「CONTACT PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

CONTACT ELECTROSTATIC CHARGER, IMAGE FORMING APPARATUS USING THE SAME, AND PROCESS CARTRIDGE例文帳に追加

接触帯電器及びそれを用いた画像形成装置並びにプロセスカートリッジ - 特許庁

Subsequently, a liquid developer 5 is brought into contact with the resist layer 93 (a development process).例文帳に追加

次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 - 特許庁

PROCESS AND APPARATUS FOR RAPID CONTACT SEPARATION OF CATALYST例文帳に追加

即時触媒分離方式による原料接触のための方法及び装置 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING RECESSED STORAGE NODE CONTACT PLUG例文帳に追加

リセスされたストレージノードコンタクトプラグを有する半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a contact sheet enabled to well secure a spring load of a contact and rationalize a manufacturing process of the contact.例文帳に追加

コンタクトのばね荷重を十分に確保し、かつコンタクトの製造工程を合理化するようにしたコンタクトシートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the time and labor for recovering from paper-jamming developed in the contact-bonding process in a technique for producing contact-bonding printed matter, in which the printing process and the contact-bonding process of variable information onto paper are executed individually.例文帳に追加

用紙に対する可変情報の印刷工程と圧着工程を個別に行う圧着印刷物作成技術において、圧着工程にて用紙ジャムが発生した場合のリカバリの所用時間及び所用労力を削減する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SLIDING CONTACT PLATE USED IN TRANSFER PROCESS OF PLASTIC CONTAINER例文帳に追加

プラスチック製容器の移送工程において使用する摺接板の製造方法 - 特許庁

MERGED CAPACITOR AND CAPACITOR CONTACT PROCESS FOR CONCAVE SHAPED STACKED CAPACITOR DRAM例文帳に追加

凹形のスタック型キャパシタＤＲＡＭ用の、合体型キャパシタおよびキャパシタ・コンタクト・プロセス - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR CONTACT ELECTRIFYING, IMAGE FORMING DEVICE, AND PROCESS CARTRIDGE例文帳に追加

接触帯電装置、接触帯電方法、画像形成装置およびプロセスカートリッジ - 特許庁

The method for producing a polyisocyanate comprises a contact process of reacting a polyamine with phosgene to give a reaction solution and bringing the reaction solution into contact with zeolite at 60-230°C and a heating process of heating the reaction solution at 180-230°C after the contact with the zeolite in the contact process.例文帳に追加

ポリアミンをホスゲンと反応させて得られる反応液を６０〜２３０℃でゼオライトと接触させる接触工程と、前記接触工程においてゼオライトと接触させた後の反応液を１８０〜２３０℃で加熱する加熱工程とを備える、ポリイソシアネートの製造方法。 - 特許庁

The contact hole 81, the contact hole 811 and the aperture part 812a are opened one another by the same process and the contact hole 84 and the aperture part 812a are opened by the same process each other.例文帳に追加

コンタクトホール８１、コンタクトホール８１１及び開孔部８１２ａは互いに同一工程によって開孔され、コンタクトホール８４、開孔部８１２ｂは互いに同一工程によって開孔される。 - 特許庁

A borderless contact process and a self-aligned contact process are simultaneously carried out by assuring an adequate width between the gate electrodes 118a and 118b and by forming contact holes after forming the etch preventing film.例文帳に追加

ゲート電極１１８ａ、１１８ｂ間の幅を十分に確保し、エッチング防止膜を形成した後コンタクトホールを形成することで、ボーダーレスコンタクト工程と自己整列コンタクト工程を同時に行う。 - 特許庁

In a process of inserting the tab 11, the inclined plane 16 is brought into sliding contact with the contact part 23 to gradually increase the elastic deflection amount of an elastic contact piece 22.例文帳に追加

タブ１１の挿入過程では、傾斜面１６が、接点部２３に摺接することで弾性接触片２２の弾性撓み量を次第に増大させる。 - 特許庁

In a process of bringing the inclined plane 16 into sliding contact with the contact part 23, the posture of the contact part 23 is gradually inclined along the slope of the inclined plane 16.例文帳に追加

