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Current Elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
The calculation part 45 calculates a ratio of the current value of each LED element 31(R), 31(G), and 31(B) for compensating the chromaticity change so as to cancel the calculated chromaticity change.例文帳に追加
演算部45は、算出した色度変化を打ち消すように、つまり色度変化を補償するための、各LED素子31(R)、31(G)及び31(B)の電流量の比を算出する。 - 特許庁
When the position of the lens is deviated, the control part 108 detects position deviation of the lens by comparing a difference between a current position of the lens transmitted by the Hall element 308 and the stored position of the lens.例文帳に追加
レンズの位置がずれたとき、制御部108は、ホール素子308が伝えた現在のレンズの位置と、記憶したレンズの位置との差分を比較して、レンズの位置ずれを検出する。 - 特許庁
A driving transistor T3 is provided between a voltage supplying line La and an organic EL element OEL and generates a driving current IOEL corresponding to data during a driving interval.例文帳に追加
駆動トランジスタT3は、電圧供給線Laと有機EL素子OELとの間に設けられているとともに、駆動期間において、データに応じた駆動電流IOELを発生する。 - 特許庁
To efficiently cool a power semiconductor element of an electric circuit device having a function for supplying the power from an alternating current generator driven by an internal combustion engine to a load.例文帳に追加
内燃機関により駆動される交流発電機から負荷に電力を供給する機能を有する電気回路装置の電力用半導体素子の冷却を効率よく行わせること。 - 特許庁
The surface leak current detecting terminal 22 is contacted with a top face center part (center part between a pair of external electrodes 44, 46) of a ceramic element substance 42 of the ceramic capacitor 40 to be screened.例文帳に追加
表面リーク電流検出端子22は、被選別コンデンサ40のセラミック素体42の上面中央部(一対の外部電極44,46間の中央部)に接触される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element by which leakage current due to a gap generated by damaging a spacer of a storage node plug side wall by etching.例文帳に追加
エッチングによってストレージノードプラグ側壁のスペーサが損傷されて発生した隙間による漏洩電流を防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁
The detection circuit (20) detects the amount of output current from the power supply circuit based on the delay time from the on timing of the switching element (SWH) until start of resonance of the LC resonance circuit.例文帳に追加
検出回路(20)は、スイッチング素子(SWH)のオンタイミングからLC共振回路の共振開始までの遅延時間に基づいて電源回路の出力電流量を検出する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device in which generation of current leakage due to solder overflow is restrained when a semiconductor laser element is mounted on a heat sink by using solder in a semiconductor laser device.例文帳に追加
半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子をヒートシンクにソルダでマウントする際に、ソルダ溢れに起因する電流リークの発生を抑制する半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
A voltage V1 inputted from the bias input terminal 30 is put together with the input signal inputted from the voltage input terminal 1 and converted into a current by the resistance element R5.例文帳に追加
バイアス入力端子30から入力された電圧V1が、電圧入力端子1から入力された入力信号と合成され、抵抗素子R5により電流変換される。 - 特許庁
To prevent overvoltage breakdown of a semiconductor element when a current does not flow in a reactor of a DC/DC power conversion apparatus and voltage control of a charge/discharge capacitor becomes unable.例文帳に追加
DC/DC電力変換装置のリアクトルに電流が流れなくなり、充放電コンデンサの電圧制御ができなくなったとき、半導体素子の過電圧破壊を防止する。 - 特許庁
To provide a method and device for controlling an induction motor capable of contriving torque increase during the start of the induction motor without requiring an expensive switching element large in current capacity.例文帳に追加
電流容量が大きい高価なスイッチング素子を必要とせずに、誘導電動機の起動時のトルクアップを図ることができる誘導電動機の制御装置および制御方法を得る。 - 特許庁
To provide a load drive circuit which prevents unintended malfunctions due to load current, by preventing semiconductor element conduction due to the variations in the output voltage of a DC power supply, using a simple configuration.例文帳に追加
