「薄膜接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film. - 特許庁

半導体薄膜層１０４と、基板１０１とを有し、半導体薄膜層１０５と基板１０１とが、高融点金属１０３と、高融点金属１０３と低融点金属１０４との合金の層１２１とを介して相互に接合されて、合金１２１が、低融点金属１０４よりも高い融点を有する半導体複合装置を構成する。例文帳に追加

A semiconductor composite device having a semiconductor thin film layer 104 and a substrate 101 so that a semiconductor thin film layer 105 and the substrate 101 are bonded mutually through a high melting point metal 103, and an alloy layer 121 of a high melting point metal 103 and a low melting point metal 104 and the alloy 121 has a higher melting point than the low melting point metal 104. - 特許庁

前記真空度検査デバイスはベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティに金属薄膜抵抗を設置し、前記金属薄膜抵抗を外部の電極と導通させる貫通電極を形成することで構成される。例文帳に追加

The vacuum inspection device is structured by arranging the base substrate, the lid substrate joined to the base substrate and facing the base substrate, a metal thin film resistance arranged in the cavity formed between the base substrate and lid substrate, and a through electrode for conducting the metal thin film resistance to an external electrode. - 特許庁

つまり、導電体層を形成する目的で、導電体層を形成する導電性材料から形成され且つ所定の粒径分布をもつ微粒子材料を高圧にてアルミニウムを主成分とする薄膜基材表面に噴射することで、強固に接合した導電体層を薄膜基材表面に形成できる。例文帳に追加

That is, a firmly-joined conductor layer is formed on the surface of the thin film base material so that the particulate material made of a conductive material forming a conductor layer and having a distribution of designated particle sizes is injected on the surface of the thin film base material with aluminum as a major component at high pressure in order to form the conductor layer. - 特許庁

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。例文帳に追加

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2. - 特許庁

互いに異なる波長域の光により励起されて光電流増倍現象を示す２種類の有機半導体層を積層したヘテロ接合体にさらに有機電界発光素子を積層一体化した構造を持つ多層有機薄膜構造、及びその多層有機薄膜構造に電圧を印加する電極を備えた有機光演算素子８０に高電圧を印加して発光させておく。例文帳に追加

An organic optical operation element 80 which has the multilayered organic thin-film structure having a structure obtained by laminating and integrating an organic electric field light emitting element to a heterozygote laminated with two kinds of organic semiconductor layers indicating a photocurrent multiplication phenomenon when excited by light of wavelength regions different from each other and electrodes for impressing a voltage to the multilayered organic thin-film structure is kept to emit light by applying the high voltage thereto. - 特許庁

ＬＥＤ用の半導体装置は、基板１０上に形成されたオーミック電極１１と、このオーミック電極１１上に接合され、電気を光に変換して出射するＬＥＤ用の半導体薄膜２０と、オーミック電極膜１１の開口部内に形成され、半導体薄膜２０の裏面側から漏れる光を反射する反射部１２とを有している。例文帳に追加

The semiconductor device for the LED includes an ohmic electrode 11 formed on a substrate 10, a semiconductor thin film 20 for LED, bonded onto the ohmic electrode 11 and converting electricity into light and emitting the light, and a reflection portion 12 formed in an opening of the ohmic electrode 11 and reflecting light leaking from a reverse surface side of the semiconductor thin film 20. - 特許庁

支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、画素電極が異方性導電膜を介してドレイン電極と接合されている画像駆動素子シート。例文帳に追加

In the image driving element sheet, a plurality of thin film transistors coupled via a gate bus line and a source bus line are formed on a support sheet, the thin film transistors have source electrodes and drain electrodes coupled by channels consisting of gate electrodes, gate insulation layers, semiconductor layers in this order and the pixel electrodes are joined with the drain electrodes via an anisotropic conductive film. - 特許庁

