good jointing surface, in which an organic thin film layer can be simply formed on a substrate, and provide a manufacturing method of the organic electroliminescent element, as well as its organic electroliminescent element. - 特許庁

プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上に平滑層３０１を設けて平滑層３０１に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合し、該コンタクト層１１３の突出側に接続配線３０８を接続する。例文帳に追加

The display device has a heat conductive layer 310 on the plastic substrate 100, and a smooth layer 301 is formed thereon to bond the lower side contact layer 113 of a thin film LED 102 on the smooth layer 301, and an interconnect wiring 308 is connected to the protruded side of the contact layer 113. - 特許庁

このような構成によれば、凸部１３とシリコン薄膜電極１４は共にシリコンにより形成されているので固着することがなく、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。例文帳に追加

The projection 13 and the silicon thin film electrode 14 do not adhere each other because both of them are formed of silicon by this constitution, and the silicon substrate 2 can be surely prevented from sticking to the insulating layer 20 when performing anodic bonding between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20. - 特許庁

光電変換材の製造方法は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜を、有機金属亜鉛化合物および／または有機金属カドミウム化合物を含有する雰囲気中において熱処理することにより、ｐｎホモ接合またはｐｎヘテロ接合を形成させる工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the photoelectric conversion material includes a step of forming a p-n homojunction or a p-n heterojunction by applying a heat treatment to a base material, made of a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium in an atmosphere containing organic metal zinc compound and/or organic metal cadmium compound. - 特許庁

アルミニウムによって薄膜形状に形成されたソース電極４ｓと同程度の厚さを有し、ソース電極４ｓの露出面よりも僅かに小さい薄肉の略平板形状に形成されたアルミニウム製の導電プレート６を、ソース電極４ｓの露出面内において略全面的に面接触させて超音波接合により直接接合する。例文帳に追加

A conductive plate 6 made of aluminum which has an approximately same thickness as a source electrode 4s being formed in a thin film shape by aluminum and in a roughly flat plate with a slightly smaller wall thickness than that of an exposed side of the source electrode 4s is directly bonded by ultrasonic bonding being contacted nearly completely within the exposed side of the source electrode 4s. - 特許庁

薄膜振動板１０２上にアクチュエータ１０６を有する流路基板２００とノズルプレート１１４の接合工程において、圧力室と対向していない場所にアクチュエータ１０６と同程度の部材１０４を配置しておき、ヤング率が低い平面の加圧部材１０８を用いて流路基板２００とノズルプレート１１４とに圧力を印加して接合を行う。例文帳に追加

In a step of joining a channel substrate 200 having actuators 106 on a thin-film oscillation plate 102 and a nozzle plate 114, members 104 equivalent to the actuators 106 are disposed at the locations not opposed to pressure chambers, and joint is carried out by applying a pressure to the channel substrate 200 and the nozzle plate 114 by using a flat pressurizing member 108 having a low Young's modulus. - 特許庁

互いに逆導電型の関係を有する結晶系半導体基板１１と非晶質半導体膜１４の接合部に、薄膜の真性非晶質半導体膜１２，１３が挿入された光起電力装置において、接合部における光生成キャリアの再結合を低減し、光電変換効率を向上させる。例文帳に追加

To improve photoelectric conversion efficiency by reducing recombination of optically formed carriers in a junction, in a photovoltaic device wherein thin films 12, 13 of intrinsic amorphous semiconductor are inserted in the junction of a crystal based semiconductor substrate 11 and an amorphous semiconductor film 14 which have relation of mutually opposite conductivity types. - 特許庁

薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスに関し、製造工程における現像液に浸食されず、安定した生産が実現でき、透明電極との直接接合をしても低い接合抵抗を実現可能とした表示デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a display device which is not corroded with a developer in the manufacturing process so as to have stable production, and which makes a low junction resistance even when direct junction with a transparent electrode is conducted, with respect to the display device equipped with a thin film transistor, a transparent electrode layer and an aluminum alloy film layer for wiring. - 特許庁

