1153万例文収録!

「CONTACT PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > CONTACT PROCESSの意味・解説 > CONTACT PROCESSに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

CONTACT PROCESSの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2490



例文

In the insertion process of the tab 11, the contact portion 29 is brought into elastically contact with the tab 11 following that the pressing portion 12 is brought into contact with the receiving portion 30 so that the elastic contact piece 26 is elastically displaced toward the insertion space 27 side of the tab 11.例文帳に追加

タブ11の挿入過程では、押圧部12が受け部30に当接して弾性接触片26をタブ11の挿入空間27側へ弾性変位させるのに伴い、接点部29がタブ11に対して弾性接触する。 - 特許庁

By this, in the process of slide connection with the counter connector, the reduction of contact reliability due to the peeling-off of plating can be restrained even if numerous slide connections are performed without the contact of the counter contact to contact with the insulation housing.例文帳に追加

これによって、相手方コネクタとのスライド接続の過程で、相手方コンタクトが絶縁ハウジングに接触することなく、多数回のスライド接続を行った場合でもメッキ剥離による接触信頼性の低下を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a switch device in which assembly of a spring and a movable contact energized by this on a contact holder can be performed without requiring a reversing process afterwards.例文帳に追加

コンタクトホルダに対する、スプリングとこれにより付勢される可動コンタクトの組付けが、後に反転の工程を要することなくできるスイッチ装置を提供する。 - 特許庁

The conductive film 12 filled into the capacitor contact hole 11 and a pad (conductive film 12 filled into a cell contact hole 10) are formed through the same process.例文帳に追加

容量コンタクト孔11を埋め込んだ導電膜12とパッド(セルコンタクト孔10を埋め込んだ導電膜12)とを同一工程で形成する。 - 特許庁

例文

The protruding portion 71b is pulled out from the fitting concave portion 76 by action of taking out the process cartridge 6 to be in sliding contact with the slide contact surface portion 77.例文帳に追加

プロセスカートリッジ6の取り出し動作によって、突出部71bが嵌合用凹部76から抜け出して摺接面部77に摺接する状態となる。 - 特許庁


例文

To form a contact hole and contact wiring that are superior in uniformity and reliability on a large board surface in a fine thin film transistor manufacturing process.例文帳に追加

微細な薄膜トランジスタの製造工程において、大型基板面内で均一性良く信頼性が高いコンタクトコールおよびコンタクト配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a contact pad is protected from an etching process in the connection of upper metal wiring layer with a lower contact pad.例文帳に追加

上部金属配線層と下部コンタクトパッドとの接続においてコンタクトパッドをエッチング工程から保護する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-contact IC card in which the position of inlet to be sealed in the non-contact IC card is fixed even when an air extraction process is performed.例文帳に追加

エアを抜く工程を実施しても,非接触ICカードに封入するインレットの位置が固定される非接触ICカードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The contact structures are formed in the low dielectric constant material layer (low-k materials) using the dual damascene process, which provides the method of forming contact structures effectively.例文帳に追加

これよって、効果的なコンタクト構造形成方法を提供するデュアルダマシン工程を利用し、低誘電率物質層(low-k materials)内にコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

例文

To provide an etching method of contact hole in which etching stop is not generated even if the aspect ratio increases due to progress of the etching process during the dry-etching of the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールをドライエッチングする際に、エッチングが進行してアスペクト比が増加してもエッチストップが生じないコンタクトホールのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a structure where an insulating film for spacer formed to a side wall of contact hole is not in contact with a silicon substrate in view of reducing the number of steps of RIE process.例文帳に追加

コンタクトホール側壁に形成するスペーサ用絶縁膜がシリコン基板と接触しない構成とし、且つRIE加工工数を低減する。 - 特許庁

CONTACT ELECTRIFYING METHOD AND IMAGE FORMING DEVICE PROVIDED WITH ELECTROPHOTOGRAPHIC PROCESS INCLUDING THE METHOD例文帳に追加

接触帯電方法及びその接触帯電方法を含む電子写真プロセスを備えた画像形成装置 - 特許庁

In each manufacturing process of a condensing layer, a light emitting layer, and a photosensitive layer, a contact part is formed in each layer.例文帳に追加

集光層、発光層、感光層の各作製工程では、各層にコンタクト部が形成される。 - 特許庁

In the acid-treating process, the animal fiber is brought into contact with the acid to produce an acid-treated animal fiber.例文帳に追加