簡易な構成で、直流電源の出力電圧の変動による半導体素子の導通を防止して、意図しない負荷電流による誤動作を防止する負荷駆動回路を提供する。 - 特許庁
To aim at cost reduction and miniaturization of a surge absorber and its manufacturing method, with improved surge life and maximum peak current, enabling to perform center locating of surge-absorbing element in high precision.例文帳に追加
サージアブソーバ及びその製造方法において、高精度にサージ吸収素子のセンター出しができ、サージ寿命及びサージ耐量を向上させると共に、低コスト化及び小型化を図ること。 - 特許庁
The sensor has a function to detect ambient temperature and the detected temperature is compared with the voltage current characteristics vs. temperature data of the light emitting element stored in advance in the storage means.例文帳に追加
センサは環境温度を検出する機能を有し、その検出された温度は予め記憶手段に記憶されている発光素子の電圧電流特性VS温度のデータと参照される。 - 特許庁
To easily and securely verify a current which should flow to a specific circuit element constituting a semiconductor device and to greatly reduce the cost and the time needed to correct the device design.例文帳に追加
半導体装置を構成する所定の回路素子に流れるべき電流を容易かつ確実に検証でき、設計の修正にかかる費用や時間を大幅に削減すること。 - 特許庁
Since the charge from the power supply and the charge stored in the charge storage means 57 are carried to the piezoelectric element 22, the current consumed in the power supply is reduced.例文帳に追加
その後、スイッチング素子Q2をオンにして、圧電素子22に電源からの電荷に加えて電荷蓄積手段57に蓄積された電荷を通電することで、電源の消費電流を低減する。 - 特許庁
The imaging apparatus outputs the imaging signal, each output signal of each of configuration pixels of the imaging element (dark current) in the absence of incident light and information denoting whether or not pixels are defective pixels at the same time.例文帳に追加
撮像信号と、入射光の無い時の撮像素子構成画素個々の出力信号(暗電流)と、その画素が欠陥画素であるか否かの情報を同時に出力する。 - 特許庁
To provide a gallium-nitride-based LED element of perpendicular structure for maximizing the improvement effect of an external quantum efficiency and securing high-output characteristics by improving a current dispersion effect.例文帳に追加
外部量子効率の改善効果を極大化し、電流分散効果を向上させて高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系LED素子を提供する。 - 特許庁
An active layer 5 and a current constriction layer 9 composed of a semiconductor, to which an oxygen element is added, are formed between the p-type semiconductor layer 2 and the n-type semiconductor layer 4.例文帳に追加
p型半導体層2とn型半導体層4との間には、活性層5と、酸素元素が添加された半導体からなる電流閉じ込め層9とが設けられている。 - 特許庁
The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加
III−V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、下部半導体層と、活性層106と、上部半導体層と、電流阻止層115とを備えている。 - 特許庁
To provide a GaN-based semiconductor element for preventing current characteristics from varying greatly in each gate electrode, when a plurality of wall surfaces on which the gate electrode is formed are formed.例文帳に追加
ゲート電極が形成される壁面が複数形成されている場合、各ゲート電極での電流特性が大きく変動しないようにしたGaN系半導体素子を提供する。 - 特許庁
The device includes a tilt detection element operable to detect rotation having a component around at least one of the first axis and the second axis and a display operable to present a current image.例文帳に追加
当該装置は、前記第1の軸及び前記第2の軸の少なくとも一方の回りの回転成分を検出するチルト検出素子と、現在の画像を表示するディスプレイとを有する。 - 特許庁
To prevent the occurrence of a short circuit current certainly during tracked run of an electric vehicle upon occurrence of short circuit fault in the semiconductor power switching element constituting an inverter.例文帳に追加
インバータ装置を構成する電力用半導体スイッチング素子の短絡故障発生時における電動車両の被牽引走行時に、短絡電流の発生を確実に防止する。 - 特許庁
Further, by embedding the gate electrode in the substrate, a barrier to dark current is arranged between a charge transmission path formed below the gate electrode and a side wall of an element isolation region 12.例文帳に追加
また、ゲート電極を基板内に埋め込むことで、ゲート電極下に形成される電荷転送路と素子分離領域12の側壁との間に、暗電流に対する防壁を設ける。 - 特許庁