薄膜トランジスタ１２、１３、１４ａ、１４ｂ、１５を有する第１基板１と、第１基板の一面に接合され、電気泳動粒子２４ｂ、２４ｃ及び電気泳動分散媒２４ａを有する第２基板２と、第２基板の一面に接合され、カラーフィルター３２を有する第３基板３とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The electrophoretic display apparatus includes: a first substrate 1 including thin film transistors 12, 13, 14a, 14b, 15; a second substrate 2 attached to one surface of the first substrate and including electrophoretic particles 24b, 24c and an electrophoretic dispersion medium 24a; and a third substrate 3 attached to one surface of the second substrate and including a color filter 32. - 特許庁

磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic tunnel junction structure having a double magnetic anisotropy free layer capable of independently optimizing the effect of increasing a reproduced signal value and reducing a critical current value required for switching by constituting a free magnetic layer constituting the magnetic tunnel junction structure with at least two magnetic thin films having different magnetic anisotropic directions and sizes. - 特許庁

溝部が形成されている第１のマイクロチップ基板１１と、金属薄膜１３が成膜されている第２のマイクロチップ基板１２とを接合したマイクロチップ１０において、両側の側面に突出部１６を形成し、その一方の面を第１、第２のマイクロチップ基板の接合面ＬＬと同一平面とする。例文帳に追加

In a microchip 10 which is obtained by joining a first microchip substrate 11 in which a groove is formed and a second microchip substrate 12 in which a metal thin film 13 is formed, protruding portions 16 are formed on both side faces, and one of the faces is made into the same plane as a composition surface LL of the first and second microchip substrates. - 特許庁

キーパッド弾性体と薄膜との貼り付けの密着性を大幅に向上でき、キーが押される場合にキーパッドの位置変位による信号を生じないことや信号が不明確になることや雑質が侵入することが一切生じないキーパッド弾性体接着剤組成物と当該組成物によるキーパッド弾性体接合方法を提供する。例文帳に追加

To provide an adhesive composition for keypad elastic which greatly improves he adhesion between keypad elastic bodies and films and completely inhibits the generation of signals by the displacement of keypads when the keys are pressed, obscure signals or torsion of odd matters, and a process for bonding keypad elastic bodies using this. - 特許庁

接続ヘッド１１によってベースフィルム１０を吸着し、第１の接続端子５および第２の接続端子６が接合するように接続ヘッド１０を実装配線板２および複数の半導体チップ３の配設方向に押下すると、複数の薄膜配線４が実装配線板２および複数の半導体チップ３に一回で同時に接続される。例文帳に追加

The plurality of thin film wires 4 are connected to the mounting wiring board 2 and the semiconductor chips 3 simultaneously at once, when sucking the base film 10 by a connection head 11, and when pressing down the connection head 10 to an arrangement direction of the mounting wiring board 2 and the plurality of semiconductor chips 3, to join the first connection terminal 5 to the second connection terminal 6. - 特許庁

トレンチ上端のコーナー部の形状を丸め形状にすることで、コーナー部での電界集中やゲート酸化膜の薄膜化を防止し、トランジスタ特性の劣化を防止し、またトレンチ内壁の酸化処理によるストレスを抑制することで、製造工程中に結晶欠陥等を発生せず、接合リーク電流を低く抑えられる。例文帳に追加

To prevent concentration of an electric field at a corner, thinning of a gate oxide film and deterioration of a transistor characteristics by shaping the corner at the upper end of a trench into a round form, and to restrain a junction leak current to the low level and prevent generation of crystal defects during the manufacturing steps by restraining the stress caused by oxidation of the inner wall of the trench. - 特許庁