接点部２３と傾斜面１６が摺接する過程では、接点部２３が、傾斜面１６の傾斜に従って次第に姿勢を傾けていく。 - 特許庁

The BPSG film 6 is subjected to a patterning process to make a contact hole 7 (b), polycrystalline silicon is buried in the contact hole 7 to form a contact plug 8.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜６をパターニングを行ってコンタクトホール７を形成し（ｂ）、コンタクト孔７に多結晶シリコンを埋込んでコンタクトプラグ８を形成する。 - 特許庁

The fixed contact 46 and the movable contact 56 act as the surface in contact with the side of a molding section during the growing process of the contact layers 45, 55 through vapor deposition, sputtering and the like.例文帳に追加

この固定接点４６及び可動接点５６は、接点層４５及び５５を蒸着やスパッタリング等により成長させる工程で、モールド部の側面に接していた面である。 - 特許庁

The process liquid attached to an outer peripheral surface of the process liquid coating drum 31 is removed by a blade 310 coming into contact with the outer peripheral surface of the process liquid coating drum 31.例文帳に追加

処理液塗布ドラム３１の外周面に付着した処理液は、処理液塗布ドラム３１の外周面に当接させたブレード３１０で除去する。 - 特許庁

A contact process into aqueous solution containing a phosphorus compound is preferably provided between the hydrous oxide-containing film forming process and the drying process.例文帳に追加

水和酸化物含有膜形成工程と乾燥工程との間には、リン化合物を含有する水溶液への接触工程を設けることが好ましい。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING SLIDE CONTACT PIECE FOR MEDIUM TO HIGH CURRENT DENSITIES, AND SLIDE CONTACT PIECE OBTAINED BY THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

中ないし高電流密度用の滑り接触子の製造方法およびこの方法によって得られる滑り接触子 - 特許庁

A contact part 22a of an electrical contact part 22 that is exposed on a side surface of a process cartridge B is abutted on the electrode 25.例文帳に追加

電極棒２５には、プロセスカートリッジＢの側面に露出する電気接点２２の接点部２２ａが当接する。 - 特許庁

To easily execute a process for embedding a metal film in a contact hole, even if the aspect ratio becomes large for contact.例文帳に追加

コンタクトのアスペクト比が大きくなっても、コンタクトホールに金属膜を埋め込む工程が困難になる事態を回避する。 - 特許庁

To provide a process cartridge with which contact type communication and non-contact type communication are realized by a relatively simple configuration.例文帳に追加

比較的に簡易な構成で、接触型通信と非接触型通信とを実現したプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

In the desorption process 25, the compressed steam 300d is brought in contact with a post-process adsorbent 410b having adsorbed a solvent.例文帳に追加

脱着工程２５では、溶剤を吸着した処理後吸着剤４１０ｂに圧縮蒸気３００ｄをあてる。 - 特許庁

The forming method of the nitride-based semiconductor device comprises a process for forming a p-type contact layer 8, a process for heat- treating the p-type contact layer 8, and a process for forming a p-side electrode 13 on the p-type contact layer 8 thereafter.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子の形成方法は、ｐ型コンタクト層８を形成する工程と、ｐ型コンタクト層８を熱処理する工程と、その後、ｐ型コンタクト層８上にｐ側電極１３を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A slide contact surface portion 77 of the process cartridge is in a state of being in sliding contact with the protruding portion of the contact terminal 71 by action of inserting the process cartridge 6, and the protruding portion 71b is pressed in a direction being apart from the recording medium 70 to limit contact between the contact terminal 71 and the recording medium 70.例文帳に追加

プロセスカートリッジ６の挿入動作によって、プロセスカートリッジの摺接面部７７が接触端子７１の突出部に摺接する状態となって、突出部７１ｂが記録媒体７０から離間する方向に押圧されて、接触端子７１の記録媒体７０への接触が規制される。 - 特許庁

As for the induction process, non-contact forces including electrostatic force and magnetic force are utilized.例文帳に追加