ＭＥＭＳ素子２３が設けられたシリコン基板２２の上部と、金属配線連結のための穴２６が形成されているガラスウェハ２４とを接合するＭＥＭＳパッケージング工程に適用される金属配線を連結する方法であって、穴に金属薄膜２７を蒸着する段階及び蒸着された金属薄膜２７をイオンミーリングする段階を含む。例文帳に追加

The method of coupling metallic wires applied to an MEMS packaging process for joining the upper part of a silicon substrate 22 equipped with an MEMS element 23 and a glass wafer 24 formed with a hole 26 for coupling the metallic wires includes a step of depositing a metallic film 27 in the hole and a step of ion-milling the deposited film 27. - 特許庁

ダイヤモンド構造の｛１１１｝双晶粒界で接合した多結晶粒で構成した半導体薄膜（擬似的な単結晶薄膜と称する）をＴＦＴのチャンネル領域（即ち、活性領域）として活用することによって、高い電子移動度を有するＴＦＴを所望の特性ばらつきの範囲内で再現性良く実現できる。例文帳に追加

A semiconductor thin-film (pseudo-singes crystal thin-film) comprising polycrystalline grain jointed with {111} twin grain boundary of diamond structure is utilized as a channel region for TFT (in short, an active region), so that a TFT of high electron mobility is realized with satisfactory reproducibility within a desired characteristics variation. - 特許庁

基板上に圧電体と同じ結晶構造に誘導できるアミノポリカルボン酸金属錯体とアミンとの塩またはアミノポリカルボン酸金属塩とアミンとの塩から生成した薄膜層を形成し、その薄膜層を介して基板と圧電体層を接合した構造を備えた振動部分の構成、ならびに製法とする。例文帳に追加

A thin film layer which is formed of salt of aminopolycarboxylic acid metal complex and amine or salt of aminopolycarboxylic acid metal salt and amine which can be derived to the same crystal structure as a piezoelectric is formed on a substrate, and a vibration part is constituted and manufactured to have a structure wherein a substrate and a piezoelectric layer are joined through the thin film layer. - 特許庁

少なくとも触媒金属を担持した導電性炭素粒子と高分子電解質とを混合し触媒層を製造する工程と、作製された触媒層を薄膜化する工程と、その薄膜の複数枚をプロトン伝導性電解質膜の上に順次積層することによりそのプロトン伝導性電解質膜と触媒層との接合体を形成する工程と、その接合体にガス拡散層を接合する工程とにより燃料電池用ＭＥＡを作製する。例文帳に追加

MEA for a fuel cell is manufactured by a process manufacturing the catalyst layer by mixing conductive carbon particles carried with at least the catalyst metal and the polymer electrolyte; a process forming a thin membrane of the produced catalyst layer; a process forming an assembly of a proton conductive electrolyte membrane and the catalyst layer by successively laminating a plurality of thin membranes on the proton conductive membrane, and a process joining a gas diffusion layer to the assembly. - 特許庁

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction. - 特許庁

櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよびこれらを取り囲む封止部薄膜１３ａが形成された圧電基板１０の主面側から、その圧電基板１０より熱膨張係数が小さい封止基板２０を一体に接合したことを特徴とする。例文帳に追加

A sealing board 20 having a coefficient of thermal expansion smaller than a piezoelectric board 10 is joined integrally from the main surface side of the piezoelectric board 10 forming a pectinate electrode 11, an internal wiring electrode 12a and a sealing-section thin-film 13a surrounding these electrodes. - 特許庁

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。例文帳に追加

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection. - 特許庁

前記下部及び上部電極板を接合し、色素が吸着されたナノ結晶酸化物フィルムとナノ粒子プラチナ金属薄膜フィルムとの間に電解質を注入した後、陰極と陽極を導電性物質で連結して透明太陽電池モジュールを製造する。例文帳に追加

After joining the lower electrode plate to the upper electrode plate and injecting electrolyte between the nano crystal oxide film of which pigment is adsorbed and the nano particle platina metal thin film, the transparent solar cell module is produced by coupling the negative electrode to the positive electrode with conductive material. - 特許庁