酸処理工程では、獣毛繊維が酸溶液に浸漬させられて酸処理獣毛繊維が製造される。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an organic semiconductor device, without making a device fabricating process very complex.例文帳に追加

有機半導体デバイスのコンタクト抵抗を、デバイス作製プロセスをあまり複雑化することなく低下させる。 - 特許庁

By means of the CMP process, the seams formed on the top of the contact material by bowing are removed.例文帳に追加

その際、CMP工程によってコンタクト物質の上部にボーイングにより発生したシームが除去される。 - 特許庁

This pin 50 does not come into contact with a wafer W when heating the wafer W as a process substrate.例文帳に追加

このピン50は,処理基板としてのウエハWを加熱する際にはウエハWに接触しない。 - 特許庁

A thermally contact-bonding process for pressuring to stick the electrode sheet 21 where a thermoplastic resin 20 is superimposed on the upper surface to the glass substrate 12 by a thermal contact-bonding, and an eliminating process for the thermoplastic resin for eliminating the thermoplastic resin 20 from the surface of the electrode sheet 21 after the thermal contact- bonding process.例文帳に追加

上面に熱可塑性樹脂20が重ね合わされている電極シート21を、熱圧着により基板ガラス12に押圧貼り付けする熱圧着工程と、該熱圧着工程後の熱可塑性樹脂20を、電極シート21上から除去する熱可塑性樹脂除去工程とを有する方法を採用した。 - 特許庁

Further, preferably, as a process subsequent to the fatigue cracking periphery peening process, the method includes a fatigue cracking immediately-above peening process of providing plastic deformation to the surface of the steel plate 1 by performing peening of a portion immediately above the fatigue cracking 3 to increase a contact area of the cracking contact surface 3a and/or a contact pressure.例文帳に追加

さらに、好ましくは、疲労き裂周辺ピーニング工程の後工程として、疲労き裂3の直上をピーニングすることにより鋼板1の表面に塑性変形を付与し、き裂接触面3aの接触面積及び/又は接触圧力を増加する疲労き裂直上ピーニング工程を有する。 - 特許庁

A double-patterning process is used to integrate the contact plug 162 and the wiring line 168.例文帳に追加

コンタクトプラグ162と配線ライン168とを一体型に形成するためにダブルパターニング工程を用いる。 - 特許庁

The surface of the contact pin, produced by pressing, is mirror- surface finished through barrel finishing and transferred to a next plating process.例文帳に追加

プレス製作されたコンタクトピンの表面を、バレル研磨によって鏡面化し、次のめっき工程に移る。 - 特許庁

When the process cartridge is attached to the apparatus body, a transfer roller 32 is firstly at a non-pressure contact position.例文帳に追加

プロセスカートリッジが装置本体に取り付けられた場合には、転写ローラ32が、まず、非圧接位置をとる。 - 特許庁

An equalization process is carried out to cancel any periodical change of output in the non contact temperature sensor.例文帳に追加

また非接触温度センサ出力の周期的な変動をキャンセルするように平均化処理を行う。 - 特許庁

A contact hole already formed on a diffusion layer for body tie, when used in a bulk silicon process, is removed.例文帳に追加

バルクシリコンプロセスに使用した際にボディータイ用拡散層上に形成されていたコンタクト孔を削除する。 - 特許庁

In a process of this movement, a contact face 90a of the positioning jig 90 presses a wall face 36g.例文帳に追加

この移動の過程で、位置決め用治具90の当接面90bが壁面36gを押圧する。 - 特許庁

IMAGE FORMING APPARATUS EQUIPPED WITH CONTACT CHARGING MEANS AND PROCESS CARTRIDGE TO BE EQUIPPED TO IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

接触帯電手段を具備した、画像形成装置及び画像形成装置に具備されるプロセスカートリッジ - 特許庁

The metal contact contains a palladium germanium alloy formed at a low temperature during an annealing process.例文帳に追加

これらの金属接点は、アニールプロセスの際に低温で形成されたパラジウムゲルマニウム合金を含有する。 - 特許庁

A raw material solution is brought into contact with a heated carrier gas, and then transported to a next process.例文帳に追加