感応工程は、静電気力及び磁力を含む非接触力を利用する。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

To obtain a non-contact tag which can be manufactured by an easy manufacturing process and having a high frequency.例文帳に追加

製造プロセスが容易で、周波数特性の優れた非接触型タグを得る。 - 特許庁

To provide a highly reactive catalyst which is used for an oxidation process for a contact part.例文帳に追加

接触部分酸化法に用いるための高反応性触媒を提供する。 - 特許庁

CIRCUIT ARRANGEMENT, APPARATUS AND PROCESS FOR SERIAL SENDING OF DATA VIA CONNECTION CONTACT例文帳に追加

接続接点を介するデータのシリアル送信のための回路配置、装置およびプロセス - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a process of forming a contact hole in an interlayer insulation film of a substrate and a process of forming a contact plug with heating the substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。 - 特許庁

By doing so, the electric contact of the apparatus body does not drop from an electric contact of the process cartridge even when the feedable range of the process cartridge is narrow and even during or after completion of attachment of the process cartridge.例文帳に追加

そうすることにより、プロセスカートリッジの給電可能範囲が狭くとも、プロセスカートリッジの装着途中あるいは完了後においても、装置本体の電気接点がプロセスカートリッジの電気接点から脱落することは無い。 - 特許庁

To suppress short-circuiting between a gate electrode and a contact to increase yield in a contact formation by SAC process.例文帳に追加

ＳＡＣプロセスによるコンタクト形成において、ゲート電極とコンタクトとのショートを生じにくくし、歩留まりの向上を図ること。 - 特許庁

This process is performed about all points of contact, and a point of contact which shows the nearest value is estimated as the position of occurrence.例文帳に追加

これを全接点について行い、最も近い値を示す接点が発生位置として推定される解析方法を開発した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which contact resistance can be reduced, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

接触抵抗を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent tarnish caused by manual handling and contact with abrasives in a lens working process.例文帳に追加

レンズ加工工程で手扱いや研磨剤の接触によって発生するやけを防ぐ。 - 特許庁

The storage container 30 and the contact lens case 90 are sterilized by this process.例文帳に追加

これにより、収納具３０およびコンタクトレンズ容器９０が消毒された状態となる。 - 特許庁

To test mechanical excitation without any electrical contact in the initial manufacturing process.例文帳に追加

初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。 - 特許庁

In pressure contact pressing process, covered wires 62 having undergone a wiring process and a cutting pressing process, are made to pressure contact on a wire-layer die 16 from above by a pressure contact part 157, so a to have the covered wires 62 transferred from the wiring die 16 to a workpiece 181 therebelow.例文帳に追加

圧接プレス工程において、布線工程及び切断プレス工程の行われた被覆電線６２を布線金型１６の上方から圧接部１５７で圧接して、被覆電線６２を布線金型１６から下方のワーク１８１へ移し替えるようにした。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage between a contact formed in a self-alignment process and a gate electrode.例文帳に追加

自己整合的に形成されるコンタクトとゲート電極の間の耐圧を向上させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING CONTACT STRUCTURE IN LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL LAYER USING DUAL DAMASCENE PROCESS例文帳に追加

デュアルダマシン工程を利用した低誘電率物質層内のコンタクト構造形成方法 - 特許庁

PHOTORESIST COMPOSITION FOR RESIST FLOW PROCESS AND METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE USING SAME例文帳に追加

レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING WIRING BY DAMASCENE PROCESS USING HARD MASK FORMED WITH CONTACT例文帳に追加

コンタクトから形成されたハードマスクを使用するダマシン工程による配線形成方法 - 特許庁

To provide a method which inhibits a movable portion from coming in contact with another portion during manufacturing process.例文帳に追加

製造中に可動部が他の部分と接触することを抑止する方法を提案する。 - 特許庁

Hands 3a, 3b of the pair of robots 101, 102 are brought into contact with each other (contacting process).例文帳に追加

まず、一対のロボット１０１，１０２のハンド３ａ，３ｂ同士を当接させる（当接工程）。 - 特許庁