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。例文帳に追加

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed. - 特許庁

膜／電極接合体をホットプレスで製造する時に、電極１３・１４において膜１２と接触する片面に、膜材料を含有する溶液を少量、均一に塗り、乾燥することによって、同膜材料から成る薄膜層を作る。例文帳に追加

When manufacturing the membrane electrode assembly by hot-press, a small amount of solution containing a membrane material is uniformly applied onto a single surface of the electrodes 13 and 14 abutting with the membrane 12, and is dried, and thus a thin membrane layer comprising the membrane material is obtained. - 特許庁

プラスチックフィルム基板１２上に、第１の透明電極１８と、電子ブロック層２０と、バルクヘテロ接合型の光電変換層２２と、第１の透明無機酸化物層２４と、ドープされた第２の透明無機酸化物層２６を含む第２の透明電極とをこの順に有する有機薄膜太陽電池。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell comprises a first transparent electrode 18, an electron block layer 20, a bulk-heterojunction photoelectric conversion layer 22, a first transparent inorganic oxide layer 24, a second transparent electrode containing a doped second transparent inorganic oxide layer 26, in this order on a plastic film substrate 12. - 特許庁

合金系活物質を含有する薄膜状負極活物質層を備えるリチウムイオン電池用負極において、負極集電体と負極リードとを合金層により導通性良く接合するとともに、合金層の寸法および形状を調整する。例文帳に追加

To joint an anode collector and an anode lead with an alloy layer in good conductivity for an anode for a lithium ion battery equipped with a thin-film anode active material layer containing an alloy-based active material, and adjust the dimension and the shape of the alloy layer. - 特許庁

インプリント型を用いてナノインプリント加工することによりドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層にナノスケール幅の微細な溝を形成し、該微細な溝に電極を形成して有機薄膜太陽電池を製造する。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell is manufactured by forming fine grooves with a nano-scale width on a layer on which a bulk hetero junction by a donor and an acceptor is formed by applying nano-imprint processing by using an imprint frame, and forming electrodes in the fine grooves. - 特許庁

薄膜太陽電池は、透明表面電極層、光起電活性層システム、透明導電性バリア層４、ならびに金属接合層６およびＡｇ含有反射体層８を含む裏面層システム５が配置される透明基板を有する。例文帳に追加

The thin-film solar cell includes a transparent substrate where a transparent surface electrode layer, a photovoltaic active layer system, a transparent conductive barrier layer 4, and a back layer system 5 including a metal junction layer 6 and an Ag-containing reflector layer 8 are arranged. - 特許庁

有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell has a structure in which the surface of a layer with a bulk hetero junction by a donor and an acceptor formed thereon is formed into a number of island-like structures surrounded by fine grooves of a nano-scale width, and electrodes are formed in the fine grooves. - 特許庁

薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。例文帳に追加

To provide a thin-film photoelectric conversion device which maintains high productivity by a technique suitable for an increase in area without causing a decrease in yield, and which has improved conversion efficiency by forming an excellent junction interface between a transparent electrode layer made of zinc oxide and a photoelectric conversion unit. - 特許庁

製造過程での加熱工程及び製品使用時での薄膜圧電素子を含む振動板の破壊、接合面のはがれに起因する動作不良を解消して安定した滴吐出特性が得られる圧電型アクチュエーターを提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric actuator obtaining stable drop ejection characteristics by eliminating an operation failure caused by the breakage of a vibrating plate including a thin film piezoelectric element and the exfoliation of a joint surface in a heating process in a manufacturing process and during the use of a product. - 特許庁

石英を材料とする第１の光学素子と、フッ化カルシウムを材料とする第２の光学素子と、前記第１の光学素子と前記第２の光学素子とを接合する少なくとも一層以上の酸化物光学薄膜とを有することを特徴とする光学素子を提供する。例文帳に追加

The optical element is equipped with a first optical element formed of quartz material, a second optical element formed of calcium fluoride material, and one or more oxide optical thin films which join the first optical element and the second optical element together. - 特許庁

