「薄膜接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a superconducting element not allowing deterioration in the Josephson junction even when a superconductor thin film is formed of a multilayer structure, and also to provide a manufacturing method of the same superconducting element. - 特許庁

位置決め・転写を繰り返すことにより、対向基板６上に複数の薄膜を積層して接合された微小構造体が形成される。例文帳に追加

By repeating positioning and transfer, plural thin films are stacked and joined on the opposite base plate 6 to form a micro-structure. - 特許庁

光閉込効果の高い、安定した光電変換効率を有する多接合型薄膜太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a multi-bonded thin film solar cell which is high in the optical confinement effect and has a stable photoelectric conversion efficiency. - 特許庁

２つの部品の間を、Ｂｉを主成分とするハンダ材料により接合してなる接合体であって、前記２つの部品のそれぞれの被接合面にＣｕ層を備え、前記Ｃｕ層の表面にＰｄ及びＮｉの少なくとも一方を含む薄膜が形成され、接合後には前記薄膜が消失していることを特徴とする接合体である。例文帳に追加

The joined body whose two components are joined with each other by a soldering material having Bi as a main composition each other has a Cu layer on each joined surface of the two components, and a film containing at least one of Pd and Ni is formed on the surface of the Cu layer, and the film vanishes after joining. - 特許庁

回路基板の表面に導体薄膜が形成されており、かつ導体薄膜が、素子搭載領域の周囲において、接合材を接合目的で溶融させた時にその溶融物の過剰分が流入し、貯留可能な仕切り溝をさらに有しているように構成する。例文帳に追加

A conductor thin film is formed on the surface of the circuit board and has a partition groove that an excess of the joining material flows in and pools when the joining material is fused for joining at the circumference of an element mount area. - 特許庁

その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。例文帳に追加

The two substrates are next superposed under atmospheric pressure such that the thin films formed on the two substrates are in contact and, when necessary, the substrates are heated to cause atomic diffusion at a bonded interface and grain boundary of the microcrystalline thin films, which bonds the two substrates. - 特許庁

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。例文帳に追加

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured. - 特許庁

異種の半導体等を積層して接合させたヘテロ構造を有する多層薄膜の製造においてクロスコンタミネーションの発生を防止し、ヘテロ接合界面の組成変化を従来よりも更に急峻にする事を可能にする多層薄膜製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing apparatus of a multilayer thin film whereby the generations of cross-contaminations are prevented in the manufacture of the multilayer thin film having a hetero-structure of so laminating therein differen kinds of semiconductors, etc. as to join them to each other, and the compositive change in the interface between heterojunctions is made further more steep than conventional ones. - 特許庁

その後，前記２つの基体に形成された前記微結晶連続薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより，前記微結晶連続薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。例文帳に追加

Thereafter, by superimposing the two substrates in a manner that the microcrystallized continuous thin films formed on the two substrates are in contact with each other, nuclear diffusion is produced in the joining boundary and the crystal grain boundary of the microcrystallized continuous thin films, thereby joining the two substrates. - 特許庁

単結晶Ｓｉ薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Ｓｉ薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device using a large and inexpensive substrate showing the stable characteristics, which also includes a single crystal Si thin film and not generating any variations and fluctuations in the junction strength of the single crystal Si thin film and in the stress working on the junction interface, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

その後，大気圧の高純度不活性ガス雰囲気下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。例文帳に追加

Thereafter, the two substrates are superimposed in such a manner that the thin films formed on the two substrates are contacted in a high purity inert gas atmosphere under the atmospheric pressure, thus atomic diffusion is generated on the joining interfaces and crystal grain boundaries of the fine crystal thin films to join the two substrates. - 特許庁

基板ホルダ３０および転写台４０を回転させながら、基板１０上の複数の薄膜１２ａおよび転写台４０の接合面にアルゴンの高速原子ビーム５を照射し、基板１０から複数の薄膜１２ａを剥離し、転写台４０上に複数の薄膜１２ａを積層して接合することにより微小構造体を形成する。例文帳に追加