The relay (1) also has a drive element (5) which is connected with an armature (4) of the relay (1) and moves the movable contact (7) to the another contact (8) by supplying current to the relay (1).例文帳に追加
リレー(1)は、リレー(1)のアーマチュア(4)に作動接続され、リレー(1)の電流供給によって可動コンタクト(7)を別のコンタクト(8)に移動する駆動要素(5)をさらに具備する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus.例文帳に追加
可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Though each diode 15 has a small capacity, the large current corresponding to the semiconductor element 13 can be made to flow to the diodes 15 when the diodes 15 are connected in parallel with each other.例文帳に追加
一つひとつのSiC製ダイオード15は小容量であってもこれを互いに並列に接続することで、Si製半導体素子13に対応した大電流を流すことができる。 - 特許庁
The DC current from the DC power device 12 is boosted by a booster circuit 23 to be supplied to the solenoid coil 11 of the solenoid valve in opening or closing the valve element.例文帳に追加
弁体の開放または閉塞駆動を行うときには直流電流装置12からの直流電流を昇圧回路23によって昇圧して電磁弁のソレノイドコイル11に供給する。 - 特許庁
To provide an overcurrent protection circuit and overcurrent protection method that can reliably and easily suppress an overcurrent flowing through a switching element over a wide load current range.例文帳に追加
スイッチング素子に流れる過電流を広い負荷電流範囲にわたって確実かつ容易に抑制することができる過電流保護回路および過電流保護方法を提供する。 - 特許庁
To enhance efficiency by suppressing the flyback voltage added to a switch element, even if a sufficient value of inductance to control the recovery current from an output rectifying diode is inserted.例文帳に追加
出力整流ダイオードから流れるリカバリ電流を抑制する十分な値のインダクタンスを挿入してもスイッチング素子に加わるフライバック電圧を抑制して効率を高める。 - 特許庁
A drive control device 14 for drive controlling a light emitting element 12, comprises: a direct current power supply 16; a switch section 18; a drawing acceleration voltage control section 20; and an on-duty control section 22.例文帳に追加
発光素子12を駆動制御する駆動制御装置14は、直流電源16、スイッチ部18、引出加速電圧制御部20、およびオンデューティ制御部22から構成される。 - 特許庁
To provide a power converter by which high harmonic components contained in an alternative input current is suppressed and the hard switching-on and the hard switching-off of a switching element are avoided.例文帳に追加
交流入力電流に含まれる高調波成分が抑制され、スイッチング素子のハードスイッチング・オンおよびハードスイッチング・オフが回避されるようになる電力変換装置の提供。 - 特許庁
A start pulse (ST) for controlling light-emission timing and light-emission period of an EL element is generated based on the non light-emission periods determined by the current suppression part 12.例文帳に追加
スタートパルス生成部13は、電流抑制部12が決定した非発光期間に基づいて、EL素子の発光タイミングおよび発光期間を制御するスタートパルス(ST)を生成する。 - 特許庁
To obtain a power converter controller which can prevent breakdown of elements through reliable protecting operation even if an irregularity such as flow of heavier current through a semiconductor element occurs.例文帳に追加
半導体素子に大きな電流が流れる異常が発生しても、その保護動作を確実に行い素子破壊を防ぐことができる電力変換器制御装置を得ることである。 - 特許庁
The load part generates a monitor voltage V_1, corresponding to the photoelectric current that corresponds with the light-received quantity of a light receiving element 4 for monitoring the reception of a beam emitted from the laser beam generating section 2.例文帳に追加
負荷部は、レーザ光発生部2からの光を受けるモニタ用受光素子4における受光量に対応する光電流に対応したモニタ電圧V_1を生成する。 - 特許庁
To provide a composite element for a power source which can suppress voltage drop within a power unit at the time of supplying load with a large current, while contriving the downsizing of the power unit.例文帳に追加
電源装置の小型化を図りつつも、負荷に対して大電流を提供する時の電源装置内での電圧降下を抑制することができる電源用複合素子を提供すること。 - 特許庁
The element constituting first, second read/write switches SW4, SW5 and the memory sector 10 have higher breakdown voltage than that of the elements constituting the load current supply part 12 and the sense amplifier 13.例文帳に追加
第1、第2読出/書込切換スイッチSW4、SW5及びメモリセクタ10を構成する素子は、ロード電流供給部12及びセンスアンプ13を構成する素子よりも高耐圧である。 - 特許庁