基材の薄膜化を必要な部分のみに施し、薄い基材であっても高い寸法安定性を確保できるとともに接合電子デバイス等との高い適合性を確保でき、全体として優れた屈曲性や柔軟性を確保できるポリイミドフィルム回路基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polyimide film circuit board which can secure high size stability even with a thin base material by making only a necessary portion of the base material into a thin film and also can secure high adaptability to a bonded electronic device etc., and which has superior bendability and flexibility on the whole, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ドライバコンポーネント１１０と、ドライバコンポーネント１１０とは別個に製造され、開口のない流体薄膜を含んだＭＥＭＳコンポーネント１１２と、ドライバコンポーネント１１０およびＭＥＭＳコンポーネント１１２を作動的に接合する結合フィーチャ３３２と、ＭＥＭＳコンポーネント１１２に取り付けられたノズルプレート１１４を備えるＭＥＭＳ型インクジェットプリントヘッドである。例文帳に追加

The MEMS type inkjet printing head is provided with a driver component 110, an MEMS component 112 which is fabricated separately from the driver component 110, including an aperture-free fluid thin membrane, a bonding feature 332 which operatively joins the driver component 110 and the MEMS component 112, and a nozzle plate 114 attached to the MEMS component 112. - 特許庁

半導体チップ１と、半導体チップ１に形成されたスタッドバンプ３と、このスタッドバンプ３を取り囲むように、半導体チップ１上に形成した絶縁性支持薄膜である絶縁性レジスト膜４と、スタットバンプ３を介して半導体チップ１と超音波接合で固着された金属端子６付きセラミック基板５とで構成される。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor chip 1, a stud bump 3 formed on the chip 1, an insulative resist film 4 as an insulative supporting thin film formed on the chip 1 so as to surround the bump 3, and a ceramic substrate 5 with a metal terminal 6 fixed to the chip 1 through the bump 3 by a ultrasonic bonding. - 特許庁

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。例文帳に追加

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering. - 特許庁

長尺芯材１１と導電性薄膜形成フィルム２０を接合したシールド材本体１０の外周に易半田付性の導電性線材１５を巻回しただけの単純な構造であるため、材料費が安価であり作業工程を簡素化することができ、高い電気的導通性を確保することができる。例文帳に追加

Because of the simple structure formed only by winding the easy-to-solder conductive wire 15 around the outer periphery of the shield body 10 having the long-side core material 11 and conductive thin film-forming film 20 joined together, material costs are low, operation processes are simplified, and high electric continuity is secured. - 特許庁

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。例文帳に追加

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction. - 特許庁

表示装置は、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板1,2と液晶3とからなるパネル構造を有し、一方の基板1には、薄膜トランジスタの集合4と、これらを被覆する平坦化膜5と、平坦化膜5の上に配された画素電極の集合とが形成され、他方の基板2には、画素電極の集合に対面する対向電極が形成されている。例文帳に追加

The display device has a panel structure, composed of a couple of substrates 1 and 2 mutually joined across a specified gap and liquid crystal 3; and one substrate 1 has a set 4 of thin-film transistors, the planarizing film 5 which covers them, and a set of pixel electrodes formed on the planarizing film 5 and the other substrate 2 has a counter electrode formed opposite to the set of the pixel electrodes. - 特許庁

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。例文帳に追加

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5. - 特許庁

検出素子は、片持ち梁１１を備えたシリコン薄膜１と、片持ち梁１１の表面あるいは内部に形成された超伝導体閉回路３と、閉回路３に挿入されたジョセフソン接合４と、片持ち梁１１の変形を、超伝導体閉回路３に流すことができる最大超伝導電流の変化を通じて検出する物性変化検出手段とを有する。例文帳に追加

The detection element comprises a silicon membrane 1 provided with a cantilever beam 11; the superconducting closed circuit 3 formed in a surface or the inside of the cantilever beam 11; a Josephson junction 4 inserted in the closed circuit 3; and a property change detection means for detecting deformation of the cantilever beam 11 on the basis of changes in a maximum superconducting current which can be made to flow through the superconducting closed circuit 3. - 特許庁

外部からの荷重や振動などの負荷は出力蓋３からセラミックス体７に直接伝達することになり、強度および剛性が懸念されるセラミックス体７と出力側金属体８のナイフエッジ状の鋭利な部分が接合される金属薄膜15への荷重および振動の伝達を大幅に低減し、信頼性が向上する。例文帳に追加