この表面弾性波素子１２においては、薄膜電極１８にＣｕ等の偏析が生じており、このような偏析は、フリップチップ実装の超音波接合の際に圧電性基板２８に亀裂が入る事態を抑止することに有効であることが、発明者らの実験により新たに見出された。例文帳に追加

In the surface acoustic wave element 12, segregation of Cu, etc., occurs in the thin film electrode 18, and inventors newly finds out that such segregation is effective to prevent a crack occurring in the piezoelectric substrate 28 at the time of ultrasonic joining of flip chip mounting in an experiment. - 特許庁

ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。例文帳に追加

Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small. - 特許庁

本発明に係る微細加工用型１は、微細な構造が形成された薄片型２と、この薄片型２の材料と熱膨張係数が同一または略同等の材料からなり薄片型２より厚みの大きい台座３とが、薄膜４を介して接合されてなる。例文帳に追加

The microprocessing mold is constituted by joining a thin piece mold 2 having a microstructure formed thereto and a pedestal 3, which is composed of a material of which the coefficient of thermal expansion is same to or almost equal to that of the material of the thin piece mold 2 and thicker than the thin piece mold 2, through a thin film 4. - 特許庁

光反応型ホットメルト接着剤を用いて、厚みが２００μｍ以下の基材と厚みが３００μｍ以上の基材とを貼り合わせた接合体を、硬化反応率が３０〜１００％で積み重ねて保管することを特徴とする薄膜基材の貼り合わせ方法。例文帳に追加

The method for laminating the thin film base material comprises stacking each conjugate obtained by laminating the base material having ≤200 μm thickness to a base material having ≥300 μm thickness in 30-100% curing reaction ratio by using the photoreaction type hot melt adhesive. - 特許庁

金属２層構造Ｔａｐｅ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ１０の金属薄膜層である配線パターン５ａと導電性のスティフナ１２とを導電性接着剤１５によって接合することにより、スティフナ１２にＶＤＤ電位の電源系プレーンとしての機能を持たせる。例文帳に追加

The function as a VDD potential power source plane is given to a stiffener 12, by junctioning the metal thin film layer wiring pattern 5a of the film carrier tape 10 for a metal two-layer structure Taper BGA and a conductive stiffener 12 using a conducting bonding agent 15. - 特許庁

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。例文帳に追加

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed. - 特許庁

集束イオンビーム２で薄膜加工した半導体ウェーハの微細試料片３を摘出するために、搬送手段７に設けられた保持手段先端部９を試料片３に接触させ、接触面の表面活性化による原子間結合を利用して両者を接合して、取り出す。例文帳に追加

To extract a minute sample piece 3 of a semi-conductor wafer thin film processed by a focused ion beam 2, the distal end 9 of a supporting means provided on a transfer means 7 is brought into contact with the minute sample piece 3, and the sample connected to the end making use of the interatomicbonds caused by surface activation of the contact surface is extracted. - 特許庁

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなる音響整合層４２が具備されている。例文帳に追加

An ultrasonic transducer 31 built in an ultrasonic probe 11 includes the acoustic matching layer 42 composed of: a three-dimensional structure 51 which is produced using technology obtained by adapting normal temperature junction and in which thin film patterns 52 are laminated; and a base material 50 in which the three-dimensional structure 51 is embedded. - 特許庁

基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に１組積層されて構成されてなり、 前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されている単接合型薄膜太陽電池。例文帳に追加

A unijunction thin film solar cell is equipped with a set of a transparent conductive layer and a photoelectric conversion layer formed on a board in this sequence, a plurality of holes are provided to the surface of the transparent conductive layer that comes into contact with the photoelectric conversion layer, and irregularities are provided to each inner surface of the holes. - 特許庁

簡易な構成を追加することでセンサ特性に与える影響を最小限に抑えつつガス感応層とガス選択燃焼層との接合強度を増大させ、パルス駆動時の昇温・降温による歪みに影響されにくくした薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film gas sensor that increases the bonding strength of a gas-sensing layer to a gas selection combustion layer, while minimizing the influence on the sensor characteristics, by adding a simple constitution and which is less apt to be affected by distortion by temperature increase or temperature decrease during pulse drive, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、セラミック或いはガラス基板によってシリコンチップに製作される薄膜受動部品を接合させ、応力抵抗性を高め、厚膜パッケージング方法でその部品をパッケージングし、サイクル時間及び生産コストを低減させるパッケージング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a packaging method which is capable of reducing a thin film passive part in a cycle time and production cost by bonding the thin film passive part which is formed into a silicon chip to a ceramic or glass board to make it improved in stress resistance and by packaging it through a thick film packaging method. - 特許庁

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。例文帳に追加

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10. - 特許庁

ダンパープレート１１は、マニホールド室１２ａに対面する部位に隔壁２１を隔てて隣接した複数の凹部２１ａを形成された板材１１ａと、マニホールド室１２ａと凹部２１ａとを仕切る可撓性のダンパー壁２１ｂを構成する薄膜材１１ｂを接合させて構成した。例文帳に追加

The damper plate 11 is constituted by joining a plate material 11a in which a plurality of recessed parts 21a adjoining separately through bulkheads 21 are formed at a site facing the manifold room 12a, and a thin film material 11b constituting a flexible damper wall 21b partitioning the manifold room 12a and the recessed parts 21a. - 特許庁

ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。例文帳に追加

To provide a thin film transistor which can inhibit increase in leakage current via a surface of an extension part of an ohmic contact film from a source electrode and a drain electrode and in leakage current via a defect at a bonded side face part between the ohmic contact film and a semiconductor active film. - 特許庁

積層された複数の光電変換層の相互間に生じる中間接合層がコンタクト領域と短絡してＦ．Ｆ．を低下させることを防止し、光電変換効率を向上することが可能な集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an integrated thin film solar cell which prevents an intermediate junction layer between a plurality of laminated photoelectric conversion layers from short-circuiting with a contact region and lowering F.F., and also to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

センサチップ１の上部には、カンチレバー４がマス部５と支持体１６の一側辺１６ｃを連結する連結方向（Ａ方向）と平行方向に位置し、支持体１６のマス部５を挟んで相対する２辺に形成されたアルミニウム薄膜を介して、上部ガラスキャップ２が接合される。例文帳に追加

The cantilever 4 is positioned in parallel to a connecting direction (A-direction) for connecting the mass part 5 to one side edge 16c of a supporting body 16, in an upper part of a sensor chip 1, and an upper glass cap 2 is joined via an aluminium thin film formed in two sides facing each other while sandwiching the mass part 5 of the supporting body 16. - 特許庁

機能面に微小な可動部を有する機能素子体１２を実装したパッケージ基板１１と、機能素子体１２の周辺回路を構成した薄膜多層回路体１４とを接着樹脂枠体１３を介して接合して、機能素子体１２を封装する中空部１５を構成する。例文帳に追加

A package substrate 11 where a functional element body 12 having a very small movable part on the functional surface is packaged and a thin multi-layer circuit body 14 where the peripheral circuit of the functional element body 12 is constructed are joined to each other through a bonding resin frame body 13 to constitute a hollow part 15 for sealing the functional element body 12. - 特許庁

六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element comprises a p-type clad layer 11 consisting of a hexagonal-crystal SiC single crystal thin film; and a light emission layer 12 which consists of an alloy ZnO compound semiconductor having a wurtzite structure and a forbidden band width Eg not less than 1.8 eV and less than 3.1 eV, and forms a hetero junction with the clad layer 11. - 特許庁

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合技術を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなるバッキング材４０が具備されている。例文帳に追加

An ultrasonic transducer 31, which is built in an ultrasound probe 11, comprises a backing material 40 consisting of a three-dimensional structure 51, which is produced using technique by making use of ordinary temperature junction technique and is laminated with a thin film pattern 52, and the base material 50 under which the three-dimensional structure 51 is laid. - 特許庁