A lower insulating substrate 15 and an upper insulating substrate 16 can be switched between a heat absorbing face and a heat radiating face by changing the direction of electric current distributed to the Peltier element 11.例文帳に追加
そして、ペルチェ素子11に通電する電流の向きを変更することにより下側絶縁基板15と上側絶縁基板16とを吸熱面と放熱面とに切り替え可能にした。 - 特許庁
To provide a photoelectric converting material, a photoelectric converting element, and a solid-state image sensor that sufficiently absorb light in the infrared range, have high sensitivity, and reduce a dark current.例文帳に追加
赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。 - 特許庁
In light-load operation mode, the switching loss of the main switching elements Q1, Q2 is suppressed by turning on and off each main switching element Q1, Q2 after inductor current is inverted.例文帳に追加
軽負荷動作モードでは、インダクタ電流がターンオン時から反転してから各メインスイッチング素子Q1,Q2のオンオフすることによって、メインスイッチング素子Q1,Q2のスイッチング損失を抑制する。 - 特許庁
The output terminal of the operational amplifier AMP outputs an output voltage signal Vout resulting from a light receiving current signal of the light receiving element PD1 converted into a voltage.例文帳に追加
演算増幅器AMPの出力端子において、受光素子PD1の受光電流信号が電圧に変換されて出力電圧信号Voutとして出力される。 - 特許庁
Bit lines BL and write-word lines WWL through which a data write-in current is made to flow are arranged along respectively a short side direction and a long side direction of the tunnel magnetic resistance element TMR.例文帳に追加
データ書込電流が流されるビット線BLおよびライトワード線WWLは、トンネル磁気抵抗素子TMRの短辺方向および長辺方向にそれぞれ沿って配置される。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device equipped with pixels such that a leak current of a TFT element in a non-scanning period (data holding period) is suppressed and the gate insulating film is prevented from being broken.例文帳に追加
非走査期間(データ保持期間)におけるTFT素子のリーク電流抑制およびゲート絶縁膜の破壊防止を図った画素を備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
When the magnetic disk device is in an operation waiting state, feedback control for positioning a carriage is released, and the flowing of a sense current through a magnetoresistance effect element for an MR head is stopped.例文帳に追加
磁気ディスク装置が動作待機状態のときは、キャリッジの位置決めのためのフィードバック制御を解除し、MRヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を流すのを止める。 - 特許庁
A control part 13, which is a programmable arithmetic control circuit, is used to make the constant current Isum easily applicable to the drive of every display element only by the change of software program.例文帳に追加
この際の定電流Isumは、プログラマブルな演算制御回路である制御部13を使用し、ソフトウェアプログラムの変更のみであらゆる表示素子の駆動に容易に適用可能とする。 - 特許庁
Light emitting element modules 56, 75 are connected with a direct current power source having a pair of output ends 54, 55 and an output capacitor 26 connecting with a point between the output ends 54, 55 in parallel.例文帳に追加
一対の出力端54、55と、この出力端間54、55に並列接続した出力コンデンサ26とを有する直流電源に発光素子モジュール56、75が接続される。 - 特許庁
To provide a motor drive system having a variable magnetic flux motor capable of varying magnetic flux by making a magnetization current efficiently flow so as not to exceed an allowable temperature of a switching element.例文帳に追加
スイッチング素子の許容温度を超えずに、効率よく磁化電流を流して磁束を変化させることのできる可変磁束モータを備えたモータドライブシステムを提供することにある。 - 特許庁
A magnetoresistance effect element, in which a sensor current is flowed in a direction perpendicular to a film surface, has an electron reflection layer on at least one of a pin layer, free layer, or nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加
センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。 - 特許庁
To provide a circuit protection element applicable as a delayed type fuse by restraining fusion of a fusion part due to an instantaneous inrush current flowing at the fusion part.例文帳に追加
溶断部に流れる瞬間的な突入電流による溶断部の溶断を抑制して、遅延型のヒューズとして適用できる回路保護素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
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