Loading such as load or vibration from the outside is directly transmitted to the ceramics body 7 from the output cover 3, so that transmission of the load and the vibration to the thin film 15 for joining the ceramics body 7 to a knife-edge-like sharp part of the metal body 8 raising concerns about strength and stiffness is significantly reduced to improve reliability. - 特許庁

微小空間に反応流路や薄膜ヒータ等の機能要素が集積化された化学反応装置において、高精度の位置合わせ等の作業工程を必要とすることなく、かつ、基板相互が良好に接合された構成を有するとともに、反応流路内での反応効率の向上を図ることができる化学反応装置及び電源システムを提供する。例文帳に追加

To provide a chemical reaction apparatus constituted so that functional elements such as a reaction flow channel, a thin film heater and the like are integrated in a minute space, substrates are well bonded mutually without requiring a working process such as highly accurate alignment or the like and the reaction efficiency in the reaction flow channel is enhanced. - 特許庁

また、本発明の荷電粒子線成形体３００は、支持枠部１１ａに酸化シリコン２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに開口部（アパーチャ）３３が形成された荷電粒子線成形体４０の表面、側面及び裏面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。例文帳に追加

Moreover, the charged particle beam forming material 300 is constituted by forming the conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface, side surface and rear surface of the charged particle beam forming material 40, where an aperture 33 is formed to the thin film (membrane) 31a joined to the supporting frame 11a via a silicon oxide 21a. - 特許庁

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。例文帳に追加

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like. - 特許庁

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。例文帳に追加

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics. - 特許庁

カラー陰極線管のフェースプレート１の内面に形成された蛍光面２上に、その接合面１０ａが高反射効率の純Ａｌ膜によって形成され、色選別電極に対向する表面１０ｂが低反射効率の純Ｆｅ膜によって形成された金属薄膜１０を１つの真空蒸着工程で形成する。例文帳に追加

The metal thin film 10 of which the joining face 10a is formed of a pure Al film of high reflecting efficiency, and of which the surface opposed to the color selecting electrode is formed of a pure Fe film of low reflecting efficiency is formed on the fluorescent face 2 formed on an inner face of a face plate 1 of the cathode ray tube, by one vacuum evaporation process. - 特許庁

テープ状の形成される漏水補修材２は、柔軟性と遮水性とを有する薄膜の基材３と、この基材３に接合され、柔軟性と遮水性とを有しコンクリート水路６の表面７に生じた凹凸部の最大高低差Ｄに応じて所定の厚さＴを確保して形成された変形自在な付着層４とを備えている。例文帳に追加

This leakage repairing material 2 formed in a tape shape includes a thin film substrate 3 having flexibility and impermeability; and a deformable adhesion layer 4 bonded to the substrate 3, the adhesion layer having flexibility and impermeability and formed to secure a predetermined thickness T according to the maximum difference in the height D of irregularity on a surface 7 of a concrete water channel 6. - 特許庁

耐熱性を有するポリイミド層と蒸着法により金属薄膜を形成した金属層とが、高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することなくポリイミドからなる支持体と金属層との剥離強度の大きい、微細配線用基板として使用可能である銅積層基板に用いることができるポリイミドフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a polyimide film usable for copper laminated boards, which boards are obtained by monolithically connecting and laminating with high adhesion a heat resistant polyimide layer and a metallic layer of a metallic thin film formed by the vapor deposition method, have high peel strength between a polyimide substrate and the metallic layer without using any adhesive, and are usable as a fine wiring board. - 特許庁

シリコンへテロ接合太陽電池、またはサブストレート型薄膜太陽電池等において、光電変換層と封止材料膜の間に、湿式塗工法で透明導電膜を形成することにより、封止材料膜を通過した光の光電変換層表面での反射光を低減させ、太陽電池の変換効率を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To enhance conversion efficiency of a solar cell by forming a transparent conductive film by wet coating between a photoelectric conversion layer and a sealing material film, in a silicon heterojunction solar cell or a substrate type thin film solar cell, thereby reducing reflection of light passed through the sealing material film and reflected on the surface of the photoelectric conversion layer. - 特許庁