原料溶液を加熱したキャリアガスに接触させて次工程に搬送することを特徴とする。 - 特許庁

To prevent short circuiting between a bit line and a cell contact, without significantly increasing number of manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を大幅に増加させることなくビット線とセルコンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

Then, a process gas for ashing is brought into contact with the resist layer 93 by being expelled through a discharge space 13 at near atmospheric pressure (atmospheric pressure remote plasma ashing process).例文帳に追加

次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間13に通して吹出し、レジスト層93に接触させる(大気圧リモートプラズマアッシング工程)。 - 特許庁

The super-abrasive grain wire saw is subjected to a truing process or a truing/dressing process while it travels in contact with the surface of a whetstone rotating.例文帳に追加

回転する砥石の表面を超砥粒ワイヤソーが接触して走行することにより、超砥粒ワイヤソーをツルーイングまたは、ツルーイング・ドレッシングする。 - 特許庁

A rhodamine dye is brought into contact directly with the surface to be treated or via the Zr film in either of the treating process and the washing process.例文帳に追加

これら処理工程及び水洗工程のうちの一方で、上記被処理面に直接又は上記Zr皮膜を介してローダミン色素を接触させる。 - 特許庁

A process liquid supply route (composed of piping and an emission part) for supplying the process liquid to the gas-liquid contact part and the cooling part may be integrated.例文帳に追加

気液接触部に処理液を供給するための処理液供給経路(配管および放出部から成る)と冷却部を一体化してもよい。 - 特許庁

Then, a process gas for lyophilization is brought into contact with the resist layer 93 by being expelled through a discharge space 23 at near atmospheric pressure (atmospheric pressure remote plasma lyophilization process).例文帳に追加

次に、親液化用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間23に通して吹出し、レジスト層93に接触させる(大気圧リモートプラズマ親液化工程)。 - 特許庁

The process fluid (SCF+first and second chemical liquids) is brought into contact with the substrate surface in the process chamber to strip and remove the resist or the like from the substrate.例文帳に追加

これにより、処理流体(SCF+第1、第2薬液)が処理チャンバー内で基板の表面に接触し、レジスト等が基板から剥離除去される。 - 特許庁

In this case, after the process B, a process C to force the perfluoro-electrolyte precursor 10 into contact with gas C containing amine gas may be provided.例文帳に追加

この場合、工程Bの後に、パーフルオロ電解質前駆体10と、アミンガスを含むガスCとを接触させる工程Cをさらに備えていても良い。 - 特許庁

In a clamping process, the bulk head 31b and the projection parts 32b, 32c are brought into contact with each other for forming each leading hole, and they are separated from each other in an opening process.例文帳に追加

各導入孔を形成するために、型締工程では隔壁31bと凸部32b,32cとを接触させ、型開工程ではそれらを引き離す。 - 特許庁

To provide a coaxial connector in which stability of contact is realized by making the contact between a contact member and a mating terminal a multipoint contact, and positioning of the contact positions between terminals is made easy, and furthermore, which is easy to process and low in manufacturing cost, and a terminal for coaxial connector used for the same.例文帳に追加

接触片と相手端子との接触を多点接触として接触の安定化を図るとともに、端子間の接触位置の位置決めを容易にし、更に、加工容易で、製造コストが安価な同軸コネクタ及びこれに使用する同軸コネクタ用端子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process cartridge and an image forming device which can remove developers and foreign matter when both contact parts are connected and, thereby, enables the stable continuity of the both contact parts even when the foreign matter such as the developers and paper powder is attached to the electrical contact parts of the device main body or the process cartridge.例文帳に追加

装置本体もしくはプロセスカートリッジの電気接点部に現像剤や紙粉等の異物が付着していても、両接点部の接続時にこれらの現像剤や異物を取り除くことができるようにして、両接点部の安定した導通を可能にする。 - 特許庁

Then, it is so constructed that the protruded parts 16 of the electrode members 12, 12 first contact the sub-contact portion 27 of the short circuit terminal member 23 in an engagement process and is separated lastly from the sub-contact portion 27 of the short circuit terminal member 23 in a separating process.例文帳に追加

そして、電極片12,12の突出部16が嵌合過程では短絡端子片23の副接触部分27と最初に接触し、離脱過程では同じく短絡端子片23の副接触部分27と最後に離間するよう構成されている。 - 特許庁