While rotating a substrate holder 30 and a transfer table 40, the joining face of plural thin films 12a on a substrate 10 and the transfer table 40 is irradiated with an argon high speed atom beam 5, plural thin films 12a are peeled from the substrate 10, plural thin films 12a are laminated/joined on the transfer table 40, a micro structure is formed. - 特許庁

次いで、前記プレート(2) の接合面に純ニッケルの固相薄膜を形成した後、前記分割流路を合わせて固相拡散接合法により接合する。例文帳に追加

A pure nickel solid phase thin film is formed on the bonding surface of the plate (2), and then the divided flow ways are matched and bonded to each other by a solid phase diffusion bonding method. - 特許庁

同様に、第１接合体２７の側面にダイクロイック膜１３ｂ及びガラス薄膜２２を成膜し、第１接合体２６と一体化して第２接合体２９を形成する。例文帳に追加

A dichroic film 13b and a glass thin film 22 are similarly formed on a side face of the first joined body 27, and then integrated with the first joined body 26 to form a second joined body 29. - 特許庁

また、接合片１６、１７を設けること、および、補強材７の一方面１９および他方面２０に接合片１６、１７を接合することは容易なので、低コストで薄膜３を補強することができる。例文帳に追加

Since it is easy to provide the jointing pieces 16, 17 and joint the jointing pieces 16, 17 into one surface 19 and the other surface 20 of the reinforcing material 7, the thin film 3 can be reinforced at low cost. - 特許庁

接合界面にボイドやブリスターが発生せず、膜厚均一性が高い薄膜層を有する良質の直接接合ウエーハを低コストで製造できる直接接合ウエーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a direct bonded wafer capable of inexpensively manufacturing the direct bonding wafer of high quality which has a thin-film layer with high uniformity in film thickness, without generating voids or blisters on bonding interface. - 特許庁

また、半導体圧力センサチップ１の他面側には、台座２が接合層８を介して接合され、台座２の半導体圧力センサチップ１との接合面と異なる面側には、メタル薄膜９が形成されている。例文帳に追加

The seat 2 is also bonded to another face side of the semiconductor pressure sensor tip 1 through a bonding layer 8, and a metal thin film 9 is formed on the side of the seat 2 different from bonding surface with the semiconductor pressure sensor tip 1. - 特許庁

超音波モータ２は、構成する部品が薄膜パターンで形成され、常温接合を応用した技術により、接合面を直接接触させて接合して作製される。例文帳に追加

The micro ultrasonic motor 2 has components formed with thin film patterns, and is manufactured by bonding and directly contacting bonding surfaces using a technology for applying normal temperature bonding. - 特許庁

そして、レンズ部１４２を有する第２誘電体１４の接合面１４１Ａ上に第１誘電体１２の電気伝導性薄膜１６側を重ね合わせ、両誘電体同士を陽極接合法により接合して一体化する。例文帳に追加

Then the first dielectric body 12 is stacked with the electric conductive thin film 16 side on the joint face 141A of a second dielectric body 14 having a lens part 142, and both of the dielectric bodies are joined into one body by anodic joint method. - 特許庁

白金接合薄膜２３ａ、２３ｂに接合した白金線は容易に外れないので簡単にその接合ができ、短時間に動作温度まで昇温できる小型省電力タイプのガスセンサが実現できる。例文帳に追加

Since the platinum wires joined to the platinum joining thin films 23a and 23b are not easily detached, they can be simply joined and the small-sized power saving type gas sensor of which the temperature can rise to an operation temperature in a short time can be realized. - 特許庁

複合材からなる一方の部材１１の表面にアルミニウム薄膜を接着して接合層１４を形成し、この接合層１４に、少なくとも接合面１２ａがアルミニウムとされた他方の部材１２を接合面１２ａにおいて摩擦接合してもよい。例文帳に追加

Alternatively, an aluminum thin film is adhered to the surface of one member 11 consisting of the composite material to form a joined layer 14, and the other member 12 with at least the joining surface 12a thereof formed of aluminum may be friction-joined with the joined layer on the joining surface 12a. - 特許庁

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm. - 特許庁

半導体素子２と電極１とを金薄膜３を介して接合した接合体と、線膨張率３０ｐｐｍ以下且つ弾性率５ＧＰａ未満の封止材からなり、接合体の接合部を封止する封止材層５と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device with the electrode comprises: a joining body for which a semiconductor element 2 and the electrode 1 are joined via gold thin film 3; and a sealing material layer 5 composed of a sealing material whose linear expansion coefficient is ≤30 ppm and elastic modulus is <5 GPa, for sealing the joining part of the joining body. - 特許庁

ベースの表面に保持された薄膜をシート材の表面に重ね合わせ、ベースの裏面からシート材を加熱してこのシート材の表面全域に薄膜を接合させる場合、シート材が保管されている雰囲気中の温度や湿度によって接合状態が変わってしまい、正常に接合できない場合もある。例文帳に追加

To solve a problem that when a thin film held on the surface of a base is laid on the surface of a sheet material and bonded to the entire surface of the sheet material by heating the sheet material from the back of the base, normal bonding may not be ensured because the bonding state is changed by the temperature or humidity of the atmosphere where the sheet material is stocked. - 特許庁

ディスプレイ装置１００は、第１フレキシブル基板２１０上に表示素子層２２０及び画素駆動用薄膜トランジスタ２３０を有するディスプレイユニット２００と、ディスプレイユニット２００の第１面上に接合され、当該ディスプレイユニット２００を駆動するデバイスであって、第２面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ３２０を有する薄膜デバイス３００と、から形成されている。例文帳に追加

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface. - 特許庁

半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。例文帳に追加

A thin-film metal layer is formed which is laminated on a semiconductor layer, Schottky-junctioned with the semiconductor layer and has a film thickness of ≤100 nm, a modulated voltage or modulated light is applied to the thin-film metal layer to generate a response current responding to the modulated voltage or modulated light between a first electrode and a second electrode which are ohmic-connected with the thin-film metal layer. - 特許庁

コンタクト孔（１０７）を開口し、シリコン薄膜（１０８）およびバリアメタル（１０９）を順次堆積させた後、あるいはバリアメタル（２０８）およびシリコン薄膜（２０９）を順次堆積させた後、熱処理を行ってシリサイドを形成することにより、薄膜シリコンからシリコンを供給してシリサイド層の下方への成長を抑制し、接合リークを防止する。例文帳に追加

A contact hole 107 is made, and a silicon film 108 and a barrier metal 109 are deposited in order, or, a barrier metal 208 and a silicon film 209 are deposited in order, thereafter, the silicide is formed by heat treatment, thereby, silicon is supplied from the silicon film to inhibit the silicide layer from growing downward, the junction leakage is then prevented. - 特許庁

薄膜基板を積層して形成されたインクジェットヘッドであって、金属粒子１６０を混ぜた樹脂接着剤１５６によって接合され積層された薄膜基板と、前記積層された薄膜基板によって形成される流路内に露出した前記樹脂接着剤１５６の部分に形成された金属膜１５８と、を有することを特徴とするインクジェットヘッドを提供することにより前記課題を解決する。例文帳に追加

The inkjet head which is a laminate of thin film substrates is characterized by comprising the thin film substrates bonded by a resin adhesive 156 formed by mixing a metal powder 160 and a metal film 158 formed in a part of the resin adhesive 156 exposed into a flowing path formed by the bonded thin film substrates. - 特許庁

基板上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜と、この薄膜の上方に成膜されたレジスト膜を備えるマスクブランクであって、 前記薄膜と前記レジスト膜とに接合した付着層を介挿することにより、前記レジスト膜をパターン形成する際の現像に際し、パターン形成されたレジスト膜の倒れを防止することを特徴とする。例文帳に追加

The mask blank comprises a thin film formed on a substrate for forming a mask pattern, and a resist film formed above the thin film, and is characterized in that the patterned resist film is prevented from collapsing upon developing the resist film for patterning by inserting a deposition layer joined with the thin film and the resist film. - 特許庁

流路となる溝部が形成されている第１のマイクロチップ基板１１と、金属薄膜１３が成膜されている第２のマイクロチップ基板１２とを接合したマイクロチップ１０において、試料を設置する検出部となる金属薄膜１３とは別に、第１または第２のマイクロチップ基板上であって上記流路外に参照部Ｎとなる金属薄膜１５を設ける。例文帳に追加

A microchip 10 obtained by joining together a first microchip substrate 11 having a trench part formed to serve as a flow passage and a second microchip substrate 12 filmed with a metal thin film 13 is provided with a metal thin film 15 as a reference part N on the first and second microchip substrates outside the flow passage, in addition to the metal thin film 13 as a detection part where a sample is set. - 特許庁

透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２とが積層された積層電極膜であって、Ａｇ合金薄膜層２は、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、透明酸化物層１とＡｇ合金薄膜層２との接合界面に、Ｉｎ酸化物３が形成されている。例文帳に追加

In a layered electrode film, a transparent oxide layer 1 and an Ag alloy thin film layer 2 are layered, the Ag alloy thin film layer 2 has a component composition containing 0.1-1.5 mass% of In, with the remainder of Ag and inevitable impurities, and an In oxide 3 is formed at a junction interface between the transparent oxide layer 1 and the Ag alloy thin film layer 2. - 特許庁

これにより、ＭＥＡ１０の電極反応によって生じた電子は、導電性に優れるカーボンから形成されたカーボン薄膜層２２に極めて容易に移動することができるとともにカーボン薄膜層２２に一体的に接合されたカーボン棒２３に損失なく移動することができる。例文帳に追加

As a result, electrons generated by electrode reaction of the MEA 10 can be extremely easily moved to the carbon thin film layer 22 formed from carbon excellent in conductivity, and also can be moved to the carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22 without any loss. - 特許庁

超伝導超格子構造３のメサ構造部分３Ａは、金属薄膜４を介して、λ／４マイクロストリップライン（長さがマイクロ波の波長の１／４）８に電気的に接合されており、メサ構造部分３Ｂは、金属薄膜４を介して金属電極９に接続されている。例文帳に追加

A mesa structure part 3A of the structure 3 is electrically connected to a λ/4 microstrip line (a length is 1/4 of the wavelength of a microwave) 8, and a mesa structure 3B is connected to a metal electrode 9 via a metal thin film 4. - 特許庁

全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな（湾曲することが可能な）半導体素子（薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a semiconductor element (thin film transistor, a thin film diode, a photoelectric converter made of a PIN junction of a silicon or a silicon resistance element) which is thin in overall thickness and flexible (bendable) and has a light weight. - 特許庁

接合しようとするシリコン部材間に介在させたＡｕ薄膜を膜厚２０ｎｍ以下とすることで、活性なシリコン原子がＡｕ薄膜を透過して表面に現れ、その活性なシリコン原子の働きで、シリコン部材間に強固な結合が生起できるのである。例文帳に追加

The Au thin film interposed between the silicon members to be bonded is made 20 nm or less in thickness and thus active silicon atoms pass through the Au thin film and appear at the surface and by an action of the active silicon atoms, strong bonding can occur between the silicon members. - 特許庁

PNヘテロ接合を含む化合物半導体薄膜積層ウエハの結晶成長における有機金属材料の鎖体反応を制御する混合工程と、加熱工程により高濃度のpタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる。例文帳に追加

A heavily doped p-type compound semiconductor thin film is grown epitaxially by a mixing process for controlling complex reaction of an organic metal material in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer including PN heterojunction, and a heating process. - 特許庁

上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。例文帳に追加

The element may be a thin-film transistor, a light emitting element having a layer containing an organic compound, an element having liquid crystal, a memory element, a thin-film diode, a photoelectric conversion element comprising a silicon PIN junction, or a silicon resistance element. - 特許庁

また、薄膜磁気ヘッドは主磁極膜２１１における記録ギャップ膜２４１よりもABSから離れた部分よりも大きい上部ヨーク磁極膜２１２を有し、この上部ヨーク磁極膜２１２が主磁極膜２１１の薄膜コイル２３１に近い側に接合されている。例文帳に追加

Furthermore, the thin film magnetic head has an upper yoke magnetic pole film 212 whose size is larger than that of the main magnetic pole film 211 at a part more distant from the ABS than the recording gap film 241, and this upper yoke magnetic pole film 212 is bonded to the side of the main magnetic pole film 211 close to the thin film coil 231. - 特許庁

ガス拡散層２０は、非導電性の多孔質樹脂材料から形成された本体２１と、本体２１のＭＥＡ１０に対向する対向面に形成されたカーボン薄膜層２２と、カーボン薄膜層２２と一体的に接合された複数のカーボン棒２３とで構成される。例文帳に追加

The gas diffusion layer 20 is constituted of: a main body 21 formed from the non-conductive porous resin material; a carbon thin film layer 22 formed on a facing surface facing an MEA 10 of the main body 21; and a plurality of carbon rods 23 joined integrally with the carbon thin film layer 22. - 特許庁

また、薄膜磁気ヘッドは主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさの大きい上部ヨーク磁極層を有し、この上部ヨーク磁極層が主磁極層の薄膜コイルに近い側に接合されている。例文帳に追加

The thin-film magnetic head has an upper yoke pole layer having a large size than the portion of the main pole layer which is more distant from the medium-opposing surface than the recording gap layer, wherein the upper yoke pole is joined to the side of the main pole layer which is near the thin-film coil. - 特許庁

本発明の目的は、光反応型ホットメルト接着剤を用い、薄膜基材と厚膜基材とを貼り合わせた接合体を積み重ねる際に、基材に反りや凹みの現象が発生することを抑制する薄膜基材の貼り合わせ方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for laminating a thin film base material in which occurrence of phenomenon of warpage or hollow on the base material is suppressed when stacking each conjugate obtained by laminating the thin film base materials to a thick film base material by using a photoreaction type hot melt adhesive. - 特許庁

室温下において「高温相」および「低温相」の２つの安定した相を有する相変化薄膜４と、この相変化薄膜４に直列に接続された、ｐ^+ 型領域９およびｎ^+ 型領域８からなるｎｐ接合とからメモリセルを構成する。例文帳に追加

A memory cell comprises a phase-change thin film 4 which is provided with two stable phases, 'high temperature phase' and 'low temperature phase', at a room temperature, and an np junction comprising a p+ type region 9 and n+ type region 8. - 特許庁

予め機能性薄膜が一体化して形成された微小機械構造体を使用するため、機能性薄膜と微小構造体との接合強度が高く、より高い検出シグナルが得られ、より測定精度や測定感度を向上させることができる。例文帳に追加

Because the minute mechanical structure being previously integrated with the functional thin film is used, bonding strength of the functional thin film and the minute mechanical structure is high, and higher sensing signal can be obtained, and measurement accuracy and measurement sensitivity can be improved furthermore. - 特許庁

複数の薄膜１２ａを離型層１１から剥離し、ステージ１３に形成したＡｌ層１４上に積層して接合することにより、Ａｌ層１４上に３層の薄膜１２ａを積層した４段構造の反射タイプの回折型フレネルレンズ１６Ａが作製される。例文帳に追加

The diffractive Fresnel lens 16A having a four-stage structure to laminate three-layer thin films 12a on an Al layer 14 is prepd. by peeling the plural thin films 12a from the releasing layer 11 and joining after laminating it on an Al layer 14 formed on a stage 13. - 特許庁

金属薄膜の陽極接合によって酸化されていない部分は前記金属薄膜の主組成の体心立方格子構造の微結晶を含み、前記微結晶の格子定数が前記主組成のバルクの格子定数より小さい。例文帳に追加

A part of the metal thin film that is not oxidized by the anode bonding comprises fine crystal having a body-centered cubic lattice structure of the main composition of the metal thin film, wherein the lattice constant of the fine crystal is smaller than the lattice constant of the bulk of the main composition. - 特許庁