To provide a form contact-bonding device which contact-bonds a form through a folding process with an applied releasable adhesive and is designed to avoid a stopping action of an overcurrent circuit-breaker when a motor overcurrent occurs during contact-bonding.例文帳に追加

剥離自在な接着剤が塗布され折り加工された帳票を圧着する帳票圧着装置に関し、圧着時のモータ過電流による過電流遮断器の遮断動作を回避させる。 - 特許庁

During the above process, respective page buffers charge previously a first contact through the latches connected to a sense node, and the page buffers connect electrically a second contact connected to a sense circuit and the first contact.例文帳に追加

この時、それぞれのページバッファは感知ノードに連結されたラッチを通じて第1接点を先に充電した後、感知回路に連結された第2接点と前記第1接点とを電気的に連結する。 - 特許庁

In the etching process, etching of a contact groove 96 is stopped at the silicide film 102 until a contact groove 110 reaches the FD 52 after the contact groove 96 reaches to the silicide film 102.例文帳に追加

エッチング工程において、コンタクト溝96がシリサイド膜102に到達した以降、コンタクトホール110がFD52に到達するまで、コンタクト溝96のエッチングはシリサイド膜102で停止される。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

After a contact process for bringing the hexavalent selenium- containing waste water into contact with ferrous hydroxide slurry in a contact vessel 3 to remove selenium from the hexavalent selenium-containing waste water, the hexavalent selenium-containing waste water is solid-liquid separated in a settling vessel 4 and at least a part of settled slurry is circulated in the contact process through a settled slurry circulating line 8.例文帳に追加

6価セレン含有廃水からセレンを除去するため、6価セレン含有廃水を接触槽3内で水酸化第一鉄スラリーと接触させる接触工程の後、沈殿槽4で固液分離し、沈殿スラリーの少なくとも一部を沈殿スラリー循環ライン8により前記接触工程に循環する。 - 特許庁

The metal elution method comprises a first contact process of eluting the metal by bringing it into contact with the pressurized thermal water in a state where the sample is dispersed in the pressurized thermal water, and a second contact process of eluting the metal by further bringing the sample captured by a filter into contact with the pressurized thermal water.例文帳に追加

試料を加圧熱水中に分散させた状態で、加圧熱水と接触させることにより金属を溶出させる第一接触工程と、フィルターに捕捉された試料を更に加圧熱水と接触させることにより金属を溶出させる第二接触工程とを備える金属溶出方法。 - 特許庁

The method for applying the above composition comprises a process for blending the above bleaching composition, a process of forming the above activating agent system, a process of bringing the applicator in contact with the bleaching composition, and a process for applying the composition by using the applicator on the surfaces of one or more teeth to be bleached immediately after the contact with the bleaching composition.例文帳に追加

上記漂白組成物を配合する工程;上記活性剤系を形成する工程;アプリケーターを漂白組成物に接触させる工程;およびアプリケーターを、本質的に漂白組成物との接触後すぐに、漂白されるべき1またはそれ以上の歯の表面に塗布する工程を含む方法。 - 特許庁

The process (3) is a pressure fixing process: the activation treated surface of the substrate obtained in the process (1) is brought in contact with the ozonized surface of the film-like extrusion laminated resin to be fixed by pressure.例文帳に追加

工程(3)圧着工程:工程(1)で得られた基材の表面活性化処理面と、工程(2)で得られたフィルム状の押出ラミネート樹脂のオゾン処理面とを接触させ、圧着する工程。 - 特許庁

After the grinding process, the variable probe 52a is made to come in contact with the ground plane (1a) of the wafer 1 to measure the thickness after the primary grinding process, and the wafer 1, while being measured of its thickness, is subjected to a secondary grinding process.例文帳に追加

その後、変動プローブ52aをウェーハ1の研削面1aを接触させて一次研削工程後の厚さを測定し、ウェーハ1の厚さを測定しながら二次研削工程を行う。 - 特許庁

例文

A wash evaluation method comprises a staining process for bringing used medical equipment into contact with the stain solution, a water washing process for washing the medical equipment with water after completing the staining process, and an determination process for visually determining whether or not stains are present on the medical equipment after completing the water washing process.例文帳に追加

洗浄評価方法は、使用済み医療器具と前記染色液とを接触させる染色工程、該染色工程終了後の医療器具を水洗する水洗工程、及び該水洗工程終了後の医療器具について染色の有無を目視判定する判定工程、を有する。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS